專利名稱：：可顯示損壞率的記錄媒體結構的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種記錄媒體結構，特別是有關可以顯示損壞率的存儲器結構。
背景技術：
：存儲(記錄)媒體，特別是如非易失性存儲器之類的快閃存儲器，其因為半導體的穿隧效應，快閃存儲器在到達一定以上的擦除次數(shù)后，記錄數(shù)據(jù)的功能會開始損毀。針對此點，目前在存儲器中的數(shù)據(jù)區(qū)塊便并入錯誤更正碼(errorcorrectioncode，ECC)來進行數(shù)據(jù)的校正，另外還有缺陷管理、軟件管理或耐度(endurance)管理等，均為用來管理或修正存儲器中毀損數(shù)據(jù)的方法，但是這些方法也都各有缺點。上述ECC方法在錯誤至無法更正時，尚需要配合其他管理機制配合，因此無法有效的預期可能發(fā)生損壞的存儲區(qū)塊，而給予有效的事先防范。缺陷管理的方式則不是事先預防方法，其只是將有缺陷的區(qū)塊做標記而施以管理，但是在新產生缺陷區(qū)塊，會產生有數(shù)據(jù)毀壞的問題。軟件管理方法是在操作系統(tǒng)或應用程序做快閃存儲器的管理。這種方法的缺點是無法達成存儲體可攜性，而且當操作系統(tǒng)或應用程序重新安裝時，管理數(shù)據(jù)會有消失的問題。耐度管理則是利用計數(shù)的方式來對存儲器做使用上的管理。另外，耐度管理為一種計數(shù)方式的管理方法。此方法利用寫入次數(shù)做損壞預防的機制。本方法的缺點為浪費，很多存儲區(qū)塊尚未有實際毀損便被標示為缺陷區(qū)塊。另一個缺點是不適用于損壞是由非寫入造成的快閃存儲區(qū)塊，如讀取很多次或放置很長的時間。因此，目前有需要一種可以有效管理缺陷存儲區(qū)塊且能夠預先防范的方法。另外，如何將存儲區(qū)塊的缺陷管理結果呈現(xiàn)給使用者，以增加損壞管理效率也是有需要的。
發(fā)明內容針對上述問題，本發(fā)明提出一種可預防毀損與有效管理不同毀損存儲區(qū)塊的方法，其可以在數(shù)據(jù)發(fā)生損毀前保護重要數(shù)據(jù)，并且可預防多次寫入或多次讀取或長期保存所造成的數(shù)據(jù)毀損，充分利用與管理開始有損壞的存儲區(qū)塊。并且，本發(fā)明可以將此結果通過顯示元件提供給使用者，以增加損壞管理效率。本發(fā)明提供一種可顯示損壞率的記錄媒體結構。此記錄媒體至少包括一使用數(shù)據(jù)區(qū)域，使用數(shù)據(jù)區(qū)域具有多個耐度區(qū)塊，各耐度區(qū)塊具有一耐度值?？娠@示損壞率的記錄媒體結構包括外裝、第一離線顯示元件與第二離線顯示元件。第一離線顯示元件配設在外裝，用以顯示記錄媒體的實際損壞率，實際損壞率是依據(jù)錯誤更正碼(ECC)來計算。第二離線顯示元件亦配設在外裝，用以顯示記錄媒體的實際損壞率，隱含損壞率是依據(jù)各耐度值來計算。依據(jù)本發(fā)明一實施例，上述記錄媒體為存儲器、硬盤或光盤記錄媒體。此外，上述第一與第二離線顯示元件可為太陽能電池顯示元件、電致變色材料顯示元件或光致變色材料顯示元件。依據(jù)本發(fā)明一實施例，對于光盤記錄媒體，第一與第二離線顯示元件配設在光盤記錄媒體的非記錄區(qū)域，例如光盤的外周緣。依據(jù)本發(fā)明一實施例，第一與第二離線顯示元件得以長條狀圖案或數(shù)字來顯示實際損壞率與隱含損壞率。依據(jù)本發(fā)明一實施例，各耐度值的計算可依據(jù)下面步驟。對記錄媒體進行起始檢查，并且對記錄媒體進行一區(qū)域劃分，以獲得具有多個耐度區(qū)塊的至少一使用數(shù)據(jù)區(qū)域。對使用數(shù)據(jù)區(qū)域中的這些耐度區(qū)塊分別附上初始耐度值。建立耐度表于記錄媒體中，以記錄這些耐度區(qū)塊與這些初始耐度值。依據(jù)耐度表，對記錄媒體進行擦除/寫入程序，其中當擦除/寫入程序超過一擦除/寫入預定次數(shù),對各耐度區(qū)塊重新計算耐度值并更新該耐度表。對記錄媒體進行讀取程序，其中當該讀取程序超過讀取預定次數(shù)，對各耐度區(qū)塊重新計算耐度值并更新耐度表。依據(jù)本發(fā)明一實施例，上述各耐度區(qū)塊還包括多個數(shù)據(jù)區(qū)塊，而各數(shù)據(jù)區(qū)塊包括一ECC數(shù)據(jù)單元。另外，耐度表可以包括耐度區(qū)塊、寫入次數(shù)、ECC更正位數(shù)與耐度值。另外，本發(fā)明還提供一種可顯示損壞率的記錄媒體結構。記錄媒體至少包括一使用數(shù)據(jù)區(qū)域。使用數(shù)據(jù)區(qū)域具有多個耐度區(qū)塊，各耐度區(qū)塊具有耐度值?？娠@示損壞率的記錄媒體結構包括外裝、多個可置換存儲區(qū)塊、多個第一離線顯示元件與多個第二離線顯示元件。這些可置換存儲區(qū)塊配設在該外裝中。這些第一離線顯示元件用以顯示各可置換存儲區(qū)塊的實際損壞率，其中實際損壞率是依據(jù)錯誤更正碼(ECC)來計算。這些第二離線顯示元件，用以顯示各可置換存儲區(qū)塊的實際損壞率，其中隱含損壞率是依據(jù)各耐度值來計算。依據(jù)本發(fā)明一實施例，這些第一離線顯示元件與這些第二離線顯示元件可以分別配設在對應的各可置換存儲區(qū)塊上。此外，這些第一離線顯示元件也可以整合為一單一顯示元件并且配設在該外裝上，這些第二離線顯示元件整合為一單一顯示元件并且配設在該外裝上。'依據(jù)本發(fā)明一實施例，第一與第二離線顯示元件可以長條狀圖案或數(shù)字來顯示實際損壞率與隱含損壞率。另外，本發(fā)明還提供一種可顯示損壞率的記錄^(某體結構，其包括存儲區(qū)域、空間管理器、ECC單元、耐度表、第一與第二離線顯示元件、以及微控制器。存儲區(qū)域至少包括多個耐度區(qū)塊?？臻g管理器與存儲區(qū)域耦接，并且對存儲區(qū)域進行管理。ECC單元與存儲區(qū)域與空間管理器耦接，用以當對存儲區(qū)域進行擦除/寫入或讀取數(shù)據(jù)時，對數(shù)據(jù)進行ECC檢查與更正。耐度表用以記錄各耐度區(qū)塊的耐度值。第一離線顯示元件用以顯示記錄々某體的實際損壞率，其中實際損壞率是依據(jù)錯誤更正碼(ECC)來計算。第二離線顯示元件用以顯示記錄媒體的實際損壞率，其中隱含損壞率是依據(jù)各耐度值來計算。微控制器耦接至空間管理器、第一與第二離線顯示元件，用以依據(jù)ECC單元的處理結果以及耐度表中的耐度值，控制第一與第二離線顯示元件。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。圖1繪示包含ECC單元的數(shù)據(jù)區(qū)塊的架構示意圖。圖2繪示本實施例的耐度區(qū)塊的架構示意圖。8圖3繪示本實施例的存儲器中的存儲區(qū)域的示意圖。圖4繪示本實施例的管理區(qū)域中的耐度記錄表示意圖。圖5A與5B繪示依據(jù)本發(fā)明實施例的具有可攜式記錄媒體損壞預防管理與顯示方法的記錄媒體結構。圖6繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有可攜式記錄4某體損壞預防管理與顯示方法的記錄媒體結構。圖7A與7B繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有可攜式記錄媒體損壞預防管理與顯示方法的記錄々某體結構。圖8繪示本實施例的管理流程示意圖。圖9繪示本實施例的擦除/寫入流程的示意圖。圖IO繪示本實施例的讀取流程的示意圖。圖11繪示本實施例的硬件架構示意圖。主要元件符號說明10:數(shù)據(jù)區(qū)塊12:ECC數(shù)據(jù)單元20:耐度區(qū)塊30:存儲區(qū)域32:管理區(qū)域(映射表)34:使用數(shù)據(jù)區(qū)域36:備份區(qū)域38:缺陷區(qū)域3840、50:記錄媒體外裝42、52、62、74、122:第一離線顯示元件44、54、64、76、124:第二離線顯示元件65_1~65—n:可置換存儲區(qū)塊70:光盤72:光盤的非記錄區(qū)域100:記錄媒體102:存儲區(qū)域104:耐度表106:ECC單元108:緩沖器110:接口112:微控制器114:空間管理器116:主機具體實施例方式在說明本發(fā)明記錄媒體的缺陷或損壞管理方法和架構之前，先說明記錄媒體中的基本數(shù)據(jù)結構。此處列出的數(shù)據(jù)結構內容僅為最相關部分，在實際應用上，完整的數(shù)據(jù)結構可以包含其他內容。圖1繪示包含ECC單元的數(shù)據(jù)區(qū)塊的結構示意圖。以下的實施例將以快閃存儲器做為說明例。在快閃存儲器中，以圖1的數(shù)據(jù)區(qū)塊10做為最小的讀寫單位。數(shù)據(jù)區(qū)塊IO—般可包含一或多個ECC數(shù)據(jù)區(qū)塊12。做為最小讀寫單位的數(shù)據(jù)區(qū)塊10的大小例如可以是512B或2KB等，其可以具設計需求做適當?shù)恼{整。而各ECC數(shù)據(jù)區(qū)塊12則包含可修正位數(shù)的數(shù)據(jù)，例如16位。通過ECC數(shù)據(jù)區(qū)塊12可以對讀取或寫入的數(shù)據(jù)進行錯誤更正的處理程序。每個ECC數(shù)據(jù)區(qū)塊具有它可以檢查出的錯誤位數(shù)及其可以更正的錯誤位數(shù)。另外，每個數(shù)據(jù)區(qū)塊10也有其可以檢查出的錯誤位數(shù)及其可以更正的錯誤位數(shù)，亦即其內所有ECC數(shù)據(jù)區(qū)塊12中可檢查出的錯誤位數(shù)的總和及其可以更正的錯誤位數(shù)的總和。圖2繪示本實施例的耐度區(qū)塊的架構示意圖。如圖2所示，根據(jù)本實施例，快閃存儲器中的耐度區(qū)塊(enduranceblock)20可以包含整數(shù)個圖1所示的數(shù)據(jù)區(qū)塊IO。在快閃存儲器中，在記錄與計算快閃存儲器的損壞程度時，以耐度區(qū)塊為單位。根據(jù)本實施例，將存儲在快閃存儲器中的數(shù)據(jù)或文件進行重要性的分類，而將耐度區(qū)塊20賦予不同的參數(shù)耐度值Endu,亦即對存儲器的存儲區(qū)域的損壞程度附上一個參考標簽，使系統(tǒng)可以預測該區(qū)塊的耐用程度。例如，可以依據(jù)即將錯誤的程度給予Endu值為0、1、2、3等。Endu數(shù)值越小，表示該存儲區(qū)域的可靠度越高，越適合存儲重要性高的文件或數(shù)據(jù)。通過這種方式，可以預估存儲器中的存儲區(qū)域的可靠度高低，而將重要性高的數(shù)據(jù)或文件存儲到錯誤機率低的存儲區(qū)域中。下面繪詳細說明判斷方式。上述的重要性分類是可以讓系統(tǒng)本身依據(jù)文件或數(shù)據(jù)本身的屬性、副文件名等等來進行區(qū)分分類，或者是也可以讓使用者自己來做定義與分類。經過分類分層后，Endu的區(qū)塊便可依重要性，對應到不同層重要性的文件。以系統(tǒng)自行定義為例，可以將系統(tǒng)文件和隱藏文件等與系統(tǒng)操作高度相關的文件與數(shù)據(jù)存儲在如Endu=0的區(qū)域，數(shù)據(jù)文件可存放在Endu=l的區(qū)域，音視頻文件可存放在Endu=2的區(qū)域，而備份文件或數(shù)據(jù)則存放在Endu=l的區(qū)i或。另外，如果是使用者本身自己定義的話，可以將重要的數(shù)據(jù)或音視頻文件等存放在Endu=0的區(qū)域。一般數(shù)據(jù)與音視頻文件可以存放在例如Endu=l的區(qū)域，而不重要的數(shù)據(jù)或音視頻文件可以存放在例如Endu=3的區(qū)域。當然，以上僅是說明之用，何種數(shù)據(jù)要存放在Endu值多少的區(qū)域，端視系統(tǒng)或使用者的定義方式。圖3繪示本實施例的存儲器中的存儲區(qū)域的示意圖。如圖3所示，其為存儲器的邏輯存儲區(qū)域的配置示意范例。例如，可以將存儲區(qū)域30分成管理區(qū)域(映射表)32、使用數(shù)據(jù)區(qū)域34、備份區(qū)域36與缺陷區(qū)域38。其中，在此圖例中，使用數(shù)據(jù)區(qū)域34更可以依據(jù)Endu值區(qū)分為區(qū)域1~區(qū)域4，藉以依據(jù)文件或數(shù)據(jù)的重要性來分配存儲的區(qū)域。在管理區(qū)域32中可以存放一個記錄表，即耐度表(endurancetable)。此記錄表記錄有耐度區(qū)塊的位置、區(qū)塊的寫入次數(shù)(cycles)、ECC錯誤更正位數(shù)(ECC)和耐度值Endu(即將錯誤的程度)。圖4繪示本實施例的管理區(qū)域中的耐度記錄表示意圖。如圖4所示，Endu值可以是次數(shù)與ECC的函數(shù)或判斷式。一般快閃存儲器在出廠后會有E/W參考值(擦除/寫入參考值，考值、ECC的錯誤更正以及前述分部等等，定義一個對應函數(shù)或判斷式，由次數(shù)與ECC計算Endu值。此對應函數(shù)或判斷式可隨讀寫次數(shù)增加到不同的程序，而針對當時的快閃存儲器使用狀況與毀損狀況做修正。經由上述的記錄表，便可依不同的Endu值，將使用中的存儲區(qū)分成數(shù)個區(qū)域(area)，即上述耐度區(qū)塊。例如圖3,依不同的Endu值0-3,分成了區(qū)域1到區(qū)域4。另外，Endu值的對應函數(shù)或判斷式也可依各層文件的多寡來調整。此外，管理區(qū)域32因為重要性高，實作時可使用較高可靠度的存儲體，例如MRAM。根據(jù)上面的說明，可以得知耐度表記錄了記錄i某體的耐度區(qū)塊的ECC錯誤程度與Endu值。ECC錯誤程度代表耐度區(qū)塊的實際錯誤程度，而Endu值則表示耐度區(qū)塊的隱含錯誤程度。如果是將ECC錯誤程度與Endu值轉換成百分比的話，則各自代表實際錯誤率與隱含錯誤率。通過這兩個參數(shù)，記錄媒體的使用者便可以輕易地得知該記錄媒體的損壞狀況，并得以提早預防數(shù)據(jù)的損失。圖5A與5B繪示依據(jù)本發(fā)明實施例的具有可攜式記錄媒體損壞預防管理與顯示方法的記錄媒體結構。如圖5A所示，可攜式記錄媒體具有一外裝40,在外裝40上配設兩個顯示元件42、44，例如是離線顯示元件42、44。在此，所謂的離線顯示元件是指在脫離主機或不提供電源的情況下，顯示元件42、44仍舊可以顯示信息。如圖5A所示，離線顯示元件42、44的顯示類型是以長條狀的方式來顯示。例如，離線顯示元件42顯示ECC錯誤程度，即實際損壞率，而離線顯示元件44顯示Endu值，即隱含損壞率。長條的長度是對應到上述換算后的百分比。因此，通過長條狀的長度便可以輕易得知該記錄媒體目前的損壞狀況。另外，也可以利用顏色來區(qū)別。例如，綠色代表低損壞率，紅色代表高損壞率，其間有如橘色等的中間色。通過顏色的顯示，也可以獲知目前記錄媒體的損壞狀況。圖5B圖基本上與圖5A類似，在外裝50所配設的離線顯示元件52、54是以數(shù)字的方式來表示。因此，只要顯示元件可以充分反應出顯示ECC錯誤程度(實際損壞率)以及顯示Endu值(隱含損壞率)，可以采用任何可行的顯示類型。圖6繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有可攜式記錄々某體損壞預防管理與顯示方法的記錄媒體結構。圖6所示的例子為多個可置換記錄媒體的情況。如圖6所示，60為記錄媒體的外裝，此記錄媒體可以配置多個可置換存儲區(qū)塊65—1、65_2.....65—n。另外，在外裝60上配設離線顯示元件62、64,其中，離線顯示元件62可以顯示ECC錯誤程度，即實際損壞率，而離線顯示元件64顯示Endu值，即隱含損壞率。在圖6的例子中，所有12的可置換存儲區(qū)塊65—1、65_2.....65一n的實際損壞率均顯示在離線顯示元件62,而所有的可置換存儲區(qū)塊65—1、65_2.....65—n的隱含損壞率則均顯示在離線顯示元件62。當然，離線顯示元件也可以類似圖5A或5B的方式，分別配設可置換存儲區(qū)塊65—1、65—2、...、65—n上。在圖6所示的例子，記錄媒體可以是包含多個快閃存儲器的系統(tǒng)。另外，也可以應用到由硬盤構成的硬盤陣列等等。通過這種方式，使用者對于記錄媒體中各個可置換存儲區(qū)塊65—1、65—2.....65—n，便可以清楚地知道個別的損壞狀況。有了損壞率的顯示，使用者便可以針對自己的預算、習慣等來對損壞率高的存儲區(qū)塊進行更換。另外，如果在寫入數(shù)據(jù)時配合寫入策略，將耐度區(qū)塊錯誤率較高部分的未錯誤部分盡量使用，使損壞集中于同一存儲區(qū)塊，使用者便可以獲得最有效的存儲區(qū)塊置換方式。圖7A與7B繪示依據(jù)本發(fā)明實施例的具有可攜式記錄媒體損壞預防管理與顯示方法的記錄媒體結構。圖7A與7B是關于應用到光盤的例子。如圖7A所示，在光盤70在數(shù)據(jù)存儲區(qū)外的非記錄區(qū)72上，配置至少兩個離線顯示元件74、76。例如，離線顯示元件74顯示ECC錯誤程度，即實際損壞率,而離線顯示元件76顯示Endu值，即隱含損壞率。通過此方式，便可以使使用者即時知道光盤的損壞狀況，藉以判斷是否要將數(shù)據(jù)進行備份等等。圖7A的配置方式是將兩個離線顯示元件74、76沿光盤徑方向并排，而圖7B則是沿著光盤周方向并排。離線顯示元件74、76的排列類型可以任意選擇，其端視非記錄區(qū)72的位置與大小來決定。另外，離線顯示元件74、76可以是光致變色料顯示元件。通過對光盤以雷射光進行記錄時，可以根據(jù)雷射光的強度來使離線顯示元件74、76做對應的顯示。另外，顯示的類型如上述實施例一般，可以是條狀圖案(單色或以不同顏色呈現(xiàn))，或者是以數(shù)字來顯示。上述說明的離線顯示元件，可以是太陽能電池顯示元件、電致變色材料顯示元件、光致變色料顯示元件等等。上。其中，電致變色材料顯示元件是通過電來使顯示元件進行顯示，其可適用于像存儲器、硬盤等等的記錄々某體。光致變色材料顯示元件是通過光能量(如雷射光)來使顯示元件進行顯示，其可適用于光盤等的記錄々某體。以上是對快閃存儲器內數(shù)據(jù)區(qū)塊架構做個說明，其配合用來指示即將發(fā)生錯誤的程度的Endu值和數(shù)據(jù)/文件的重要性，來做存儲區(qū)域的配置。另外，也說明將ECC錯誤程度與Endu值顯示在記憶媒體上的實施方式。此外，如果能配合文件重要性做重新分配，便可以達到較重要數(shù)據(jù)受到損壞的機率。接著，針對記錄媒體(例如，快閃存儲器)的另一特性，即數(shù)據(jù)具有搬動特性，本實施例可以根據(jù)存儲區(qū)塊的損壞或缺陷程度的改變，將數(shù)據(jù)和文件做適當?shù)陌釀?。藉此，使重要性的?shù)據(jù)和文件得以一直存儲在可靠性高的存儲區(qū)域中，以避免數(shù)據(jù)和文件的遺失或毀損。接著將對此程序做進一歩的說明。圖8繪示本實施例的存儲器缺陷管理的流程示意圖。圖8所繪示的程序是針對存儲器一開始使用的狀況。首先，在步驟S100執(zhí)行起始檢查。此起始檢查是對整片快閃存儲器中包含存儲區(qū)域的整體檢查，以確定存儲區(qū)塊是否有問題或缺陷。接著，在步驟S102,對存儲器的存儲區(qū)域進行區(qū)域分配；亦即，進行邏輯存儲區(qū)域的定址分配等，其范例如圖3所示。接著，在步驟S104,分配初始Endu區(qū)域，即例如圖3中與Endu=0~3對應的區(qū)域1至區(qū)域4。此時，因為存儲器的存儲區(qū)塊皆尚未使用，所以可簡單依需用比例線性分配。之后，便依據(jù)每次擦除/寫入以及讀取的操作，重新計算各區(qū)域的Endu值，并且依據(jù)新的Endu值來搬動數(shù)據(jù)的存儲區(qū)域。接著便詳述Endu值的計算方式。圖9繪示本實施例的擦除/寫入流程的示意圖。首先，在步驟S200,將總計數(shù)值(擦除/寫入總計數(shù)值)TotalCount加上一相對倍數(shù)值cw，即TotalCount=TotalCount+cw。在對快閃存儲器進行擦除/寫入以及讀取操作過程中，記錄TotalCounter，亦即計算操作的總次數(shù)。因為快閃存儲器有一定的生命周期，所以可以根據(jù)操作次數(shù)來判斷目前記錄區(qū)塊的即將損壞程度(耐度)。另外，在擦除/寫入與讀取之間對存儲器的損壞有著一定的比例，所以在計算擦除/寫入的總次數(shù)時，尚需要加入相對于讀取操作的參考值，亦即上述的相對倍數(shù)cw，以使判斷準則更為精確。相對倍數(shù)cw則依據(jù)根據(jù)讀與寫造成損壞的比例，決定每寫一次TotalCounter要加多少相對倍數(shù)cw。例如，快閃存儲器的擦除/寫入程序生命周期是10萬次，而讀取程序生命周期是10000萬次，則在每擦除/寫入程序的總計數(shù)值加上相對倍數(shù)141000。接著，在步驟S202，讀取步驟S200所得到的總計數(shù)值TotalCount。之后在步驟S204，依據(jù)步驟S202所讀取的總計數(shù)值TotalCount,判斷耐度值Endu是否需要重新計算。一般可以設定每當總計數(shù)值TotalCount到達一預設值后，重算記錄表中的Endu值。在步驟S204，當總計數(shù)值TotalCount未達預設值，即不需要重新計算Endu值時(步驟S204的結果為"否")，則將計數(shù)值加l，并且結束擦除/寫入流程。反之，當需要重新計算Endu值時(步驟S204的結果為"是")，則在步驟S210將總計數(shù)值TotalCount歸零，并且執(zhí)行步驟S212S216的重算Endu值的程序。重算Endu值的程序較佳是以背景程序(backgroundprocess),低優(yōu)先權的程序執(zhí)行。關于重算Endu值的程序，首先在步驟S210將TotalCount歸零。接著調整Endu值判斷條件。快閃存儲器會隨著擦除/寫入和讀取的次數(shù)，而改變即將損壞的程度。因此，在重新計算Endu值時，便需要適度地對Endu值判斷條件(例如圖4)做適當?shù)恼{整，即步驟S212。之后，根據(jù)調整后的Endu值判斷條件，重新計算Endu值。也就是說，如圖3中的區(qū)域1至區(qū)域4的Endu值會被重新計算，產生新的值。例如，區(qū)域1的Endu值為3,區(qū)域2的Endu值為1，區(qū)域3的Endu值為2，區(qū)域4的Endu值為0等等。最后，根據(jù)具有新Endu值的存儲區(qū)域，將數(shù)據(jù)依據(jù)重要性，搬移到對應的Endu值的存儲區(qū)域中。當完成數(shù)據(jù)搬移后，則結束此擦除/寫入程序。圖10繪示本實施例的讀取流程的示意圖。在執(zhí)行快閃存儲器的讀取程序時，也是執(zhí)行與圖9類似的程序。如圖10所示，在開始讀取程序后，首先在步驟S300將總計數(shù)值(讀取總計數(shù)值)TotalCounter力卩1。接著，在步驟S302讀取步驟S300所得到的總計數(shù)值TotalCount。之后，在步驟S304,依據(jù)步驟S302所讀取的總計數(shù)值TotalCount,判斷耐度值Endu是否需要重新計算。一般可以設定每當總計數(shù)值TotalCount到達一預設值后，重算記錄表中的Endu值。在步驟S304,當總計數(shù)值TotalCount未達預設值，即不需要重新計算Endu值時(步驟S304的結果為"否")。之后，便執(zhí)行步驟S304,做ECC檢查與更正。在對存儲器進行讀取時，一般需要進行ECC檢測與更正，以確定可以讀取到正確的數(shù)據(jù)。但是一般數(shù)據(jù)區(qū)塊的ECC檢測能力與可修正次15數(shù)也有其限制，這也會影響到數(shù)據(jù)區(qū)塊的即將損壞程度，故也需要加以記錄(如圖4的例)。因此，在執(zhí)行步驟S304后，判斷檢查ECC更正次數(shù)是否有增多(步驟S320),如果有則將ECC更正位數(shù)記錄于如圖4的例的耐度記錄表中(步驟S322)，并結束讀取程序。反之，在步驟S320若ECC更正并未增加，便直接結束讀取程序。另外，在步驟S304,當總計數(shù)值TotalCount達到預設值，需要重新計算Endu值時(步驟S304的結果為"是")，則在步驟S310將總計數(shù)值TotalCount歸零，并且執(zhí)行步驟S312S316的重算Endu值的程序。重算Endu值的程序較佳是以背景程序(backgroundprocess)、低優(yōu)先權的程序執(zhí)行。關于重算Endu值的程序，其與圖9的Endu值重算程序相同。首先在步驟S310將TotalCount歸零。接著調整Endu值判斷條件。在重新計算Endu值時，需要適度地對Endu值判斷條件做適當?shù)恼{整，即步驟S312。之后，根據(jù)調整后的Endu值判斷條件，重新計算Endu值。也就是說，如圖3中的區(qū)域1至區(qū)域4的Endu值會被重新計算，產生新的Endu值。最后，根據(jù)具有新Endu值的存儲區(qū)域，將數(shù)據(jù)依據(jù)重要性，搬移到對應的Endu值的存儲區(qū)域中。當完成數(shù)據(jù)搬移后，則結束此讀取程序。另外，步驟S304的ECC檢查與糾錯，可以在判斷Endu是否重算前或后之時來進行。如果有新的ECC糾錯產生，則記錄到Endu表中。綜上所述，通過上述開始程序、擦除/寫入程序以及讀取程序這3個計算Endu程序后，便可實現(xiàn)損壞率分層的管理機制。另外，在不同的應用中，各種數(shù)值可做調整。例如長期保存很少寫入、少量讀取的狀況時，總計數(shù)值TotalCounter可每1000重設一次，相對倍數(shù)cw可設為10。另外，也可檢查讀寫數(shù)據(jù)的頻率來決定這些數(shù)值。接著說明可以實施上述程序的硬件架構。圖ll繪示本實施例的硬件架構示意圖。如圖11所示，記錄媒體(本實施例為快閃存儲器)IOO包括存儲區(qū)域102、ECC單元106、空間管理器(spacemanager)114、微控制器112、接口110、緩沖器108和耐度表104。存儲區(qū)域102主要是實體存儲區(qū)域。ECC單元106主要是對寫入或讀取的數(shù)據(jù)進行偵錯與更正的動作?？臻g管理器114主要是對存儲區(qū)域進行16定址管理、分配與配置等等動作。微控制器112控制整個快閃存儲器100。通過接口110，快閃存儲器100可以主機(例如計算機等)116做溝通。數(shù)據(jù)的寫入與讀取先暫放緩沖器，再通過接口進行主機116與存儲器100之間的溝通。耐度表104則是存放如上述圖4的數(shù)據(jù)，其可位于存儲區(qū)域102內部或外部。微控制器112可以寫入上述圖5至圖7的程序控制碼，以對空間管理器114進行控制。藉此，得以建立如上述圖4的耐度表。耐度表包括耐度區(qū)塊、寫入次數(shù)、ECC更正位數(shù)與耐度值彼此間的對應關系。藉此，微控制器112可以依據(jù)數(shù)據(jù)的重要性，將重要的數(shù)據(jù)存儲到損壞程度較低的區(qū)塊中。另外，通過圖8制圖IO的開始、寫入與讀取程序，可以依據(jù)不同的階段對數(shù)據(jù)區(qū)塊的損壞程度重新評估。之后，再依據(jù)重新計算出的損壞程度(即對應到Endu值)，再將數(shù)據(jù)作適當?shù)陌釀?。另外，圖8還包括第一離線顯示元件120與第二離線顯示元件122。第一顯示元件120與第二顯示元件122分別用來顯示上述圖5A、5B至圖7A、7B所示的記錄^某體的實際損壞率以及隱含損壞率。根據(jù)上述圖8各方塊的作用，該記錄媒體體的耐度表所記錄的記錄媒體的耐度區(qū)塊的ECC錯誤程度以及Endu值，便可以通過微控制器112的控制，分別傳送到第一顯示元件120與第二顯示元件122。藉此，可以將記錄媒體的實際損壞率以及隱含損壞率提供給使用者參考。另外，由于第一離線顯示元件120與第二離線顯示元件122在脫離主機也能顯示，所以可以方便地讓使用者隨時知道記錄媒體的損壞狀況，以達到對該記錄々某體的有效管理。綜上所述，通過上述的方法與系統(tǒng)，數(shù)據(jù)可以持續(xù)依據(jù)存儲區(qū)塊的損壞程度，將重要與不重要的數(shù)據(jù)隨時做適當?shù)陌釀?。藉此，可以達到記錄媒體的損壞程度的有效管理。而且，通過離線顯示元件，可以讓使用者隨時掌握記錄纟某體的損壞狀況。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附權利要求書所界定者為準。權利要求1.一種可顯示損壞率的記錄媒體結構，該記錄媒體至少包括一使用數(shù)據(jù)區(qū)域，該使用數(shù)據(jù)區(qū)域具有多個耐度區(qū)塊，各這些耐度區(qū)塊具有一耐度值，該可顯示損壞率的記錄媒體結構包括一外裝；一第一離線顯示元件，配設在該外裝，用以顯示該記錄媒體的一實際損壞率，其中該實際損壞率是依據(jù)一錯誤更正碼ECC來計算；以及一第二離線顯示元件，配設在該外裝，用以顯示該記錄媒體的一實際損壞率，其中該隱含損壞率是依據(jù)各該耐度值來計算。2.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄纟某體結構，其中該記錄纟某體為一存儲器或一硬盤3.如權利要求2所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該記錄媒體為該存儲器或該硬盤，該第一與該第二離線顯示元件為一太陽能電池顯示元件或一電致變色材料顯示元件。4.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該記錄媒體為一光盤記錄媒體。5.如權利要求4所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該第一與該第二離線顯示元件為一光致變色材料顯示元件。6.如權利要求4所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該第一與該第二離線顯示元件配設在該光盤記錄媒體的一非記錄區(qū)域。7.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該第一與該第二離線顯示元件以一長條狀圖案或數(shù)字來顯示該實際損壞率與該隱含損壞率。8.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中各該耐度值的計算還包括對該記錄媒體進行一起始檢查，并且對該記錄媒體進行一區(qū)域劃分，以獲得具有多個耐度區(qū)塊的至少一該使用數(shù)據(jù)區(qū)域；對該使用數(shù)據(jù)區(qū)域中的這些耐度區(qū)塊分別附上一初始耐度值；建立一耐度表于該記錄媒體中，以記錄這些耐度區(qū)塊與這些初始耐度值；依據(jù)該耐度表，對該記錄媒體進行一擦除/寫入程序，其中當該擦除/寫入程序超過一擦除/寫入預定次數(shù)，對各該耐度區(qū)塊重新計算一耐度值并更新該耐度表；以及對該記錄媒體進行一讀取程序，其中當該讀取程序超過一讀取預定次數(shù)，對各該耐度區(qū)塊重新計算一耐度值并更新該耐度表。9.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中各該耐度區(qū)塊還包括多個數(shù)據(jù)區(qū)塊，各該數(shù)據(jù)區(qū)塊括一ECC數(shù)據(jù)單元。10.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該耐度表包括耐度區(qū)塊、寫入次數(shù)、ECC更正位數(shù)與耐度值。11.一種可顯示損壞率的記錄媒體結構，該記錄媒體至少包括一使用數(shù)據(jù)區(qū)域，該使用數(shù)據(jù)區(qū)域具有多個耐度區(qū)塊，各這些耐度區(qū)塊具有一耐度值，該可顯示損壞率的記錄媒體結構包括一外裝；多個可置換存儲區(qū)塊，配設在該外裝中；多個第一離線顯示元件，用以顯示各這些可置換存儲區(qū)塊的一實際損壞率，其中該實際損壞率是依據(jù)一錯誤更正碼ECC來計算；以及多個第二離線顯示元件，用以顯示各這些可置換存儲區(qū)塊的一實際損壞率，其中該隱含損壞率是依據(jù)各該耐度值來計算。12.如權利要求11所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該記錄媒體為一存儲器或一硬盤，13.如權利要求12所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該第一與該第二離線顯示元件為一太陽能電池顯示元件或一電致變色材料顯示元件。14.如權利要求11所述的可顯示損壞率的記錄J(某體結構，其中這些第一離線顯示元件與這些第二離線顯示元件分別配設在對應的各這些可置換存儲區(qū)塊上。15.如權利要求11所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中這些第一離線顯示元件整合為一單一顯示元件并且配設在該外裝上，這些第二離線顯示元件整合為一單一顯示元件并且配設在該外裝上。16.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄々某體結構，其中該第一與該第二離線顯示元件以一長條狀圖案或數(shù)字來顯示該實際損壞率與該隱含損壞率。17.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄々某體結構，其中各該耐度值的計算還包括對該記錄媒體進行一起始檢查，并且對該記錄媒體進行一區(qū)域劃分，以獲得具有多個耐度區(qū)塊的至少一該使用數(shù)據(jù)區(qū)域；對該使用數(shù)據(jù)區(qū)域中的這些耐度區(qū)塊分別附上一初始耐度值；建立一耐度表于該記錄媒體中，以記錄這些耐度區(qū)塊與這些初始耐度值；依據(jù)該耐度表，對該記錄媒體進行一擦除/寫入程序，其中當該擦除/寫入程序超過一擦除/寫入預定次數(shù)，對各該耐度區(qū)塊重新計算一耐度值并更新該耐度表；以及對該記錄媒體進行一讀取程序，其中當該讀取程序超過一讀取預定次數(shù)，對各該耐度區(qū)塊重新計算一耐度值并更新該耐度表。18.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中各該耐度區(qū)塊還包括多個數(shù)據(jù)區(qū)塊，各該數(shù)據(jù)區(qū)塊括一ECC數(shù)據(jù)單元。19.如權利要求1所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該耐度表包括耐度區(qū)塊、寫入次數(shù)、ECC更正位數(shù)與耐度值。20.—種可顯示損壞率的記錄i某體結構，包括一存儲區(qū)域，至少包括多個耐度區(qū)塊；一空間管理器，與該存儲區(qū)域耦接，對該存儲區(qū)域進行管理；一錯誤更正碼ECC單元，與該存儲區(qū)域與該空間管理器耦接，用以當對該存儲區(qū)域進行擦除/寫入或讀取數(shù)據(jù)時，對該數(shù)據(jù)進行ECC檢查與更正；一耐度表，用以記錄各該耐度區(qū)塊的一耐度值；一第一離線顯示元件，用以顯示該記錄媒體的一實際損壞率，其中該實際損壞率是依據(jù)一錯誤更正碼ECC來計算；一第二離線顯示元件，用以顯示該記錄媒體的一實際損壞率，其中該隱含損壞率是依據(jù)各該耐度值來計算；以及一微控制器，耦接至該空間管理器、該第一與該第二離線顯示元件，用以依據(jù)該ECC單元的處理結果以及該耐度表中的耐度值，控制該第一與該第二離線顯示元件。21.如權利要求20所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該耐度表包括耐度區(qū)塊、寫入次數(shù)、ECC更正位數(shù)與耐度值。22.如權利要求22所述的可顯示損壞率的記錄媒體結構，其中該記錄媒體為該存儲器或該硬盤，該第一與該第二離線顯示元件為一太陽能電池顯示元件、一電致變色材料顯示元件或一光致變色材料顯示元件。23.如權利要求22所述的可顯示損壞率的記錄4某體結構，其中該第一與該第二離線顯示元件以一長條狀圖案或數(shù)字來顯示該實際損壞率與該隱含損壞率。全文摘要一種可顯示損壞率的記錄媒體結構。此記錄媒體至少包括一使用數(shù)據(jù)區(qū)域，使用數(shù)據(jù)區(qū)域具有多個耐度區(qū)塊，各耐度區(qū)塊具有一耐度值?？娠@示損壞率的記錄媒體結構包括外裝、第一離線顯示元件與第二離線顯示元件。第一離線顯示元件配設在外裝，用以顯示記錄媒體的實際損壞率，實際損壞率是依據(jù)錯誤更正碼(ECC)來計算。第二離線顯示元件亦配設在外裝，用以顯示記錄媒體的實際損壞率，隱含損壞率是依據(jù)各耐度值來計算。文檔編號G06F11/10GK101499025SQ20081017801公開日2009年8月5日申請日期2008年12月8日優(yōu)先權日2007年11月29日發(fā)明者曾文俊申請人:財團法人工業(yè)技術研究院