專利名稱：后繞線布局的光刻熱點的更正方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于后繞線(routing)布局(layout)的光刻熱點的更正方法及系統(tǒng)，特 別是關(guān)于藉以模擬光刻熱點所在局部區(qū)域的光學強度而改善光刻熱點的方法及其系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
集成電路(IC)的制造技術(shù)不斷進步使得IC芯片的最小尺寸也一直下降。 然于此縮小芯片尺寸趨勢的物理設(shè)計(physical design)中，更需要考慮制造能力 (manufacturability)所造成合格率和可靠度的影響。尤其是當納米級先進制程導 入，許多合格率和可靠度的問題可歸因于某些布局圖型所造成，或可稱的為制程熱點 (process-hotspots)或熱點。又這些圖型很容受到制程條件的影響，例如應力及光刻制 程的變動，而產(chǎn)生布局中的各種缺陷(開路或短路)。因此需要能夠識別這些圖型，甚至將 這些圖案修正為有助合格率提升的圖案。近來造成合格率不易提升的主要原因為光刻制程中熱點數(shù)量的大幅增加，其是當 技術(shù)節(jié)點(technology nodes)縮小至65nm以下，因布局設(shè)計的復雜性增加而產(chǎn)生的問 題。雖然可以于分辨率加強技術(shù)(resolution enhancementtechnology)及光學近似校正 (Optical Proximity Correction ；0PC)階段處理這些光刻熱點(lithography hotspots) 的問題，并修改光刻熱點處的線路設(shè)計而有所改善。但在此階段需要大量的計算機計算，而 且線路設(shè)計的可變動幅度明顯不足，亦即光刻熱點并無法藉由光學近似校正而完全消除。 若能于設(shè)計流程中更早的階段考慮光刻熱點的存在，則更有助于提升整體設(shè)計的效率，及 確保熱點問題的解決。一般而言，目前的布局設(shè)計者會使用晶圓制造廠提供的設(shè)計標準去找出光刻熱點 的存在，例如光刻規(guī)則檢查(lithography rule check)，并且可以修正光刻熱點處的線路 設(shè)計以符合該標準的要求。然而，這種單純依照標準檢測及修正熱點的方法，很容易產(chǎn)生熱 點的錯誤檢測。該錯誤檢測的問題隨著設(shè)計標準的數(shù)量增加而日益嚴重，尤其是當IC設(shè)計 是采65nm以下的制程時，此問題更是嚴重。如前述傳統(tǒng)更正線路布局中光刻熱點的方法多在光學近似校正階段后，但因為需 要花費許多時間才能完成光學近似校正的制程條件(recipe)的調(diào)整，且線路可以修正的 彈性不大。故能提前于其它更早的階段時，例如繞線階段，一并考慮光學光刻的效應，則可 以改善傳統(tǒng)方法所遭遇的困難。目前有一種基于圖型匹配(pattern-matching based)的方法，其是在繞線階段 后為解決線路布局中光刻熱點存在的更正方法。由于此方法是采圖型匹配，故需要建立很 多圖型數(shù)據(jù)庫。但實際上根本無法窮盡所有可能造成光刻熱點的圖型，因此只能針對有限 能識別的光刻熱點進行修正，其結(jié)果為真正存在熱點的被修正比例太低。再者，這種圖型數(shù) 據(jù)庫不但占用大量的儲存空間，而且需要針對各種不同的圖型驗證及實驗，故會耗費許多 時間。顯然這種檢測并修正熱點的技術(shù)類似以人工方式進行修正，其所使用有限又未考慮 設(shè)計標準的更正指導信息(correction guidance information)會經(jīng)歷多次錯誤及更正(trial and error)才能有稍佳的結(jié)果。事實上，這種技術(shù)并無法達成快速及高比例的熱點 有效更正結(jié)果，亦即，電路設(shè)計者實在難以于有限的時間內(nèi)成功執(zhí)行這一高度人力需求的 方法。因此，電子設(shè)計自動化(Electronic Design Automation)業(yè)界需要一種自動且有 效率的光刻熱點更正方法，為能解決目前電路設(shè)計所遭遇的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是于繞線后的布局中將已發(fā)現(xiàn)的光刻熱點消除，從而提升IC設(shè)計 的合格率、可靠性及電子設(shè)計自動化的執(zhí)行效率。根據(jù)一實施例的后繞線布局的光刻熱點的更正方法，包含步驟如下接受一芯片 的后繞線布局的光刻檢查得到若干個熱點的數(shù)據(jù)；針對該若干熱點中每一個所在的局部區(qū) 域內(nèi)選取可改變幾何尺寸或位置的至少一個二維圖案，并定義該幾何尺寸或位置的改變方 式為若干個變化模式；根據(jù)該若干變化模式中每一個于允許范圍內(nèi)的改變量，依序自一組 空間圖像強度的光學仿真模型單元選取若干個模型單元以合成而得對應的空間圖像強度； 依照該空間圖像強度的前述若干個計算值以決定該若干變化模式中每一個對應該熱點的 最佳變化量；就該若干熱點中每一個所在該局部區(qū)域的該二維圖案分別取得一組最佳的變 化模式及其最佳變化量。本實施例另包含就該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域執(zhí)行該二維圖案對應該 組最佳的變化模式及其最佳變化量的步驟。本實施例另包含決定該若干變化模式中每一個對應該熱點的變化量后，檢查該變 化模式及其最佳變化量是否違反設(shè)計規(guī)則檢查(design rule check)或布局對應于構(gòu)圖 (layout versus schematic)的步驟。另一實施例的后繞線布局的光刻熱點的更正方法，包含步驟如下接受一芯片的 后繞線布局的光刻檢查得到若干個熱點的數(shù)據(jù)；針對該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域 內(nèi)選取可改變幾何尺寸或位置的至少一個二維圖案，并定義該幾何尺寸或位置的改變方式 為若干個變化模式；根據(jù)該若干變化模式中每一個于允許范圍內(nèi)的遞變改變量，依序自一 組空間圖像強度的光學仿真模型單元選取若干個模型單元以迭合(superposition)方式 合成該變化后的二維圖案，從而得到該若干變化模式中每一個的不同改變量對應的空間圖 像強度；依照該空間圖像強度的前述若干個計算值以決定該若干變化模式中每一個對應該 熱點的最佳變化量；就該若干熱點中每一個所在該局部區(qū)域的該二維圖案分別取得一組最 佳的變化模式及其最佳變化量。本實施例的該二維圖案的該若干變化模式中每一個的不同改變量對應的空間圖 像強度是由下列步驟而得選取該二維圖案的一該變化模式并設(shè)定一改變量；自該組光學 仿真模型單元中選取數(shù)個模型單元以迭合該選取變化模式的設(shè)定改變量的二維圖案；根據(jù) 前述迭合的結(jié)果以計算該改變后二維圖案相對該熱點的空間圖像強度；依序遞變該改變 量；當該遞變改變量已達到該允許范圍，則確認完成該二維圖案的該變化模式的各改變量 的空間圖像強度的計算。另一實施例的后繞線布局的光刻熱點的更正系統(tǒng)，包含一熱點檢查裝置，接受一 芯片的后繞線布局的光刻檢查得到若干個熱點的數(shù)據(jù)；一圖案選取裝置，針對該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域內(nèi)選取可改變幾何尺寸或位置的至少一個二維圖案，并定義該幾 何尺寸或位置的改變方式為若干個變化模式；一強度計算裝置包含一模型合成單元及一強 度計算單元，該模型合成單元自已提供一組光學仿真模型單元中選取數(shù)個模型單元以迭合 該選取變化模式的設(shè)定改變量的二維圖案，又該強度計算單元根據(jù)前述迭合的結(jié)果以計算 該改變后二維圖案相對該熱點的空間圖像強度；一比較裝置，依照該空間圖像強度的前述 若干個計算值以決定該若干變化模式中每一個對應該熱點的最佳變化量；以及一更正裝 置，就該若干熱點中每一個所在該局部區(qū)域的該至少一二維圖案分別取得一組最佳的變化 模式及其最佳變化量，并分別執(zhí)行該至少一二維圖案的該組最佳的變化模式及其最佳變化 量。本發(fā)明的后繞線布局的光刻熱點的更正方法及裝置能自動且有效率的光刻熱點 更正，在繞線后的布局中將已發(fā)現(xiàn)的光刻熱點消除，從而提升IC設(shè)計的合格率、可靠性及 電子設(shè)計自動化的執(zhí)行效率，以及計算也較簡單故又能提升整體運算效率。


圖1是顯示一局部后繞線布局中光刻熱點；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的后繞線布局的光刻熱點的更正方法流程圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的熱點及其鄰近可改變的二維圖案的說明圖；圖4A 4B是修正行動的裁剪修改的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的空間圖像強度的光學仿真模型單元組的建立流 程圖；圖6A 6D是建立基本幾何圖型的空間圖像強度的光學仿真模型單元的說明圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明一實施例的二維圖案的一變化模式的不同改變量對應的空間 圖像強度值的計算流程圖；以及圖8是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的后繞線布局的光刻熱點的更正系統(tǒng)圖。
具體實施例方式本發(fā)明在此所探討的方向為一種后繞線布局的光刻熱點的更正方法及其系統(tǒng)。為 了能徹底地了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及組成。顯然地，本發(fā)明的施行 并未限定于電路設(shè)計的技術(shù)人員所熟悉的特殊細節(jié)。另一方面，眾所周知的組成或步驟并 未描述于細節(jié)中，以避免造成本發(fā)明不必要的限制。本發(fā)明的較佳實施例會詳細描述如下， 然而除了這些詳細描述的外，本發(fā)明還可以廣泛地應用在其它的實施例中，且本發(fā)明的范 圍不受限定，其以之后的權(quán)利要求書為準。圖1是顯示一局部后繞線布局中光刻熱點。圖中直線的輪廓線11是原始設(shè)計，又 圓弧狀多重輪廓線12是根據(jù)在制程范圍(process window)內(nèi)不同的制程條件模擬而得到 的相異結(jié)果。另外，圖中圓圈標示部分13即為前述光刻熱點的所在面積。當制程條件發(fā)生 變異，圓圈內(nèi)的線路很明顯變窄，甚至非?？赡馨l(fā)生斷路(open)?？v使線路不會斷開，電流 通過該狹窄部分的線路也會產(chǎn)生更多的熱量，當使用過一段時間后就會有可靠度的問題產(chǎn) 生。本發(fā)明的目的是于繞線后的布局中將已發(fā)現(xiàn)的光刻熱點消除，從而提升IC設(shè)計的合格率、可靠性及電子設(shè)計自動化的執(zhí)行效率。又這些光刻熱點可以采一般商業(yè)軟件 的工具(例如Synopsys Inc.銷售的I^rime Yield)執(zhí)行光刻規(guī)范檢查(Lithography Compliance Checking ；LCC)而自后繞線布局中找出，故本文不在此贅述熱點的辨識方法。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的后繞線布局的光刻熱點的更正方法流程圖。在 電子設(shè)計自動化的放置及繞線(placement and routing)步驟后，設(shè)計者會得到一 IC布 局圖，再利用上述軟件工具執(zhí)行光刻檢查就能找到線路中可能存在的熱點數(shù)據(jù)，如步驟201 所示。本實施例的該熱點資料可以由執(zhí)行光刻檢查而得，或者是直接接受熱點數(shù)據(jù)的輸入。然后如步驟202所示，針對該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域內(nèi)選取可改變幾 何尺寸或位置的至少一個多邊形(polygon)或二維圖案的線路。本實施例中該局部區(qū)域的 尺寸是自該熱點的中心約兩個間距(Pitch)的內(nèi)的范圍，又每個間距約等于200nm?？筛淖儙缀纬叽缁蛭恢玫亩S圖案可以是一線路或孔洞。若為線路則可能有下列 三種改變方式沿著線路的縱方向伸展或收縮、沿著線路的橫方向伸展或收縮、或沿線路的 縱方向或橫方向位移。若為孔洞原則上可以任意方向移動，但在孔洞上方及下方分別相連 接的線路亦需要伴隨移動。然而，上述各種改變方式若違反設(shè)計規(guī)則檢查的規(guī)定，則將被排 除或?qū)`反部份的改變局部裁剪(tailor)修改。本段說明僅示例部分幾何尺寸或位置改 變的原則，并未涵蓋所有可能的情況。如步驟203所示，設(shè)計者可根據(jù)前述的改變原則定義各二維圖案的幾何尺寸或位 置的改變方式為若干個變化模式。然后根據(jù)該若干變化模式中每一個于允許范圍內(nèi)的改變 量，例如單一方向的位移量最大為1個間距，于此允許范圍內(nèi)依序遞增改變量，并選取已 提供的一組空間圖像強度的光學仿真模型單元中部分單元以合成出對應的空間圖像強度， 如步驟204所示。該組空間圖像強度的光學仿真模型單元是預先建立(步驟210)，可利用圖5的流 程產(chǎn)生該組光學仿真模型單元。本實施例步驟204是選取該組空間圖像強度的光學仿真模 型單元中數(shù)個模型單元，以該數(shù)個模型單元合成該改變后的二維圖案，并據(jù)此合成結(jié)果計 算熱點處的空間圖像強度。當該若干變化模式中每一個于允許范圍內(nèi)的改變量有違反設(shè)計規(guī)則檢查或布局 對應于構(gòu)圖的規(guī)定，則可能需要針對違反之局部線路裁剪修改以滿足該規(guī)定，如步驟220 及221所示。反之，若未違反該規(guī)定則不需要修改。該兩步驟的實際操作請參見圖4A 4B 及后續(xù)的詳細說明。該若干變化模式中每一個于允許范圍內(nèi)會有不同的變化量，因此根據(jù)變化量的增 減會產(chǎn)生若干個空間圖像強度的計算值。再依照該空間圖像強度的前述若干個計算值以決 定該若干變化模式中每一個對應該熱點的最佳變化量，參見步驟205。所謂最佳變化量是 指其對應的空間圖像強度的計算值對消除熱點有最佳的影響，有可能該計算值為最大或最 小，視消除各熱點問題(短路或斷路)所需要的方向而定。若該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域內(nèi)有若干個可改變幾何尺寸或位置的二 維圖案，則各二維圖案依照步驟205的結(jié)果會找到各種變化模式的最佳變化量。但比較這 些最佳變化量的空間圖像強度計算值又能從中得到一最佳的變化模式，此一步驟也可稱為 修正行動(fix action)。因此，也就能將該若干熱點中每一個所在該局部區(qū)域的這些二維 圖案分別取得一組最佳的變化模式及其最佳變化量，如步驟222所示。亦即對于局部區(qū)域的內(nèi)各二維圖案都有一最佳的變化模式及其最佳變化量，該最佳組合的集合或可稱為修正 導引(fix guidence)。再就該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域執(zhí)行該二維圖案對應該組 最佳的變化模式及其最佳變化量，因此使得該熱點面積的空間圖像強度計算值為最佳，亦 即該若干熱點中每一個的問題會被消除，如步驟223所示。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的熱點及其鄰近可改變的二維圖案的說明圖。點 P是熱點31的中心點，該熱點31的面積的長、寬分別為hy及hx。圖中線路33及34為 不可變的二維圖案；又線路32為可變的二維圖案，其長、寬分別為Iy及l(fā)x，及其中心點離 點P的距離的分量為dx及dy。本實施例中該線路32可以往箭頭方向移動一 χ的最大變 化量，圖中是以斜線部分表示線路32向右移動χ后的位置。根據(jù)最大變化量及制造格點 (manufacturing grid)可再分為若干個遞增的變化量xl、x2等，其中制造格點是依照晶圓 制造廠提供，例如65nm的制程技術(shù)的制造格點為l-5nm。針對線路32于不同移動量的位 置，分別對熱點31的面積積分而得空間圖像強度計算值。該計算值與線路32未移動時的 計算值比較可得一增益值(gain)，由該強度增益值可判斷最佳變化量是多少。圖4A 4B是修正行動(fix action)的裁剪修改的示意圖。圖中圓圈標示的面 積為熱點的所在，當可改變的二維圖案沿箭頭方向向右延伸一變化量時，上方的直角轉(zhuǎn)角 部分會和最右邊的線路太過接近，從而違反設(shè)計規(guī)則檢查。因此，可以對轉(zhuǎn)角的局部線路裁 剪修改以滿足該規(guī)定，例如將該局部線路的變化量移出違反設(shè)計規(guī)則檢查的范圍(虛線方 塊表示)，如圖4B所示。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的空間圖像強度的光學仿真模型單元組的建立流 程圖。首先，需要設(shè)定基本模擬參數(shù)，其中該基本模擬參數(shù)包含光波長(wavelength)、數(shù)值 孑L徑(numerical aperature)及相干因子(coherence factor)，如步驟211所示。可以采 用光學近似校正旁路(OPC-bypass)模擬中相同的設(shè)定值，該光波長為120nm、該數(shù)值孔徑 為 0. 8 及該相干因子 σ center = 0. 825 及 σ width = 0. 25。參見步驟212，可以應用一致性的累加系統(tǒng)結(jié)構(gòu)計算以取得若干個基本幾何圖型 的空間圖像強度的二維分布數(shù)值。該基本幾何圖型可以是一端固定及另一端無窮延伸的 長條狀圖型，或者是兩相互垂直的邊界固定及另兩相互垂直的邊界無窮延伸的矩形。該 一致性的累加系統(tǒng)結(jié)構(gòu)計算的方法可參見Y. C. Pati, A. A. Ghazanfarian及R. F. Pease于 IEEE Trans. Semi. Mfg.，vol. 10(1), pages 62-74，F(xiàn)eb 1997 所發(fā)表的論文「Exploiting Structure in FastAerial Image Computation for IC Patterns」 及 N. B. Cobb.于 PhD Dissertation 所發(fā)表的論文「Fast optical and process proximity correction algorithms forintegrated circuit manufacturing」。該空間圖像強度的二維分布數(shù)值是選自該空間圖像強度的梯度變化較大的適當 范圍內(nèi)，根據(jù)前述自該熱點的中心約兩個間距的范圍，加上二維圖案的最大改變量為1個 間距，以及加上二維圖案位于邊界的安全范圍為1個間距，故可得到8X8間距的適當范圍。再者，依照該二維分布數(shù)值所在區(qū)域?qū)⒏髟摱S分布數(shù)值分割為若干次數(shù)值組， 如步驟213所示。亦即可將該二維分布數(shù)值依8X8矩陣排列的區(qū)域分割為64個次數(shù)值 組。如步驟214所示，以二元多項式函數(shù)擬合各次數(shù)值組的曲面，該曲面又稱為次預圖像 (sub-preimage)，原本未被分割的曲面則稱為預圖像(preimage)。然后儲存各基本幾何圖 型所對應該空間圖像強度的該二維分布數(shù)值的函數(shù)系數(shù)為各光學仿真模型單元，亦即儲存各次空間圖像的擬合函數(shù)的系數(shù)以代表一完整的空間圖像強度，如步驟215所示。圖6A 6B是建立基本幾何圖型的空間圖像強度的光學仿真模型單元的說明圖。 圖6A是一二維的步階型函數(shù)的圖型，二維的步階型函數(shù)可用來代表具一定寬度的線路，其 另一端為無窮延伸。藉由兩個不同固定端的這種步階型函數(shù)相減就能得到該寬度下不同長 度的線路的幾何圖型?？臻g圖像強度I的基本計算公式如下I = \f kf⑴其中 代表卷積運算(convolution operator) ；f代表掩膜透射函數(shù) (masktransmission function) ；k代表透射函數(shù)。各個點的空間圖像強度的公式可根據(jù)公 式(1)改寫如下η21^i，兄)=Σ% 1(/ 終)(χ'，乂)1μ(2)其中(K代表特征函數(shù)(eigenfunction)，亦即一致性的累加系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的核函數(shù) (kernel function) ； α k代表對應各特征函數(shù)的特征值(eigenvalue)。對公式( 再執(zhí)行 面積分后就可得到一定面積的空間圖像強度值。圖6A的二維的步階型函數(shù)即為公式O)中f，其二維投影的圖型即為本實施例所 稱的基本幾何圖型。又圖6B中圖型即為第一核函數(shù)的圖型，一般計算會用到第五核函數(shù)。 第五核函數(shù)以后的核函數(shù)影響不大，故可省略不用。圖6C是二維的步階型函數(shù)和第一核函 數(shù)卷積運算后的結(jié)果，亦即得到一空間圖像強度的二維分布值所產(chǎn)生的曲面。圖6D是將圖6C的空間圖像分割為64個等分區(qū)域(一區(qū)域面積為200nmX 200nm) 的次空間圖像。以下列公式(3)的二元多項式函數(shù)擬合該次空間圖像的曲面I (χ, y) ^ a^oX^a^!,!Xk^y1+- · · +a0j kyk+ak_lj0xk_1+. · · +B0jk^yk-1+. · ·+aux+awy+a。,。(3)因此將所儲存各次空間圖像的二元多項式函數(shù)的擬合系數(shù) _再簡單放置回公式 (3)，就可以得到該完整的二元多項式函數(shù)，亦即能得到該原次空間圖像的二維分布值。儲 存擬合系數(shù)^ j所需的存儲空間遠小于其它傳統(tǒng)方法所需的存儲空間，而二元多項式函數(shù) 的積分計算也較簡單，故又能提升整體運算效率。圖7是根據(jù)本發(fā)明一實施例的二維圖案的一變化模式的不同改變量對應的空間 圖像強度值的計算流程圖。如步驟2041所示，于該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域內(nèi)可 能有至少一個可改變的二維圖案，選取該二維圖案的一變化模式并設(shè)定一改變量。例如圖 3中線路32先往箭頭方向移動一制造格點倍數(shù)的改變量。然后依照步驟2042所述，自該組 光學仿真模型單元中選取數(shù)個模型單元，再以迭合該數(shù)個模型單元方式產(chǎn)生該選取變化模 式的設(shè)定改變量的二維圖案。例如線路32可用兩個具不同起始值的二維步階型函數(shù)(參 見圖6A ；寬度要和線路32 —致)相減而得，亦即該兩起始值即為線路32的左邊及右邊，因 此也可以用模擬近似該兩個二維步階型函數(shù)的空間圖像強度的模型相減，從而得到線路32 造成光學光刻上的強度分布的模擬狀態(tài)。此處的迭合是定義為不同幾何圖案的的迭加在一 起或減去重迭之處。除了使用上述二維步階型函數(shù)以產(chǎn)生擬模型單元，還可以四分之一平面突然升起的類似步階型函數(shù)以產(chǎn)生光學擬模型單元，線路32同樣可以三個不同原點的四分之一平 面的步階型函數(shù)迭合而得。這種方式較先前使用二維步階型函數(shù)可以減少數(shù)據(jù)量的儲存。如步驟2044，再依序遞變該二維圖案的該變化模式的改變量，例如圖3中線路32 先往箭頭方向再移動相同制造格點倍數(shù)的改變量。當遞變改變量已達到該允許范圍，例如 線路32累計向右移動至最大改變量X，則確認完成該二維圖案的該變化模式的各改變量的 空間圖像強度的計算，如步驟2045及2046所示。若未達最大改變量x，則再回到步驟2042 執(zhí)行下一個改變量的仿真和空間圖像強度的計算。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的后繞線布局的光刻熱點的更正系統(tǒng)圖。更正系統(tǒng) 80包含一熱點檢查裝置81、一圖案選取裝置82、一強度計算裝置83、模型建立裝置84、一比 較裝置85及一更正裝置86。熱點檢查裝置81輸入一芯片后繞線布局的數(shù)據(jù)后，就會執(zhí)行 光刻檢查并得到若干個熱點的分析數(shù)據(jù)。該分析數(shù)據(jù)會被輸入圖案選取裝置82，接著針對 該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域內(nèi)選取可改變幾何尺寸或位置的至少一個二維圖案， 并會定義該幾何尺寸或位置的改變方式為若干個變化模式。強度計算裝置83又包含一模 型合成單元831及一強度計算單元832，其中模型合成單元831會根據(jù)圖案選取裝置82自 該組光學仿真模型單元中選取數(shù)個模型單元以迭合該選取變化模式的設(shè)定改變量的二維 圖案，又該強度計算單元832根據(jù)前述迭合的結(jié)果以計算該改變后二維圖案相對該熱點的 空間圖像強度。該改變量會于允許范圍內(nèi)依序遞增或遞減，因此該二維圖案中每一個的各 變化模式于允許范圍內(nèi)的空間圖像強度就都能得到。該組光學仿真模型單元是由模型建立 裝置84產(chǎn)生。比較裝置85再比較前述若干個空間圖像強度值，從而決定該若干變化模式 中每一個對應該熱點的最佳變化量。更正裝置86就該若干熱點中每一個所在該局部區(qū)域 的該至少一二維圖案分別取得及執(zhí)行一組最佳的變化模式及各該最佳變化模式的最佳變 化量，如此就能完成后繞線布局的光刻熱點的更正。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭示如上，然而熟悉本項技術(shù)的人士仍可能基于 本發(fā)明的教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護范圍 應不限于實施例所揭示者，而應包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為以下的申請權(quán) 利要求書所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種后繞線布局的光刻熱點的更正方法，其特征在于包含 接受一芯片的后繞線布局的光刻檢查得到若干個熱點的數(shù)據(jù)；針對該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域內(nèi)選取可改變幾何尺寸或位置的至少一個 二維圖案，并定義該幾何尺寸或位置的改變方式為若干個變化模式；根據(jù)該若干變化模式中每一個于允許范圍內(nèi)的改變量，依序自一組空間圖像強度的光 學仿真模型單元選取若干個模型單元以合成而得對應的空間圖像強度；依照該空間圖像強度的前述若干個空間圖像強度值以決定該若干變化模式中每一個 對應該熱點的最佳變化量；以及就該若干熱點中每一個所在該局部區(qū)域的該二維圖案分別取得一組最佳變化模式及 各該最佳變化模式的最佳變化量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的更正方法，其特征在于，其另包含就該若干熱點中每一個所在的 局部區(qū)域執(zhí)行該二維圖案對應該組最佳變化模式及各該最佳變化模式的最佳變化量的步 馬聚ο
3.根據(jù)權(quán)利要求1的更正方法，其特征在于，其另包含決定該若干變化模式中每一個 對應該熱點的變化量后，檢查該變化模式及其最佳變化量是否違反設(shè)計規(guī)則檢查或布局對 應于構(gòu)圖的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的更正方法，其特征在于，其中當違反該設(shè)計規(guī)則檢查或該布局對 應于構(gòu)圖時，則修改該變化模式及其最佳變化量以滿足該設(shè)計規(guī)則檢查或該布局對應于構(gòu) 圖的規(guī)定。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的更正方法，其特征在于，其中該修改后的變化模式是將違反該設(shè) 計規(guī)則檢查或該布局對應于構(gòu)圖的該二維圖案的部份尺寸或部份位置改變以滿足該規(guī)定， 又該部份尺寸或部份位置的變化量是不同于該最佳變化量。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的更正方法，其特征在于，其中該幾何尺寸的改變方式包含長度伸 展、長度收縮、寬度變寬及寬度變窄。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的更正方法，其特征在于，其中該位置的改變方式是包含兩垂直方 向的位移。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的更正方法，其特征在于，其中該二維圖案中每一個的最佳變化模 式是指比較該若干變化模式中選出一種變化模式，其對應該熱點的最佳變化量優(yōu)于其它未 被選出變化模式的最佳變化量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的更正方法，其特征在于，其中該若干變化模式中每一個對應該熱 點的最佳變化量是為改善該若干熱點中每一個所造成的短路或線路過窄的問題。
10.一種后繞線布局的光刻熱點的更正方法，其特征在于包含 接受一芯片的后繞線布局的光刻檢查后得到若干個熱點的數(shù)據(jù)；針對該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域內(nèi)選取可改變幾何尺寸或位置的至少一個 二維圖案，并定義該幾何尺寸或位置的改變方式為若干個變化模式；根據(jù)該若干變化模式中每一個于允許范圍內(nèi)的改變量，依序自一組空間圖像強度的光 學仿真模型單元選取若干個模型單元以迭合方式合成變化后的二維圖案，從而得到該若干 變化模式中每一個的不同改變量對應的空間圖像強度；依照該空間圖像強度的前述若干個空間圖像強度值以決定該若干變化模式中每一個對應該熱點的最佳變化量；以及就該若干熱點中每一個所在該局部區(qū)域的該二維圖案分別取得一組最佳的變化模式及其最佳變化量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的更正方法，其特征在于，其中該若干變化模式中每一個的不同 改變量對應的空間圖像強度是由下列步驟而得選取該二維圖案的一該變化模式并設(shè)定一改變量；自該組光學仿真模型單元中選取數(shù)個模型單元以迭合該選取變化模式的設(shè)定改變量 的二維圖案；根據(jù)前述迭合的結(jié)果以計算該改變后二維圖案相對該熱點的空間圖像強度； 依序遞變該改變量；以及當該遞變改變量已達到該允許范圍，則確認完成該二維圖案的該變化模式的各改變量 的空間圖像強度的計算。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的更正方法，其特征在于，其中該選取數(shù)個模型單元是以相互迭 加在一起或減去重迭的部分而得該選取變化模式的設(shè)定改變量的二維圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的更正方法，其特征在于，其中該光學仿真模型單元是仿真不同 起始值及不同寬度的二維步階型函數(shù)的空間圖像強度的結(jié)果。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的更正方法，其特征在于，其中該光學仿真模型單元是仿真具有 不同原點的四分之一平面不連續(xù)突升的類似步階型函數(shù)的空間圖像強度的結(jié)果。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的更正方法，其特征在于，其中該組空間圖像強度的光學仿真模 型單元是由下列步驟建立設(shè)定基本模擬參數(shù)；應用一致性的累加系統(tǒng)結(jié)構(gòu)計算以取得若干個基本幾何圖型的空間圖像強度的二維 分布數(shù)值；依照該二維分布數(shù)值所在區(qū)域?qū)⒃撊舾啥S分布數(shù)值中的每一個分割為若干次數(shù)值組；以二元多項式函數(shù)擬合該若干次數(shù)值組中每一個的曲面；以及 儲存該若干基本幾何圖型中每一個所對應該空間圖像強度的該二維分布數(shù)值的函數(shù) 系數(shù)作為該光學仿真模型單元中的每一個。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的更正方法，其特征在于，其中該基本幾何圖型是一端固定及另 一端無窮延伸的長條狀圖型。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的更正方法，其特征在于，其中該基本幾何圖型是兩相互垂直的 邊界固定及另兩相互垂直的邊界無窮延伸的矩形。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的更正方法，其特征在于，其中該基本幾何圖型的空間圖像強度 的二維分布數(shù)值是位于該空間圖像強度的梯度變化較大的適當范圍內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的更正方法，其特征在于，其中該適當范圍分割為若干個次區(qū)域， 又該若干次區(qū)域中每一個內(nèi)二維分布數(shù)值即為該若干次數(shù)值組中的每一個。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的更正方法，其特征在于，其中該基本模擬參數(shù)包含光波長、數(shù)值 孔徑及相干因子。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的更正方法，其特征在于，其中該光波長為120nm、該數(shù)值孔徑為.0. 8 及該相干因子 σ。enter = 0. 825 及 σ width = 0. 25。
22.根據(jù)權(quán)利要求15的更正方法，其特征在于，其另包含就該若干熱點中每一個所在 的局部區(qū)域執(zhí)行該二維圖案對應該組最佳的變化模式及其最佳變化量的步驟。
23.根據(jù)權(quán)利要求15的更正方法，其特征在于，其另包含決定該若干變化模式中每一 個對應該熱點的最佳變化量后，檢查該變化模式及其最佳變化量是否違反設(shè)計規(guī)則檢查或 布局對應于構(gòu)圖的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的更正方法，其特征在于，其中當違反該設(shè)計規(guī)則檢查或該布局 對應于構(gòu)圖時，則修改該變化模式及其最佳變化量以滿足該設(shè)計規(guī)則檢查或該布局對應于 構(gòu)圖的規(guī)定。
25.根據(jù)權(quán)利要求M的更正方法，其特征在于，其中該修改后的變化模式是將違反該 設(shè)計規(guī)則檢查或該布局對應于構(gòu)圖的該二維圖案的部份尺寸或部份位置改變以滿足該規(guī) 定，又該部份尺寸或部份位置的變化量是不同于該最佳變化量。
26.根據(jù)權(quán)利要求15的更正方法，其特征在于，其中該幾何尺寸的改變方式包含長度 伸展、長度收縮、寬度變寬及寬度變窄。
27.根據(jù)權(quán)利要求15的更正方法，其特征在于，其中該位置的改變方式是包含兩垂直 方向的位移。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的更正方法，其特征在于，其中該二維圖案中每一個的最佳變化 模式是指比較該若干變化模式而選出一種變化模式，其對應該熱點的最佳變化量優(yōu)于其它 未被選出變化模式的最佳變化量。
29.根據(jù)權(quán)利要求15的更正方法，其特征在于，其中該若干變化模式中每一個對應該 熱點的最佳變化量是為改善該若干熱點中每一個所造成的短路或線路過窄的問題。
30.一種后繞線布局的光刻熱點的更正系統(tǒng)，其特征在于包含一熱點檢查裝置，接受一芯片的后繞線布局的光刻檢查得到若干個熱點的數(shù)據(jù)；一圖案選取裝置，針對該若干熱點中每一個所在的局部區(qū)域內(nèi)選取可改變幾何尺寸或 位置的至少一個二維圖案，并定義該幾何尺寸或位置的改變方式為若干個變化模式；一強度計算裝置，根據(jù)該若干變化模式中每一個于允許范圍內(nèi)的改變量，依序自一組 空間圖像強度的光學仿真模型單元選取若干個模型單元以迭合方式合成變化后的二維圖 案，從而得到該若干變化模式中每一個的不同改變量對應的空間圖像強度；一比較裝置，依照該若干個空間圖像強度值以決定該若干變化模式中每一個對應該熱 點的最佳變化量；以及一更正裝置，就該若干熱點中每一個所在該局部區(qū)域的該至少一二維圖案分別取得及 執(zhí)行一組最佳的變化模式及各該最佳變化模式的最佳變化量。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的更正系統(tǒng)，其特征在于，其中該強度計算裝置包含一模型合成 單元及一強度計算單元，該模型合成單元自該組光學仿真模型單元中選取數(shù)個模型單元以 迭合該選取變化模式的設(shè)定改變量的二維圖案，又該強度計算單元根據(jù)前述迭合的結(jié)果以 計算該改變后二維圖案相對該熱點的空間圖像強度。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的更正系統(tǒng)，其特征在于，其另包含一建立該組光學仿真模型單 元的模型建立裝置，該模型建立裝置是接受一組設(shè)定基本模擬參數(shù)，并應用一致性的累加 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)計算以取得若干個基本幾何圖型的空間圖像強度的二維分布數(shù)值，再依照該二維分布數(shù)值所在區(qū)域分割該若干二維分布數(shù)值中每一個為若干個次數(shù)值組，且分別以一二元 多項式函數(shù)擬合該若干次數(shù)值組中每一個的曲面，并儲存該若干基本幾何圖型中每一個所 對應該空間圖像強度的該二維分布數(shù)值的函數(shù)擬合系數(shù)為該光學仿真模型單元中的每一 個。
33.根據(jù)權(quán)利要求30的更正系統(tǒng)，其特征在于，其另包含一檢查該變化模式及其最佳 變化量是否違反設(shè)計規(guī)則檢查或布局對應于構(gòu)圖的繞線檢查裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種后繞線布局的光刻熱點的更正方法與裝置，是用于更正后繞線布局中檢測到的光刻熱點。選擇該若干熱點中每一個所在局部區(qū)域內(nèi)的可改變尺寸或位置的至少一個二維圖案并調(diào)整，而使得各局部區(qū)域的空間圖像強度的仿真數(shù)值最佳化，藉以改善該若干熱點中每一個所造成的問題。該二維圖案的尺寸或位置經(jīng)調(diào)整一改變量后，可以根據(jù)一組已提供的空間圖像強度的光學仿真模型單元計算該熱點所在局部區(qū)域的空間圖像強度，藉由選取該仿真模型單元中數(shù)個單元以合成該改變后的二維圖案。
文檔編號G06F17/50GK102054074SQ20091021137
公開日2011年5月11日 申請日期2009年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者仝仰山 申請人:新思科技有限公司