專利名稱：一種nand閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)碼產(chǎn)品中使用閃存的系統(tǒng)，特別是一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
嵌入式系統(tǒng)的使用在電子行業(yè)越來越普遍，系統(tǒng)軟件代碼的容量也越來越大， 需要的存儲(chǔ)空間也增大。傳統(tǒng)的系統(tǒng)代碼都是用NOR閃存存儲(chǔ)的，NOR有很多優(yōu)點(diǎn) 地址訪問方便，讀數(shù)據(jù)速度快，幾乎沒有壞道等等，使用也相當(dāng)廣泛。但是NOR 也有很大的缺點(diǎn)，容量與NAND相比普遍偏小，價(jià)格也高出很多，在系統(tǒng)代碼容量 逐漸增大需求下，NAND閃存在很多應(yīng)用上逐漸取代N0R。目前在使用NAND閃存啟 動(dòng)的設(shè)計(jì)上，都是同時(shí)最多支持一種NAND閃存，小頁面或者大頁面，這就限制了 NAND的使用。
NAND閃存，其存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)和與非門有關(guān)，英文翻譯為NAND，優(yōu)點(diǎn)在于容量 大，最大單片16G字節(jié)，讀寫速度快，價(jià)格低廉。當(dāng)然它也有缺點(diǎn)，就是種類繁 多，地址訪問不如NOR方便，會(huì)有壞道。這也是NAND大量應(yīng)用的幾個(gè)技術(shù)難點(diǎn)。
NAND閃存的種類有很多，按照頁的大小分有小頁面、大頁面、4K頁、8K頁， 按照存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)來分有SLC (每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)2個(gè)信息)和MLC (每個(gè)存儲(chǔ)單 元存儲(chǔ)3個(gè)信息)及QLC (每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)4個(gè)信息)等。NAND的地址訪問方 式和N0R不同，NAND使用串行方式，將地址分成行地址和列地址兩種，對(duì)于不同 種類和容量的NAND閃存行列地址是不同。傳統(tǒng)的NAND啟動(dòng)設(shè)計(jì)只能在其中一種 結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)，要兼容所有的NAND閃存就要有自動(dòng)識(shí)別NAND種類的方法。
NAND閃存存儲(chǔ)包括字節(jié)、頁、塊3種組成部分， 一個(gè)塊內(nèi)有若干個(gè)頁， 一個(gè) 頁內(nèi)有若干個(gè)字節(jié)。按照頁的大小又分為小頁面和大頁面。NAND的地址是串行的， 分為行和列地址2種，大小頁面的地址是不同的。列地址是指閃存一個(gè)頁內(nèi)的地 址，小頁面一個(gè)頁是512字節(jié)，因此列地址只有一個(gè)8位(即一個(gè)周期)，行地址 則是指閃存包含多少塊和多少頁，根據(jù)容量的不同，會(huì)有2個(gè)周期地址或者3個(gè) 周期地址，如表l-2所示__，j0 0 ,1 TO 2 歸、3 歐4 TO 5f l/O'S ' W 7
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列地址 行地址l
行地址2
表1 1個(gè)周期列地址2個(gè)周期行地址
列地址l 行地址l
行地址2 行地址3
表2 l個(gè)周期列地址3個(gè)周期行地址 大頁面一個(gè)頁有2048字節(jié)或者4096字節(jié)或者8192字節(jié)，因此需要2個(gè)周期 的列地址來表示，而行地址則根據(jù)閃存容量的大小有2個(gè)周期或者3個(gè)周期，如 表3-4所示
'列地址i
'列地址2 '行地址， 行地址2
表3 2個(gè)周期列地址2個(gè)周期行地址
列地址i
列地址2
表4 2個(gè)周期列地址3個(gè)周期行地址 NAND閃存的操作時(shí)序， 一般是先發(fā)命令碼和行列地址，然后看RB的信號(hào)的 狀態(tài)，來判斷該命令執(zhí)行是否正確。RB信號(hào)是閃存的控制信號(hào)之一，R表示 "Ready" ， B表示"Busy"。
在正確收到一個(gè)命令以后，RB信號(hào)會(huì)由Ready狀態(tài)變?yōu)锽usy狀態(tài)，表示閃 存在準(zhǔn)備執(zhí)行該命令，然后再變回Ready狀態(tài)，表示閃存己經(jīng)準(zhǔn)備好執(zhí)行該命令， 如圖l所示。
圖1是對(duì)2個(gè)列地址3個(gè)行地址類型的閃存的讀操作，如果對(duì)同樣的閃存發(fā)送 給它的地址是1個(gè)列地址2個(gè)行地址，RB的反應(yīng)如圖2所示。
可以看出，RB信號(hào)始終為高，即閃存對(duì)和自身不匹配的行列地址操作的反應(yīng)
5
址，s s
地地地
行行是RB始終為高，不進(jìn)行命令準(zhǔn)備階段。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述問題提供了一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，用N緒D閃存 控制線RB的不同響應(yīng)自動(dòng)識(shí)別NAND閃存的行列地址周期的方法，并利用NAND讀 操作的通用性來讀取系統(tǒng)配置數(shù)據(jù)，從而達(dá)到正確讀取系統(tǒng)代碼，啟動(dòng)系統(tǒng)。
一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，其特征在于將不同的行列地址組合依次發(fā) 送給NAND閃存，然后檢測RB的反應(yīng)，當(dāng)RB反應(yīng)為正常的行列地址，則是NAND 閃存的行列地址信息，得到所述行列地址信息后，再從NAND中讀取包含全部信息 的系統(tǒng)配置信息，啟動(dòng)系統(tǒng)。
所述發(fā)送是通過函數(shù)Read—NandFlash()向NAND閃存發(fā)送地址和命令。 ReadJJandFlash()函數(shù)主要是按照閃存的地址要求，將行列地址及命令按順序發(fā) 送到閃存，命令主要是讀命令，該函數(shù)一般是用來從閃存里面讀數(shù)據(jù)，這里借用 來幫助檢測閃存對(duì)讀命令的反應(yīng)。
所述檢測RB的反應(yīng)是檢測RB信號(hào)是否為高，即閃存和行列地址是否匹配； 當(dāng)RB信號(hào)始終為Ready狀態(tài)時(shí)，閃存和行列地址不匹配；當(dāng)RB信號(hào)由Ready狀 態(tài)變?yōu)锽usy狀態(tài)，表示閃存在準(zhǔn)備執(zhí)行該命令，然后再變回Ready狀態(tài)，表示閃 存已經(jīng)準(zhǔn)備好執(zhí)行該命令，則說明閃存和行列地址匹配。
所述正常的行列地址則是指與閃存匹配的行列地址。
所述檢測RB的反應(yīng)是通過函數(shù)Check( RB )得到的。
所述方法對(duì)閃存的小頁面和大頁面枚舉
ttdefine COLMIN1 列地址最小為1個(gè)周期
#def ine COLMAX2 列地址最大為2個(gè)周期
Mef ine RO麗IN2 行地址最小為2個(gè)周期
Mefine ROWMAX3 行地址最大為3個(gè)周期。 for(coladd=COLMIN; coladd < COLMAX; coladd++)
f or (rowadd=ROWMIN; rowadd〈麗MAX; rowadd+十)
Read_NandFlash (); 〃對(duì)NAND閃存發(fā)送地址和命令
breturn = Check ( RB ); 〃檢測RB的反應(yīng)所述讀取是通過相同頁面(大頁面或者小頁面)閃存的讀操作命令相同，然 后在測得匹配的行列地址時(shí)，確定讀取閃存的命令，從閃存中指定地址讀出數(shù)據(jù)。 從閃存的0地址開始搜索配置信息字(配置信息的頭標(biāo)記文字)，如
0x5aa55aa5，如果搜索到該標(biāo)記，則說明系統(tǒng)的配置信息就找到了，用配置信息 配置系統(tǒng)參數(shù)，就可以完全操作該閃存，包括讀、寫和擦除等，系統(tǒng)也就可以正 常的啟動(dòng)了。
本發(fā)明的有益效果如下
用NAND閃存控制線RB的不同響應(yīng)自動(dòng)識(shí)別NAND閃存的行列地址的方法，然 后搜索配置信息，從而正確的啟動(dòng)系統(tǒng)，解決了系統(tǒng)只能從某一種NAND啟動(dòng)的問 題。


圖1為本發(fā)明RB在正確命令和地址下的反應(yīng)時(shí)序示意圖 圖2為本發(fā)明RB在非正確命令和地址下的反應(yīng)時(shí)序示意圖
具體實(shí)施例方式
如圖l-2所示， 一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，將不同的行列地址組合依次 發(fā)送給NAND閃存，然后檢測RB的反應(yīng)，當(dāng)RB反應(yīng)為正常的行列地址，則是NAND 閃存的行列地址信息，得到所述行列地址信息后，再從NAND中讀取包含全部信息 的系統(tǒng)配置信息，啟動(dòng)系統(tǒng)。
所述發(fā)送是通過函數(shù)Read—NandFlash()向NAND閃存發(fā)送地址和命令。 ReacLNandFlash()函數(shù)主要是按照閃存的地址要求，將行列地址及命令按順序發(fā) 送到閃存，命令主要是讀命令，該函數(shù)一般是用來從閃存里面讀數(shù)據(jù)，這里借用 來幫助檢測閃存對(duì)讀命令的反應(yīng)。
所述檢測RB的反應(yīng)是檢測RB信號(hào)是否為高，即閃存和行列地址是否匹配； 當(dāng)RB信號(hào)始終為Ready狀態(tài)時(shí)，閃存和行列地址不匹配；當(dāng)RB信號(hào)由Ready狀 態(tài)變?yōu)锽usy狀態(tài)，表示閃存在準(zhǔn)備執(zhí)行該命令，然后再變回Ready狀態(tài)，表示閃 存己經(jīng)準(zhǔn)備好執(zhí)行該命令，則說明閃存和行列地址匹配。
所述正常的行列地址則是指與閃存匹配的行列地址。
所述檢測RB的反應(yīng)是通過函數(shù)Check( RB )得到的。所述方法對(duì)閃存的小頁面和大頁面枚舉 #define C0LMIN 1 列地址最小為1個(gè)周期 ttdef ine C0L區(qū)X2 列地址最大為2個(gè)周期 #def ine R0WMIN2 行地址最小為2個(gè)周期 ttdefine RO麗AX3 行地址最大為3個(gè)周期。 for(coladd=COLMIN; coladd < COLMAX; coladd++)
for(rowadd=ROWMIN; rowadd〈R0麗AX; rowadd++)
Read_NandFlash (); 〃對(duì)NAND閃存發(fā)送地址和命令
breturn = Check ( RB ); 〃檢測RB的反應(yīng)
所述讀取是通過相同頁面(大頁面或者小頁面)閃存的讀操作命令相同，然 后在測得匹配的行列地址時(shí)，確定讀取閃存的命令，從閃存中指定地址讀出數(shù)據(jù)。 小頁面類型NAND閃存的讀命令都可以是OxOO，大頁面類型的讀命令都可以是0x00 和0x30。
從閃存的0地址開始搜索配置信息字(配置信息的頭標(biāo)記文字)，如 0x5aa55aa5，如果搜索到該標(biāo)記，則說明系統(tǒng)的配置信息就找到了，用配置信息 配置系統(tǒng)參數(shù)，就可以完全操作該閃存，包括讀、寫和擦除等，系統(tǒng)也就可以正 常的啟動(dòng)了。
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權(quán)利要求
1、一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，其特征在于將不同的行列地址組合依次發(fā)送給NAND閃存，然后檢測RB的反應(yīng)，當(dāng)RB反應(yīng)為正常的行列地址，則是NAND閃存的行列地址信息，得到所述行列地址信息后，再從NAND中讀取包含全部信息的系統(tǒng)配置信息，啟動(dòng)系統(tǒng)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，其特征在于所述 發(fā)送是通過函數(shù)ReacLNandFlash()向NAND閃存發(fā)送地址和命令。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，其特征在于所述 檢測RB的反應(yīng)是檢測RB信號(hào)是否為高，即閃存和行列地址是否匹配；當(dāng)RB信號(hào) 始終為Ready狀態(tài)時(shí)，閃存和行列地址不匹配；當(dāng)RB信號(hào)由Ready狀態(tài)變?yōu)锽usy 狀態(tài)，表示閃存在準(zhǔn)備執(zhí)行該命令，然后再變回Ready狀態(tài)，表示閃存已經(jīng)準(zhǔn)備 好執(zhí)行該命令，則說明閃存和行列地址匹配。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，某特征在于所述 正常的行列地址則是指與閃存匹配的行列地址。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，其特征在于所述 檢測RB的反應(yīng)是通過函數(shù)Check( RB )得到的。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，其特征在于所述 方法對(duì)閃存的小頁面和大頁面枚舉#define COLMIN1 列地址最小為1個(gè)周期 ^define COLMAX2 列地址最大為2個(gè)周期 井define ROWMIN2 行地址最小為2個(gè)周期 ttdefine ROWMAX3 行地址最大為3個(gè)周期。 for(coladd=COLMIN; coladd < COLMAX; coIadd++)for(rowadd=ROWMIN; rowadd〈ROWMAX; rowadd++)Read—NandFlashO ; breturn = Check( RB );〃對(duì)NAND閃存發(fā)送地址和命令 〃檢測RB的反應(yīng)
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，其特征在于所述 讀取是通過相同頁面閃存的讀操作命令相同，然后在測得匹配的行列地址時(shí)，確 定讀取閃存的命令，從閃存中指定地址讀出數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種NAND閃存自適應(yīng)啟動(dòng)方法，將不同的行列地址組合依次發(fā)送給NAND閃存，然后檢測RB的反應(yīng)，當(dāng)RB反應(yīng)為正常的行列地址，則是NAND閃存的行列地址信息，得到所述行列地址信息后，再從NAND中讀取包含全部信息的系統(tǒng)配置信息，啟動(dòng)系統(tǒng)；本發(fā)明用NAND閃存控制線RB的不同響應(yīng)自動(dòng)識(shí)別NAND閃存的行列地址的方法，然后搜索配置信息，從而正確的啟動(dòng)系統(tǒng)，解決了系統(tǒng)只能從某一種NAND啟動(dòng)的問題。
文檔編號(hào)G06F9/445GK101498990SQ20081014800
公開日2009年8月5日 申請日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者孫銀明 申請人:四川登巔微電子有限公司