專利名稱：檢測由于讀干擾而造成的位錯(cuò)誤的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，特別涉及一種能夠檢測并更正讀錯(cuò)誤的存儲(chǔ)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
由于多種原因而造成的數(shù)據(jù)損壞可以利用錯(cuò)誤檢測和更正技術(shù)進(jìn)行有效 地恢復(fù)。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)駐留在存儲(chǔ)器中時(shí)和/或當(dāng)通過數(shù)據(jù)傳送通道從源傳送到 目的地時(shí)，該數(shù)據(jù)可能被損壞。
多種方法已經(jīng)提出來用于檢測并更正被損壞的數(shù)據(jù)。熟知的錯(cuò)誤檢測技術(shù) 包括讀-所羅門 (Read-Solomon ，RS ) 編碼、漢明碼、 Bose-Chaudhuri-Hocquenghem( BCH )編碼、循環(huán)冗余;馬(Cyclic Redundancy Code: CRC)編碼等等。利用這些編碼能夠檢測并更正損壞的數(shù)據(jù)。
在利用非易失存儲(chǔ)器件的電子設(shè)備中，數(shù)據(jù)可以和稱之為錯(cuò)誤更正代碼 (Error Correcting Code, ECC )的值(此后，指代ECC數(shù)據(jù)) 一起存儲(chǔ)在所述 非易失存儲(chǔ)器件(如，閃存器件)中。如本領(lǐng)域所熟知的，ECC數(shù)據(jù)可以被用 于更正在閃存器件讀操作期間的錯(cuò)誤。然而，更正這種錯(cuò)誤的能力受到使用 ECC數(shù)據(jù)的特定類型所能同時(shí)更正的錯(cuò)誤位數(shù)量的限制。在讀操作期間檢測到 的位錯(cuò)誤可以通過錯(cuò)誤檢測和更正代碼被更正，而不是必須使用單獨(dú)的數(shù)據(jù)修 補(bǔ)處理，如塊替換處理。
圖1是說明傳統(tǒng)閃存器件的模塊圖，以及圖2是說明圖1中閃存器件的讀 操作的時(shí)序圖。
傳統(tǒng)的閃存器件可以包括存儲(chǔ)單元陣列，該存儲(chǔ)單元陣列具有多個(gè)存儲(chǔ)
塊。圖1僅僅說明一個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0。所述存儲(chǔ)器塊BLKO可以包括分別與位 線連接的多個(gè)行(或者，指一NAND行)。每行具有行選擇晶體管SST、接地 選擇晶體管GST,以及串行連接在選擇晶體管SST和GST之間的存儲(chǔ)單元(或 存儲(chǔ)單元晶體管)MCO MCn-l。
選擇晶體管SST和GST的柵極分別連接到行和接地選擇線SSL和GSL。 存儲(chǔ)單元晶體管MCO-MCn-1的控制柵極分別連接到對應(yīng)的字線WLO WLn-l。 位線BLO和BL1分別連接到對應(yīng)的頁面緩存PB。
如圖2所示，對于讀操作，用OV電壓驅(qū)動(dòng)被選擇的字線(例如，WLO)， 并且用讀取電壓Vread驅(qū)動(dòng)各個(gè)未被選擇的字線(例如，WLl WLn-l )。這時(shí)， 分別向行和接地選擇線提供所述讀取電壓Vread。頁面緩存PB把感測電流施加 到對應(yīng)的位線BLO和BL1 。
位線BLO和BL1上的電壓可以根據(jù)連接到所述被選擇的字線上的存儲(chǔ)單 元的單元狀態(tài)來確定。例如，如果連接到所述被選擇的字線的存儲(chǔ)器是ON單 元，則在位線上的電壓可以降低到接地電壓。另一方面，如果連接到所述被選 擇的字線的存儲(chǔ)器是OFF單元，則在位線上的電壓可以增加到電源電壓。然后， 與單元數(shù)據(jù)一樣，位線上的電壓可以被相應(yīng)的頁面緩存檢測到。
為了描述的方便，連接到未被選擇的字線的存儲(chǔ)單元被稱為未被選擇的存 儲(chǔ)單元，以及連接到被選擇的字線的存儲(chǔ)單元被稱為被選擇的存儲(chǔ)單元。

發(fā)明內(nèi)容
在一些實(shí)施例中，讀取存儲(chǔ)器系統(tǒng)中閃存的方法包括讀取來自閃存主頁面 的數(shù)據(jù)。檢測并更正從主頁面中讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤。并行于從主頁面讀取 數(shù)據(jù)，從閃存的虛擬(dummy)頁面讀取數(shù)據(jù)。檢測從閃存的虛擬頁面讀取的 數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤。
在 一 些另外的實(shí)施例中，虛擬頁面是從閃存的多個(gè)頁面中隨機(jī)地選擇的。 在 一 些另外的實(shí)施例中，虛擬頁面是根據(jù)閃存中的頁面定義的順序來選擇的。
在一些另外的實(shí)施例中，ECC算法用來檢測從虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位 錯(cuò)誤的數(shù)量，并且響應(yīng)于當(dāng)檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超過ECC算法的更正范圍 時(shí)，把與包含所述虛擬頁面的存儲(chǔ)塊相關(guān)聯(lián)的地址映射到另 一存儲(chǔ)塊。
在一些另外的實(shí)施例中，ECC算法用來檢測從虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位
錯(cuò)誤的數(shù)量，并且響應(yīng)于當(dāng)檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超過所述ECC算法的更正范
圍時(shí)，把檢測結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中。
在一些另外的實(shí)施例中，檢測結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件的閃存中。
在一些另外的實(shí)施例中，檢測結(jié)果存儲(chǔ)在控制閃存的存儲(chǔ)控制器中的存儲(chǔ)
器件中。
在一些另外的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)控制器的緩沖存儲(chǔ)器。 在一些另外的實(shí)施例中，取決于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中的檢測結(jié)果的值，包括
所述虛擬頁面的閃存的存儲(chǔ)塊被另 一存儲(chǔ)塊選擇性地替換。
在一些另外的實(shí)施例中，響應(yīng)于所述存儲(chǔ)系統(tǒng)的上電，取決于存儲(chǔ)在所述
存儲(chǔ)器件中的檢測結(jié)果的值，包括所述虛擬頁面的閃存的存儲(chǔ)塊被另一存儲(chǔ)塊
選擇性地替換。
在一些其它的實(shí)施例中，讀取存儲(chǔ)系統(tǒng)中閃存的方法包括確定何時(shí)所述閃
存的主頁面被重復(fù)讀取了至少N次。響應(yīng)于確定所述主頁面被重復(fù)讀取了至少 N次，并行地從所述主頁面和所述閃存的虛擬頁面讀取數(shù)據(jù)。
在一些另外的實(shí)施例中，當(dāng)所述主頁面被確定已經(jīng)重復(fù)讀取少于N次時(shí)， 不與所述主頁面并行讀取虛擬頁面。
在一些另外的實(shí)施例中，從所述閃存中的多個(gè)頁面中以隨機(jī)的方式選擇虛 擬、頁面。
在一些另外的實(shí)施例中，根據(jù)所述閃存中的頁面的定義順序來選擇虛擬頁面。
在一些另外的實(shí)施例中，ECC算法用來檢測從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中 的位錯(cuò)誤的數(shù)量，并且響應(yīng)于當(dāng)檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超過所述ECC算法的更 正范圍時(shí)，把與包含所述虛擬頁面的存儲(chǔ)塊相關(guān)聯(lián)的地址映射到另一存儲(chǔ)塊。
在一些另外的實(shí)施例中，ECC算法用來檢測從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中 的位錯(cuò)誤的數(shù)量，并且響應(yīng)于當(dāng)檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超過所述ECC算法的更 正范圍時(shí)，把檢測結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中。
在 一 些另外的實(shí)施例中，檢測結(jié)果存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件的閃存中。
在一些另外的實(shí)施例中，檢測結(jié)果存儲(chǔ)在控制閃存的存儲(chǔ)控制器的存儲(chǔ)器 件中。
在一些另外的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件包括所述存儲(chǔ)控制器的緩沖存儲(chǔ)器。 在一些另外的實(shí)施例中，取決于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件中的檢測結(jié)果的值，
包括所述虛擬頁面的閃存的存儲(chǔ)塊被另 一存儲(chǔ)塊選擇性地替換。
在一些另外的實(shí)施例中，進(jìn)一步響應(yīng)于所述存儲(chǔ)系統(tǒng)的上電，執(zhí)行所述選
擇性地替換存儲(chǔ)塊。
在一些其它的實(shí)施例中，存儲(chǔ)系統(tǒng)包括具有多個(gè)頁面的閃存和被配置成用
于控制所述閃存的存儲(chǔ)控制器。所述存儲(chǔ)器控制器被配置成用于確定何時(shí)所述
閃存的主頁面^皮重復(fù)讀取了至少N次，以及用于響應(yīng)確定所述主頁面#:重復(fù)讀 取了至少N次時(shí)，并行地從所述主頁面和所述閃存的虛擬頁面中讀取數(shù)據(jù)。 在一些另外的實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成響應(yīng)于確定所述主頁面
凈皮重復(fù)讀取少于N次時(shí)，讀取主頁面而不并4亍讀取虛擬頁面。
在 一些另外的實(shí)施例中，從所述閃存的多個(gè)頁面中以隨機(jī)的方式選擇虛擬 頁面。
在一些另外的實(shí)施例中，從所述閃存的多個(gè)頁面中以順序的方式選^f虛擬 頁面。
在一些另外的實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成利用ECC算法來檢測從 所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤的數(shù)量，并且響應(yīng)于當(dāng)檢測到的位錯(cuò)誤的 數(shù)量超過所述ECC算法的更正范圍時(shí)，把與包括所述虛擬頁面的存儲(chǔ)塊相關(guān)聯(lián) 的地址映射到另一存儲(chǔ)塊。
在一些另外的實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制器被配置成利用ECC算法來檢測 從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤的數(shù)量，并且響應(yīng)于當(dāng)檢測到的位錯(cuò)誤 的數(shù)量超過所述ECC算法的更正范圍時(shí)，將檢測結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中。 在一些另外的實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器件位于所述閃存中。 在一些另外的實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器件位于所述存儲(chǔ)控制器中。 在一些另外的實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成取決于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ) 器件中的檢測結(jié)果的值，用另 一存儲(chǔ)塊來選擇性的替換包括所述虛擬頁面的閃 存的存儲(chǔ)塊。
在一些另外的實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成通過取決于存儲(chǔ)在所述 存儲(chǔ)器件中的^f企測結(jié)果的值，用其他的存儲(chǔ)塊來選擇性地替換包括所述虛擬頁 面的閃存的存儲(chǔ)塊，來響應(yīng)于所述存儲(chǔ)系統(tǒng)的上電。
在一些另外的實(shí)施例中，所述閃存和所述存儲(chǔ)控制器包括存儲(chǔ)卡。 在一些其它的實(shí)施例中，讀取包括閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法包括讀取所述 閃存的主頁面；以及檢測并更正在所述主頁面產(chǎn)生的位錯(cuò)誤，其中與讀取主頁
面并行地讀取除所述主頁面之外的虛擬頁面，并且檢測在所述虛擬頁面產(chǎn)生的 位錯(cuò)誤。
在一些其它的實(shí)施例中，讀取包括閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法包括確定是否 所述閃存的主頁面被重復(fù)讀取了 N次；以及如果判定所述主頁面被重復(fù)讀取了 N次，在所述主頁面的第N次讀取操作后，并行讀取所述主頁面和虛擬頁面。
在一些其它的實(shí)施例中，存儲(chǔ)系統(tǒng)包括具有多個(gè)頁面的閃存；以及用于 控制所述閃存的存儲(chǔ)控制器，其中所述存儲(chǔ)控制器被配置為判斷是否所述閃存 的主頁面被重復(fù)讀取了N次，以及如果所述主頁面被判定重復(fù)讀取了N次，則 在所述主頁面的第N次讀操作后并行地讀取所述主頁面和虛擬頁面。


本發(fā)明的非限制性和非窮盡的實(shí)施例將通過參照下面的附圖來描述。在附 圖中
圖l是說明傳統(tǒng)閃存器件的模塊圖2是說明圖1中所示的閃存器件讀操作的時(shí)序圖3是存儲(chǔ)晶體管的橫截面視圖，說明可能導(dǎo)致軟件編程現(xiàn)象的讀干擾的
發(fā)生；
圖4是說明對應(yīng)于導(dǎo)通單元和截止單元的閾值電壓分布的曲線圖； 圖5是說明讀周期數(shù)量和故障位數(shù)量之間相互關(guān)系的曲線圖； 圖6是說明根據(jù)本發(fā)明 一 些實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的模塊圖； 圖7是說明根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例在圖6所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀操作的流程 圖；以及
圖8是說明根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例，當(dāng)同時(shí)讀取主頁面和虛擬頁面時(shí)施加 到字線上的讀電壓的數(shù)量的表格。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施例將通過參照本發(fā)明實(shí)施例所在的附圖，更充分地進(jìn)行描 述。然而，本發(fā)明可以用多種不同的形式來實(shí)現(xiàn)并且不能解釋為限于此處提出 的實(shí)施例。事實(shí)上，提供這些實(shí)施例是為使公開的更加徹底和完整，并且充分 地將本發(fā)明的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。整篇中相同的數(shù)字指代相同的元件。
可以理解，雖然術(shù)語第一、第二等等可以在此用于描述不同的元件，但是 這些元件不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅僅用于將一元件與另一元件區(qū)分開。 例如，第一元件可以被稱為第二元件，以及，相似地，第二元件可以被稱為第 一元件，而不背離本發(fā)明的范圍。如同此處使用的，術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或 多個(gè)相關(guān)的所列出的項(xiàng)目的任意和所有組合。
此處使用的術(shù)語僅僅是為了描述特定的實(shí)施例的目的而不是意在限制本 發(fā)明。如同此處使用的，單數(shù)形式"一"、"一個(gè)"和"所述"同時(shí)也意在包括 復(fù)數(shù)的形式，除非上下文清楚地指明其它方式。此外應(yīng)理解，當(dāng)在此使用術(shù)語 "構(gòu)成"、"構(gòu)成...的"、"包括"和/或"包括..，的"時(shí)，指定了所述的特征、整 數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除具有或附加有一個(gè)或多個(gè)其 它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。
除非另外定義了，否則此處使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)都具 有本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的同樣含義。此外應(yīng)理解，此
的含義相一致的含義，并且不能解釋為理想化或過于形式化的意義，除非此處 尋皮這樣清楚地定義。
應(yīng)理解，當(dāng)一元件，例如薄膜、層、區(qū)域或襯底，被指定位于另一元件"之 上，，或者擴(kuò)展到"在…之上"時(shí)，可以是直接位于或擴(kuò)展地直接在其它元件之 上，或者還可以存在中間的元件。相反地，當(dāng)一元件被指定"直接之上，，或擴(kuò) 展到"直接在…之上"另一元件時(shí)，就不存在中間元件。還應(yīng)理解的是，當(dāng)一 元件被指定"連接到"或"耦合到，，另一元件，它可以直接連接到或者耦合到 另一元件，或者可以存在中間元件。相反地，當(dāng)一元件被指定為"直接連接到 "或"直接耦合到"另一元件，則不存在中間元件。
相關(guān)術(shù)語，如"在…之下"、或"在…之上"、或"上面"、或"下面'，、或 "水平地"、或"垂直地"，可以在此處用于描述如附圖中所示的一元件、層或 區(qū)域相對于另一元件、層或區(qū)域的關(guān)系。應(yīng)理解，這些詞語意在包括除附圖中 描述的方位之外的設(shè)備的不同方位。
本發(fā)明的實(shí)施例此處將參照本發(fā)明的理想化的實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示 例性附圖來進(jìn)行描述。為了清楚起見，附圖中的薄膜、層和區(qū)域的厚度被夸大 了。此外，作為例如制造技術(shù)和/或容許誤差的結(jié)果的所述示例的形狀變化是可 以預(yù)期的。這樣，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為限制于此處所示的區(qū)域的特
定形狀，而是包含例如由于制造而導(dǎo)致的形狀偏差。例如，所示為矩形的^^皮蝕 刻/離子注入的區(qū)域，典型地將具有圓形或曲線特征，和/或在其邊緣具有離子
注入(implant)濃度的梯度而不是從被離子注入到未被離子注入的區(qū)域的離散 變化。同樣的，由離子注入形成的被掩埋(buried)區(qū)域?qū)?dǎo)致在所述被掩埋 區(qū)域和發(fā)生所述離子注入的表面之間的區(qū)域中的一些離子注入。這樣，附圖中 所示的所述區(qū)域在本質(zhì)上作了示意，而且它們的形狀并不是意在表示設(shè)備的區(qū) 域的實(shí)際形狀并且不是意在限制本發(fā)明的范圍。
如上面提出的，從被選擇的存儲(chǔ)單元讀取單元數(shù)據(jù)，把讀電壓Vread施加 到未被選擇的存儲(chǔ)單元的字線上。所述讀電壓Vread是用以導(dǎo)通具有OFF狀態(tài) 的存儲(chǔ)單元晶體管的足夠高的電壓。
在讀操作期間，所述讀電壓Vread提供給未被選擇的存儲(chǔ)單元晶體管的控 制柵極，并且接地電壓提供給所述未被選擇的存儲(chǔ)單元晶體管的襯底(或，整 體(bulk))。此時(shí)，給定電壓提供給所述未被選擇的存儲(chǔ)單元晶體管的漏極。 此偏壓條件可以類似于編程操作的偏壓條件，除了偏壓電平以外。
利用此偏壓條件，如圖3所示的，在讀操作期間，電子能夠從襯底被注入 到未被選擇的存儲(chǔ)單元晶體管的浮動(dòng)?xùn)艠O。即，在讀操作的偏壓條件下ON狀 態(tài)(或，擦除狀態(tài))的未被選擇的存儲(chǔ)單元晶體管可以被軟件編程。這被稱為 "讀干擾"。
此讀干擾可以造成ON狀態(tài)(或，擦除狀態(tài))的存儲(chǔ)單元的閾值電壓一點(diǎn) 點(diǎn)地增加。如圖4中虛線所示對應(yīng)于讀操作的重復(fù)，此閾值電壓進(jìn)一步增加。 這可能使具有ON狀態(tài)的存儲(chǔ)單元被錯(cuò)誤地識(shí)別為具有OFF狀態(tài)。即，由于讀 干擾而造成的閾值電壓的增加可以造成由于錯(cuò)誤檢測的狀態(tài)而導(dǎo)致的讀取失 敗。
如上所述的，在讀操作期間出現(xiàn)的位錯(cuò)誤可以通過錯(cuò)誤檢測和更正技術(shù)進(jìn) 行更正，而不必使用單獨(dú)的修補(bǔ)處理，諸如熟知的塊替換處理。當(dāng)讀操作重復(fù) 進(jìn)行，如圖5所示，可能讀故障會(huì)增加。這樣，雖然一些數(shù)據(jù)錯(cuò)誤能夠被更正， 但是在后續(xù)的讀操作期間發(fā)生進(jìn)一步的錯(cuò)誤的可能性會(huì)很高，并且可能超出所 述錯(cuò)誤檢測和更正技術(shù)的錯(cuò)誤更正能力。
當(dāng)位錯(cuò)誤的數(shù)量超出可更正的極限時(shí)，包含所述位錯(cuò)誤的存儲(chǔ)器中的相應(yīng) 塊被標(biāo)識(shí)為壞塊。利用修補(bǔ)處理將閃存器件中的所述壞塊替換為預(yù)留的存儲(chǔ)塊， 該修補(bǔ)處理例如塊替換處理，是將替換存儲(chǔ)塊映射到之前被映射到所述壞塊的
地址上。注意到，由于讀干擾而被標(biāo)識(shí)為損壞的這樣的塊，不會(huì)由于編程和擦 除操作的重復(fù)而損壞。相應(yīng)地，通過對這些塊執(zhí)行擦除操作能夠重新使用閃存 器件中的這些壞塊。
當(dāng)存儲(chǔ)塊中的 一些頁面被重復(fù)讀取時(shí)，很難檢測關(guān)于剩余頁面的位錯(cuò)誤。 相應(yīng)地，很難防止頁面數(shù)據(jù)被損壞。例如，當(dāng)存儲(chǔ)在特定存儲(chǔ)頁面中的音樂文
件被MP3播放器重復(fù)讀取時(shí)，讀電壓持續(xù)地施加在其他未被選擇的頁面上。以 至于最終導(dǎo)致那些未被選擇的頁面出現(xiàn)上述的讀干擾現(xiàn)象。因?yàn)楸贿x擇的頁面 沒有典型地遭受所述讀干擾現(xiàn)象，不可能檢測并更正在那些未被選擇的頁面中 產(chǎn)生的位錯(cuò)誤。
圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)系統(tǒng)的模塊圖。參照圖6，根據(jù)本發(fā)明的存 儲(chǔ)系統(tǒng)100可以包括主機(jī)110、存儲(chǔ)控制器120和閃存130。
圖6中，存儲(chǔ)器控制器120和閃存130可以合并于例如USB存儲(chǔ)器、存儲(chǔ) 卡(例如，MMC、 SD卡、xD卡、SIM卡等)或類似這樣的存儲(chǔ)器中。此外， 這樣的存儲(chǔ)器可以被配置成與主機(jī)110相連的諸如桌面電腦和膝上型電腦、數(shù) 碼相機(jī)、手機(jī)、MP3播放器、PMP、游戲機(jī)和類似的東西。
用本發(fā)明的存儲(chǔ)系統(tǒng)100，當(dāng)主機(jī)110重復(fù)讀取閃存130的僅僅一個(gè)或多 個(gè)頁面(此后，稱為主頁面)時(shí)，可能檢測并更正發(fā)生在其它未被選擇的頁面 (此后，稱為虛擬頁面)中讀干擾問題?？赡軐?dǎo)致這種讀干擾的應(yīng)用實(shí)例可以 包括當(dāng)存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)頁面中的音樂文件被MP3播放器重復(fù)重讀時(shí)，以及當(dāng)存儲(chǔ) 在主存儲(chǔ)頁面中的游戲程序被游戲設(shè)備重復(fù)執(zhí)行時(shí)的情況。
存儲(chǔ)控制器120可以被配置成響應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)來自主機(jī)110的請求來重 復(fù)讀取閃存130的主頁面PAGE—K。存儲(chǔ)控制器120可以^皮配置成在執(zhí)行關(guān)于 所述主頁面PAGE—K的讀取操作的同時(shí)(并行)讀取虛擬頁面PAGE—I。此處， 所述主頁面PAGE_K的讀取操作被稱為"主讀取操作，，，以及所述虛擬頁面 PAGE—I的讀取操作被稱為"虛擬讀取操作"。雖然圖6僅僅示出一個(gè)主頁面 PAGE—K和一個(gè)虛擬頁面PAGE一I,但是本發(fā)明并不限于此，因?yàn)樗鲋黜撁婧?虛擬頁面中的一個(gè)或兩者均可以包括兩個(gè)或更多的頁面。
進(jìn)一步參照圖6，存儲(chǔ)控制器120可以包括主機(jī)接口 121、閃存接口 122、 中央處理單元(CPU) 123、 ECC電路124、 ROM 125以及RAM (或，被稱為 緩存RAM) 126。當(dāng)主機(jī)110請求關(guān)于主頁面PAGE—K的讀取操作時(shí)，存儲(chǔ)控 制器120選擇所述主頁面PAGE—K并且進(jìn)一步選沖奪所述虛擬頁面PAGE—I，以
并行地(同時(shí))執(zhí)行所述主讀取操作和所述虛擬讀取操作。存儲(chǔ)控制器120可 以以隨機(jī)的方式或者根據(jù)閃存130中頁面間的預(yù)定的順序來選擇所述虛擬頁面 PAGE一I。
主機(jī)接口 121被配置成與主機(jī)110的接口，并且閃存接口 122被配置成與 閃存130的接口。 CPU 123被配置成響應(yīng)來自主機(jī)110的請求來控制閃存130 的讀和寫操作。
ECC電路124利用被傳輸?shù)介W存130的數(shù)據(jù)(主數(shù)據(jù))來產(chǎn)生ECC數(shù)據(jù)。 所述產(chǎn)生的ECC數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在閃存130的空閑區(qū)域中。ECC電路124可以檢 測從閃存130中讀取的數(shù)據(jù)中的一個(gè)或多個(gè)錯(cuò)誤。如果檢測到的錯(cuò)誤是可更正 的(或，檢測到的錯(cuò)誤是在ECC電路124的更正范圍內(nèi))，ECC電路124更正 該檢測到的錯(cuò)誤。雖然ECC電路124被示為是在控制器120中的功能模塊，但 可以改作被合并到存儲(chǔ)控制器120外部的另一功能模塊中，如在閃存130中。 ROM 125可存儲(chǔ)例如啟動(dòng)代碼這樣的數(shù)據(jù)，以及RAM 126可用作緩存。 RAM126可以臨時(shí)存儲(chǔ)從閃存130讀取的數(shù)據(jù)，或者是將要寫入閃存130中的 來自主機(jī)110的數(shù)據(jù)。此外，RAM126可以存儲(chǔ)由CPU123操作的閃存轉(zhuǎn)換層
(Flash Translation Layer, FTL )。 RAM 126可以包括DRAM 、 SRAM和/或其它 的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件。
RAM 126可以存儲(chǔ)用于管理讀錯(cuò)誤信息的表格信息。所述表格信息包括元
(meta)數(shù)據(jù)，并且在CPU 123的控制下被存儲(chǔ)在閃存130的元區(qū)域。當(dāng)存儲(chǔ) 器系統(tǒng)100上電時(shí)，所述表格信息可以從閃存130的元區(qū)域拷貝到RAM 125 中。
繼續(xù)參照圖6,閃存器件130可以包括單元陣列131和控制單元132?？?制單元132可以包括行解碼器、列解碼器、頁面緩存、位線選擇電路、數(shù)據(jù)緩 存以及多種其它傳統(tǒng)電路。
單元陣列131可以包括多個(gè)存儲(chǔ)模塊BLKO BLKn-l，其中每個(gè)存儲(chǔ)模塊 都具有多個(gè)頁面，例如，32或64個(gè)頁面。每個(gè)頁面都具有連接起來以共享一 個(gè)字線的多個(gè)存儲(chǔ)單元(例如，512B或2KB的存儲(chǔ)單元)。對于NAND閃存， 在存儲(chǔ)單元上執(zhí)行擦除操作，并且在頁面單元上執(zhí)行讀和寫操作。閃存130可 以在每個(gè)單元存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)或多位數(shù)據(jù)。
根據(jù)一些實(shí)施例，存儲(chǔ)系統(tǒng)100被配置成并行地同時(shí)讀取主頁面PAGE—K 和虛擬頁面PAGE一I。由于主讀取操作與虛擬讀取操作同時(shí)執(zhí)行，閃存130的主頁面PAGE—K可能像所述虛擬頁面PAGEJ—樣遭受讀干擾現(xiàn)象。此外，根 據(jù)一些實(shí)施例，利用ECC算法來檢測在所述虛擬頁面PAGE—I上的由于讀干擾 而引起的位錯(cuò)誤是可能的。
圖7是說明根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的讀取圖6中所示存儲(chǔ)系統(tǒng)100的多種 方法的流程圖。這些方法將參照圖6和圖7進(jìn)4亍描述。在圖7中，對虛擬頁面 PAGE—I的讀操作可以與對主頁面PAGE—K的讀操作并行(同時(shí))執(zhí)行。開始， 主機(jī)110請求關(guān)于閃存130的主頁面PAGE—K的讀操作。存儲(chǔ)控制器120響應(yīng) 來自主機(jī)110的讀請求執(zhí)行所述主頁面PAGE—K的讀操作。
步驟S110說明了關(guān)于所述主頁面PAGE—K的主讀取才喿作。存儲(chǔ)控制器120 響應(yīng)來自主機(jī)110的讀請求讀取所述主頁面PAGE—K。存儲(chǔ)控制器120并行地 執(zhí)行所述虛擬頁面PAGE一I的讀操作和所述主頁面PAGE一K的讀操作。對所述 虛擬頁面PAGE—I的讀操作將在步驟S200中描述。
在步驟S120中，存儲(chǔ)控制器120利用ECC電路124可以確定是否在所述 主頁面PAGE—K上發(fā)生了位錯(cuò)誤。如果沒有，則在步驟S160，存儲(chǔ)控制器120 將從所述主頁面PAGE—K讀取的數(shù)據(jù)發(fā)送給主機(jī)110。然而，如果檢測到位錯(cuò) 誤，則所述過程轉(zhuǎn)到步驟S130,在那里確定所述位錯(cuò)誤是否超出第一更正范圍 Limit—1。例如，假設(shè)ECC電路124的第一更正范圍Limit—1能夠同時(shí)更正四個(gè) 錯(cuò)誤位，在步驟S130中確定所述位錯(cuò)誤是否包括五個(gè)或更多的錯(cuò)誤位。當(dāng)所 述位錯(cuò)誤沒有超出第一更正范圍Limit—1時(shí)，在步驟S140中所述位錯(cuò)誤能夠被 更正。然而，當(dāng)所述位錯(cuò)誤超出了第一更正范圍Limit—1時(shí)，所述過程轉(zhuǎn)到步 驟S150，在那里執(zhí)行讀取恢復(fù)操作。
此處，所述讀取恢復(fù)操作被配置成恢復(fù)由于一讀干擾現(xiàn)象而損壞的頁面數(shù) 據(jù)。在所述讀恢復(fù)操作期間，包括所述損壞頁面的存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)被拷貝回另一 存儲(chǔ)塊。例如，假設(shè)圖6中存儲(chǔ)塊BLKO的主頁面PAGE—K被損壞，所述存儲(chǔ) 塊BLKO中的數(shù)據(jù)拷貝回另一存儲(chǔ)塊(例如，BLK1)。所述讀取恢復(fù)操作包括 將頁面數(shù)據(jù)移動(dòng)到RAM 126并且將RAM 126中的所述數(shù)據(jù)拷貝到新數(shù)據(jù)塊。 此外，所述讀取恢復(fù)操作可以包括通常用于NAND閃存中的拷貝-回(copy-back) 編程操作。
如所描述的，所述讀取恢復(fù)操作可以在步驟S150期間執(zhí)行并且然后轉(zhuǎn)到 步驟S140。或者，需要讀取恢復(fù)的頁面可以在步驟S150被標(biāo)識(shí)并且然后轉(zhuǎn)到 步驟S140，而所述讀取恢復(fù)操作可以在晚一點(diǎn)的時(shí)間被執(zhí)行。例如，響應(yīng)存儲(chǔ)
器系統(tǒng)100的上電和/或響應(yīng)閃存130的空閑時(shí)間的出現(xiàn)來執(zhí)行所述讀取恢復(fù)操 作。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)100在步驟S200中與讀取所述主頁 面PAGE一K并行地(同時(shí))讀取所述虛擬頁面PAGEJ?？梢砸噪S才幾的方式或 者根據(jù)預(yù)定順序在閃存130中選擇所述虛擬頁面PAGE—I。
在步驟S210，執(zhí)行關(guān)于所述虛擬頁面PAGE一I的虛擬讀取操作，其中所述 虛擬頁面PAGEj與所述主頁面PAGE—K位于所述閃存的不同的位置。在步驟 S220, ECC電路124確定是否在從所述虛擬頁面PAGE—I中讀取的數(shù)據(jù)中出現(xiàn) 了位錯(cuò)誤。如杲?jīng)]有出現(xiàn)錯(cuò)誤，則在步驟S160中所述存儲(chǔ)控制器120把從所述 虛擬頁面PAGE—I中讀取的數(shù)據(jù)發(fā)送給主機(jī)110。相反地，當(dāng)發(fā)生位錯(cuò)誤時(shí)，所 述過程轉(zhuǎn)到步驟S230。
在步驟S230,對于所述位錯(cuò)誤的數(shù)量是否超過第二更正范圍Limit—2做出 判定。例如，假設(shè)ECC電路124的第二更正范圍Limit—2是三個(gè)錯(cuò)誤位(能夠 同時(shí)更正3位)，則在步驟S230中確定所述位錯(cuò)誤的數(shù)量是否包括四個(gè)或更多 的錯(cuò)誤位。當(dāng)所述位錯(cuò)誤沒有超出所述第二更正范圍Limit_2時(shí)，則在步驟S160 中從所述虛擬頁面PAGE—I中讀取并且被ECC電路124更正的數(shù)據(jù)被發(fā)送給主 機(jī)IIO。相反地，當(dāng)所述位錯(cuò)誤的數(shù)量超出第二更正范圍Limit—2時(shí)，所述過程 轉(zhuǎn)到步驟S240,在那里以上面所描述的方式執(zhí)行讀取恢復(fù)操作。此后，所述過 程轉(zhuǎn)到步驟S160。
根據(jù)一些實(shí)施例，響應(yīng)于所述主頁面PAGE一K^皮重復(fù)讀取了所定義的次數(shù) 的判定，執(zhí)行關(guān)于所述虛擬頁面PAGEJ的讀操作。例如，響應(yīng)于所述主頁面 PAGE—K被重復(fù)讀取了閾值N次(N是一整數(shù))，在所述第N次讀操作之后， 所述主頁面PAGE—K和虛擬頁面PAGE—I在每個(gè)后續(xù)的時(shí)間以并行方式同時(shí)被 讀取。所述主和虛擬讀取操作以圖7中描述的相同方式被執(zhí)行。
通過并行于主頁面的讀取操作執(zhí)行虛擬頁面的讀取操作，本發(fā)明的多個(gè)實(shí) 施例因此能夠;險(xiǎn)測由于重復(fù)讀取主頁面的"t喿作而產(chǎn)生的位錯(cuò)誤。相應(yīng)地，所述 主頁面可能像不同頁面一樣遭受相同/相似的讀干擾。并且，因?yàn)樘摂M讀"t喿作是 在不同于所述主頁面的虛擬頁面執(zhí)行的，因此多種實(shí)施例都能夠檢測發(fā)生在所 述虛擬頁面中的位錯(cuò)誤。
圖8是說明施加到字線上的用以觸發(fā)同時(shí)讀取主頁面和虛擬頁面的讀電壓 的數(shù)量的圖表。當(dāng)只有主頁面PAGE—K被重復(fù)讀取時(shí)，在三次讀操作之后沒有
讀電壓Vread施加到所述主頁面PAGE—K。相反地，所述讀電壓Vread三次施 加到除了所述主頁面PAGEJC之外的剩余頁面。這將可能導(dǎo)致所述剩余頁面遭 受讀干擾并且可能導(dǎo)致發(fā)生在所述剩余頁面中的位錯(cuò)誤。
為了檢測由于讀干擾而導(dǎo)致的剩余頁面中的位錯(cuò)誤，如圖8所示，本發(fā)明 的多種實(shí)施例與讀取所述虛擬頁面PAGE—0、 PAGE—62以及PAGE—3并行地讀 取所述主頁面PAGE—K。
在第一周期，執(zhí)行關(guān)于所述主頁面PAGE—K和第一隨機(jī)頁面PAGE—0的讀 操作。如果執(zhí)行主讀取操作，讀電壓Vread被施加到所述剩余頁面而不施加到 所述主頁面PAGE一K。相應(yīng)地，參照圖8，在主頁面PAGE—K上標(biāo)識(shí)"0"而在 剩余頁面上標(biāo)識(shí)T。
當(dāng)執(zhí)行關(guān)于第一隨機(jī)頁面PAGE—0的虛擬讀操作時(shí)，讀電壓Vread被施加 到所述剩余頁面而不施加到所述第一隨機(jī)頁面PAGE—0。相應(yīng)地，參照圖8,在 主頁面PAGE—K和在所述第一隨機(jī)頁面PAGE—0上標(biāo)識(shí)"1"，以及在所述剩余 頁面上標(biāo)識(shí)"2"。
在第二周期，執(zhí)行關(guān)于所述主頁面PAGE_K和第二隨機(jī)頁面PAGE—62的 讀操作。如果^丸行主讀取操作，讀電壓Vread被施加到所述剩余頁面而不施加 到所述主頁面PAGE—K。相應(yīng)地，參照圖8，在主頁面PAGE—K上標(biāo)識(shí)"1"并 且在所述第一隨機(jī)頁面PAGE—0上標(biāo)識(shí)"2"，以及在剩余頁面上標(biāo)識(shí)"3"。
當(dāng)執(zhí)行關(guān)于所述第二隨機(jī)頁面PAGE—62的虛擬讀才喿作時(shí)，讀電壓Vread 被施加到所述剩余頁面而不施加到所述第二隨機(jī)頁面PAGE__62。相應(yīng)地，參照 圖8，在主頁面PAGE—K上標(biāo)識(shí)"2"并在所述第一和第二隨機(jī)頁面PAGE一O和 PAGE—62上標(biāo)識(shí)"3",以及在剩余頁面上標(biāo)識(shí)"4"。
在第三周期，如上面描述的方式一樣，^L行關(guān)于所述主頁面PAGE—K和第 三隨機(jī)頁面PAGE—3的讀操作。當(dāng)執(zhí)行關(guān)于所述第三隨機(jī)頁面PAGE—3的虛擬 讀才乘作時(shí)，對所述主頁面PAGE—K施加所述讀電壓Vread三次，對所述第一、 第二以及第三隨機(jī)頁面PAGE—0 、 PAGE—62以及PAGE—3施加所述讀電壓Vread 五次，并且對所述剩余頁面施加所述讀電壓Vread六次。
這樣，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)主頁面被重復(fù)讀取時(shí)，虛擬頁面也被 供給讀電壓Vread。因?yàn)樗鲎x電壓Vread被施加到所述虛擬頁面，很可能會(huì)促 使讀干擾在那里的發(fā)生。相應(yīng)地，能夠檢測并更正由于讀干擾而造成的位錯(cuò)誤。 此外，由于虛擬頁面的讀操作與所述主頁面并行執(zhí)行，因此能夠檢測發(fā)生在所
述虛擬頁面中的位錯(cuò)誤。
上面公開的主題應(yīng)被認(rèn)為是示例性的，而不是限制性的，并且所附的權(quán)利 要求意在覆蓋落在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的所有如修改、改善和其它的實(shí)施 例。因此，在法律允許的最大程度下，本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求及其等效 物的可允許的最寬的解釋來確定，并且不應(yīng)該限制或局限于前面的具體描述。
權(quán)利要求
1.一種讀取存儲(chǔ)系統(tǒng)中的閃存的方法，所述方法包括從所述閃存的主頁面讀取數(shù)據(jù)；檢測并更正從所述主頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤；并行于從所述主頁面讀取數(shù)據(jù)，從所述閃存的虛擬頁面讀取數(shù)據(jù)；檢測從所述閃存的虛擬頁面中讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的虛擬頁面是從所述閃存的多 個(gè)頁面中隨機(jī)地選擇的。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述虛擬頁面是根據(jù)所述閃存的頁 面所定義的順序來選4奪的。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括使用ECC算法來檢測從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤的數(shù)量；以及 響應(yīng)于當(dāng)所述檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超出所述ECC算法的更正范圍時(shí)，把 與包括所述虛擬頁面的存儲(chǔ)塊相關(guān)聯(lián)的地址映射到另 一存儲(chǔ)塊。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括利用ECC算法來檢測從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤的數(shù)量；以及 響應(yīng)于當(dāng)所述的檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超出所述ECC算法的更正范圍時(shí)， 把檢測結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法 ，其中，所述檢測結(jié)果被存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件的閃存中。
7. 如權(quán)利要求5所述的方法 ，其中，所述檢測結(jié)果被存儲(chǔ)在控制所述閃存的存儲(chǔ)控制器的所述存儲(chǔ)器件中
8. 如權(quán)利要求7所述的方法 ,其中，所述存儲(chǔ)器件包括所述存儲(chǔ)控制器的緩存。
9. 如權(quán)利要求5所述的方法，還包括取決于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件中的所述檢測結(jié)果的值，用另 一存儲(chǔ)塊來選擇 性的替換包含所述虛擬頁面的所述閃存的存儲(chǔ)塊。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，還包括響應(yīng)于所述存儲(chǔ)系統(tǒng)的上電，取 決于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件中的所述檢測結(jié)果的值，用其他的存儲(chǔ)塊來選擇性地替換包含所述虛擬頁面的所述閃存的存儲(chǔ)塊。
11. 一種讀取存儲(chǔ)系統(tǒng)中的閃存的方法，所述方法包括 確定何時(shí)所述閃存的主頁面被重復(fù)讀取了至少N次；以及響應(yīng)于確定所述主頁面^皮重復(fù)讀取了至少N次，并行地從所述主頁面和/人 所述閃存的虛擬頁面讀取^:據(jù)。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，當(dāng)所述主頁面被確定為重復(fù)讀取 少于N次時(shí)，不與所述主頁面并行讀取所述虛擬頁面。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述虛擬頁面從所述閃存的多個(gè)頁 面中以隨機(jī)的方式選擇。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述閃存的虛擬頁面根據(jù)所述閃存 中的頁面所定義順序來選#^。
15. 如權(quán)利要求11所迷的方法，還包括使用ECC算法來檢測從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤的數(shù)量；以及 響應(yīng)于當(dāng)所述檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超出所述ECC算法的更正范圍時(shí)，把 與包括所述虛擬頁面的存儲(chǔ)塊相關(guān)聯(lián)的地址映射到另 一存儲(chǔ)塊。
16. 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括使用ECC算法來檢測從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤的數(shù)量；以及 響應(yīng)于當(dāng)所述^全測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超出所述ECC算法的更正范圍時(shí)，把 檢測結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述檢測結(jié)果被存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ) 器件的閃存中。
18. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述4企測結(jié)果被存儲(chǔ)在控制所述 閃存的存儲(chǔ)控制器的存儲(chǔ)器件中。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述存儲(chǔ)器件包括所述存儲(chǔ)控制 器的緩存。
20. 如權(quán)利要求16所述的方法，還包括取決于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件中的所述檢測結(jié)果的值，用另 一存儲(chǔ)塊來選擇 性地替換包含所述虛擬頁面的所述閃存的存儲(chǔ)塊。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法，其中，進(jìn)一步響應(yīng)于所述存儲(chǔ)系統(tǒng)的上 電執(zhí)行所述選擇性地替換所述存儲(chǔ)塊。
22. —種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括具有多個(gè)頁面的閃存；以及配置為控制所述閃存的存儲(chǔ)控制器，其中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成確定何時(shí)所述閃存的主頁面被重復(fù)讀取了至少N次，以及響應(yīng)于確定所述主頁面被重復(fù)讀取了至少N次，并行地從所述 主頁面讀取數(shù)據(jù)和從所述閃存的虛擬頁面讀取數(shù)據(jù)。
23. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成 響應(yīng)于確定所述主頁面^t重復(fù)讀取少于N次，讀取所述主頁面而不并^f亍讀取所 述虛擬頁面。
24. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，在所述閃存的多個(gè)頁面中以 隨機(jī)的方式選"f奪所述虛擬頁面。
25. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，在所述閃存的多個(gè)頁面中以 順序的方式選擇所述虛擬頁面。
26. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成使 用ECC算法來檢測從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤的數(shù)量，并且響應(yīng)于 當(dāng)所述檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超過所述ECC算法的更正范圍時(shí)，把與包括所述 虛擬頁面的存儲(chǔ)塊相關(guān)聯(lián)的地址映射到另 一存儲(chǔ)塊。
27. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成使 用ECC算法來檢測從所述虛擬頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤的數(shù)量，并且響應(yīng)于 當(dāng)所述檢測到的位錯(cuò)誤的數(shù)量超過所述ECC算法的更正范圍時(shí)，把檢測結(jié)果存 儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中。
28. 如權(quán)利要求27所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)器件位于所述閃存中。
29. 如權(quán)利要求27所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)器件位于所述存儲(chǔ) 控制器中。
30. 如權(quán)利要求27所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成取 決于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件中的所述檢測結(jié)果的值，用另 一存儲(chǔ)塊來選擇性地替 換包括所述虛擬頁面的閃存的存儲(chǔ)塊。
31. 如權(quán)利要求30所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)控制器被配置成響 應(yīng)于所述存儲(chǔ)系統(tǒng)的上電，取決于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件中的所述檢測結(jié)果的值， 用其他的存儲(chǔ)塊來選擇性地替換包括所述虛擬頁面的閃存的存儲(chǔ)塊。
32. 如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述閃存和所述存儲(chǔ)控制器 包括存儲(chǔ)卡。
全文摘要
本發(fā)明提供了能夠檢測由于讀干擾而造成的位錯(cuò)誤的方法和存儲(chǔ)系統(tǒng)。讀取存儲(chǔ)系統(tǒng)中閃存的主頁面；檢測并更正從所述主頁面讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤；與讀取所述主頁面并行地，檢測從所述閃存的虛擬頁面中讀取的數(shù)據(jù)中的位錯(cuò)誤。
文檔編號G06F11/10GK101339526SQ20081021033
公開日2009年1月7日 申請日期2008年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月19日
發(fā)明者安世鎮(zhèn), 崔成業(yè), 金容鉉, 金龍經(jīng) 申請人:三星電子株式會(huì)社