專利名稱：支持ddr2和ddr3雙內(nèi)存模式的amd平臺(tái)主板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
,本實(shí)用新型涉及一種電腦主板，尤指一種可以同時(shí)支持DDR2模 式內(nèi)存和DDR3模式內(nèi)存的AMD平臺(tái)主板。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，電腦的速度越來越快，電腦硬件也 不斷快速地更新?lián)Q代，新規(guī)格的電腦配件技術(shù)不斷推出，比如內(nèi)存 就經(jīng)歷了從SIMM、 RAM、 SDRAM、 SDRAM、 DDR、到腿2以及目前剛剛 出現(xiàn)的速度更快的DDR3內(nèi)存，為跟隨CPU和內(nèi)存的發(fā)展速度，作為 電腦平臺(tái)的電腦主板也不斷地出現(xiàn)新的規(guī)格來與新的CPU和內(nèi)存相 搭配，但由于新技術(shù)往往意味著高成本，因此，目前雖然已經(jīng)出現(xiàn) 了DDR3規(guī)格的內(nèi)存，但由于成本和價(jià)格較高，因此，人們在使用中 還是以首先選用成本低很多的DDR2內(nèi)存，但是有許多用戶在使用中， 雖然選擇了電腦CPU和主板芯片平臺(tái)，但是還是希望主板能夠有更 多的選擇來搭配多種規(guī)格的內(nèi)存，特別是可以搭配目前主流規(guī)格的 內(nèi)存和剛推出的規(guī)格的內(nèi)存，以便能夠暫時(shí)選擇較為便宜的內(nèi)存而 在日后選擇更高規(guī)格的內(nèi)存進(jìn)行升級，或是讓有不同需求的用戶在 確定主板后可以有更多的選擇是使用目前規(guī)格的內(nèi)存還是新推出規(guī) 格的內(nèi)存，就目前對于選擇AMD平臺(tái)的用戶來說，由于主流內(nèi)存DDR2 己經(jīng)普及并已經(jīng)降到了相當(dāng)?shù)偷膬r(jià)格，新推出的DDR3內(nèi)存雖然頻率 更高，但是價(jià)格也高出DDR2內(nèi)存近一倍，因此許多用戶在選擇一款主板后，希望日后能夠繼續(xù)升級更高規(guī)格的內(nèi)存，也就是希望所選
擇的主板能夠同時(shí)支持DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存，在日后DDR3內(nèi)存降 到較低的價(jià)位時(shí)能夠選擇將DDR2內(nèi)存升級到性能更高的DDR3內(nèi)存。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的技術(shù)目的是為了提供一種可以同時(shí)支持DDR2和 DDR3兩種內(nèi)存模式的的AMD平臺(tái)的主板。
本實(shí)用新型的支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板包 括至少一個(gè)的DDR2內(nèi)存插槽、至少一個(gè)的DDR3內(nèi)存插槽、判斷內(nèi) 存槽插使用狀態(tài)的內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊、DDR2內(nèi)存BI0S單元和DDR3 內(nèi)存BIOS單元，該內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊分別與DDR2內(nèi)存插槽的DDR3 內(nèi)存插槽、DDR3內(nèi)存插槽的接地腳、DDR2內(nèi)存BI0S單元和DDR3內(nèi) 存BIOS單元連接。
上述的內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊的電路中包括將主板上所有DDR2內(nèi) 存插槽和DDR3內(nèi)存插槽中任何一個(gè)需要接地的腳通過電阻與主板上 的STANDY BY電極電性連接，如此當(dāng)內(nèi)存插槽上沒有插入內(nèi)存的時(shí) 候，就會(huì)成為高電位，而插入內(nèi)存后就成了低電位了，該內(nèi)存槽狀 態(tài)判斷模塊據(jù)此來確認(rèn)內(nèi)存槽內(nèi)是否插入了內(nèi)存，并根據(jù)插入內(nèi)存 的內(nèi)存槽是DDR2內(nèi)存插槽還是DDR3內(nèi)存插槽，進(jìn)而選擇所對應(yīng)的 DDR2內(nèi)存BIOS,或DDR內(nèi)存BIOS,從而為來使主板支持DDR2模式 內(nèi)存或DDR3模式內(nèi)存。
有益效果本實(shí)用新型的支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD 平臺(tái)主板在使用時(shí)，當(dāng)有DDR2內(nèi)存或DDR3內(nèi)存插入時(shí)，能夠自動(dòng)判斷該內(nèi)存的規(guī)格，從而調(diào)用和啟動(dòng)相應(yīng)的DDR2內(nèi)存的BIOS或DDR3 內(nèi)存的BIOS進(jìn)行工作，確保該AMD平臺(tái)主板自動(dòng)識(shí)別DDR2內(nèi)存和 DDR3內(nèi)存，并分別支持DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存。
為便于說明和本實(shí)用新型有關(guān)的詳細(xì)內(nèi)容及技術(shù)，以下茲就配 合附圖進(jìn)行說明。

圖l、為本實(shí)用新型工作的原理框圖2、為本實(shí)用新型內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊一種具體實(shí)施電路圖。
具體實(shí)施方式
請參照圖1和所示，本實(shí)用新型本實(shí)用新型的支持DDR2和DDR3 雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板包括至少一個(gè)的DDR2內(nèi)存插槽、至少一 個(gè)的DDR3內(nèi)存插槽、判斷內(nèi)存槽插使用狀態(tài)的內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊、 DDR2內(nèi)存BIOS單元和DDR3內(nèi)存BIOS單元，該內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊 分別與DDR2內(nèi)存插槽的DDR3內(nèi)存插槽、DDR3內(nèi)存插槽的接地腳、 DDR2內(nèi)存BIOS單元和DDR3內(nèi)存BIOS單元連接。
上述的內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊的電路中包括將主板上所有DDR2內(nèi) 存插槽和DDR3內(nèi)存插槽中任何一個(gè)需要接地的腳通過電阻與主板上 的STANDY BY電極電性連接，如此當(dāng)內(nèi)存插槽上沒有插入內(nèi)存的時(shí) 候，就會(huì)成為高電位，而插入內(nèi)存后就成了低電位了，該內(nèi)存槽狀 態(tài)判斷模塊據(jù)此來確認(rèn)內(nèi)存槽內(nèi)是否插入了內(nèi)存，并根據(jù)插入內(nèi)存 的內(nèi)存槽是DDR2內(nèi)存插槽還是DDR3內(nèi)存插槽，進(jìn)而選擇所對應(yīng)的 DDR2內(nèi)存BI0S，或DDR內(nèi)存BIOS，從而為來使主板支持DDR2模式內(nèi)存或DDR3模式內(nèi)存。
請參照圖1為本實(shí)用新型的流程方框圖，為實(shí)現(xiàn)該流程，請參 照圖2為本實(shí)施例的支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板 內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊的電路，該電路對DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存 插槽使用狀態(tài)具體的判定原理步驟如下
A點(diǎn)信號來自DDR2插槽任一原本需要接地的腳
當(dāng)有DDR2內(nèi)存插在插槽上時(shí)，A=0;否則，A二l;
B點(diǎn)信號去控制DDR2 BI0S工作；
B=l時(shí)，DDR2的BI0S工作；B二O時(shí)，DDR2的BIOS處于非工作 狀態(tài)；
C點(diǎn)信號去控制DDR3 BIOS工作；
C=l時(shí)，DDR3的BI0S工作；C二0時(shí)，DDR3的BIOS處于非工作
狀態(tài)；
2，正確選擇BIOS
當(dāng)有DDR2內(nèi)存插在插槽上時(shí)，A=0，此時(shí)B=l， C=0， DDR2 BIOS
運(yùn)行；
當(dāng)有DDR3內(nèi)存插在插槽上時(shí)，A=l，此時(shí)B=0， C二l， DDR3 BIOS
運(yùn)行；。
該支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板對CPU類型確 認(rèn)通過判斷CPU的H22， AE9腳的電平高低來確認(rèn)的，當(dāng)所述CPU 類型確認(rèn)后，內(nèi)存類型確認(rèn)裝置判斷是AM2， AM2+ CPU且搭配DDR2 內(nèi)存時(shí)，所述電源裝置給CPU VTT為1/2內(nèi)存電壓；當(dāng)所述CPU類型確認(rèn)裝置，內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊判斷DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存 插槽的使用狀態(tài)，若是AM3CPU搭配DDR3內(nèi)存時(shí)，則向CPU提供合 適的電壓，通常是是提供CPU的VTT為1.2V。
權(quán)利要求1、一種支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板，用于支持AMD CPU組成計(jì)算機(jī)，其特征在于該支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板包括至少一個(gè)的DDR2內(nèi)存插槽、至少一個(gè)的DDR3內(nèi)存插槽、判斷內(nèi)存槽插使用狀態(tài)的內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊、DDR2內(nèi)存BIOS單元和DDR3內(nèi)存BIOS單元，該內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊分別與DDR2內(nèi)存插槽的DDR3內(nèi)存插槽、DDR3內(nèi)存插槽的接地腳、DDR2內(nèi)存BIOS單元和DDR3內(nèi)存BIOS單元連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD 平臺(tái)主板，其特征在于所述的內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊的電路中包括 將主板上所有DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存插槽中任何一個(gè)需要接地 的腳通過電阻與主板上的STANDY BY電極電性連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板，該支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板包括至少一個(gè)的DDR2內(nèi)存插槽、至少一個(gè)的DDR3內(nèi)存插槽、判斷內(nèi)存槽插使用狀態(tài)的內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊、DDR2內(nèi)存BIOS單元和DDR3內(nèi)存BIOS單元，該內(nèi)存槽狀態(tài)判斷模塊分別與DDR2內(nèi)存插槽的DDR3內(nèi)存插槽、DDR3內(nèi)存插槽的接地腳、DDR2內(nèi)存BIOS單元和DDR3內(nèi)存BIOS單元連接，該支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板能夠自動(dòng)判斷該內(nèi)存的規(guī)格，從而調(diào)用和啟動(dòng)相應(yīng)的DDR2內(nèi)存的BIOS或DDR3內(nèi)存的BIOS進(jìn)行工作，確保該AMD平臺(tái)主板自動(dòng)識(shí)別DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存，并分別支持DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存。
文檔編號G06F15/76GK201331757SQ20082023592
公開日2009年10月21日 申請日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
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