專利名稱：一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法，其厚度在290-330 P m之 間，可用于無線支付的銀行卡、電子護照、重大會展票、地鐵單程票等，此類用 量大、可靠性要求高的薄型卡，卡片厚度均需要小于450 ym。屬于焊接方法技 術領域。
背景技術：
目前常規(guī)的非接觸模塊封裝的焊接方法為正打弧金絲球焊工藝，如圖1所 示，其方法為在IC芯片2的壓焊區(qū)上打第一點球焊點，然后在框架3打第二
點楔焊點5，即為正打弧金絲球焊工藝，這種焊接工藝的缺點弧高1高、拉力 低、產(chǎn)品的可靠性差。
非接觸模塊封裝的厚度向薄型化發(fā)展，從早期的400um到目前國際上盛行 的330ym，表征著技術創(chuàng)新和應用的拓展，原來的焊接工藝不可能形成小于70 微米如此低的弧高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種弧高控制在30到70微米之間的薄型非接觸模塊封 裝的焊接方法。
為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明的技術方案是提供一種薄型非接觸模塊封裝的焊接 方法，其特征在于，使用倒焊弧方法，其方法為 第一步，先在IC芯片的壓焊區(qū)上形成一個金球； 第二步，然后再在引線框架形成第一焊點；
第三步，將第二焊點的楔焊點焊在芯片已焊的金球上，實現(xiàn)倒焊?。?材料lmil AW66金絲 焊接參數(shù)
球焊點焊接壓力 400-800mN 球焊點焊接時間 5-15ms球焊點焊接功率 15%_40% 楔焊點焊接壓力 300-700mN 楔焊點焊接時間 4-15ms 楔焊點焊接功率 10%-40% 加熱塊溫度 180±5°C。
本發(fā)明采用倒焊弧，可以滿足弧高控制在30到70微米之間的要求。
本發(fā)明的優(yōu)點是弧高低、拉力高，保證了超薄模塑成品率和可靠性，對直徑 25微米的金絲，美國軍標是大于4克拉力，該新技術突破了常規(guī)的標準，達到6 克以上的拉力強度。


圖1為正打弧金絲球焊工藝示意圖2為一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法示意圖。
具體實施例方式
以下結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。
實施例
如圖2所示，為一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法示意圖， 一種薄型非接 觸模塊封裝的焊接方法為
設備ESEC 3088
材料lmil AW66金絲 第一步，先在IC芯片2的壓焊區(qū)上形成一個金球6; 第二步，然后再在引線框架3形成第一焊點7;
第二步，將第二焊點的楔焊點焊在芯片2己焊的金球6上，實現(xiàn)倒焊?。?br> 焊接參數(shù)
球焊點焊接壓力 600mN
球焊點焊接時間 10ms
球焊點焊接功率 15%-40%
楔焊點悍接壓力 500mN
楔焊點焊接時間 10ms楔焊點焊接功率 10%-40% 加熱塊溫度 180±5°C。
采用倒焊弧，可以滿足弧高H控制在30到70微米之間的要求。
權利要求
1. 一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法，其特征在于，使用倒焊弧方法，其方法為第一步，先在IC芯片(2)的壓焊區(qū)上形成一個金球(6)；第二步，然后再在引線框架(3)形成第一焊點(7)；第二步，將第二焊點的鍥焊點焊在芯片(2)已焊的金球(6)上，實現(xiàn)倒焊??；材料1mil AW66金絲焊接參數(shù)球焊點焊接壓力 400-800mN球焊點焊接時間 5-15ms球焊點焊接功率 15％-40％楔焊點焊接壓力 300-700mN楔焊點焊接時間 4-15ms楔焊點焊接功率 10％-40％加熱塊溫度 180±5℃。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法，其特征在于，使用倒焊弧方法，其方法為先在IC芯片的壓焊區(qū)上形成一個金球；然后再在引線框架形成第一焊點；將第二焊點的楔焊點焊在芯片已焊的金球，實現(xiàn)倒焊弧。本發(fā)明的優(yōu)點是弧高低、拉力高，保證了超薄模塑成品率和可靠性。對直徑25.4微米的金絲，美國軍標是大于4克拉力，該新技術突破了常規(guī)的標準，達到6克以上的拉力強度。
文檔編號G06K19/077GK101419926SQ20081020279
公開日2009年4月29日 申請日期2008年11月17日 優(yōu)先權日2008年11月17日
發(fā)明者葉佩華, 陸美華 申請人:上海伊諾爾信息技術有限公司