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內(nèi)存測(cè)試治具的制作方法

文檔序號(hào):6474926閱讀:301來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):內(nèi)存測(cè)試治具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種測(cè)試治具,且特別是有關(guān)于一種內(nèi)存測(cè)試治具。
背景技術(shù)
在現(xiàn)今信息化爆炸的時(shí)代,個(gè)人計(jì)算機(jī)的使用已經(jīng)與日倶增。此外,為了滿(mǎn) 足社會(huì)大眾對(duì)影音以及各種高階軟件的需求,不但各項(xiàng)硬件需要加大容量與提升速 度,操作系統(tǒng)也必須不斷的升級(jí)。隨著操作系統(tǒng)的升級(jí),除了硬盤(pán)要加大容量與中 央處理器須提升運(yùn)算速度之外,作為兩者媒介的內(nèi)存模塊同樣也需要加大容量并提 升處理速度。
內(nèi)存模塊在加大容量且提升速度的同時(shí),如何測(cè)量?jī)?nèi)存模塊的測(cè)試端的信號(hào) 以判斷內(nèi)存模塊是否有缺陷已成為一個(gè)重要課題。因?yàn)?,測(cè)試廠商可透過(guò)測(cè)量到的 信號(hào)來(lái)判斷內(nèi)存模塊的缺陷是來(lái)自于制程的問(wèn)題、內(nèi)存內(nèi)部電路的問(wèn)題、模塊后而 發(fā)生的問(wèn)題或是主板上各插槽的問(wèn)題。
一般而言,內(nèi)存模塊在測(cè)試的過(guò)程中,測(cè)試廠商通常會(huì)先根據(jù)內(nèi)存模塊的電 路圖與萬(wàn)用表,找出與內(nèi)存模塊的測(cè)試端等位或相隔一個(gè)排阻的點(diǎn)來(lái)作為焊接測(cè)試 點(diǎn)。之后,再焊出內(nèi)存模塊的焊接測(cè)試點(diǎn),以進(jìn)行內(nèi)存模塊的測(cè)試信號(hào)的測(cè)量。此 種作法不僅容易焊壞或損壞內(nèi)存模塊,此外焊接測(cè)試點(diǎn)的尋找以及焊線的手續(xù)都增 加測(cè)試人員的負(fù)擔(dān)。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種內(nèi)存測(cè)試治具,可致使測(cè)試人員輕易測(cè)量到待測(cè)內(nèi)存模 塊的測(cè)試端的信號(hào)。
本實(shí)用新型提出一種內(nèi)存測(cè)試治具,適于與配置在主板上的第一內(nèi)存插槽電 性連接。此內(nèi)存測(cè)試治具包括載板、第二內(nèi)存插槽以及多個(gè)連接器。其中,載板具 有金手指,以插入第一內(nèi)存插槽。第二內(nèi)存插槽配置在載板上,并電性連接至金手指。
此外,在實(shí)際應(yīng)用上,第二內(nèi)存插槽用以插設(shè)待測(cè)內(nèi)存模塊,并具有與待測(cè) 內(nèi)存模塊的測(cè)試端電性相連的多個(gè)測(cè)試點(diǎn)。另一方面,所述多個(gè)連接器分別配置在 載板上,并與這些測(cè)試點(diǎn)一對(duì)一電性連接。藉此,與這些連接器電性相連的多個(gè)傳 輸線,將可傳送來(lái)自待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè)試端的信號(hào)。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中,上述的載板為印刷電路板。此外,所述的第一 內(nèi)存插槽與第二內(nèi)存插槽具有相同的結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中,上述的第一內(nèi)存插槽與第二內(nèi)存插槽分別為雙
線上存儲(chǔ)模塊插槽。再者,所述連接器分別為SMA連接器,且所述傳輸線為同軸纜
線。此外,所述待測(cè)內(nèi)存模塊為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存、雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存或是第二代雙倍 數(shù)據(jù)速率內(nèi)存。
本實(shí)用新型是利用第二內(nèi)存插槽所具有的測(cè)試點(diǎn)以及載板上的連接器,導(dǎo)引 出來(lái)自待測(cè)內(nèi)存模塊測(cè)試端的信號(hào)。藉此,與現(xiàn)有技術(shù)相較之下,測(cè)試人員無(wú)需尋 找焊接測(cè)試點(diǎn),就可透過(guò)與連接器電性相連的傳輸線測(cè)量到測(cè)試信號(hào)。相對(duì)地,本 實(shí)用新型也可避免現(xiàn)有技術(shù)在焊接內(nèi)存模塊時(shí)所造成的損壞。
為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并 配合附圖,作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1繪示為依照本實(shí)用新型一實(shí)施例的內(nèi)存測(cè)試治具與主板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

圖1繪示為依照本實(shí)用新型一實(shí)施例的內(nèi)存測(cè)試治具與主板的結(jié)構(gòu)示意圖。
請(qǐng)參閱圖1,內(nèi)存測(cè)試治具100包括一載板110、 一內(nèi)存插槽120以及多個(gè)連接器, 例如:連接器131-133。在說(shuō)明本實(shí)施例之前,必須先了解,內(nèi)存測(cè)試治具100適 用于一內(nèi)存插槽210。其中,內(nèi)存插槽210配置在一主板220上。此外,主板220
例如是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或服務(wù)器系統(tǒng)的主板。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1,載板110具有金手指111。在實(shí)際應(yīng)用上,內(nèi)存測(cè)試治具100 會(huì)透過(guò)金手指111插設(shè)于內(nèi)存插槽210,以電性連接至內(nèi)存插槽210。其中,載板130例如是印刷電路板。
另一方面,內(nèi)存插槽120配置在載板110上,并與金手指111電性連接。在 實(shí)際應(yīng)用上,內(nèi)存插槽120用以插設(shè)一待測(cè)內(nèi)存模塊(未繪示出)。此外,內(nèi)存插槽 120具有與待測(cè)內(nèi)存模塊測(cè)試端電性相連的多個(gè)測(cè)試點(diǎn)(未繪示出)。
再者,連接器131 133也配置在載板110上,并與前述的多個(gè)測(cè)試點(diǎn)一對(duì)一 電性連接。在實(shí)際應(yīng)用上,連接器131~133分別用以電性連接一條傳輸線(未繪示 出)。藉此,待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè)試端將可透過(guò)內(nèi)存插槽120與連接器131-133,而 分別電性連接至多條傳輸線。相對(duì)地,所述多條傳輸線將可傳送來(lái)自待測(cè)內(nèi)存模塊 的測(cè)試端的信號(hào)。
為了致使本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者能更加了解本實(shí)施,接下來(lái)將詳述待測(cè)內(nèi)存 模塊的測(cè)試端的信號(hào)是如何透過(guò)內(nèi)存測(cè)試治具100而被讀出。
在實(shí)際應(yīng)用上,當(dāng)待測(cè)內(nèi)存模塊設(shè)于內(nèi)存插槽1120,且內(nèi)存測(cè)試治具100透 過(guò)金手指111插入在主板220的內(nèi)存插槽210時(shí),主板220可以透過(guò)內(nèi)存測(cè)試治具 IOO對(duì)待測(cè)內(nèi)存模塊進(jìn)行讀寫(xiě)。在讀寫(xiě)待測(cè)內(nèi)存模塊的過(guò)程中,待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè) 試端會(huì)產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)。此時(shí),使用者只需將連接器131 133接上傳輸線,就可透過(guò) 與傳輸線相連的測(cè)量設(shè)備(例如是示波器),讀取到來(lái)自待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè)試端的信
號(hào)
值得一提的是,在本實(shí)施例中,內(nèi)存插槽210與內(nèi)存插槽120具有相同的結(jié) 構(gòu)。此外,內(nèi)存插槽210與內(nèi)存插槽120例如是雙線上存儲(chǔ)模塊(Dual In-line Memory Module, DIMM)插槽。此外,待測(cè)內(nèi)存模塊例如是同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存(Synchronous Dynamic Random Access Memory, SDRAM)、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate, DDR) 內(nèi)存或是第二代雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate 2, DDR2)內(nèi)存等。
另一方面,在本實(shí)施例中,連接器131-133例如是SMA(Sub-Minature type A) 連接器。此外,與連接器131 133相連的傳輸線例如是同軸纜線。然而,本領(lǐng)域具 有通常知識(shí)者應(yīng)知,內(nèi)存模塊、內(nèi)存插槽、連接器以及傳輸線的種類(lèi)眾多,因此可 依設(shè)計(jì)所需來(lái)更換內(nèi)存模塊、內(nèi)存插槽、連接器以及傳輸線的應(yīng)用型態(tài)。
綜上所述,本實(shí)用新型是利用第二內(nèi)存插槽所具有的測(cè)試點(diǎn)以及載板上的連 接器,導(dǎo)引出來(lái)自待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè)試端的信號(hào)。藉此,測(cè)試人員無(wú)需尋找焊接測(cè) 試點(diǎn),就可透過(guò)與連接器電性相連的傳輸線測(cè)量到測(cè)試信號(hào)。雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本實(shí)用新型, 任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者,在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可 作些許更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1. 一種內(nèi)存測(cè)試治具,其特征在于,適于與配置在一主板上的一第一內(nèi)存插槽電性連接,且該內(nèi)存測(cè)試治具包括一載板,具有一金手指,以插入該第一內(nèi)存插槽;一第二內(nèi)存插槽,配置在該載板上,并電性連接該金手指,其中該第二內(nèi)存插槽用以插設(shè)一待測(cè)內(nèi)存模塊,并具有與該待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè)試端電性相連的多個(gè)測(cè)試點(diǎn);以及多個(gè)連接器,分別配置在該載板上,并與該些測(cè)試點(diǎn)一對(duì)一電性連接,其中該些連接器分別用以連接一傳輸線,以傳送來(lái)自該待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè)試端的信號(hào)。
2. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測(cè)試治具,其特征在于,該載板為一印刷電路板。
3. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測(cè)試治具,其特征在于,該第一內(nèi)存插槽與該第二 內(nèi)存插槽具有相同的結(jié)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求3所述的內(nèi)存測(cè)試治具,其特征在于,該第一內(nèi)存插槽與該第二 內(nèi)存插槽分別為雙線上存儲(chǔ)模塊插槽。
5. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測(cè)試治具,其特征在于,該些連接器分別為SMA 連接器,且該傳輸線為同軸纜線。
6. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測(cè)試治具,其特征在于,該待測(cè)內(nèi)存模塊為同步動(dòng) 態(tài)內(nèi)存、雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存或是第二代雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種內(nèi)存測(cè)試治具,適于與配置在主板上的第一內(nèi)存插槽電性連接。此內(nèi)存測(cè)試治具包括一載板、一第二內(nèi)存插槽以及多個(gè)連接器。其中,載板具有金手指,以插入第一內(nèi)存插槽。第二內(nèi)存插槽用以插設(shè)一待測(cè)內(nèi)存模塊,并具有與待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè)試端電性相連的多個(gè)測(cè)試點(diǎn)。所述多個(gè)連接器分別與這些測(cè)試點(diǎn)一對(duì)一電性連接。藉此,與這些連接器電性相連的多個(gè)傳輸線,將可傳送來(lái)自待測(cè)內(nèi)存模塊的測(cè)試端的信號(hào)。
文檔編號(hào)G06F11/22GK201251780SQ20082015100
公開(kāi)日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月18日
發(fā)明者郭雅琿, 陳志豐 申請(qǐng)人:英業(yè)達(dá)科技有限公司;英業(yè)達(dá)股份有限公司
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