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基于功率的存儲(chǔ)器訪問(wèn)的制作方法

文檔序號(hào):6480959閱讀:314來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:基于功率的存儲(chǔ)器訪問(wèn)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明 一 般涉及存儲(chǔ)器訪問(wèn),具體涉及基于功率的存儲(chǔ)器訪問(wèn)。
背景技術(shù)
非接觸式集成電路(IC)卡,也就是所謂的芯片卡或智能卡, 是以讀和/或?qū)懺儐?wèn)裝置(一般稱為讀卡器)基于射頻(RF)或電 》茲場(chǎng)ii/(言來(lái)工〗乍的。
在非接觸式IC卡應(yīng)用中,讀卡器通常發(fā)射載波頻率為13.56 MHz的RF載波。發(fā)射的載波一方面用來(lái)4妄照現(xiàn)有通信協(xié)i義建立卡 與讀卡器之間的通信,另一方面用來(lái)激勵(lì)非4妄觸式卡,該卡通過(guò)感 應(yīng)方式獲得工作所需的能量。
要求有激勵(lì)非接觸式IC卡工作的最小發(fā)射場(chǎng)強(qiáng)。該最小發(fā)射 場(chǎng)強(qiáng)受非接觸式IC卡內(nèi)存特性的顯著影響。這些特性包括讀/寫(xiě)訪 問(wèn)期間的平均電流和讀/寫(xiě)訪問(wèn)期間的峰值電流。雖然這些特性只是 多數(shù)存儲(chǔ)器的一些方面,但由于需要高電流來(lái)產(chǎn)生編程電壓,因此 它們是非易失性存儲(chǔ)器(NVM)最關(guān)鍵的方面。
為了減小非接觸式ic卡的功耗,并因此減小激勵(lì)卡所需的最 小發(fā)射場(chǎng)強(qiáng),需要減小卡存儲(chǔ)器的讀/寫(xiě)訪問(wèn)期間消耗的電流。減小該電流的一種方式是減小存儲(chǔ)器訪問(wèn)的速度。然而,減小訪問(wèn)速度 會(huì)導(dǎo)致編程時(shí)間更長(zhǎng)的不期望結(jié)果。
減小該電流的另 一種方式是減'j 、并行訪問(wèn)的位數(shù)。換句話說(shuō), 不是同時(shí)對(duì)所有位編程,而是將編程劃分為序列步驟。然而,要訪 問(wèn)的位數(shù)是靜態(tài)的,所以必須在設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器階^殳進(jìn)行確定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明才是供 一種通過(guò)確定可用功率且并^亍訪問(wèn)存4諸器中 一 定 數(shù)量的位來(lái)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的設(shè)備和方法,其中,并行訪問(wèn)的位的數(shù)量
至少部分基于可用功率(available power )。


圖1是方框圖,其示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的訪問(wèn)存儲(chǔ)器的設(shè)備。 圖2A是流程圖,其示出4艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的訪問(wèn)存儲(chǔ)器的方法。
圖2B是流程圖,其示出才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的訪問(wèn)存儲(chǔ)器的方法。
圖2C是流程圖,其示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的訪問(wèn)存儲(chǔ)器的方法。
圖3是流程圖,其示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制訪問(wèn)存儲(chǔ)器的 方法。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明旨在提出基于可用場(chǎng)強(qiáng)動(dòng)態(tài)調(diào)整要并行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器
位數(shù)的設(shè)備和方法。這在非易失性存儲(chǔ)器(NVM)執(zhí)行寫(xiě)/擦訪問(wèn) 期間特別重要。
圖l是方框圖,其示出作為可用功率的函數(shù)來(lái)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的設(shè) 備100。該i殳備100可以是例如4妄觸式IC卡或裝置、非4妄觸式IC
卡或裝置、太陽(yáng)能裝置、或任何其他具有不穩(wěn)定功率環(huán)境的設(shè)備。
設(shè)備100包括測(cè)量電路110、訪問(wèn)控制電路120、存儲(chǔ)器130、 讀/寫(xiě)電路140、和數(shù)據(jù)緩存器150。測(cè)量電路110確定設(shè)備100的 可用功率。在非4妻觸式IC的情形中,該功率是RF場(chǎng),而在太陽(yáng)能 供電裝置的情形中,該功率是太陽(yáng)能功率。訪問(wèn)控制電鴻-12(H吏用 該確定的可用功率來(lái)動(dòng)態(tài)確定可并行訪問(wèn)的最大存儲(chǔ)單元凄t量。然 后訪問(wèn)控制電路120使用該確定的存儲(chǔ)單元數(shù)量來(lái)控制R/W (讀/ 寫(xiě))電路140對(duì)存儲(chǔ)器130執(zhí)行讀/寫(xiě)訪問(wèn)操作。同樣由訪問(wèn)控制電 路120控制的數(shù)據(jù)緩存器150存儲(chǔ)從讀/寫(xiě)電路140接收的數(shù)據(jù)或要 提供給讀/寫(xiě)電路140的數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器130可以是例如隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器 (ROM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)、或任何其他已知類型的存儲(chǔ)器。
下面將參考圖2A-2C來(lái)描述這些實(shí)例。
圖2A是流程圖210,其示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基于用專用 測(cè)量電^各所測(cè)量的可用功率來(lái)訪問(wèn)存4諸器的方法。專用測(cè)量電路110測(cè)量設(shè)備100可用的功率量(步驟212 )。在 非接觸式IC卡的情形中,該功率是RF場(chǎng)強(qiáng),而在太陽(yáng)能供電的裝 置情形中,該功率是太陽(yáng)能功率(solar power )。具體類型的測(cè)量電 路110是適于待測(cè)量功率類型的任何測(cè)量電路。例如,在^妻觸式應(yīng) 用的情形中,可直接用安培表測(cè)量可用功率。
然后,由訪問(wèn)控制電路120確定存儲(chǔ)器訪問(wèn)所需的功率量(步
道存儲(chǔ)器要消耗多少功率。該信息可存儲(chǔ)在訪問(wèn)控制電路120或某 些其他存儲(chǔ)器中。
然后,訪問(wèn)控制電路120將所測(cè)量的可用功率與存儲(chǔ)器訪問(wèn)所 需功率量進(jìn)行比較,從而確保有足夠的功率用于存4諸器訪問(wèn)(步驟 216)。
最后,訪問(wèn)控制電路120使用該比較結(jié)果來(lái)確定要并行訪問(wèn)的 存儲(chǔ)器130的位數(shù),以便獲得最快的訪問(wèn)速度,同時(shí)還確保有足夠 的可用功率供以該速度訪問(wèn)存儲(chǔ)器(步驟218)。然后,訪問(wèn)控制電 路120控制R/W電路140和數(shù)據(jù)緩存器150以執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)器130 的讀/寫(xiě)訪問(wèn),其中所確定數(shù)量的存儲(chǔ)位被并行訪問(wèn)。
圖2B是流程圖220,其示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基于對(duì)設(shè)備 控制器運(yùn)行頻率的測(cè)量來(lái)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的方法。例如該方法用于非接 觸式IC卡,其中時(shí)鐘頻率由RF場(chǎng)控制。
測(cè)量電^各110通過(guò)測(cè)量孩t處理器的時(shí)4中頻率來(lái)確定i殳備100可 用的功率量(步驟222),該時(shí)鐘頻率控制對(duì)存4諸器130的訪問(wèn)。該 可用功率至少部分基于所測(cè)量的時(shí)4f頻率。訪問(wèn)控-
存儲(chǔ)器130的位數(shù),以便獲得最快的訪問(wèn)速度,同時(shí)確保有足夠的
可用功率供以該速度訪問(wèn)存儲(chǔ)器(步驟224)。然后,訪問(wèn)控制電路 120控制R/W電路140和數(shù)據(jù)緩存器150,從而執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)器130 的讀/寫(xiě)訪問(wèn),其中所確定數(shù)量的存儲(chǔ)位-波并行訪問(wèn)。
圖2C是流程圖230,其示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基于對(duì)設(shè)備 100的操作所耗散功率和剩余功率的測(cè)量來(lái)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的方法。該 方法用于例如非接觸式IC卡的情形中,其中耗散功率用于非接觸 式IC卡的操作,而剩余功率是通過(guò)調(diào)節(jié)電壓的分路(shunt)消耗的。
測(cè)量電路110確定供結(jié)合有存儲(chǔ)器130的設(shè)備100操作所耗散 的功率量(步驟232)。測(cè)量電^各110還確定剩余功率的量(步-驟 234)。眾所周知,在非接觸式IC卡的情形中,該剩余功率是通過(guò) 測(cè)量經(jīng)分^各(shunt)庫(kù)€散的電流量來(lái)確定的。
訪問(wèn)控制電路120將設(shè)備100操作所耗散的功率量和剩余功率 量才目力口 (步4f 236)。
最后,訪問(wèn)控制電路120用上面的加和確定要并行訪問(wèn)的存儲(chǔ) 器130的位數(shù),以便獲得最快的訪問(wèn)速度,同時(shí)確保有足夠的可用 功率以該速度訪問(wèn)存儲(chǔ)器(步驟238)。然后,訪問(wèn)控制電路120控 制R/W電路140和數(shù)據(jù)緩存器150以執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)器130的讀/寫(xiě)訪 問(wèn),其中所確定凄t量的存儲(chǔ)位一皮并行訪問(wèn)。
如參考圖2A-2C所述,在讀/寫(xiě)訪問(wèn)過(guò)程中要并行訪問(wèn)的存儲(chǔ) 器單元的凄t量是作為可用功率的函凄t動(dòng)態(tài)確定的。該可用功率可以 多種方式判斷,這些方式包括分別參考圖2A-2Ci兌明的三種方式 中的一種。圖3是流程圖300,其示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制存儲(chǔ)器訪 問(wèn)的方 >去。
如果沒(méi)有足夠的能量可用來(lái)對(duì)最小數(shù)量的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行可 靠的并行寫(xiě)入,則可能阻止對(duì)存儲(chǔ)器130的編程。如果沒(méi)有足夠的 可用功率,則會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器,特別是NVM中的存儲(chǔ)器單元,進(jìn)行不 正確;也寫(xiě)或讀。
測(cè)量電^各IIO確定可用功率量(步務(wù)聚310)。該可用功率可以4壬 4可合適的方式判斷,如上面參考圖2A-2Ci兌明的方式。
訪問(wèn)控制電^各120確定要并4亍訪問(wèn)的位的最小#1量,以及該訪 問(wèn)過(guò)程需要多大功率(步驟320 )。該最小數(shù)量是存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)人員在 開(kāi)發(fā)時(shí)就已知的,且該信息可存^渚在訪問(wèn)控制電^各120或某些其他 存儲(chǔ)器中。
最后,如果可用功率不足以并行訪問(wèn)該最小數(shù)量的位,訪問(wèn)控 制電路120就阻止R/W電路140訪問(wèn)存儲(chǔ)器130(步驟330 )。因此,
降低了對(duì)存儲(chǔ)器的不正確寫(xiě)或讀的風(fēng)險(xiǎn)。
雖然這里圖示并i兌明了具體實(shí)施例,"f旦本領(lǐng)域i支術(shù)人員可以理 解,在不偏離本發(fā)明的范疇的前才是下,可以用多種替換和/或等效措 施替代所示和所-說(shuō)明的具體實(shí)施例。該申i青旨在涵蓋這里所討i侖的 具體實(shí)施例的任何變化或改變。因此,本發(fā)明僅由權(quán)利要求和其等 ^介物限定。
權(quán)利要求
1.一種訪問(wèn)存儲(chǔ)器的方法,所述方法包括確定可用功率;以及并行訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一定數(shù)量的位,其中,并行訪問(wèn)的位的數(shù)量至少部分基于所述可用功率動(dòng)態(tài)確定。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述確定步驟包括測(cè)量場(chǎng) 強(qiáng),且所述可用功率至少部分基于所測(cè)量的場(chǎng)強(qiáng)。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述確定步驟包括確定存儲(chǔ)器訪問(wèn)所需的功率;以及將所測(cè)量的場(chǎng)強(qiáng)和存儲(chǔ)器訪問(wèn)所需要的功率相比較,其中,并行訪問(wèn)的位的數(shù)量至少部分基于該比較。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述場(chǎng)強(qiáng)是用測(cè)量電路測(cè)量的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述測(cè)量是連續(xù)才丸行的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述確定步驟包括測(cè)量控 制存4諸器訪問(wèn)的樣i處理器的時(shí)鐘頻率,且所述可用功率至少部 分基于所觀'J量的時(shí)鐘頻率。
7. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述確定步驟包括確定結(jié)合有所述存儲(chǔ)器的裝置操作所耗散的功率;以及 確定剩余功率,其中,并行訪問(wèn)的位的數(shù)量至少部分基于所耗散的功率與 剩余功率的加和。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述訪問(wèn)是讀操作。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述訪問(wèn)是寫(xiě)操作。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,并行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器的位的 數(shù)量決定在所述可用功率下的最大訪問(wèn)速度。
11. 一種設(shè)備,其包括存儲(chǔ)器;讀/寫(xiě)電^各;以及訪問(wèn)控制器,其被配置為確定要并行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器的位 的凄t量,其中,并行訪問(wèn)的位的數(shù)量至少部分基于可用功率動(dòng)態(tài)確定。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)緩存器,其被 配置為存儲(chǔ)從所述讀/寫(xiě)電路接收的數(shù)據(jù)或要提供給所述讀/ 寫(xiě)電^各的凝:才居。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,進(jìn)一步包括測(cè)量電路,所述測(cè) 量電鴻"故配置為測(cè)量所述可用功率。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備,其中,所述測(cè)量電路被配置為測(cè)量場(chǎng)強(qiáng)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備,其中,所述測(cè)量電路被配置為 測(cè)量所述設(shè)備的時(shí)鐘頻率。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備,其中,所述測(cè)量電路被配置為測(cè)量所述設(shè)備操作所耗散的功率和剩余功率。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,
18. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備, 存儲(chǔ)器。
19. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中,所述設(shè)備是非接觸式卡。 其中,所述存儲(chǔ)器是非易失性其中,所述設(shè)備是太陽(yáng)能裝置。
20. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中,并行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器的位 的凄t量決定在所述可用功率下的最大訪問(wèn)速度。
21. —種控制對(duì)存4諸器的訪問(wèn)的方法,所述方法包"fe以下步驟確定可用功率;確定要并行訪問(wèn)的位的最小數(shù)量;以及如果可用功率不足以并行訪問(wèn)所述最小數(shù)量的位,則阻止 對(duì)存儲(chǔ)器的訪問(wèn)。
22. —種系統(tǒng),其包括存儲(chǔ)器;讀/寫(xiě)電^各;以及訪問(wèn)控制裝置,其用于確定要并行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器的位的數(shù)量,其中,并4亍訪問(wèn)的4立的^:量至少部分基于可用功率動(dòng)態(tài)確定。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的系統(tǒng),其中,并行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器的位 的數(shù)量決定在所述可用功率下的最大訪問(wèn)速度。
全文摘要
一種通過(guò)確定可用功率且并行訪問(wèn)存儲(chǔ)器中一定數(shù)量的位來(lái)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的設(shè)備和方法,其中,并行訪問(wèn)的位的數(shù)量至少部分基于可用功率。
文檔編號(hào)G06K7/00GK101515321SQ20091000980
公開(kāi)日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2009年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月21日
發(fā)明者托馬斯·洛伊特格布, 斯特凡·呂平, 約瑟夫·海德 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司
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