專利名稱：一種rfid讀寫器電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及讀寫器，特別是涉及一種RFID讀寫器電路，該電路包括微控制單元和 RFID讀寫器芯片。
背景技術：
奧地利微電子有限公司的RFID讀寫器芯片AS3990提供了內(nèi)部壓控振蕩器(英文 全稱Voltage Controlled Oscillator，以下簡稱VC0)和外部VCO兩種模式。使用內(nèi)部 VCO時，讀寫器電路如圖1所示，因內(nèi)部VCO受其他電路影響，性能不佳，導致使用內(nèi)部VCO 時讀寫距離較使用外部VCO近很多，試驗表明距離少約50%。使用外部VCO時，讀寫器電 路如圖2所示，讀卡距離比較遠，但是合適的外部VC0，如V580ME16_LF，價格昂貴，單價大概 ￥200，若使用其他便宜VC0，讀寫器的性能必然受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述已有技術的不足，本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種RFID讀寫器 電路，使用外部鎖相環(huán)(英文全稱Wiase locked loop，以下簡稱PLL)代替VC0。為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案是一種RFID讀寫器電路，包括微控制單元和RFID讀寫器芯片，所述微控制單元輸出 端和所述讀寫器芯片輸入端相連，該讀寫器芯片具有外部VCO射頻輸入接口。該讀寫器電路還包括外部PLL，該外部PLL包含內(nèi)部VCO和射頻輸出口，該外部 PLL的射頻輸出口和所述讀寫器芯片的射頻輸入端相連。所述的讀寫器芯片采用奧地利微電子有限公司的RFID讀寫器芯片AS3990。所述的外部PLL采用Silicon Labs公司的單片鎖相環(huán)Si4133。所述的外部PLL采用射頻調(diào)制/解調(diào)芯片，該射頻調(diào)制/解調(diào)芯片的數(shù)據(jù)口直接 接固定電壓端以輸出載波。所述的射頻調(diào)制/解調(diào)芯片采用美國ADI公司的AD7020芯片。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果可以是本發(fā)明使用外部PLL代替VC0，價格低廉，且專業(yè)的PLL制造公司制造的PLL芯片 性能非常好，如Si4133，測試表明讀卡距離較使用外部VCO還要遠約30%。通過合理的布 線布局可以使PLL不受其他電路影響。


圖1是現(xiàn)有技術使用內(nèi)部VCO的讀寫器電路。圖2是現(xiàn)有技術使用外部VCO的讀寫器電路。圖3是本發(fā)明RFID讀寫器的電路圖。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發(fā)明的具體實施方式
做進一步詳細的說明，但不應以 此限制本發(fā)明的保護范圍。請參閱圖3本發(fā)明RFID讀寫器的電路圖。本發(fā)明RFID讀寫器電路，包括微控制單 元和RFID讀寫器芯片，所述微控制單元輸出端和所述讀寫器芯片輸入端相連，該讀寫器芯 片具有外部VCO射頻輸入接口，可選用奧地利微電子有限公司的RFID讀寫器芯片AS3990。奧地利微電子有限公司的RFID讀寫器芯片AS3990提供內(nèi)部VCO和外部VCO兩種 模式，但是使用內(nèi)部VCO時，性能不佳；合適的外部VCO則價格昂貴。本發(fā)明使用外部PLL代替VC0，價格低廉，且專業(yè)的PLL制造公司制造的PLL芯片 性能非常好，如Silicon Labs公司的單片鎖相環(huán)Si4133，該外部PLL的射頻輸出口和所述 讀寫器芯片的射頻輸入端相連。測試表明讀卡距離較使用外部VCO還要遠約30%。通過合 理的布線布局可以使PLL不受其他電路影響，如可以使PLL遠離數(shù)字電路，關鍵信號線增加 地隔離。外部PLL不限于單片專用鎖相環(huán)Si4133，包含完整的內(nèi)部VC0、環(huán)路濾波器和射頻 輸出口的PLL均可以?？梢允巧漕l調(diào)制/解調(diào)芯片如美國ADI公司的AD7020芯片，調(diào)制/ 解調(diào)芯片當PLL用時數(shù)據(jù)口直接接固定電壓端以輸出載波。也可以是用其他方法組建PLL。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明的實施范圍。任何 所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與 潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當視權利要求書所界定范圍為準。
權利要求
1.一種RFID讀寫器電路，包括微控制單元和RFID讀寫器芯片，所述微控制單元輸出端 和所述讀寫器芯片輸入端相連，該讀寫器芯片具有外部VCO射頻輸入接口，其特征在于該讀寫器電路還包括外部PLL，該外部PLL包含內(nèi)部VCO和射頻輸出口，該外部PLL的 射頻輸出口和所述讀寫器芯片的射頻輸入端相連。
2.根據(jù)權利要求1所述的RFID讀寫器電路，其特征在于所述的讀寫器芯片采用奧地利 微電子有限公司的RFID讀寫器芯片AS3990。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的RFID讀寫器電路，其特征在于所述的外部PLL采用 Silicon Labs公司的單片鎖相環(huán)Si4133。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的RFID讀寫器電路，其特征在于所述的外部PLL采用射頻 調(diào)制/解調(diào)芯片，該射頻調(diào)制/解調(diào)芯片的數(shù)據(jù)口直接接固定電壓端以輸出載波。
5.根據(jù)權利要求4所述的RFID讀寫器電路，其特征在于所述的射頻調(diào)制/解調(diào)芯片采 用美國ADI公司的AD7020芯片。
全文摘要
一種RFID讀寫器電路，包括微控制單元和RFID讀寫器芯片，所述微控制單元輸出端和所述讀寫器芯片輸入端相連，該讀寫器芯片具有外部壓控振蕩器射頻輸入接口。該讀寫器電路還包括外部鎖相環(huán)，該外部鎖相環(huán)包含內(nèi)部壓控振蕩器和射頻輸出口，該外部鎖相環(huán)的射頻輸出口和所述讀寫器芯片的射頻輸入端相連。本發(fā)明使用外部鎖相環(huán)代替壓控振蕩器，價格低廉，且專業(yè)的鎖相環(huán)制造公司制造的鎖相環(huán)芯片性能非常好，如Si4133，測試表明讀卡距離較使用外部壓控振蕩器還要遠約30％。通過合理的布線布局可以使鎖相環(huán)不受其他電路影響。
文檔編號G06K7/00GK102081726SQ20091019952
公開日2011年6月1日 申請日期2009年11月27日 優(yōu)先權日2009年11月27日
發(fā)明者岳流鋒 申請人:上海坤銳電子科技有限公司