專利名稱：低頻射頻識別手持機的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種射頻識別設備，特別是一種手持射頻識別設備。
背景技術：
目前在使用125 135KHZ頻段的射頻識別RFID手持機中，除要求能夠?qū)崿F(xiàn)讀卡 和寫卡功能以外，往往還需要自帶大尺寸的液晶屏和大容量的本地存儲器件，在要求體積 小巧的前提下能夠長時間待機，這就需要低頻RFID手持機做到盡可能的省電，盡可能的減 少按鍵數(shù)量。而現(xiàn)在主流的低頻RFID手持機都設置了單獨的讀卡按鍵，開機和關機按鍵， 并且開機關機按鍵采用常開常閉的機械按鍵。當用戶操作之后忘記關閉手持機，手持機無 法做到自動關閉電源，待機時間將受到影響，同時受限于機械按鍵的體積，射頻識別手持機 也無法做到非常的小巧。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供了一種低頻射頻識別手持機，要解決的技術問題是降低 射頻識別手持機的耗電。本實用新型采用以下技術方案一種低頻射頻識別手持機，所述低頻射頻識別手 持機設置有開機、關機和讀卡按鍵復用電路，開機、關機、讀卡按鍵復用電路設有鋰電池、按 鍵電路、開關管、開關管控制電路、開關管偏置電路、線性穩(wěn)壓電路和微處理器電路；所述鋰 電池通過開關管和線性穩(wěn)壓電路給微處理器電路供電；所述鋰電池正電壓通過按鍵電路、 開關管偏置電路、開關管控制電路使開關管導通；微處理器電路通過開關管偏置電路、開關 管控制電路控制開關管的導通與截止。本實用新型的微處理器采用C8051F023。本實用新型的開關管采用金屬_氧化層_半導體_場效晶體管。本實用新型的金屬-氧化層-半導體-場效晶體管采用Si6467。本實用新型的開關管控制電路采用三極管。本實用新型的三極管采用BC857本實用新型的線性穩(wěn)壓電路采用穩(wěn)壓芯片SE5509-3. 3，開關管偏置電路采用兩個 二極管IN4148，按鍵電路采用輕觸開關TS-1187。本實用新型的鋰電池正極連接到開關管的源極和輕觸開關一端，開關管的源極和 柵極間接有第五電阻，輕觸開關的另一端分別與微處理器的22腳、第八電阻、第一二極管 的正極相連，第八電阻另一端接地，第一二極管的負極通過第六電阻接到三極管的基極，微 處理器的23腳接第二二極管的正極并通過第七電阻接地，第二二極管負極與第一二極管 負極相連并通過第十一電容接地，三極管的發(fā)射極接地，集電極接開關管的柵極，開關管的 漏極接穩(wěn)壓芯片的1、3腳并通過第四電阻接地，第三穩(wěn)壓芯片的2腳接地，5腳輸出3. 3V的 電壓作為微處理器電路的工作電源并通過第十電容接地，穩(wěn)壓芯片的4腳通過第九電容接 地。[0012]本實用新型與現(xiàn)有技術相比，設置有開機、關機和讀卡按鍵復用電路，采用對輕觸 按鍵的功能復用，實現(xiàn)了讀卡、開機、關機三個功能，減小了低頻RFID手持機的體積，同時 可以完全切斷外部電源和后級電路的聯(lián)系，在用戶忘記關閉低頻手持機電源的情況下，可 以自動關閉電源，減少了低頻射頻識別手持機的靜態(tài)功耗，延長了其待機的時間。
圖1是本實用新型實施例的電路框圖。圖2是圖1的電路原理圖。
具體實施方式

以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步詳細說明。如圖1所示，本實用新 型的低頻射頻識別手持機，設置開機、關機和讀卡按鍵復用電路，以降低低頻射頻識別手持 機的耗電。開機、關機和讀卡按鍵復用電路設有鋰電池、按鍵電路、金屬_氧化層-半導 體_場效晶體管MOSFET開關管、MOSFET開關管控制電路、開關管偏置電路、線性穩(wěn)壓電路 和微處理器電路。鋰電池通過MOSFET開關管和線性穩(wěn)壓電路給微處理器電路供電。在低 頻RFID手持機關機狀態(tài)，鋰電池正電壓通過按鍵電路、開關管偏置電路、MOSFET開關管控 制電路使MOSFET開關管導通，實現(xiàn)人工上電，讓微處理器電路得電工作。微處理器電路 通過識別按鍵被按下的時間長短和當前RFID手持機所處的狀態(tài)，得出開機、關機或讀卡 的命令，輸出相應的高電平或低電平，通過開關管偏置電路、MOSFET開關管控制電路控制 MOSFET開關管的導通與截止，實現(xiàn)鋰電池對微處理器電路供電電源的通斷。作為最佳實施例，本實用新型的MOSFET管采用P溝道MOSFET管Si6467，線性 穩(wěn)壓電路采用穩(wěn)壓芯片SE5509-3.3，MOSFET開關管控制電路采用開關三極管BC857，開 關管偏置電路采用兩個二極管IN4148，微處理器采用C8051F023，按鍵電路采用輕觸開關 TS-1187。如圖2所示，本實施例中采用外部鋰電池作為低頻RFID手持機的電源，鋰電池正 極連接到MOSFET管U2的源極和輕觸開關Sl 一端，MOSFET管U2的源極和柵極間接有第五 電阻R5，輕觸開關Sl的另一端分別與微處理器Ul的22腳、第八電阻R8、第一二極管Dl的 正極相連，第八電阻R8另一端接地。第一二極管Dl的負極通過第六電阻R6接到第一三極 管Ql的基極，微處理器Ul的23腳接第二二極管D2的正極并通過第七電阻R7接地，第二二 極管D2負極與第一二極管Dl負極相連并通過第十一電容Cll接地，三極管Ql的發(fā)射極接 地，集電極接MOSFET管U2的柵極。MOSFET管U2的漏極接第三穩(wěn)壓芯片U3的1、3腳并通 過第四電阻R4接地，穩(wěn)壓芯片U3的2腳接地，穩(wěn)壓芯片U3的5腳輸出3. 3V的電壓作為微 處理器電路的工作電源并通過第十電容ClO接地，第三穩(wěn)壓芯片U3的4腳通過第九電容C9 接地。本實用新型的工作過程在低頻RFID手持機關機狀態(tài)，MOSFET管U2柵極通過第 五電阻R5被拉為高電平，維持關斷狀態(tài)，切斷外部鋰電池和后級電路的聯(lián)系；當輕觸按鍵 Sl被按下時，外部鋰電池正電壓通過輕觸開關Si、第一二極管D1、第六電阻R6施加到三極 管Ql基極，三極管Ql進入導通狀態(tài)，將MOSFET開關管U2柵極電平拉低，導致MOSFET開關 管U2導通，外部鋰電池電壓通過穩(wěn)壓芯片U3輸出穩(wěn)定的3. 3V電壓作為微處理器電路的 工作電源。微處理器Ul的22腳為讀鍵Readjfey節(jié)點，23腳為系統(tǒng)電源啟動SYSPower_ Enable節(jié)點。微處理器Ul通過檢測Readjfey節(jié)點的電平狀態(tài)來檢測輕觸按鍵Sl是否被持續(xù)按下，當ReadJfey節(jié)點為高電平即表示輕觸按鍵Sl被持續(xù)按下，當Readjfey節(jié)點為 低電平即表示輕觸按鍵Sl被松開。微處理器電路得到3. 3V的工作電源以后，完成處理器的I/O 口與內(nèi)部定時器的初 始化，并將SYSPoWer_Enable節(jié)點設置為低電平。當輕觸開關Sl被按下的時間小于3秒時，松開輕觸開關Sl后由于此時SYSPower_ Enable節(jié)點為低電平，Read_Key節(jié)點也為低電平，三極管Ql處于截止狀態(tài)，MOSFET管U2 因為柵極被第五電阻R5拉為高電平而處于截止狀態(tài)，外部鋰電池和后級負載無聯(lián)系，低頻 RFID手持機處于關機狀態(tài)。當輕觸開關Sl被按下的時間大于等于3秒時，微處理器Ul將SYSPoWer_E nable 節(jié)點設置為高電平，高電平通過第二二極管D2偏置到三極管Ql的基極，使三極管Ql維持 導通狀態(tài)，從而使MOSFET管U2因為柵極被拉為低電平而處于導通狀態(tài)，MOSFET管U2的導 通和截止受控于微處理器電路，而不受輕觸開關Sl的控制，這樣雖然輕觸開關Sl被松開， 但低頻RFID手持機仍處于開機狀態(tài)。當?shù)皖lRFID手持機處于開機狀態(tài)時，微處理器Ul檢測到輕觸按鍵Sl被按下的時 間大于0. 2秒小于3秒時，維持SYSPoWer_Enable節(jié)點為高電平，低頻RFID手持機仍然處 于開機狀態(tài)。同時判斷按鍵動作為讀卡命令，微處理器Ul執(zhí)行讀卡動作。當?shù)皖lRFID手持機處于開機狀態(tài)時，微處理器Ul檢測到輕觸按鍵Sl被按下的時 間大于3秒時，將SYSPoWer_Enable節(jié)點設置為低電平，當輕觸開關Sl被松開時，第一二極 管Dl處于截止狀態(tài)，第二二極管D2也處于截止狀態(tài)，三極管Ql的基極無偏置電壓，三極管 Ql處于截止狀態(tài)，從而使MOSFET管U2因為柵極被第五電阻R5拉為高電平而處于截止狀 態(tài)，外部鋰電池和后級負載無聯(lián)系，低頻RFID手持機處于關機狀態(tài)。本實用新型通過控制整機電源供給電路的電子開關，重新設計讀卡按鍵電路，并 將讀卡按鍵和開關機按鍵功能進行復用，很好地解決了低頻手持機無法完全斷電的問題， 并且不需要使用常閉常開的機械按鍵。
權利要求一種低頻射頻識別手持機，其特征在于所述低頻射頻識別手持機設置有開機、關機和讀卡按鍵復用電路，開機、關機、讀卡按鍵復用電路設有鋰電池、按鍵電路、開關管、開關管控制電路、開關管偏置電路、線性穩(wěn)壓電路和微處理器電路；所述鋰電池通過開關管和線性穩(wěn)壓電路給微處理器電路供電；所述鋰電池正電壓通過按鍵電路、開關管偏置電路、開關管控制電路使開關管導通；微處理器電路通過開關管偏置電路、開關管控制電路控制開關管的導通與截止。
2.根據(jù)權利要求1所述的低頻射頻識別手持機，其特征在于所述微處理器采用 C8051F023。
3.根據(jù)權利要求2所述的低頻射頻識別手持機，其特征在于所述開關管采用金 屬_氧化層_半導體_場效晶體管。
4.根據(jù)權利要求3所述的低頻射頻識別手持機，其特征在于所述金屬_氧化層_半 導體_場效晶體管采用Si6467。
5.根據(jù)權利要求4所述的低頻射頻識別手持機，其特征在于所述開關管控制電路采 用三極管。
6.根據(jù)權利要求5所述的低頻射頻識別手持機，其特征在于所述三極管采用BC857。
7 根據(jù)權利要求6所述的低頻射頻識別手持機，其特征在于所述線性穩(wěn)壓電路采用 穩(wěn)壓芯片SE5509-3.3，開關管偏置電路采用兩個二極管IN4148，按鍵電路采用輕觸開關 TS-1187。
8.根據(jù)權利要求7所述的低頻射頻識別手持機，其特征在于所述鋰電池正極連接 到開關管(U2)的源極和輕觸開關(Si) —端，開關管(U2)的源極和柵極間接有第五電阻 (R5)，輕觸開關(Si)的另一端分別與微處理器(Ul)的22腳、第八電阻(R8)、第一二極管 (Dl)的正極相連，第八電阻(R8)另一端接地，第一二極管(Dl)的負極通過第六電阻(R6) 接到三極管(Ql)的基極，微處理器(Ul)的23腳接第二二極管(D2)的正極并通過第七電 阻(R7)接地，第二二極管(D2)負極與第一二極管(Dl)負極相連并通過第十一電容(Cll) 接地，三極管(Ql)的發(fā)射極接地，集電極接開關管(U2)的柵極，開關管(U2)的漏極接穩(wěn)壓 芯片(U3)的1、3腳并通過第四電阻(R4)接地，第三穩(wěn)壓芯片(U3)的2腳接地，5腳輸出 3. 3V的電壓作為微處理器電路的工作電源并通過第十電容(ClO)接地，穩(wěn)壓芯片(U3)的4 腳通過第九電容(C9)接地。
專利摘要本實用新型公開了一種低頻射頻識別手持機，要解決的技術問題是降低射頻識別手持機的耗電。本實用新型設置有鋰電池、按鍵電路、開關管、開關管控制電路、開關管偏置電路、線性穩(wěn)壓電路和微處理器電路，鋰電池通過開關管和線性穩(wěn)壓電路給微處理器電路供電，鋰電池正電壓通過按鍵電路、開關管偏置電路、開關管控制電路使開關管導通，微處理器電路通過開關管偏置電路、開關管控制電路控制開關管的導通與截止。本實用新型與現(xiàn)有技術相比，采用對輕觸按鍵的功能復用，實現(xiàn)了讀卡、開機、關機三個功能，減小了低頻RFID手持機的體積，切斷外部電源和后級電路的聯(lián)系，可以自動關閉電源，減少了低頻射頻識別手持機的靜態(tài)功耗，延長了其待機的時間。
文檔編號G06K7/08GK201576290SQ200920260468
公開日2010年9月8日 申請日期2009年11月18日 優(yōu)先權日2009年11月18日
發(fā)明者羅雄劍 申請人:深圳市遠望谷信息技術股份有限公司