專利名稱：使用攪亂地址數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及使用攪亂(scramble)地址數(shù)據(jù)的方法操作的存儲(chǔ)系統(tǒng)。
技術(shù)背景閃存設(shè)備是一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，其中使用單個(gè) 存儲(chǔ)系統(tǒng)操作擦除或編程多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域。其他類型的EEPROM僅僅允許由單 一存儲(chǔ)系統(tǒng)操作擦除或編程單個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域。因此，包含閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)比起 使用其他類型EEPROM的存儲(chǔ)系統(tǒng)享有更高的操作性能。然而，如同其他類 型的EEPROM,形成閃存的構(gòu)成存儲(chǔ)單元會(huì)由于與隔離電荷存儲(chǔ)組件的電介 質(zhì)相關(guān)的磨損而經(jīng)過(guò)特定次數(shù)的擦除/編程操作之后變得老化。閃存在其操作特性上是非易失性的。因此，在不提供電源時(shí)能保持存儲(chǔ) 的數(shù)據(jù)。閃存同時(shí)提供對(duì)物理影響的良好免役性和較快的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度。由 于這些屬性，閃存廣泛地應(yīng)用于不使用電池的便攜式電子設(shè)備。當(dāng)前，閃存 有兩種類型NOR閃存和NAND閃存——它們的區(qū)別在于關(guān)于存儲(chǔ)單元使 用的邏輯門的特性?？梢允褂妹總€(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)一位信息(SBC)的存儲(chǔ)單元或每個(gè)存儲(chǔ)單元 存儲(chǔ)多位信息(MBC)的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列實(shí)施閃存。圖1是常規(guī)NAND閃存設(shè)備的相關(guān)部分的框圖。參見(jiàn)圖1，閃存設(shè)備的示例部分包括存儲(chǔ)單元陣列10、行選擇器(下文， "X-選擇器，，)20和數(shù)據(jù)寄存器以及讀出放大器(S/A)30。使用標(biāo)識(shí)為MBO至 MB(m-l)的多個(gè)存儲(chǔ)塊實(shí)施存儲(chǔ)單元陣列10。為了便于當(dāng)前討論，假設(shè)多個(gè) 存儲(chǔ)塊MBO至MB(m-l)中的每一個(gè)在結(jié)構(gòu)上基本類似。多個(gè)存儲(chǔ)塊MBO至 MB(m-l)中的每個(gè)適用于存儲(chǔ)2N位數(shù)據(jù)，其中N是大于或等于1的正整數(shù)。 X-選擇器20響應(yīng)所接收的行地址，選擇多個(gè)存儲(chǔ)塊MBO至MB(m-l)之一(例 如，隨后的討論中選才奪MBO)和在所選存儲(chǔ)塊中的一條字線。S/A30通過(guò)位線 連接到所選存儲(chǔ)塊，并在編程操作期間用作寫驅(qū)動(dòng)以及在讀操作期間用作讀出》文大器。圖2是進(jìn)一步圖解說(shuō)明圖1所示的所選存儲(chǔ)塊MB0部分以及S/A 30的 對(duì)應(yīng)部分的框圖。參見(jiàn)圖2，所選存儲(chǔ)塊MB0包括分別連接到多條位線之一的多個(gè)串11。 這里，只示出了單個(gè)奇/偶位線對(duì)(BLeO和Bk)0)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解許 多位線或奇/偶位線對(duì)能用于實(shí)施所選存儲(chǔ)塊MBO。多個(gè)串11中的每一串包 括串選擇晶體管SST、地線選擇晶體管GST以及配置在串選擇晶體管SST和 地線選擇晶體管GST之間的多個(gè)串接存儲(chǔ)單元MC31至MCO。串11中的串 選擇晶體管SST —起連接至由X-選擇器20控制的串選擇行SSL。串11中 的地線選擇晶體管GST —起連接至由X-選擇器20控制的地線選擇線GSL。 串11中的多個(gè)串接存儲(chǔ)單元MC31-MC0分別連接至由X-選擇器20控制的 對(duì)應(yīng)字線WL31至WLO。S/A30包括連接到位線對(duì)BleO和BloO的位線選擇器31以及相關(guān)寄存器 32。位線選擇器31選擇位線對(duì)BleO和BloO之一并電連接所選位線和寄存器 32。寄存器32根據(jù)當(dāng)前編程操作指定的編程數(shù)據(jù)向所選位線施加編程電壓(例 如，地線電壓)或編程禁止電壓(例如，電源電壓)。寄存器32在當(dāng)前讀操作期 間通過(guò)所選位線檢測(cè)在多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的數(shù) 據(jù)。雖然未在圖2中所示，其他位線對(duì)使用類似結(jié)構(gòu)分別連接至對(duì)應(yīng)寄存器。假設(shè)每條字線與兩頁(yè)(2P)(即，奇數(shù)頁(yè)和偶數(shù)頁(yè))相關(guān)，以及每個(gè)串接的存 儲(chǔ)單元存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)(2B),以及多個(gè)存儲(chǔ)塊的每個(gè)存儲(chǔ)塊包括32條字線 (32WL)，則每個(gè)存儲(chǔ)塊包括128頁(yè)(32WI^2P3B)。進(jìn)一步假設(shè)行地址包括選擇期望的存儲(chǔ)塊的塊地址和在所選存儲(chǔ)塊中選 擇一個(gè)或多個(gè)頁(yè)的頁(yè)地址，則必須用7位地址(下文，稱為"第一行地址，，) 選擇128頁(yè)中的每一頁(yè)。進(jìn)一步假設(shè)存儲(chǔ)單元陣列10中的1024個(gè)存儲(chǔ)塊， 必須用IO位地址(下文，稱為"第二行地址，，)選擇1024個(gè)存儲(chǔ)塊之一。因此，地址編碼必須選擇一個(gè)存儲(chǔ)塊中的所有頁(yè)，并然后選擇下個(gè)存儲(chǔ) 塊中的頁(yè)。例如，如圖3A所示，使用7位第一地址A12至A18在每個(gè)存儲(chǔ) 塊中的128頁(yè)之間選擇，以及使用多個(gè)第二地址位A19至Ai在存儲(chǔ)塊之間 選捧。當(dāng)7位第一地址是0000000時(shí)，在所選存儲(chǔ)塊中選才奪第一頁(yè)0P。當(dāng)7 位第一地址是1111111時(shí)，在所選存儲(chǔ)塊內(nèi)選^^最后一頁(yè)127P。根據(jù)這些工作假設(shè)，便于將外部提供的地址"映射"到閃存設(shè)備內(nèi)的物理地址位置。即，外部提供的地址改變?yōu)閴K地址和包括行地址的頁(yè)地址。然 而，該處理有一些限制。例如，在使用上述假設(shè)之外時(shí)，當(dāng)存儲(chǔ)3-位數(shù)據(jù)而不是2-位數(shù)據(jù)時(shí)，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括192頁(yè)或(32肌*2 *38)。當(dāng)每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3-位數(shù)據(jù)時(shí)，不可能以上述方式將對(duì)應(yīng)地址數(shù)據(jù)劃 分為頁(yè)地址和塊地址。即，需要8-位地址在192頁(yè)之間進(jìn)行選擇。然而，可 以使用8-位地址在256頁(yè)之間進(jìn)行選擇。為此，存在可以由每個(gè)存儲(chǔ)塊內(nèi)沒(méi) 有分配或識(shí)別的8-位地址(例如，錯(cuò)誤的8-位地址)選擇的頁(yè)。例如，如圖3A所示，閃存設(shè)備每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)2-位數(shù)據(jù)，選擇第一 存儲(chǔ)塊BLK0的第 一頁(yè)/最后頁(yè)的頁(yè)地址等同于選擇第二或另 一存儲(chǔ)塊的第一 頁(yè)/最后頁(yè)的頁(yè)地址。相反，如圖3B所示，閃存設(shè)備每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3-位 數(shù)據(jù)，選擇第一存儲(chǔ)塊BLKO的第一頁(yè)/最后頁(yè)的頁(yè)地址不同于選擇第二或另 一存儲(chǔ)塊的第一頁(yè)/最后頁(yè)的頁(yè)地址。該結(jié)果排除了將外部提供地址有效映射 到對(duì)應(yīng)閃存設(shè)備的頁(yè)地址和塊地址。即，當(dāng)每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3-位數(shù)據(jù)時(shí)， 從映射到頁(yè)的地址中區(qū)別出映射到構(gòu)成存儲(chǔ)塊的地址是不可能的。為此，控 制閃存設(shè)備的存儲(chǔ)控制器需要用于將外部提供的地址轉(zhuǎn)換成應(yīng)用于圖3B所 示的閃存設(shè)備的內(nèi)部地址的地址轉(zhuǎn)換表。發(fā)明內(nèi)容在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種在閃存系統(tǒng)內(nèi)攪亂地址數(shù)據(jù)的方法， 該閃存系統(tǒng)包括閃存控制器和存儲(chǔ)2N+1位數(shù)據(jù)的閃存設(shè)備，其中N是大于 或等于1的正整數(shù)，其中存儲(chǔ)在閃存設(shè)備中的數(shù)據(jù)被布置在多個(gè)存儲(chǔ)塊中， 每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)物理頁(yè)，該方法包括將從閃存控制器接收的外部地址 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為可在閃存設(shè)備內(nèi)操作的內(nèi)部地址數(shù)據(jù)，并指定外部地址數(shù)據(jù)內(nèi)的 特定攪亂地址數(shù)據(jù)值，并忽略與包括攪亂地址數(shù)據(jù)值的外部地址數(shù)據(jù)相關(guān)的 當(dāng)前數(shù)據(jù)訪問(wèn)操作，從而內(nèi)部地址數(shù)據(jù)不選擇每個(gè)存儲(chǔ)塊中的多個(gè)物理頁(yè)。在另一實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括閃存控制器和存儲(chǔ) 2N+1位數(shù)據(jù)的閃存設(shè)備，其中N是大于或等于1的正整數(shù)，其中存儲(chǔ)在閃 存設(shè)備中的數(shù)據(jù)被布置在多個(gè)存儲(chǔ)塊中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)物理頁(yè)，其中 閃存設(shè)備被配置有將從閃存控制器接收的外部地址數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為閃存設(shè)備內(nèi)操 作的內(nèi)部地址數(shù)據(jù)的電路，其中外部地址數(shù)據(jù)中的特定攪亂地址數(shù)據(jù)值使得 所述電路忽略與包括攪亂地址數(shù)據(jù)值的外部地址數(shù)據(jù)相關(guān)的當(dāng)前數(shù)據(jù)訪問(wèn)操作，從而內(nèi)部地址數(shù)據(jù)不選4奪每個(gè)存儲(chǔ)塊中的多個(gè)物理頁(yè)。


圖1是常規(guī)NAND閃存設(shè)備的框圖；圖2是圖1的存儲(chǔ)塊部分和對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)寄存器&檢測(cè)放大器電路的框圖； 圖3A是示出每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的閃存設(shè)備的塊和頁(yè)地址的表格；圖3B是示出每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的閃存設(shè)備的塊和頁(yè)地址的表格；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的一般框圖； 圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性地址攪亂方法的表格； 圖6是進(jìn)一步圖解說(shuō)明在圖4的閃存控制器和閃存設(shè)備之間使用的地址 攪亂方法的表格；和圖7是進(jìn)一步圖解說(shuō)明圖4的閃存設(shè)備的框圖。
具體實(shí)施方式
閃存設(shè)備用作能應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)示例。設(shè)?，F(xiàn)在將參考附圖在一些附加細(xì)節(jié)上描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明 能體現(xiàn)為不同形式并不應(yīng)理解為僅限于示例性實(shí)施例。而是，本實(shí)施例僅作 為教導(dǎo)性示例。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的一般框圖。參見(jiàn)圖4,存儲(chǔ)系統(tǒng)包括含有用于存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元陣列的閃存 設(shè)備1000和相關(guān)閃存控制器2000。示例性存儲(chǔ)系統(tǒng)例如涉及存儲(chǔ)卡、用于 硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的緩沖存儲(chǔ)器，用于各種計(jì)算平臺(tái)的高容量存儲(chǔ)器等。存儲(chǔ)設(shè)備1000受閃存控制器2000控制，并表示為每存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)"奇 數(shù)位數(shù)據(jù)"或2N+1位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備的示例，其中N是大于或等于1的正 整數(shù)。閃存控制器2000接收外部提供的地址數(shù)據(jù)(例如，從主設(shè)備CPU)，并 將"外部地址數(shù)據(jù)"轉(zhuǎn)換為適于在存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備1000內(nèi)使用的"內(nèi) 部地址數(shù)據(jù)"。如涉及圖3B的上面討論所建議的，常規(guī)存儲(chǔ)系統(tǒng)在不求助查詢表的情況下一般不能執(zhí)行外部至內(nèi)部地址數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。然而，使用查詢表相對(duì)較慢，并 且本發(fā)明實(shí)施例提供更高效的解決方案。因此，不象常規(guī)方案，閃存控制器2000將外部地址數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為內(nèi)部地址數(shù)據(jù)(例如，頁(yè)地址和塊地址)用于存儲(chǔ) 奇數(shù)位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備1000而不需要方便轉(zhuǎn)換的地址查詢表。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)外部地址數(shù)據(jù)具有指定的攪亂值時(shí)閃存控 制器2000操作性地忽略特定外部地址數(shù)據(jù)。即，如果外部地址數(shù)據(jù)具有指定 的攪亂值，則簡(jiǎn)單忽略(例如，認(rèn)為沒(méi)有操作或"No-叩")與"攪亂值地址數(shù) 據(jù)"相關(guān)的對(duì)閃存設(shè)備1000的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)訪問(wèn)操作(例如，編程、讀取或擦除 操作)。對(duì)于該情形，必須仔細(xì)定義閃存控制器2000和表示對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)訪問(wèn)操 作的外部設(shè)備之間的攪亂值地址數(shù)據(jù)的范圍。例如，根據(jù)上述的一致性假設(shè)，閃存設(shè)備1000每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3位數(shù) 據(jù)(3B),并包括32字線(32WL)，每個(gè)存儲(chǔ)塊中提供奇數(shù)/偶數(shù)位線對(duì)(2P)，以 及每個(gè)存儲(chǔ)塊包括192頁(yè)(32肌*2 *38)。因此，8位地址數(shù)據(jù)必須用于在192 頁(yè)之間選擇。然而，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，攪亂至少(例如，2位地址數(shù)據(jù))部分 8位地址數(shù)據(jù)。如圖5所示，例如，8位地址數(shù)據(jù)(例如，地址位A12至A19)用于在每個(gè) 存儲(chǔ)塊的192頁(yè)之間選擇。這里，當(dāng)外部地址數(shù)據(jù)同時(shí)包括"1"的位值以及 "1"用于地址位A13和A14時(shí)，忽略指向閃存設(shè)備1000的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)訪問(wèn)操 作。因此，在該示例中，包括用于地址位A13和A14的值"11"的外部地址 數(shù)據(jù)被定義為"攪亂地址數(shù)據(jù)值"，以及不將這些攪亂地址數(shù)據(jù)值分配或映射 到任何頁(yè)。作為該外部地址攪亂方法的結(jié)果，對(duì)于每個(gè)存儲(chǔ)塊攪亂64頁(yè)。對(duì)于該情 形，可能通過(guò)使用8位外部地址數(shù)據(jù)選擇192頁(yè)。如從圖5看到的，盡管閃 存設(shè)備2000每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的事實(shí)，可使用包括地址位A12至 A19的頁(yè)地址以類似于選擇第二(或另 一)存儲(chǔ)塊的第 一 頁(yè)/最后頁(yè)的形式選擇 第一存儲(chǔ)塊BLKO的第一頁(yè)/最后頁(yè)。這意味著外部地址數(shù)據(jù)已被合理地映射 到用于閃存設(shè)備200的頁(yè)地址和塊地址而不需要地址查詢表。因此，涉及存 儲(chǔ)塊的映射地址數(shù)據(jù)可以區(qū)別于涉及頁(yè)的映射地址數(shù)據(jù)。對(duì)于本發(fā)明的其他實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以明白地址攪亂方法不限 于每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的閃存設(shè)備。因此，特定的攪亂值不只限于所 示的地址位(例如，A13和A14)。圖6是進(jìn)一步圖解說(shuō)明地址攪亂方法和在圖4的閃存控制器與閃存設(shè)備之間傳送的相關(guān)地址數(shù)據(jù)的表格。如本領(lǐng)域公知，閃存設(shè)備通過(guò)在圖6的表格中編號(hào)為I/O 0至I/O 7的輸 入/輸出(I/0)針腳集合接收地址數(shù)據(jù)、命令數(shù)據(jù)和負(fù)載數(shù)據(jù)。由于受限的I/O 針腳的數(shù)量，行和列地址;故劃分為數(shù)據(jù)組并經(jīng)過(guò)若干數(shù)據(jù)傳送周期(例如，第 一至第五)被傳送到閃存設(shè)備。如圖6所示，列地址數(shù)據(jù)(例如，地址位A0至 All)在第一周期和第二周期期間被提供給閃存設(shè)備。行地址數(shù)據(jù)(例如，地址 位A12和A31)在第三周期至第五周期期間被提供給閃存設(shè)備。行地址位A12 至A31包括頁(yè)之間選擇的頁(yè)地址和在存儲(chǔ)塊之間選擇的塊地址。在示例實(shí)施例中，由于在包括存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元的每個(gè)存儲(chǔ)塊中 提供32字線和奇數(shù)/偶數(shù)位線對(duì)，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括192頁(yè)(32肌*2 *38)。對(duì) 應(yīng)頁(yè)地址是在192頁(yè)之間選擇的8位地址數(shù)據(jù)(例如，A12至A19)。地址位 A12用作在奇數(shù)/偶數(shù)位線之間選擇的信息。地址位A13和A14用作用于在每 個(gè)存儲(chǔ)器選擇三個(gè)數(shù)據(jù)位之一(或，稱為第一至第三頁(yè)數(shù)據(jù)位)的信息。地址位 A15至A19用作在每個(gè)存儲(chǔ)塊中的32字線之間的選擇。然而，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù) 人員顯而易見(jiàn)的是，這些地址位指定是隨意的并隨著存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)而改變。例如，不同的再配置除了塊帝制之外的頁(yè)地址。選擇三個(gè)數(shù)據(jù)位之一的 地址位高于選擇字線的地址位?；蛘?，選擇三個(gè)數(shù)據(jù)位之一的地址位低于選 擇字線的地址位?；蛘?，選擇三個(gè)數(shù)據(jù)位之一的地址位、選擇存儲(chǔ)塊的地址 位以及選擇字線的地址位被順序提供給閃存設(shè)備。圖7是進(jìn)一步圖解說(shuō)明圖4的閃存系統(tǒng)的框圖。參見(jiàn)圖7,閃存設(shè)備1000包括存儲(chǔ)單元陣列1100、行解碼電路1200、 列解碼電路1300、數(shù)據(jù)寄存器&讀出放大器(S/A)1400、列門電路1500、 I/O 接口 1600和命令寄存器&控制邏輯1700。存儲(chǔ)單元陣列1100包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，并且每個(gè)存儲(chǔ)塊包括在通過(guò)交叉字 線和位線而定義的陣列中布置的存儲(chǔ)單元。假設(shè)每個(gè)存儲(chǔ)塊的結(jié)構(gòu)類似于圖 2所示的結(jié)構(gòu)。行解碼電^各1200響應(yīng)通過(guò)I/O接口 1600提供的行地址而在存 儲(chǔ)單元陣列1100的頁(yè)之間選擇。列解碼電路1300解碼通過(guò)I/O接口 1600提 供的列地址CA，并隨后將解碼結(jié)果作為列選擇信息輸出至列門電路1500。 S/A 1400在讀操作期間用作讀出放大器并在編程操作期間用作寫驅(qū)動(dòng)器。假 設(shè)S/A1400具有關(guān)于圖2所示的類似結(jié)構(gòu)。命令寄存器&控制邏輯1700響應(yīng)控制信號(hào)從I/O接口 1600接收命令，并 根據(jù)外部提供的命令控制閃存設(shè)備1000的部件。命令寄存器&控制邏輯1700 接收行地址RA中的特定地址位(例如，Al3和A14)。當(dāng)定義的地址位(這里， A13和A14)表示攪亂的地址數(shù)據(jù)值(例如，ll)時(shí)，命令寄存器&控制邏輯1700 忽略當(dāng)前數(shù)據(jù)訪問(wèn)操作。地址位A13和A14也用于選擇指向第一頁(yè)數(shù)據(jù)位至 第三頁(yè)數(shù)據(jù)位之一的編程/讀取操作。由此，當(dāng)?shù)刂肺籄13和A14具有特定 的攪亂值(例如，ll)時(shí)，將不執(zhí)行當(dāng)前請(qǐng)求的操作。相反，當(dāng)?shù)刂肺籄13和 A14不具有特定的攪亂值(例如，ll)時(shí)，由命令寄存器&控制邏輯1700對(duì)第 一頁(yè)數(shù)據(jù)位至第三頁(yè)數(shù)據(jù)位之一執(zhí)行當(dāng)前數(shù)據(jù)訪問(wèn)操作。如上所述，即使存儲(chǔ)系統(tǒng)每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)奇數(shù)位數(shù)據(jù)(例如，3位數(shù)據(jù))， 也可能以允許該映射數(shù)據(jù)區(qū)別于與頁(yè)相關(guān)的映射地址數(shù)據(jù)的形式將外部地址 數(shù)據(jù)有效地映射到存儲(chǔ)塊。由此，相關(guān)的閃存控制器不需要如該環(huán)境中常規(guī) 的參考地址查詢表。上述主題僅是示例性的，并不是限制性的，以及所附的權(quán)利要求用于覆 蓋落在本發(fā)明范圍內(nèi)的所有修改、改進(jìn)和其他實(shí)施例。因此，根據(jù)法律允許 的最大范圍，本發(fā)明的范圍應(yīng)由所附權(quán)利要求及其等同物的最大允許的解釋 確定。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本美國(guó)非臨時(shí)專利申請(qǐng)根據(jù)35U.S.C § 119請(qǐng)求在2007年1月4日提交的 韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2007-0001055的優(yōu)先權(quán)，在此引入其主題以供參考。
權(quán)利要求
1、一種在閃存系統(tǒng)內(nèi)攪亂地址數(shù)據(jù)的方法，該閃存系統(tǒng)包括閃存控制器和存儲(chǔ)2N+1位數(shù)據(jù)的閃存設(shè)備，其中N是大于或等于1的正整數(shù)，其中存儲(chǔ)在閃存設(shè)備中的數(shù)據(jù)被布置在多個(gè)存儲(chǔ)塊中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)物理頁(yè)，該方法包括將從閃存控制器接收的外部地址數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為閃存設(shè)備內(nèi)操作的內(nèi)部地址數(shù)據(jù)；以及指定外部地址數(shù)據(jù)內(nèi)的特定攪亂地址數(shù)據(jù)值，并忽略與包括攪亂地址數(shù)據(jù)值的外部地址數(shù)據(jù)相關(guān)的當(dāng)前數(shù)據(jù)訪問(wèn)操作，從而內(nèi)部地址數(shù)據(jù)不選擇每個(gè)存儲(chǔ)塊中的多個(gè)物理頁(yè)。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中內(nèi)部地址數(shù)據(jù)包括列地址數(shù)據(jù)和行地 址數(shù)據(jù)，其中行地址數(shù)據(jù)包括表示搗亂地址數(shù)據(jù)值的至少一個(gè)地址位。
3、 如權(quán)利要求2所述的方法，其中行地址數(shù)據(jù)包括頁(yè)地址和塊地址，塊 地址選擇存儲(chǔ)塊，以及頁(yè)地址在所選存儲(chǔ)塊中選擇多個(gè)物理頁(yè)之一。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，其中行地址數(shù)據(jù)包括2M位地址數(shù)據(jù)，其 中M是大于或等于1的正整數(shù)。
5、 如權(quán)利要求3所述的方法，其中頁(yè)地址包括表示搗亂地址數(shù)據(jù)值的至 少一個(gè);也址^立。
6、 如權(quán)利要求5所述的方法，其中表示攪亂地址數(shù)據(jù)值的至少一個(gè)地址 位包括第 一地址位和第二地址位，其中第 一地址位選擇存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的 2N+1位數(shù)據(jù)之一，以及第二地址位選擇所選存儲(chǔ)塊中多條字線之一。
7、 如權(quán)利要求6所述的方法，其中第一地址位被配置成高于行地址中的 第二地址位。
8、 如權(quán)利要求6所述的方法，其中第一地址位被配置成低于塊地址。
9、 如權(quán)利要求6所述的方法，其中第一地址位被配置成低于塊地址并低 于行地址中的第二地址位。
10、 如權(quán)利要求6所述的方法，其中第一地址位、塊地址和第二地址位 被順序提供給閃存設(shè)備。
11、 一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括閃存控制器和存儲(chǔ)2N+1位數(shù)據(jù)的閃存設(shè)備，其中N是大于或等于1的 正整數(shù)，其中存儲(chǔ)在閃存設(shè)備中的數(shù)據(jù)被布置在多個(gè)存儲(chǔ)塊中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)物理頁(yè)，其中閃存設(shè)備被配置有將從閃存控制器接收的外部地址數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為閃存 設(shè)備內(nèi)操作的內(nèi)部地址數(shù)據(jù)的電路，其中外部地址數(shù)據(jù)內(nèi)的特定攪亂地址數(shù)據(jù)訪問(wèn)操作，從而內(nèi)部地址數(shù)據(jù)不選擇每個(gè)存儲(chǔ)塊中的多個(gè)物理頁(yè)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中內(nèi)部地址數(shù)據(jù)包括列地址數(shù) 據(jù)和行地址數(shù)據(jù)，其中行地址數(shù)據(jù)包括表示攪亂地址數(shù)據(jù)值的至少 一個(gè)地址 位。
13、 如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中行地址數(shù)據(jù)包括頁(yè)地址和塊地址，塊地址選擇存儲(chǔ)塊，以及頁(yè)地址選擇所選存儲(chǔ)塊中多個(gè)物理頁(yè)之一。
14、 如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中行地址數(shù)據(jù)包括2M位地址數(shù) 據(jù)，其中M是大于或等于1的正整數(shù)。
15、 如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中頁(yè)地址包括表示攪亂地址數(shù)據(jù) ^直的至少一個(gè)地址位。
16、 如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中表示攪亂地址數(shù)據(jù)值的至少一 個(gè)地址位包括第 一地址位和第二地址位，其中第 一地址位選擇存儲(chǔ)單元中存 儲(chǔ)的2N+1位數(shù)據(jù)之一，以及第二地址位選擇所選存儲(chǔ)塊中多條字線之一。
全文摘要
提供一種使用攪亂地址數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)和方法。該方法包括將外部地址數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為提供給閃存設(shè)備的行和列地址；以及指定外部地址數(shù)據(jù)內(nèi)的特定攪亂地址數(shù)據(jù)值，并忽略與包括攪亂地址數(shù)據(jù)值的外部地址數(shù)據(jù)相關(guān)的當(dāng)前數(shù)據(jù)訪問(wèn)操作，從而內(nèi)部地址數(shù)據(jù)不選擇每個(gè)存儲(chǔ)塊中的多個(gè)物理頁(yè)。
文檔編號(hào)G06F12/02GK101241758SQ20081008565
公開(kāi)日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2008年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月4日
發(fā)明者權(quán)五錫, 李城秀, 邊大錫 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社