專利名稱：：接觸面板、接觸面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及接觸面板(touchpanel)的
技術(shù)領(lǐng)域：
。
背景技術(shù)：
：一直以來，接觸面板廣泛用于ATM、自動(dòng)售貨機(jī)、便攜式信息終端、便攜式游戲機(jī)、電子導(dǎo)引顯示板、汽車導(dǎo)航或便攜式電話等。一般接觸面板是將在表面形成了ITO薄膜等的透明電極膜的2塊面板以使透明電極膜彼此相對(duì)的狀態(tài)粘貼而作成的。在2塊面板之中，至少一個(gè)面板具有可撓性，一按壓可撓性面板，則在按壓的場所透明電極膜相互間導(dǎo)通。這樣的接觸面板有被稱為矩陣方式和被稱為阻抗膜方式的面板。不管哪種方式的面板，都是通過使透明電極膜相互間直接或間接地接觸來使之導(dǎo)通，所以如果重復(fù)按壓相同場所，就會(huì)因摩擦而在透明電極膜產(chǎn)生白濁化或破裂。特別是，尋求對(duì)于在可撓性面板被按壓側(cè)的面板的透明電極要采取的措施。專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-151366號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為解決上述課題構(gòu)思而成，其目的在于提供耐久性高的接觸面板。為了解決上述課題，本發(fā)明的接觸面板具有顯示裝置，該顯示裝置具有板狀的顯示面板和配置在所述顯示面板表面上的下部電極膜；以及可撓性面板，該可撓性面板具有可撓性薄膜和配置在所述可撓性薄膜表面上的上部電才及膜，在所述顯示裝置的所述下部電才及膜一側(cè)的面上，配置有多個(gè)間隔物，所述可撓性面板以^使配置了所述上部電極膜一側(cè)的面朝向所述下部電極膜的狀態(tài)配置在所述間隔物上，若按壓所述可撓性面板，則所述下部電極膜與所述上部電極膜導(dǎo)通，在所述接觸面板中，所述上部電極膜和所述下部電極膜中任一方或雙方，具有以Iri203為主成分并含有Ti的透明電極膜，所述透明電極膜露出在所述上部電極膜表面與所述下部電極膜表面中的任一方或雙方。在本發(fā)明的接觸面板中，所述下部電極膜具有含有ITO的輔助電極膜，所述輔助電極膜位于所述透明電極膜與所述顯示面板之間。在本發(fā)明的接觸面板中，所述顯示裝置具有防反射層，所述防反射層配置在所述顯示面板與所述下部電極膜之間。本發(fā)明的接觸面板的制造方法，在第一基板表面上，形成第一電極膜而作成第一面板，該第一電極膜的表面露出透明電極膜，將在第二基板表面上形成有第二電極膜的第二面板和所述第一面板，以使所述第一、第二電極膜相對(duì)的方式粘貼，在該接觸面板的制造方法中，在配置了所述第一基板的真空槽內(nèi)濺鍍以111203為主成分并添加了Ti的靶形成所述透明電4及膜。在本發(fā)明的接觸面板的制造方法中，在配置了所述第一基板的真空槽內(nèi)濺鍍以由ITO和ZnO中的任一方或雙方所構(gòu)成的透明導(dǎo)電材料為主成分的靶，在所述第一基板表面上形成輔助電極膜，然后在所述輔助電極膜表面形成所述透明電極膜，形成具有所述輔助電極膜和所述透明電極膜的所述第一電極膜。在本發(fā)明的接觸面板的制造方法中，在形成所述輔助電極膜后，在形成了所述輔助電極膜的所述真空槽內(nèi)，形成所述透明電極膜。在本發(fā)明的接觸面板的制造方法中，使所述第一基板在所述真空槽內(nèi)移動(dòng)，并使所述第一基板多次通過與以111203為主成分并添加Ti的所述耙面對(duì)的位置，/人而形成所述透明電極膜。在本發(fā)明的接觸面板的制造方法中，在配置了所述第一基板的真空槽內(nèi)部，一邊將氧化氣體與氮化氣體中的任一方或雙方進(jìn)行等離子化，一邊在所述真空槽內(nèi)賊鍍第一金屬乾，在所述第一基板表面上形成了第一透明膜，然后，將所述第一基板S—己置在所述真空槽內(nèi)的狀態(tài)下，在所述真空槽內(nèi)部，一邊使氧化氣體與氮化氣體中任一方或雙方進(jìn)行等離子化，一邊濺鍍以與所述第一金屬靶不同種類的金屬為主成分的第二靶，在所述第一透明膜的表面上形成第二透明膜而形成了防反射層，然后，將所述第一基板配置在所述真空槽內(nèi)的情況下，在該真空槽內(nèi)，對(duì)以Itl203為主成分并添加Ti的所述靶進(jìn)行濺鍍，形成所述透明電極膜。(發(fā)明效果)以ln203為主成分并含有Ti的透明電極膜，比起ITO等傳統(tǒng)透明電極膜，耐磨耗性高，即使重復(fù)按壓也不破損。以111203為主成分并含有Ti的透明電極膜的透明性、電性上的特性并不亞于ITO。由于不需要形成保護(hù)膜等，用以增強(qiáng)的表面處理，所以不損及透明性、電性上的特性，而且，制成本變便宜。圖1是用以說明本發(fā)明第一例的接觸面板的剖視圖。圖2是用以說明本發(fā)明所使用的制造裝置的剖視圖。圖3是用以說明本發(fā)明第二例的接觸面板的剖視圖。圖4是用以說明滑動(dòng)試驗(yàn)機(jī)模式上的剖視圖。圖5是用以說明本發(fā)明第三例的接觸面板的剖視圖。圖6是用以說明本發(fā)明第四例的接觸面板之剖視圖。(符號(hào)說明)1、81、82接觸面板；10可撓性面板；11可撓性薄膜；15防反射層；17上部電極膜；18輔助電極膜；19透明電極膜；20顯示裝置；21顯示面板；27下部電極膜。具體實(shí)施例方式圖1的符號(hào)1表示本發(fā)明的接觸面板的一例，接觸面板1具有顯示裝置20和可撓性面板10。顯示裝置20具有LCD或PDP等的;f反狀顯示面4反21，并構(gòu)成為將顯示面板21的表面或里面中的任一方作為顯示面24，在該顯示面24顯示圖形或文字等的圖像信息。在顯示面24上，配置防反射層15和下部電極膜27。在此，防反射層15形成在透明的基板22表面，下部電極膜27形成在防反射層15表面，基板22的與防反射層15相反側(cè)的面粘貼到顯示面24上，>夂人而防反射層15和下部電才及力莫27以記載的順序?qū)盈B于顯示面24上，但是將防反射層15直接設(shè)置在顯示面24也可。再者，不設(shè)置防反射層15,而將下部電極膜27直接配置在顯示面24也可，而且也可以將下部電極膜27配置在基板22表面上?？蓳闲悦姘?0具有樹脂薄膜等的可撓性薄膜11和形成在可撓性薄膜11表面上的上部電極膜17。在顯示裝置20的配置下部電極膜27—側(cè)的面上，隔著間隔而配置多個(gè)間隔物29?？蓳闲悦姘?0的形成有上部電極膜17的面朝向下部電極膜27,被放在間隔物29上，因此，下部電極膜27和上部電極膜17就以間隔物29的高度相隔開并相對(duì)?？蓳闲员∧l、防反射層15、上部電極膜17、下部電極膜27及基板22分別透明，如上所述，能夠從可撓性面板10—側(cè)觀察到顯示于顯示面24的圖像信息。防反射層15例如層疊多層(在此為3層)折射率不同的透明膜12-14而構(gòu)成。各透明膜12~14的折射率及膜厚，設(shè)計(jì)為太陽光或照明光等的外光透過可撓性薄膜11,并使在各透明膜12~14表面已反射的界面反射光的相位相對(duì)于在下部電極膜27表面反射的表面反射光發(fā)生偏移，使表面反射光因界面反射光而被衰減。因而，能夠明顯地觀察到本發(fā)明的顯示面板21顯示的圖像。上部電極膜17的材質(zhì)及膜厚可與可撓性薄膜11一起變形，若可撓性薄膜11彎曲，則上部電極膜17—起變形，整個(gè)可撓性面板10可以變形。接觸面板1的使用者觀察顯示面板21的圖像信息，根據(jù)該圖像信息而選擇位置，在已選擇的位置按壓可撓性面板10?？蓳闲悦姘?0被按壓的場所會(huì)彎曲，在該按壓場所，上部電極膜17與下部電極膜27接觸。上部電極膜17和下部電極膜27分別與分析裝置連接，在接觸面板為阻抗膜方式的場合，從對(duì)應(yīng)于按壓的位置的大小的電壓值得知按壓位置，而在矩陣方式的場合，從按壓而導(dǎo)通的布線的位置得知按壓位置。在下部電極膜27表面露出以ln203為主成分并含有Ti的透明電極膜19。此透明電極膜19具有導(dǎo)電性和透明性，而且，比起以ITO為主成分的傳統(tǒng)透明電極膜，耐摩擦性優(yōu)良，因此即使重復(fù)按壓，下部電極膜27也不會(huì)破損。如圖l所示，可以由在透明電極膜19的顯示面板21—側(cè)的面，以其它透明電極膜(例如ITO膜)作為輔助電極膜18而配置的層疊膜來構(gòu)成下部電極膜27，也可以如圖3所示，由以111203為主成分并含有Ti的透明電極膜19的單層膜來構(gòu)成下部電極膜27。以上，說明了關(guān)于在下部電極膜27設(shè)置透明電極膜19的情況，但本發(fā)明不限定于此。圖5、圖6的符號(hào)81、82表示本發(fā)明第三、第四例的接觸面板，在與圖1的接觸面板1相同的構(gòu)件上采用相同的符號(hào)并加以說明。圖5、圖6的接觸面板81、82中，上部電極膜17具有透明電極膜19。在此，在上部電極膜17與可撓性薄膜11之間配置著防反射層15，但不設(shè)置防反射層15，而將上部電極膜17直接配置在可撓性薄膜11表面也可。圖5的接觸面板81中，上部電極膜17除了透明電極膜19以外還具有輔助電極膜18,圖6的接觸面板82中上部電極膜17由透明電極膜19構(gòu)成。無論哪一種情況，在上部電極膜17表面都露出透明電極膜19,即使上部電極膜17被重復(fù)按壓至下部電極膜27,上部電極膜17也不會(huì)破損。透明電極膜19也可以配置成在上部電極膜17與下部電極膜27雙方的表面上露出，而不是只在任一方的表面上露出。將上部電極膜17和下部電極膜27的任一方或雙方，可以用以ln203為主成分并含有Ti的透明電極膜，但這種透明電極膜，比起ITO或ZnO而言，電阻4交高。因而，上部電4及膜17或/和下部電才及膜27,在其結(jié)構(gòu)為以由ITO和ZnO的任一方或雙方所構(gòu)成的透明導(dǎo)電材料為主成分的輔助電極膜，和以In203為主成分并含有Ti的透明電極膜的雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，整體電阻降低。接著，說明接觸面板1的制造工序。圖2的符號(hào)50表示用于制造接觸面板1中的上述顯示裝置20或可撓性面板10的制造裝置。此制造裝置50具有真空槽51和配置于真空槽51內(nèi)部的基板支持器52。在此，基板支持器52為柱形，而被連接于未圖示的旋轉(zhuǎn)裝置，構(gòu)成為當(dāng)旋轉(zhuǎn)裝置的動(dòng)力被傳達(dá)時(shí)，以中心軸線為中心而旋轉(zhuǎn)。物，若基板支持器52旋轉(zhuǎn)，則各處理對(duì)象物也一起旋轉(zhuǎn)，處理對(duì)象物在以基板支持器52的中心軸線為中心的圓周上移動(dòng)。在基板支持器52的周圍，沿著基板支持器52的旋轉(zhuǎn)方向排列多個(gè)耙6164和離子槍55,當(dāng)基板支持器52旋轉(zhuǎn)時(shí)，處理對(duì)象物依次通過與各耙61~64面對(duì)的位置和與離子槍55面對(duì)的位置。各耙61~64與電源66~69連接。在真空槽51上連接真空排氣系統(tǒng)59和氣體供給系統(tǒng)57，用真空排氣系統(tǒng)59對(duì)真空槽51內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，若一邊從氣體供給系統(tǒng)57供給濺鍍氣體，一邊對(duì)靶61~64施加電壓，則革巴61~64的表面被'減鍍而釋放出賊鍍粒子，當(dāng)處理對(duì)象物通過與靶61~64面對(duì)的位置時(shí)，濺鍍粒子到達(dá)其表面。離子槍55的釋放離子束的釋放口朝向基板支持器52的側(cè)面。一邊將真空槽51內(nèi)進(jìn)行真空排氣，并從氣體供給系統(tǒng)57供給反應(yīng)氣體，一邊從離子槍55釋放離子束，則反應(yīng)氣體等離子化，當(dāng)處理對(duì)象物通過與釋;^丈口面對(duì)的位置時(shí)，暴露于反應(yīng)氣體的等離子體中。若同時(shí)進(jìn)行靶61~64的濺鍍、反應(yīng)氣體的等離子化和基板支持器52的旋轉(zhuǎn)，則濺鍍粒子到達(dá)處理對(duì)象物表面而形成原子層，該原子層暴露于反應(yīng)氣體的等離子體中，從而形成原子層與反應(yīng)氣體的反應(yīng)生成物的薄膜(MetaMode)。繼續(xù)進(jìn)行靶61~64的濺鍍和反應(yīng)氣體的等離子化，并且使基板支持器52旋轉(zhuǎn)，將形成原子層的工序和將原子層暴露于等離子體中的工序，交互地各重復(fù)多次，這樣反應(yīng)生成物就會(huì)生長。若以在一次的旋轉(zhuǎn)中使數(shù)個(gè)濺鍍粒子重疊的方式使基板支持器52高速旋轉(zhuǎn)，則因?yàn)楸〉脑訉幼兂杀槐┞队诜磻?yīng)氣體的等離子體中，所以原子層的反應(yīng)快，比起傳統(tǒng)濺鍍裝置，成膜速度快。另外，比起使處理對(duì)象物靜止而進(jìn)行成膜的情形，因?yàn)樘幚韺?duì)象物并不長時(shí)間暴露在來自靶61~64的熱量，所以也可以形成在如樹脂薄膜那樣的處理對(duì)象物上。接著，說明關(guān)于使用該制造裝置50制造接觸面板1的工序。對(duì)真空槽51內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，成形了真空氣氛后，一邊維持該真空氣氛，一邊將作為處理對(duì)象物的基板22(第一基板)搬入，并使其保持于基板支持器52上。圖2示出在基板支持器52安裝了多個(gè)基板22的狀態(tài)。作為靶61~64,事先配置多個(gè)種類的金屬靶61、62;以ln203為主成分并被添加了Ti的透明導(dǎo)電材料的靶63;以及以ITO為主成分的其它透明導(dǎo)電材料靶64。另外，金屬靶61、62是以金屬(含硅)為主成分的乾。若一邊繼續(xù)真空排氣，一邊從氣體供給系統(tǒng)57供給Ar或Kr等的濺鍍氣體和在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氧原子的氧化氣體(反應(yīng)氣體)，并且一邊使基板支持器52旋轉(zhuǎn)，一邊將氧化氣體等離子化，對(duì)一個(gè)金屬靶61進(jìn)行濺鍍，則在基板22表面形成了金屬的原子層后，該原子層與氧化氣體的等離子體反應(yīng)，形成反應(yīng)生成物的膜(透明膜12)。若一邊繼續(xù)氧化氣體的等離子化和金屬靶61的濺鍍，一邊繼續(xù)基板支持器52的旋轉(zhuǎn)，則基板22交互地分別多次通過與金屬靶61面對(duì)的位置和暴露于氧化氣體的等離子體的位置。在基板22的表面上，通過交互地各重復(fù)多次形成金屬的原子層的工序和原子層與氧化氣體的等離子體反應(yīng)的工序(氧化)，而透明膜12生長。若透明膜12達(dá)到規(guī)定膜厚，則停止上述金屬靶61的濺鍍。對(duì)于以與該金屬靶61不同種類的金屬為主成分的其它金屬靶62進(jìn)行濺鍍，在之前已形成的透明膜12表面上，將不同種類的透明膜13、14形成1層以上，在基板22表面形成由透明膜12-14的層疊膜所構(gòu)成的防反射層15。在停止金屬靶61、62的濺鍍且停止離子槍55的狀態(tài)下，一邊繼續(xù)真空排氣和氧化氣體及濺鍍氣體的供給，一邊對(duì)以ITO為主成分的靶63進(jìn)行賊鍍，形成輔助電極膜18。一邊濺鍍?cè)摪?3,—邊旋轉(zhuǎn)基板支持器52,使基板22在真空槽51內(nèi)移動(dòng)，若使之多次通過面對(duì)于靶63的位置，則輔助電極膜18生長。如果輔助電極膜18生長至規(guī)定膜厚，就停止靶63的濺鍍，在將基板22配置于基板支持器52內(nèi)的情況下，形成透明電極膜19。透明電極膜19，例如在停止離子槍55的狀態(tài)下，一邊真空排氣和氧化氣體及濺鍍氣體的供給，一邊濺鍍以ln203為主成分并添加了Ti的靶64。在輔助電極膜18表面形成以ln203為主成分并添加了Ti的透明電極膜19。一邊濺鍍靶64，一邊旋轉(zhuǎn)基板支持器52,使基板22在真空槽51內(nèi)移動(dòng)，若使之多次通過面對(duì)于靶64的位置，則透明電極膜19生長。如果透明電極膜19生長至規(guī)定膜厚，并形成了具有透明電極膜19和輔助電極膜18的下部電極膜27，就將基板22從真空槽51取出。如果將形成了下部電極膜27的基板22粘貼到顯示面板21，就可得到顯示裝置20(第一面板)。改為基板22,采用顯示面板21的透明基板作為處理對(duì)象物，將防反射層15和下部電極膜27直接形成在透明基板之后，安裝顯示面板21,作成在顯示面24直接形成防反射層15(或下部電極膜27)的顯示裝置20也可。在第二^f反(可撓性薄膜11)的表面上，準(zhǔn)備形成有第二電極(上部電極膜17)的第二面板(可撓性面板IO)，如果將顯示裝置20和可撓性面板10,以使上部電極膜17與下部電極膜27夾著間隔物29相對(duì)的方式粘貼，就可得接觸面板l。以上，說明了以基板22為第一基板，在基板22表面上形成透明電極膜19的情形，但本發(fā)明不限定于此，也可以以可撓性薄膜ll為第一基板，在可撓性薄膜11表面上形成透明電極膜19，作成如圖5、圖6所示的可撓性面板10作為第一面板。而且，也可以在第一、第二基板(基板22和可撓性薄膜11)這雙方表面上形成透明電才及膜19。氧化氣體只要在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氧原子就沒有特別限定，例如能夠?qū)?2、03、H20單獨(dú)或2種以上同時(shí)使用。在形成透明膜1214時(shí)使用的反應(yīng)氣體，不限于氧化氣體，能夠使用在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氮原子的氮化氣體。作為氮化氣體，能夠使用N2、NH3的任一方或雙方。例如，透明膜12~14的主成分，在金屬靶為Si靶、反應(yīng)氣體為氧化氣體時(shí)為Si02,而在氮化氣體時(shí)為SiN。另外，在金屬靶為Zr耙、反應(yīng)氣體為氧化氣體時(shí)為ZrO,而在反應(yīng)氣體為氮化氣體時(shí)為ZrN。Si02、SiN、ZrO及ZrN的折射率互相不同。而且，也可以不改變金屬靶61、62的種類，而改變反應(yīng)氣體的種類，從而層疊不同折射率的透明膜1214。金屬靶61、62的種類也不限于Si和Zr，也可以/人由Si、Zr、Ti、Sb、Zn、Nb和Ta所組成的群中選擇至少一種金屬材料作為主成分，形成由這些金屬的氮化物或氧化物構(gòu)成的透明膜12~14。透明導(dǎo)電材料的靶63、64也沒有特別限定。例如，在形成輔助電極膜18時(shí)，能夠使用由ITO和ZnO中任一方或雙方所構(gòu)成的透明導(dǎo)電材料作為主成分的靶64。對(duì)透明導(dǎo)電材料的靶63、64進(jìn)行濺鍍的順序或種類也沒有特別限定，但最后'減鍍以111203為主成分并添加了Ti的靶64,使以111203為主成分并添加了Ti的透明電極膜19露出可撓性面板10表面。靶63中的Ti含有量沒有特別限定，但最好是0.1原子％以上30原子％以下，形成以111203為主成分并含有0.1原子％以上30原子％的Ti的透明電^l膜19。從形成透明膜12~14的工序到形成透明電極膜19的工序?yàn)橹梗绻粚⒒?2從真空槽51耳又出，而將這些工序全部在相同的真空槽51內(nèi)連續(xù)進(jìn)行，則防反射層15或電極膜就不會(huì)被污染。以上，說明了通過賊鍍法形成透明膜12~14、透明電極膜19及輔助電極膜18的情形，但本發(fā)明并不限定于此。在透明膜12-14、透明電極膜19及輔助電極膜18之中，至少一個(gè)可以用蒸鍍法來形成。蒸鍍法最好是將蒸鍍氣體供給真空槽內(nèi)，在激活該蒸鍍氣體的狀態(tài)下，使蒸鍍材料蒸發(fā)而成膜的活化反應(yīng)蒸鍍法(ARE:ActivatedReactiveEvaporation)。作為蒸鍍氣體，可以只使用Ar、Kr等的稀有氣體，或者可以使用稀有氣體和反應(yīng)氣體雙方，而作為反應(yīng)氣體可以使用上述的氧化氣體和氮化氣體中的任一方或雙方。另外，不僅上部電極膜17，在下部電極膜27表面也使以ln203為主成分并含有Ti的透明電極膜露出亦可，在此情況下，接觸面板l的耐久性更加變高。實(shí)施例<實(shí)施例1>將Si靶、Zr靶、和Si靶以記載的順序進(jìn)行濺鍍，在由樹脂薄膜構(gòu)成的基板22表面將Si02膜、ZrO膜、Si02膜以記載的順序?qū)盈B，乂人而形成了防反射層15。接著，將以111203為主成分并添加了10重量％的Sn02的ITO靶，和以111203為主成分并添加了1重量。/。Ti02的靶，依記載的順序進(jìn)行濺鍍，層疊以ITO為主成分的輔助電極膜18和以111203為主成分并添加了Ti的透明電極膜19(膜厚lnm)，從而形成下部電極膜27，并作成了顯示面板21。在由樹脂薄膜構(gòu)成的可撓性薄膜U表面形成由ITO薄膜構(gòu)成的上部電極膜17，作成了可撓性面板10。使上部電極膜17與下部電極膜27相對(duì)，在其中間夾住雙面膠帶，粘貼可撓性面板10與顯示面板21，作成了實(shí)施例1的試-驗(yàn)面板。<實(shí)施例2、3〉除了透明電極膜19的膜厚改為5nm、10nm以外，在與實(shí)施例1相同的條件下作成了實(shí)施例2、3的試驗(yàn)面板。<實(shí)施例4>除了不形成輔助電才及膜18且用透明電才及膜19單層來構(gòu)成下部電極膜27以外，在與實(shí)施例1相同的條件下作成實(shí)施例4的試驗(yàn)面板。<比較例1>除了不形成透明電極膜19且僅用輔助電極膜18來構(gòu)成下部電極膜27以外，在與實(shí)施例1相同的條件下作成比較例1的試驗(yàn)面板。使用上述實(shí)施例1~4、比較例1的試驗(yàn)面板，進(jìn)行下面的滑動(dòng)特性試驗(yàn)?！椿瑒?dòng)特性試^r〉圖4的符號(hào)90表示滑動(dòng)試驗(yàn)機(jī)，滑動(dòng)試驗(yàn)機(jī)90具有基臺(tái)91,在基臺(tái)91上配置滾球軸承(ballbearing)96,在滾球軸承上承載著平臺(tái)98。將實(shí)施例1~4、比較例1的試驗(yàn)面板，以將可撓性面板10朝向上方的狀態(tài)承載于平臺(tái)98上。在平臺(tái)98上的振動(dòng)元件94下端安裝了樹脂制成的振動(dòng)元件前端部95。而且，振動(dòng)元件94和振動(dòng)元件前端部95和載荷93的合計(jì)，以分別成為250gf、500gf、1000gf的方式，在才展動(dòng)元件94上端安裝載荷93。在振動(dòng)元件前端部95—邊按壓可撓性面板10，一邊使振動(dòng)元件94在載荷250gf的情況下30萬次、在載荷500gf的情況下6萬次和10萬次、在載荷1000gf的情況下5萬次分別往復(fù)移動(dòng)。關(guān)于往復(fù)移動(dòng)后的試驗(yàn)面板，在下部電極膜27表面看不到傷痕者作為O，可在局部見到傷痕者作為△,在已滑動(dòng)的整個(gè)部分可見傷痕者作為x而進(jìn)行評(píng)估。將評(píng)估結(jié)果記載于下述表1。表l.滑動(dòng)特性評(píng)估結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>*輔助電極膜:ITO透明電極膜以ln203為主成分并含有Ti(括弧內(nèi)為膜厚)如上述表1得知，在下部電極膜27表面形成以ln203為主成分并添加了Ti透明電極膜19之實(shí)施例1~4中，即使改變膜厚，在全部的滑動(dòng)條件下都看不到傷痕。由此得知露出在表面的透明電極膜19不受膜厚等的限制。權(quán)利要求1.一種接觸面板，其中包括顯示裝置，該顯示裝置具有板狀的顯示面板和配置在所述顯示面板表面上的下部電極膜；以及可撓性面板，該可撓性面板具有可撓性薄膜和配置在所述可撓性薄膜表面上的上部電極膜，在所述顯示裝置的所述下部電極膜一側(cè)的面上，配置有多個(gè)間隔物，所述可撓性面板以使配置了所述上部電極膜一側(cè)的面朝向所述下部電極膜的狀態(tài)配置在所述間隔物上，若按壓所述可撓性面板，則所述下部電極膜與所述上部電極膜導(dǎo)通，所述上部電極膜和所述下部電極膜中任一方或雙方，具有以In2O3為主成分并含有Ti的透明電極膜，所述透明電極膜露出在所述上部電極膜表面與所述下部電極膜表面中的任一方或雙方。2.如權(quán)利要求1所述的接觸面板，其中，所述下部電極膜具有含有ITO的輔助電極膜，所述輔助電極膜位于所述透明電極膜與所述顯示面板之間。3.如權(quán)利要求1所述的接觸面板，其中，所述顯示裝置具有防反射層，所述防反射層配置在所述顯示面板與所述下部電極膜之間。4.一種接觸面板的制造方法，其中，在第一基板表面上，形成第一電極膜而作成第一面板，該第一電極膜的表面露出透明電極膜，將在第二基板表面上形成有第二電極膜的第二面板和所述第一面板，以使所述第一、第二電極膜相對(duì)的方式粘貼，在配置了所述第一基板的真空槽內(nèi)濺鍍以ln203為主成分并添加了Ti的耙，從而形成所述透明電才及膜。5.如權(quán)利要求4所述的接觸面板的制造方法，其中，在配置了所述第一基板的真空槽內(nèi)濺鍍以由ITO和ZnO中的任一方或雙方所構(gòu)成的透明導(dǎo)電材料為主成分的耙，在所述第一基板表面上形成輔助電極膜，然后，在所述輔助電極膜表面形成所述透明電極膜，形成具有所述輔助電極膜和所述透明電極膜的所述第一電極膜。6.如權(quán)利要求5所述的接觸面板的制造方法，其中，在形成所述輔助電極膜后，在形成了所述輔助電極膜的所述真空槽內(nèi)，形成所述透明電極膜。7.如權(quán)利要求4所述的接觸面板的制造方法，其中，使所述第一基板在所述真空槽內(nèi)移動(dòng)，并使所述第一基板多次通過與以ln203為主成分并添加Ti的所述靼面對(duì)的位置，從而形成所述透明電極膜。8.如權(quán)利要求4所述的接觸面板的制造方法，其中，在配置了所述第一基板的真空槽內(nèi)部，一邊將氧化氣體與氮化氣體中的任一方或雙方進(jìn)行等離子化，一邊在所述真空槽內(nèi)濺鍍第一金屬靶，在所述第一基板表面上形成第一透明膜，然后，將所述第一基板配置在所述真空槽內(nèi)的狀態(tài)下，在所述真空槽內(nèi)部，一邊使氧化氣體與氮化氣體中任一方或雙方進(jìn)行等離子化，一邊濺鍍以與所述第一金屬靶不同種類的金屬為主成分的第二輩巴，在所述第一透明膜的表面上形成第二透明膜而形成了防反射層，然后，將所述第一基板配置在所述真空槽內(nèi)的情況下，在該真空槽內(nèi)，對(duì)以ln203為主成分并添加Ti的所述靶進(jìn)行濺鍍，形成所述透明電極膜。全文摘要提供耐久性高的接觸面板。本發(fā)明的接觸面板(1)是具有可變形的可撓性面板(10)，在顯示裝置(20)的下部電極膜(27)表面，露出以In₂O₃為主成分并含有Ti的透明電極膜(19)。這種透明電極膜(19)比起如ITO薄膜那樣的傳統(tǒng)薄膜，耐磨耗性高，所以即使下部電極膜(27)被反復(fù)按壓，在透明電極膜(19)也不會(huì)產(chǎn)生白濁或破裂。因而，本發(fā)明的接觸面板(1)耐久性高。文檔編號(hào)G06F3/041GK101646991SQ200880009649公開日2010年2月10日申請(qǐng)日期2008年3月18日優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日發(fā)明者太田淳,山本治彥,杉浦功,石橋曉,高橋明久,高澤悟申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科