專利名稱：信息處理設(shè)備以及半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個實施例涉及信息處理設(shè)備以及半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器。
背景技術(shù)：
提議有配有存儲器封裝，溫度傳感器，以及溫度檢測電路的存儲器模塊。在JP-A-2007-257062中公開了這樣的存儲器模塊的實例。所述存儲器模塊包括安裝在印刷電路板上的存儲器封裝，測量所述存儲器封裝的溫度的溫度傳感器，以及比較由溫度傳感器測量的溫度與預(yù)先設(shè)置的溫度的溫度檢測電路。相應(yīng)地，所述存儲器模塊能夠以溫度傳感器測量所述存儲器封裝的溫度并且以溫度檢測電路檢測測量的溫度是否超過設(shè)置溫度。然而，在已知的存儲器模塊中，其溫度將由溫度傳感器檢測的目標(biāo)物體是存儲器封裝。由于這個緣故，在印刷電路板上存在除所述存儲器封裝以外的用作熱源的組件或有比安裝所述存儲器封裝的區(qū)域更高的溫度的區(qū)域的情況下，有這樣的組件或區(qū)域的溫度不能由溫度傳感器檢測的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)之一是提供信息處理設(shè)備和半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器，其能夠測量位于半導(dǎo)體存儲器和控制單元之間并且其溫度高于印刷電路板的其它區(qū)域的區(qū)域的溫度。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供有信息處理設(shè)備，包括用作外存儲裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，所述裝置包括印刷電路板；安裝在所述印刷電路板上的非易失性半導(dǎo)體存儲器；安裝在所述印刷電路板上并且控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲器的存儲器控制器；以及安裝在所述印刷電路板上并且檢測所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置之內(nèi)的溫度的
4溫度傳感器；以及基于由配備于所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的溫度傳感器檢測的溫度進(jìn)行降低所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的溫度的處理的主控制器。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供有半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器，其配備在用作外存儲裝置的信息處理設(shè)備之內(nèi)，所述裝置包括印刷電路板；安裝在所述印刷電路板上的非易失性半導(dǎo)體存儲器；安裝在所述印刷電路板上并且控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲器的存儲器控制器；以及安裝在所述印刷電路板上在所述非易失性半導(dǎo)體存儲器和所述存儲器控制器之間并且檢測所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置之內(nèi)的溫度的溫度傳感器。


現(xiàn)在將參考

實施本發(fā)明的各種特征的一般的配置。附圖和關(guān)聯(lián)的說明被提供以圖解本發(fā)明的實施例，而不限制本發(fā)明的范圍。圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實施例的信息處理設(shè)備的外觀的示意圖。圖2是圖解信息處理設(shè)備的主單元的內(nèi)部的平面圖。圖3是圖解信息處理設(shè)備的主單元的內(nèi)部的底視圖。圖4是圖解信息處理設(shè)備的示意的結(jié)構(gòu)的方框圖。圖5是圖解SSD的外觀的實例的立體圖。圖6是圖解SSD的示意的結(jié)構(gòu)的方框圖。圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實施例的信息處理設(shè)備的操作的流程圖。
圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的信息處理設(shè)備的一般結(jié)構(gòu)的方框圖。—[OOIS]圖9是圖解根據(jù)本發(fā)明第二實施例的信息處理設(shè)備的操作的流程圖。
圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明第三實施例的信息處理設(shè)備的操作的流程圖。
圖11是圖解根據(jù)本發(fā)明第四實施例的信息處理設(shè)備的操作的流程圖。
圖12是圖解根據(jù)本發(fā)明第五實施例的信息處理設(shè)備的操作的流程圖。
具體實施例方式在下文中，將參考附圖詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明實施例的信息處理設(shè)備。
第一實施例圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實施例的信息處理設(shè)備的外觀的示意圖。信息處理設(shè)備1被配置為包括主單元2和附著于主單元2的顯示單元3。主單元2包括盒形的機(jī)殼4，并且機(jī)殼4配備有上壁4a，外周壁4b，和下壁4c。機(jī)殼4的上壁4a從靠近操作信息處理設(shè)備1的用戶的側(cè)開始，順序地具有前部40，中間部41，以及后部42。下壁4c面對其上放置信息處理設(shè)備1的放置表面。外周壁4b具有前壁4ba，后壁4bb，以及在左右側(cè)的側(cè)壁4bc和4bd。前部40包括作為指向裝置的觸摸墊20，手掌區(qū)21，以及與信息處理設(shè)備1的每個部分的操作同步點亮的LED22。中間部41包括附著能夠輸入字母信息等等的鍵盤23a的鍵盤放置部23。后部42包括可拆卸地附著的電池組24，配備在電池組24的右側(cè)上以向信息處理設(shè)備1供給電源的電源開關(guān)25，以及配備在電池組24的左右側(cè)上以可旋轉(zhuǎn)地支撐顯示單元3的一對鉸鏈部26a和26b。用于從機(jī)殼4的內(nèi)部排放空氣流W到外面的排氣口 29被配備在機(jī)殼4的左側(cè)壁4bc上。另外，例如，在右側(cè)壁4bd上安置能夠從例如DVD的光存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)/將數(shù)據(jù)寫入所述光存儲介質(zhì)的光盤裝置(光盤驅(qū)動器)27，以及各種卡280被放入其/從其取出的卡片槽28。機(jī)殼4由包括外周壁4b的一部分和上壁4a的機(jī)殼蓋以及包括外周壁4b的一部分和下壁4c的機(jī)殼基底形成。機(jī)殼蓋可拆卸地與機(jī)殼底相結(jié)合，并且在機(jī)殼蓋和機(jī)殼底之間形成容納空間。例如，作為非易失性半導(dǎo)體存儲器的SSD (固態(tài)驅(qū)動)IO容納在容納空間中。另外，隨后將詳細(xì)地說明SSDIO。顯示單元3包括具有開口 30a的顯示機(jī)殼30，以及能夠在顯示屏幕31a上顯示圖像的，例如LCD的顯示部件31。顯示部件31容納在顯示機(jī)殼30中，并且顯示屏幕31a通過開口 30a暴露于顯示機(jī)殼30的外面。圖2是圖解主單元2的平面圖，并且圖3是圖解從下察看的主單元2的底視圖。為了顯示機(jī)殼4中的布局，在圖2中省略了機(jī)殼蓋5并且在圖3中省略了機(jī)殼底6。多個銷孔座43被配備在機(jī)殼蓋5和機(jī)殼底6中。在機(jī)殼4中，除SSD 10，電池組24， ODD 27，和卡片槽28之外，容納了主電路板ll，擴(kuò)展模塊12，和風(fēng)扇13。主電路板11是其上安裝了多個電子元件并且當(dāng)這些電子元件運行時進(jìn)行預(yù)定操作的構(gòu)件。另外，主電路板ll通過與連接器110相結(jié)合的電纜110a被連接到SSD10并且通過電纜(未顯示)被連接到電池組24， ODD 27，卡片槽28，擴(kuò)展模塊12，以及風(fēng)扇13。ODD 27具有容納在機(jī)殼4中的機(jī)殼270以及盤墊271，該盤墊271容納在機(jī)殼270之內(nèi)以致能夠被抽出并且其上放置光存儲介質(zhì)。卡片槽28的形狀是由例如，PC卡插槽或者Express卡(注冊商標(biāo))槽的標(biāo)準(zhǔn) 設(shè)置的。擴(kuò)展模塊12包括擴(kuò)展電路板120，配備于擴(kuò)展電路板120的卡插座121，以及 插入卡插座121的擴(kuò)展模塊板122?？ú遄?21基于迷你PCI的標(biāo)準(zhǔn)，例如，并且擴(kuò)展模 塊板122的實例包括3G (第三代)模塊，TV調(diào)諧器，GES模塊，Wimax (注冊商標(biāo))模塊， 等等。風(fēng)扇13是基于換氣冷卻機(jī)殼4的內(nèi)部的冷卻單元，并且通過排氣口29，將木幾 殼4中的空氣排空到外面，作為氣流W。另外，熱管130的一端是配備在風(fēng)扇13和排氣口 29之間，并且熱管130的另一端被配備為連接到CPU 115 (未顯示)。當(dāng)配備在那里內(nèi)部 的工作液體在作為發(fā)熱部件的CPU 115的一側(cè)蒸發(fā)以變?yōu)檎魵鈺r，熱管130發(fā)射蒸發(fā)的、潛 熱，然后蒸氣通過管向作為低溫部件的排氣口側(cè)移動，以被冷凝。冷凝的工作液體流回到 發(fā)熱部件。SSD10包括印刷電路板(PCB) 100。溫度傳感器101，連接器102，控制單元(存 儲控制器)103，等等被安裝在PCB IOO的表面100a上。SSD 10被如此容納在機(jī)殼4中以 致控制單元103位于由于風(fēng)扇13而從機(jī)殼4的內(nèi)部流到外面的氣流W的上游側(cè)，并且溫 度傳感器101位于氣流W的下游側(cè)。另外，電學(xué)上連接SSD 10和主電路板11的連接器102 被安置在從機(jī)殼4的內(nèi)部流到外面的氣流W的，比控制單元103更上游側(cè)。圖4是圖解信息處理設(shè)備的示意的結(jié)構(gòu)的方框圖。除如上所述的SSDIO，擴(kuò)展 模塊12，風(fēng)扇13，觸摸墊20，鍵盤23a， LED 22，電源開關(guān)25， ODD 27，卡片槽28，以 及顯示部件31之外，信息處理設(shè)備1包括作為用于控制每個部件的嵌入系統(tǒng)的EC (嵌入 式控制器)111，儲存BIOS (基本輸入輸出系統(tǒng))112a的閃存112，作為LSI (大規(guī)模集 成電路)芯片并起各種總線和VO控制器的作用的南橋113，控制作為LSI芯片并且將隨 后描述的CPU (中央處理單元)115， GPU (圖形處理單元)116，主存儲器117，以及各種 總線之間的連接的北橋114， CPU 115用于進(jìn)行各種信號的操作處理，GPU116進(jìn)行圖像信 號的操作處理并進(jìn)行顯示控制，并且在主存儲器117中由CPU 115進(jìn)行讀寫。另外，EClll，閃存112，南橋113，北橋114, CPU 115， GPU 116，以及主存 儲器(主存儲裝置)117是安裝在主電路板11上的電子元件。圖5是圖解SSD的外觀的實例的立體圖。SSD 10包括具有表面100a到100f的 PCBIOO并且配備有安裝在PCBIOO的表面100a上的溫度傳感器101，連接器102，控制單元103，八個與非(NAND)存儲器104A到104H，以及DRAM 105。此SSD10是外部存儲裝 置，存儲數(shù)據(jù)或者程序，即使SSD10電源關(guān)閉，其也是不可擦除的。雖然不具有任何驅(qū)動 機(jī)構(gòu)，例如這樣的傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器的磁驅(qū)動，頭等等，此SSD10是包括作為信息處理設(shè) 備1的啟動驅(qū)動器可操作的非易失性半導(dǎo)體存儲器的驅(qū)動器，其能夠長時間以可讀/可寫 的方式在安裝在PCB100上的8個與非存儲器104A到104H的存儲器區(qū)域中存儲例如OS(操 作系統(tǒng))的程序，基于由用戶或者軟件執(zhí)行而準(zhǔn)備的數(shù)據(jù)，等等。圖6是圖解SSD的示意的結(jié)構(gòu)的方框圖?？刂茊卧?03被連接到溫度傳感器101， 連接器102，八個與非存儲器104A到104H， DRAM 105，以及電源電路106。另外，控制單 元103通過連接器102被連接到主機(jī)裝置8以致如需要的被連接到外部裝置9。電源7是電池組24或者AC適配器(未顯示)。例如，DC3. 3V通過連接器102 提供給電源電路106。另外，電源7供給電源到整個信息處理設(shè)備1。主機(jī)裝置8在本實施例中是主電路板11，并且控制單元103和安裝在主電路板 11上的南橋113被互相連接。在南橋113和控制單元103之間，基于例如，串聯(lián)的ATA技 術(shù)規(guī)范，進(jìn)行數(shù)據(jù)的發(fā)送和接收。外部裝置9是不同于信息處理設(shè)備1的另一信息處理設(shè)備。外部裝置9基于例 如，RS-232C標(biāo)準(zhǔn)，被連接到從信息處理設(shè)備1分離的SSD10的控制單元103，并且具有 讀取存儲在與非存儲器104A到104H中的數(shù)據(jù)的功能。PCB 100具有與例如，L8英寸類型或者2.5英寸類型HDD (硬盤驅(qū)動器)相同 的外部尺寸。另外，在本實施例中，PCB 100的外尺寸等于1.8英寸類型。另外，PCB100 具有用于將PCB 100固定到機(jī)殼4的多個通孔100g。溫度傳感器101配備在PCB 100上的作為熱源的控制單元103和與非存儲器 104A到104H之間。在圖5所示的實例中，溫度傳感器101被配備接近PCB 100的中央以 致由控制單元103和與非存儲器104A到104H圍繞，并且測量在該位置的溫度。由溫度傳 感器101測量的測量溫度被發(fā)送到控制單元103作為溫度信息。另外，雖然使用半導(dǎo)體的 PN-接合部分隨溫度而變化的特性的半導(dǎo)體溫度傳感器用于本實施例，也可以使用基于其 它的方法的溫度傳感器，例如熱敏電阻。在當(dāng)SSD 10正在運行時的情況下，由配備在該位置的溫度傳感器101測量的 溫度是50攝氏溫度到60攝氏溫度，例如，并且比PCBIOO的其它區(qū)域中的溫度高大約10
攝氏溫度。控制單元103控制與非存儲器104A到104H的操作。具體地，控制單元103響應(yīng)于來自作為主機(jī)裝置S的主電路板ll的請求，控制從/向與非存儲器104A到104H中讀 /寫數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)傳送速率在讀數(shù)據(jù)的時候是100MB/秒，并且例如在寫數(shù)據(jù)的時候是40MB/ 秒。控制器103在指定的時期從溫度傳感器101獲得溫度信息，并且當(dāng)由溫度信息 表示的測量的溫度超過預(yù)置閾值時，降低對主機(jī)裝置的響應(yīng)。降低響應(yīng)的操作指的是限制 SSD10的一些處理能力的操作并且可以包括，例如，當(dāng)從與非存儲器104A到104H讀出的 數(shù)據(jù)被傳遞到主機(jī)裝置8時降低傳送率，降低控制器103和與非存儲器104A到104H之間 的傳送率，等等。當(dāng)測量的溫度超過閾值時，控制器103向主機(jī)裝置8輸出告警信號，作為指示 該事實的信息。替代地，控制器103可以向主機(jī)裝置8輸出溫度信息本身，代替告警信號。然后控制器103將獲得的溫度信息與它的獲得日期和時間一起寫在與非存儲器 104A到104H的預(yù)定地址中。例如，每一與非存儲器104A到104H具有包括長邊和短邊的外形狀并且厚度 是3mra。與非存儲器104A到104H是不對稱地安裝在PCB 100上的。也就是說，在圖5所 示的實例中，與非存儲器104A到104H的四個與非存儲器104A到104D以均勻的狀態(tài)安置 以致長邊大致平行，并且其它四個與非存儲器104E到104H以組合狀態(tài)安置以致短邊和長 邊互相面對。與非存儲器104E到104H可以安置在PCB 100的表面100b上。每一與非存儲器104A到104H是具有例如，16GB存儲容量的非易失性半導(dǎo)體存 儲器，并且是能夠在一個存儲單元上記錄兩位的MLC (多電平單元)-與非存儲器(多值與 非存儲器)?！m然MLC-與非存儲器的可重寫次數(shù)一般地是小于SLC (單一電平單元)-與一— 存儲器的，但是它容易使得存儲容量大。另外，與非存儲器104A到104H具有數(shù)據(jù)可以存 儲的時間隨設(shè)置的環(huán)境溫度而變的特性。與非存儲器104A到104H存儲通過控制單元103的控制而寫的數(shù)據(jù)，并且存 儲溫度信息和獲得日期作為溫度史。DRAM 105是當(dāng)從/向與非存儲器104A到104H中讀/寫數(shù)據(jù)通過控制單元103的 控制被進(jìn)行時臨時存儲數(shù)據(jù)的緩沖器。連接器102具有基于例如，串聯(lián)的ATA技術(shù)規(guī)范的形狀。另外，控制單元103 和電源電路106可以分別地通過分離的連接器被連接到主機(jī)裝置8和電源7。電源電路106將從電源7提供的DC3. 3V轉(zhuǎn)換為例如DC1. 8V和1. 2V，并且向 SSD IO的部件提供這三種電壓以匹配部件的驅(qū)動電壓。
在下文中，將參考圖7中圖解的流程圖說明根據(jù)第一實施例的信息處理設(shè)備的 操作。首先，當(dāng)用戶按壓電源開關(guān)25時，己經(jīng)檢出電源開關(guān)25的按下的EC111開始 從電源7向信息處理設(shè)備l的每個部件供電。然后，EClll基于BI0S112a啟動信息處理設(shè) 備1。然后，當(dāng)啟動信息處理設(shè)備1時，用戶通過察看顯示部件31的顯示屏幕31a 時使用觸摸墊20和鍵盤23a，對信息處理設(shè)備1進(jìn)行操作。然后，當(dāng)信息處理設(shè)備1接收用戶操作時，信息處理設(shè)備1響應(yīng)于操作進(jìn)行預(yù) 定操作。例如，在信息處理設(shè)備1的CPU 115接收用于在顯示部件31上顯示存儲在SSD 10 中的數(shù)據(jù)的操作的情況下，CPU 115命令SSD 10讀數(shù)據(jù)。然后，SSD 10的控制單元103 從與非存儲器104A到104H中讀取數(shù)據(jù)并且通過南橋113和北橋114發(fā)送數(shù)據(jù)到GPU 116。 然后，GPU 116在顯示部件31上顯示數(shù)據(jù)作為圖像。當(dāng)信息處理設(shè)備1正在進(jìn)行以上操作時，SSD 10的溫度傳感器101測量在配備 溫度傳感器101的位置的溫度。然后，控制單元103以預(yù)定周期獲得由溫度傳感器101測量的測量溫度，作為 溫度信息(SIO)。控制單元103在與非存儲器104A到104H的預(yù)定地址中存儲獲得的溫度 信息以及獲得日期與時間作為溫度史。接下來，控制器103基于獲得的溫度信息，判斷測量的溫度是否超過預(yù)置的上 閾值(Sll)。如果控制器103判斷測量的溫度沒有超過上閾值(步驟Sll中的否)，則處理 回到步驟SIO，其中控制器103繼續(xù)借助于溫度傳感器101監(jiān)視溫度。另一方面，如果控 制器103判斷測量的溫度超過上閾值(步驟Sll中的是)，則控制器103輸出告警信號到 主機(jī)裝置8 (步驟S12)。當(dāng)接收告警信號時，主機(jī)裝置8通過，例如，改變LED 22的點 亮狀態(tài)或者在顯示單元31上顯示警告信息，通知用戶對于SSD 10測量的溫度超過上閾值。然后，控制器103降低它自己對主機(jī)裝置8的響應(yīng)(歩驟S20)。接下來，控制器103判斷測量的溫度是否小于預(yù)置下閾值(步驟S30)。如果控 制器103判斷測量的溫度不小于下閾值(步驟S30中的否)，則處理回到步驟S20，其中控 制器維持響應(yīng)降低的狀態(tài)。另一方面，如果控制器103判斷測量的溫度小于下閾值(步驟S30中的是)， 則控制器103輸出警報解除信號到主機(jī)裝置8 (步驟S31)。當(dāng)接收警報解除信號時，主豐幾
10裝置8借助于LED 22，顯示單元31，等等通知用戶警報被解除。然后，控制器103將它自己對主機(jī)裝置8的響應(yīng)返回到在響應(yīng)降低以前的正常 狀態(tài)(步驟S40)。根據(jù)本發(fā)明第一實施例，因為溫度傳感器101是配備在控制器103和與非存儲 器104H之間，所以有可能測量具有高于PCB IOO上的其它的區(qū)域的溫度的區(qū)域的溫度。另外，因為如果測量的溫度超過上閾值，則SSD 10的控制器103降低它自己 對主機(jī)裝置8的響應(yīng)，所以有可能將測量的溫度抑制為小于上閾值并且抑制支持SSD 10 的周期的數(shù)據(jù)的變動。另外，因為如果測量的溫度超過上閾值，則SSD 10的控制器103輸出告警信 號到主機(jī)裝置8，所以主機(jī)裝置8能夠辨認(rèn)對于SSD 10測量的溫度超過上閾值并且按照告 警信號進(jìn)行處理。另外，通過在與非存儲器104A到104H中存儲溫度史，有可能以時間序列確認(rèn) 在使用SSD IO的條件下的環(huán)境溫度。另外，例如，在進(jìn)行降低SSD IO的溫度的處理的過 程中，不僅可以通過控制器103，而且可以通過南橋113讀取溫度史。第二實施例圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的信息處理設(shè)備的一般結(jié)構(gòu)的方框圖。不同 于其中SSD 10進(jìn)行操作以將它自己的測量的溫度抑制為小于上閾值的第一實施例，在第 二實施例中，連接SSD 10的主機(jī)裝置8進(jìn)行冷卻操作以基于從SSD IO輸出的溫度信息冷 卻SSD 10。換句話說，第二實施例的信息處理設(shè)備1具有與第一實施例的信息處理設(shè)備1 相同的結(jié)構(gòu)和功能，除了第二實施例的CPU 115具有控制冷卻操作的控制電路115a?？刂齐娐?15a基于從SSD 10輸出的溫度信息使風(fēng)扇13的吹風(fēng)速率大于用于 冷卻SSD IO的正常操作中的速率。在此實施例中，因為從SSD IO輸出的溫度信息用作與 第一實施例相同的告警信號，警報解除信號，所以控制電路115a當(dāng)從SSD IO收到告警信 號時增加風(fēng)扇13的吹風(fēng)速率，并且當(dāng)收到警報解除信號時將風(fēng)扇13的吹風(fēng)速率返回到正 常水平。另外，控制電路115a可以令風(fēng)扇13在0N和0FF之間轉(zhuǎn)換。在下文中，將參考圖9中圖解的流程圖說明根據(jù)第二實施例的的信息處理設(shè)備 的操作。首先，當(dāng)信息處理設(shè)備1正在進(jìn)行操作時，SSD 10的控制器103借助于溫度傳 感器101監(jiān)視SSD10的溫度(步驟SIO)。另一方面，主機(jī)裝置8以用戶請求而進(jìn)行操作，并且，同時，以風(fēng)扇13的正常水平的吹風(fēng)速率開始吹風(fēng)(步驟S100)。接下來，控制器103判斷由溫度傳感器101測量的溫度是否超過預(yù)置上閾值(步驟Sll)。如果控制器103判定測量的溫度沒有超過上閾值(步驟Sll中的否)，則處理回到步驟SIO。另一方面，如果控制器103判斷測量的溫度超過上閾值(步驟S11中的是)，則控制器103輸出告警信號到主機(jī)裝置8 (步驟S12)。接下來，當(dāng)從SSD10收到告警信號時，CPU115的控制電路115a借助于EC111增加風(fēng)扇13的吹風(fēng)速率(步驟SIOI)。接下來，控制器103判斷測量的溫度是否不小于預(yù)置下閾值(步驟S30)。如果控制器103判定測量的溫度不小于下閾值(步驟S30中的否)，則處理回到步驟S20。另一方面，如果控制器103判斷測量的溫度小于下閾值(步驟S30中的是)，則控制器103輸出警報解除信號到主機(jī)裝置8 (步驟S31)。接下來,當(dāng)從SSD IO收到警報解除信號時，CPU 115a借助于EClll將風(fēng)扇13的吹風(fēng)速率返回到正常水平(步驟S102)。根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，因為主機(jī)裝置8基于來自SSD 10的溫度信息控制風(fēng)扇的吹風(fēng)速率，所以有可能將測量的溫度抑制為小于上閾值并且抑制支持SSD 10的周期的數(shù)據(jù)的變動。'第三實施例圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明第三實施例的信息處理設(shè)備的操作的流程圖。第三實施例的控制電路115a具有與第二實施例的相同的結(jié)構(gòu)和功能，除了前者具有主機(jī)裝置8的處理能力以減小作為冷卻操作的時鐘的數(shù)目?？刂齐娐?15a以CPU 115的正常數(shù)目的時鐘啟動主機(jī)裝置8的操作(步驟SllO)。接下來，當(dāng)從SSD IO收到告警信號時，控制電路115a減小CPU 115的時鐘的數(shù)目到(步驟Slll)低于正常數(shù)目。當(dāng)從SSD10收到警報解除信號時，控制電路115a返回CPU 115的時鐘的數(shù)目到正常數(shù)目(步驟S112)。另外，控制電路115a可以控制或者CPU 115和GPU 116兩者，或者僅GPU116的時鐘的數(shù)目。根據(jù)本發(fā)明第三實施例，因為主機(jī)裝置8基于來自SSD 10的溫度信息控制時鐘的數(shù)目，所以有可能將測量的溫度抑制為小于上閾值并且抑制支持SSD 10的周期的數(shù)據(jù)的變動。第四實施例.
圖11是圖解根據(jù)本發(fā)明第四實施例的信息處理設(shè)備的操作的流程圖。第四實施例的控制電路115a具有與第二實施例的相同的結(jié)構(gòu)與功能，除了前者將主機(jī)裝置8轉(zhuǎn)變?yōu)閭溆脿顟B(tài)或者睡眠狀態(tài)用于冷卻操作，并且如果即使通過冷卻操作也沒有冷卻SSD 10，則進(jìn)行關(guān)閉處理。控制電路115a以主機(jī)裝置8的正常系統(tǒng)狀態(tài)啟動主機(jī)裝置8的操作(步驟S120)。接下來，當(dāng)從SSD IO收到告警信號時，控制電路115a將主機(jī)裝置8轉(zhuǎn)變?yōu)閭溆脿顟B(tài)或者睡眠狀態(tài)以停止主機(jī)裝置8 (步驟121)。然后，如果控制電路115a在遷移之后的指定周期之內(nèi)沒有收到警報解除信號(步驟S122中的否)，則控制電路115a關(guān)閉主牛幾裝置8，然后處理結(jié)束(S123)。另一方面，如果控制電路115a在指定周期之內(nèi)收到警報解除信號(步驟S122中的是)，則控制電路115a將主機(jī)裝置8從備用狀態(tài)或者睡眠狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檎顟B(tài)并且重新開始處理(S124)。根據(jù)本發(fā)明第四實施例，因為主機(jī)裝置8基于來自SSD 10的溫度信息控制它的系統(tǒng)狀態(tài)，所以有可能將測量的溫度抑制為小于上閾值并且抑制支持SSD 10的周期的數(shù)據(jù)的變動。另外，因為如果SSD IO沒有冷卻，時主機(jī)裝置8進(jìn)行關(guān)閉處理，所以有可能防止SSD 10由于環(huán)境溫度而發(fā)生故障。
第五實施例圖12是圖解根據(jù)本發(fā)明第五實施例的信息處理設(shè)備的操作的流程圖。在第五實施例的信息處理設(shè)備中，SSD IO進(jìn)行操作以如同第一實施例那樣降低它自己的響應(yīng)，—并且主機(jī)裝置8如同第二實施例那樣通過風(fēng)扇13進(jìn)行冷卻操作。另外，控制電路115a可以進(jìn)行用于冷卻操作的風(fēng)扇13的吹風(fēng)速率的控制，時鐘的數(shù)目的控制和主機(jī)裝置系統(tǒng)狀態(tài)的控制，分別地如第三和第四實施例中說明的，或者這些控制的任何2個或3個的組合。如果SSD 10的控制器103基于監(jiān)視的溫度(S10)判定測量的溫度超過預(yù)置的上閾值(步驟S11中的是)，則控制器103輸出告警信號到主機(jī)裝置8 (S12)。另外，控帝ij器103降低它自己對主機(jī)裝置8的響應(yīng)(S20)。當(dāng)收到告警信號時，控制電路115a增加風(fēng)扇13的吹風(fēng)速率(SIOI)。接下來，控制器103判斷測量的溫度是否不小于預(yù)置的下閾值(S30)。另一方面，如果控制器103判斷測量的溫度小于下閾值(步驟S30中的是)，則控制器103輸出警報解除信號到主機(jī)裝置8 (S31)。另外，控制器103將它自己的降低了的對主機(jī)裝置8 的響應(yīng)返回至被降低之前的正常狀態(tài)(S40)。當(dāng)收到警報解除信號時，控制電路115a將風(fēng)扇13的吹風(fēng)速率改變至正常水平 (S102)。根據(jù)本發(fā)明的第五實施例，因為SSD 10協(xié)同主機(jī)裝置8進(jìn)行冷卻操作，所以 有可能更高效地冷卻SSD 10。
其它的實施例本發(fā)明不局限于以上公開的實施例，而是可以在沒有脫離本發(fā)明的精神和范圍 的情況下以各種方法被修改和轉(zhuǎn)變。例如，根據(jù)第二至第五實施例的CPU 115的控制電路 115a可以以存儲在閃速存儲器112或SSD IO中并操作CPU 115的程序?qū)嵤?。另外，雖然在第二到第五實施例中已經(jīng)圖解了SSD 10的控制器103監(jiān)視溫度， 但是例如，CPU 115的控制電路115a可以通過每隔一定時間從溫度傳感器101獲得溫度信 息，監(jiān)視溫度。如以上詳細(xì)地說明的，提供有信息處理設(shè)備和非易失的半導(dǎo)體存儲器裝置，其 能測量位于半導(dǎo)體存儲器和控制單元之間并且其溫度高于PCB的其它區(qū)域的區(qū)域的溫度。
權(quán)利要求
1. 一種信息處理設(shè)備，其特征在于，包含用作外存儲裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，所述裝置包含印刷電路板；安裝在所述印刷電路板上的非易失性半導(dǎo)體存儲器；安裝在所述印刷電路板上并且控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲器的存儲器控制器；以及安裝在所述印刷電路板上并且檢測所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器；以及基于配備在所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置內(nèi)的溫度傳感器檢測到的溫度，進(jìn)行降低所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的溫度的處理的主控制器。
2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述溫度傳感器檢測所述印刷電路板、所: 述非易失性半導(dǎo)體存儲器以及所述存儲器控制器中至少之一的溫度。
3. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述主控制器控制所述非易失性半導(dǎo)體存 儲裝置以降低所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的處理能力作為降溫處理。
4. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，更進(jìn)一步包含吸取外界空氣到所述設(shè)備里 以冷卻所述設(shè)備的內(nèi)部溫度的冷卻風(fēng)扇，其中所述主控制器控制所述冷卻風(fēng)扇，以便與正常狀態(tài)中的相比增加所述氣流，作為 降溫處理。
5. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述存儲器控制器在所述非易失性半導(dǎo)體 存儲器中存儲由所述溫度傳感器檢測到的溫度的歷史。
6. 如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述主控制器讀出存儲在所述非易失性半 導(dǎo)體存儲器中的溫度的歷史。
7. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的溫度沒 有降低到預(yù)定溫度時，所述主控制器進(jìn)行關(guān)閉處理，而不管所述降溫處理。
8. —種配備在信息處理設(shè)備之內(nèi)用作外存儲裝置的半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器，其特征在于， 所述裝置包含印刷電路板；安裝在所述印刷電路板上的非易失性半導(dǎo)體存儲器；安裝在所述印刷電路板上并且控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲器的存儲器控制器；以及 在所述非易失性半導(dǎo)體存儲器和所述存儲器控制器之間安裝在所述印刷電路板上并 且檢測所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器。
9. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器，其特征在于，所述溫度傳感器檢測所述印 刷電路板、所述非易失性半導(dǎo)體存儲器以及所述存儲器控制器中至少之一的溫度。
10. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器，其特征在于，所述存儲器控制器降低處 理能力以進(jìn)行降溫處理。
11. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器，其特征在于，所述存儲器控制器輸出所 述溫度到外部裝置以進(jìn)行降溫處理。
12. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器，其特征在于，所述存儲器控制器在所述 非易失性半導(dǎo)體存儲器中存儲由所述溫度傳感器檢測到的溫度的歷史。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種信息處理設(shè)備以及半導(dǎo)體存儲驅(qū)動器。一種信息處理設(shè)備包括用作外存儲裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，所述裝置包括印刷電路板；安裝在所述印刷電路板上的非易失性半導(dǎo)體存儲器；安裝在所述印刷電路板上并且控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲器的存儲器控制器；以及安裝在所述印刷電路板上并且檢測所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器；以及基于由配備于所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置中的溫度傳感器檢測的溫度進(jìn)行降低所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的溫度的處理的主控制器。
文檔編號G06F1/20GK101482770SQ20081019074
公開日2009年7月15日 申請日期2008年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月27日
發(fā)明者塚澤壽夫 申請人:株式會社東芝