專利名稱：射頻識別裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶有集成電路芯片的卡，特別是涉及一種射頻識別裝置及其 制造方法。
背景技術(shù)：
目前，傳統(tǒng)的帶有集成電路芯片和天線線圈的射頻識別裝置都是將芯片和天 線直接置于卡片的墊平層內(nèi)，由于芯片和天線都有一定厚度，在卡片的層壓過程 中，對層壓設(shè)備的壓力控制精度要求很高，還有可能對芯片或天線造成損壞，在 批量生產(chǎn)過程中出現(xiàn)一定量的次品，層壓完成形成卡片之后，卡片表面對應(yīng)芯片 和天線的位置會有一些向外的凸起，使卡片表面不夠光滑，影響產(chǎn)品質(zhì)量。而且 目前的技術(shù)很難做到讓智能標(biāo)簽在卡內(nèi)良好粘接及定位，經(jīng)過多次彎曲扭曲測試 之后，經(jīng)常會在智能標(biāo)簽和外部片材之間出現(xiàn)分層，很難通過彎曲扭曲測試。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、表面平整、工藝方法簡單的 射頻識別裝置及其制造方法。
本發(fā)明射頻識別裝置，包括智能標(biāo)簽、天線墊平層、上保護(hù)層和下承載層， 所述智能標(biāo)簽包括天線、芯片和天線承載基片，其中天線附著在天線承載基片上，
其中所述天線墊平層內(nèi)設(shè)有與天線承載基片大小、位置相匹配的孔a，所述天線 承載基片置于孔a中，所述天線墊平層的上端面上設(shè)有上保護(hù)層，天線墊平層的 下端面上設(shè)有下承載層。
本發(fā)明射頻識別裝置，其中所述天線墊平層與上保護(hù)層之間還設(shè)有芯片墊平 層，所述芯片墊平層內(nèi)還設(shè)有與芯片大小、位置相匹配的孔b，所述芯片置于孔 b中。
本發(fā)明射頻識別裝置，其中所述天線承載基片上還設(shè)有孔c,所述下承載層 與芯片墊平層透過孔c相連接。 .
本發(fā)明射頻識別裝置，其中所述上保護(hù)層和下承載層的外端面還設(shè)有外保護(hù)層。
本發(fā)明射頻識別裝置，其中所述外保護(hù)層內(nèi)表面上還設(shè)有印刷層，外保護(hù)層 為透明材料。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中包括如下步驟
i分別準(zhǔn)備整張上保護(hù)層、下承載層、整張?zhí)炀€墊平層； ii在整張?zhí)炀€墊平層上按照設(shè)定位置打若干孔a，將整張?zhí)炀€墊平層置于整 張下承載層之上；
iii準(zhǔn)備若干智能標(biāo)簽，將智能標(biāo)簽上的天線承載基片置于孔a中； iv將整張上保護(hù)層置于整張?zhí)炀€墊平層之上； ' v將上述步驟放置好的材料對齊裝訂，對整套材料施行一次層壓工藝；vi對層壓完成的整套射頻識別裝置進(jìn)行切分，形成單張射頻識別裝置。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中所述步驟iv還包括在整張上保護(hù)層和 整張?zhí)炀€墊平層之間加入整張芯片墊平層。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中所述步驟iv還包括在整張芯片墊平層 上標(biāo)記出芯片的位置，然后在標(biāo)記的位置處打孔b，將整張芯片墊平層置于整張 天線墊平層之上，使芯片置于孔b內(nèi)。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中所述步驟v還包括準(zhǔn)備兩個(gè)整張外保 護(hù)層，將兩個(gè)整張外保護(hù)層分別放置在上保護(hù)層和下承載層的外惻，然后對整套 材料施行一次層壓工藝。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中所述步驟v還包括準(zhǔn)備兩個(gè)整張外保 護(hù)層，在完成一次層壓工藝后將兩個(gè)整張外保護(hù)層分別放置在上保護(hù)層和下承載 層的外側(cè)，然后對整套材料施行二次層壓工藝。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中所述步驟m還包括在天線承載基片上
打孔c。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中所述步驟v還包括準(zhǔn)備兩個(gè)整張印刷 層，將兩個(gè)整張印刷層分別置于整張上保護(hù)層、整張下承載層與兩個(gè)整張外保護(hù) 層之間。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中所述層壓工藝采用在材料兩端同時(shí)加 熱加壓的方式。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法，其中所述孔a、 b、 c的開通工藝采用模具 沖切或人工挖孔。
本發(fā)明射頻識別裝置及其制造方法與現(xiàn)有技術(shù)不同之處在于，本發(fā)明射頻識 別裝置的制造方法是在放置天線和芯片的卡層內(nèi)設(shè)置大小和位置相匹配的孔，將 天線和芯片置于孔內(nèi)，在層壓工藝中，可適當(dāng)放寬加壓設(shè)備的壓力控制精度，并 且不易對天線和芯片造成損壞，層壓完成后，卡面也會相當(dāng)平整，提高了產(chǎn)品的
整體質(zhì)量。
本發(fā)明射頻識別裝置在天線承載基片上也開有孔，是為了在層壓過程中使芯 片墊平層和下承載層能夠透過天線承載基片上的孔相粘接，從而固定天線承載基 片的位置；在透明保護(hù)層內(nèi)設(shè)置印刷層，可以使卡面看起來更加美觀。
本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法中可以將所有層面材料放置好，采用一次層 壓工藝；也可以將墊平層的材料放置好，先進(jìn)行一次層壓工藝，然后再將其他層 面材料放置好進(jìn)行二次層壓工藝，層壓的次數(shù)可以根據(jù)卡的厚度和層數(shù)進(jìn)行選 擇。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的射頻識別裝置及其制造方法作進(jìn)一步說明。


圖1為本發(fā)明射頻識別裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為圖1的A-A方向剖視圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1和圖2所示， 一種射頻識別裝置，包括智能標(biāo)簽、天線墊平層5、上 保護(hù)層7和下承載層8，智能標(biāo)簽包括天線1、芯片2和天線承載基片3，其中 天線1附著在天線承載基片3上，天線墊平層5內(nèi)開有與天線承載基片3大小、 位置相匹配的孔a，天線承載基片3置于孔a中，天線墊平層5的下端面連接有 下承載層8，天線墊平層5上端面還連接有芯片墊平層6，芯片墊平層6內(nèi)開有 與芯片2大小、位置相匹配的孔b，芯片2置于孔b中，芯片墊平層6的上端面 連接有上保護(hù)層7，天線承載基片3上還開有孔c，下承載層8與芯片墊平層6 透過孔c相粘接，上保護(hù)層7和下承載層8的外端面上分別連接有外保護(hù)層4， 外保護(hù)層4內(nèi)表面上還連接有印刷層9，外保護(hù)層4為透明材料。
上述射頻識別裝置的制造方法，包括如下步驟 i分別準(zhǔn)備整張上保護(hù)層7、下承載層8和天線墊平層5;
ii在整張?zhí)炀€墊平層5上按照設(shè)定位置用模具沖切出若干孔a，將整張?zhí)炀€ 墊平層5置于整張下承載層8之上，對齊定位；
iii準(zhǔn)備若干智能標(biāo)簽，在智能標(biāo)簽的天線承載基片3上沖切出孔c，將天線 承載基片3置于孔a中，將其點(diǎn)粘接在下承載層8上；
iv準(zhǔn)備整張芯片墊平層6，先將整張芯片墊平層6置于整張?zhí)炀€墊平層5之 上，定位對齊，在整張芯片墊平層6上標(biāo)記出芯片2的位置，然后揭開整張芯片 墊平層6在標(biāo)記的位置處沖切若干孔b，再將整張芯片墊平層6置于整張?zhí)炀€墊 平層5之上，使芯片2置于孔b中；
v將整張上保護(hù)層7置于整張芯片墊平層6之上，對整套材料施行一次加熱 加壓的層壓工藝使整套墊平層粘接成一體，其中芯片墊平層6與下承載層8透過 孔c相粘接，再將準(zhǔn)備好的兩個(gè)整張印刷層9和兩個(gè)整張外保護(hù)層4分別置于上 保護(hù)層7和下承載層8的外端面，對整套材料進(jìn)行二次加熱加壓層壓工藝；
vi對層壓完成的整套射頻識別裝置進(jìn)行切分，形成單張射頻識別裝置。
以上所述的實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對本發(fā)明 的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本發(fā)明設(shè)計(jì)精神的前提下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對本 發(fā)明的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本發(fā)朋權(quán)利要求書確定的保護(hù) 范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種射頻識別裝置，包括智能標(biāo)簽、天線墊平層(5)、上保護(hù)層(7)和下承載層(8)，所述智能標(biāo)簽包括天線(1)、芯片(2)和天線承載基片(3)，其中天線(1)附著在天線承載基片(3)上，其特征在于所述天線墊平層(5)內(nèi)設(shè)有與天線承載基片(3)大小、位置相匹配的孔a，所述天線承載基片(3)置于孔a中，所述天線墊平層(5)的上端面上設(shè)有上保護(hù)層(7)，天線墊平層(5)的下端面上設(shè)有下承載層(8)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別裝置，其特征在于所述天線墊平層(5) 與上保護(hù)層(7)之間還設(shè)有芯片墊平層(6)，所述芯片墊平層(6)內(nèi)還設(shè)有與 芯片(2)大小、位置相匹配的孔b，所述芯片(2)置于孔b中。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻識別裝置，其特征在于所述天線承載基片 (3)上還設(shè)有孔c，所述下承載層(8)與芯片墊平層(6)透過孔c相連接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻識別裝置，其特征在于所述上保護(hù)層(7) 和下承載層(8)的外端面還設(shè)有外保護(hù)層(4)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻識別裝置，其特征在于所述外保護(hù)層(4) 內(nèi)表面上還設(shè)有印刷層(9)，外保護(hù)層(4)為透明材料。
6、 所述權(quán)利要求1的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于包括如下步驟 i分別準(zhǔn)備整張上保護(hù)層(7)、下承載層(8)、整張?zhí)炀€墊平層(5); ii在整張?zhí)炀€墊平層(5)上按照設(shè)定位置打若干孔a，將整張?zhí)炀€墊平層(5)置于整張下承載層(8)之上；iii準(zhǔn)備若干智能標(biāo)簽，將智能標(biāo)簽上的天線承載基片(3)置于孔a中； iv將整張上保護(hù)層(7)置于整張?zhí)炀€墊平層(5)之上； v將上述步驟放置好的材料對齊裝訂，對整套材料施行一次層壓工藝； vi對層壓完成的整套射頻識別裝置進(jìn)行切分，形成單張射頻識別裝置。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于所述步 驟iv還包括在整張上保護(hù)層(7)和整張?zhí)炀€墊平層(5)之間加入整張芯片墊平 層(6)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于所述步 驟iv還包括在整張芯片墊平層(6)上標(biāo)記出芯片(2)的位置，然后在標(biāo)記的位 置處打孔b，將整張芯片墊平層(6)置于整張?zhí)炀€墊平層(5)之上，使芯片(2) 置于孔b內(nèi)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于所述步 驟v還包括準(zhǔn)備兩個(gè)整張外保護(hù)層(4)，將兩個(gè)整張外保護(hù)層(4)分別放置在 上保護(hù)層(7)和下承載層(8)的外側(cè)，然后對整套材料施行一次層壓工藝。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于所述步 驟v還包括準(zhǔn)備兩個(gè)整張外保護(hù)層(4)，在完成一次層壓工藝后將兩個(gè)整張外保 護(hù)層(4)分別放置在上保護(hù)層(7)和下承載層(8)的外側(cè)，然后對整套材料施行二次層壓工藝。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于 所述步驟iii還包括在天線承載基片(3)上打孔c。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于所述步驟v還包括準(zhǔn)備兩個(gè)整張印刷層(9)，將兩個(gè)整張印刷層(9)分別置于整張 上保護(hù)層(7)、整張下承載層(8)與兩個(gè)整張外保護(hù)層(4)之間。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于所述 層壓工藝采用在材料兩端同時(shí)加熱加壓的方式。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的射頻識別裝置的制造方法，其特征在于所述 孔a、 b、 c的開通工藝采用模具沖切或人工挖孔。
全文摘要
本發(fā)明射頻識別裝置及其制造方法涉及一種帶有集成電路芯片的卡，其目的是為了提供一種結(jié)構(gòu)簡單、表面平整、工藝方法簡單的射頻識別裝置及其制造方法。本發(fā)明射頻識別裝置包括智能標(biāo)簽、天線墊平層、上保護(hù)層和下承載層，智能標(biāo)簽包括天線、芯片和天線承載基片，天線附著在天線承載基片上，其中天線墊平層內(nèi)設(shè)有與天線承載基片大小、位置相匹配的孔a，天線承載基片置于孔a中，天線墊平層的上端面上設(shè)有上保護(hù)層，天線墊平層的下端面上設(shè)有下承載層；本發(fā)明射頻識別裝置的制造方法與現(xiàn)有技術(shù)不同之處在于在放置天線的卡層內(nèi)設(shè)置大小和位置相匹配的孔，將天線承載基片置于孔內(nèi)，避免在層壓過程中對天線的損壞，也使卡面更加平整。
文檔編號G06K19/077GK101527008SQ200910082539
公開日2009年9月9日 申請日期2009年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月24日
發(fā)明者張曉冬 申請人:北京德鑫泉科技發(fā)展有限公司