專(zhuān)利名稱(chēng)：橋接式電極的布設(shè)方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種電極的布設(shè)方法與其結(jié)構(gòu)，特別是利用特殊的光罩于絕緣單元形成橋接式溝槽，使得設(shè)置于該橋接式溝槽的導(dǎo)線不易因后續(xù)制程造成整體良率不佳的橋接式電極的布設(shè)方法與其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
已知技術(shù)，在電容式觸控面板的制程中，是于基板上形成兩個(gè)不同軸向的電極，并且在其中的一軸向的電極上再次形成絕緣層，用以提供另一軸向的電極通過(guò)該絕緣層上所設(shè)置的金屬導(dǎo)線進(jìn)行電連接。然而，由于傳統(tǒng)上設(shè)置于絕緣層上的金屬導(dǎo)線有可能因?yàn)樵诤罄m(xù)的制程中，造成該金屬導(dǎo)線的損壞，使得無(wú)法導(dǎo)通，進(jìn)而造成電容式觸控面板制作良率的下降。此外，一般工廠在光罩設(shè)計(jì)上，生產(chǎn)光罩的圖形線寬與所需成型線路的圖形線寬是相同，并無(wú)法有效克服上述所產(chǎn)生的問(wèn)題，且在顯影后，其光阻殘留嚴(yán)重、顯影不完全與過(guò)度顯影等現(xiàn)象亦會(huì)同時(shí)存在，再經(jīng)蝕刻后很容易造成外觀不良(線路邊緣形成鋸齒狀或波浪狀)或電性不良(可靠度測(cè)試異常)。故有必要提供一種新的結(jié)構(gòu)，用以有效率地提升該電容式觸控板的良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的是提供一種橋接式電極的布設(shè)方法，通過(guò)具有半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣的光罩，以形成橋接式溝槽，用以達(dá)成在制程過(guò)程所造成對(duì)設(shè)置于該橋接式溝槽上導(dǎo)線的破壞。本發(fā)明的另一目的是提供一種橋接式電極結(jié)構(gòu)，具有橋接式絕緣單元以進(jìn)行電極之間的電連接，并用以使得連接該等電極的導(dǎo)線設(shè)置于低于該橋接絕緣單元的高度的橋接式溝槽中。本發(fā)明的再一目的是提供一種橋接式電極結(jié)構(gòu)，可通過(guò)調(diào)整曝光用的光能量及/ 或配合光學(xué)補(bǔ)償式光罩，使得該光能量與該光學(xué)補(bǔ)償式光罩彼此之間的產(chǎn)生相互作用，用以補(bǔ)償該等電導(dǎo)線，例如補(bǔ)償關(guān)鍵尺寸損失(CriticalDimension Loss)。為達(dá)上述目的及其它目的，本發(fā)明提供一種橋接式電極的布設(shè)方法，其方法步驟包含形成一透明導(dǎo)電層于該基板上，且該透明導(dǎo)電層具有多個(gè)圖樣區(qū)塊彼此相鄰設(shè)置； 形成一配向膜層于該基板上，且該配向膜層具有多個(gè)橋接式溝槽用以橫跨在該等圖樣區(qū)塊之間；形成一導(dǎo)電層于該基板上，且該導(dǎo)電層具有多個(gè)電導(dǎo)線分別對(duì)應(yīng)設(shè)置于該等橋接式溝槽上，而該導(dǎo)電層的該等電導(dǎo)線是通過(guò)一光學(xué)補(bǔ)償式光罩，配合過(guò)度曝光或者過(guò)度顯影的至少其一所形成；以及形成一保護(hù)層于該基板上，用以增加光學(xué)透光率，以及保護(hù)該基板、該透明導(dǎo)電層、該配向膜層與該導(dǎo)電層。為達(dá)上述目的及其它目的，本發(fā)明提供一種橋接式電極結(jié)構(gòu)，用于一電容式觸控板，其包含基板、多個(gè)第一電極區(qū)塊、多個(gè)第二電極區(qū)塊與橋接絕緣單元。該等第一電極區(qū)塊，被設(shè)置于該基板且通過(guò)一第一導(dǎo)線進(jìn)行串聯(lián)電連接。該等第二電極區(qū)塊，被設(shè)置于該基板且該等第二電極區(qū)塊被分別地設(shè)置于該第一導(dǎo)線的兩側(cè)。該橋接絕緣單元是垂直地設(shè)置于該第一導(dǎo)線上，且該橋接絕緣單元具有橋接式溝槽。其中，該等第二電極區(qū)塊通過(guò)一第二導(dǎo)線通過(guò)該橋接式溝槽進(jìn)行串聯(lián)電連接。為達(dá)上述目的及其它目的，本發(fā)明提供一種橋接式電極結(jié)構(gòu)，其包含基板層、透明導(dǎo)電層、配向膜層與導(dǎo)電層。該透明導(dǎo)電層被設(shè)置于該基板至少一側(cè)。該配向膜層被設(shè)置于該基板層與該透明導(dǎo)電層的一側(cè)。該導(dǎo)電層是鄰接設(shè)置于該配向膜層的一側(cè)。此外，該橋接式電極結(jié)構(gòu)還包含在該橋接式電極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)設(shè)置一保護(hù)層，其中該保護(hù)層為有機(jī)物層、光阻物層、抗反射層、抗眩光層或上述的組合。與已知技術(shù)相較，本發(fā)明的橋接式電極的布設(shè)方法及其結(jié)構(gòu)，是通過(guò)具有半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣的光罩所形成于橋接絕緣單元的橋接式溝槽，使得在進(jìn)行電極間彼此連接時(shí)，除可提供于一基板上同時(shí)具有兩個(gè)方向的電極彼此絕緣而可分別地進(jìn)行電連接外，再通過(guò)該橋接式溝槽是低于該橋接絕緣單元高度的結(jié)構(gòu)，可有效地提高制程良率，其中，特別是可通過(guò)調(diào)整曝光用的光能量及/或配合光學(xué)補(bǔ)償式光罩，使得該光能量與該光學(xué)補(bǔ)償式光罩彼此之間產(chǎn)生相互作用，用以補(bǔ)償該等電導(dǎo)線。


圖1至5為一實(shí)施例中的橋接式電極的布設(shè)方法的流程示意圖；圖6a至6c為光學(xué)補(bǔ)償式光罩上的圖樣示意圖；圖7a至7d為一實(shí)施例中的橋接式電極結(jié)構(gòu)的示意圖；以及圖8a至8b為一實(shí)施例中的橋接式電極結(jié)構(gòu)的垂直剖面示意圖。[主要元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明]10基板
12第一電極區(qū)塊
14第二電極區(qū)塊
16橋接絕緣單元
18第一導(dǎo)線
20橋接式溝槽
22第二導(dǎo)線
PL保護(hù)層
ECL透明導(dǎo)電層
SL基板層
PI配向膜層
CL導(dǎo)電層
具體實(shí)施例方式為充分了解本發(fā)明的目的、特征及功效，茲通過(guò)下述具體的實(shí)施例，并配合所附的圖式，對(duì)本發(fā)明做一詳細(xì)說(shuō)明，說(shuō)明如后參考圖1至5，為本發(fā)明在一實(shí)施例中橋接式電極布設(shè)方法的流程示意圖。于圖1中，橋接式電極的布設(shè)方法的步驟起始于步驟Sl提供基板；接著步驟S2，形成一透明導(dǎo)電層于該基板上，且該透明導(dǎo)電層具有多個(gè)圖樣區(qū)塊彼此相鄰設(shè)置；又接著步驟S3，形成一配向膜層于該基板上，且該配向膜層具有多個(gè)橋接式溝槽用以橫跨在該等圖樣區(qū)塊的間； 再接著步驟S4，形成一導(dǎo)電層于該基板上，且該導(dǎo)電層具有多個(gè)電導(dǎo)線分別對(duì)應(yīng)設(shè)置于該等橋接式溝槽上，而該導(dǎo)電層的該等電導(dǎo)線是通過(guò)光學(xué)補(bǔ)償式光罩，配合過(guò)度曝光或者過(guò)度顯影的至少其一所形成；而于再一步驟S5，形成保護(hù)層于該基板上，用以增加光學(xué)透光率，以及保護(hù)該基板、該透明導(dǎo)電層、該配向膜層與該導(dǎo)電層。再者，圖2為上述步驟S2的更詳細(xì)的步驟，故該透明導(dǎo)電層形成的步驟還包含，起始于步驟S2-1，濺鍍導(dǎo)電薄膜(ITO)于該基板上；接著步驟S2-2，涂覆光阻于該基板上；接著步驟S2-3，提供具有對(duì)應(yīng)該等圖樣區(qū)塊的光罩，且通過(guò)該光罩將該等圖樣區(qū)塊曝光形成于該光阻上；而接著步驟S2-4，顯影、蝕刻與剝膜該等圖樣區(qū)塊，用以形成具有彼此相鄰的該等圖樣區(qū)塊。圖3為上述步驟S3的更詳細(xì)的步驟，故該配向膜層形成的步驟還包含，起始于步驟S3-1，涂覆一光阻于該基板上；接著步驟S3-2，提供具有一半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)(Half tone)圖樣的一光罩，且通過(guò)該光罩用以將該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣曝光于該光阻上；接著步驟S3-3，顯影該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣于該光阻上，用以形成具有橫跨在該等圖樣區(qū)塊之間的該等橋接式溝槽；以及接著步驟S3-4，烘烤該光阻。此外，該光罩的該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣形成步驟包含提供于該光罩的表面的一不透光區(qū)域的線徑大于該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣的線徑(如圖6a所示)或形成多個(gè)孔洞(例如該等孔洞可為圓形、矩形或任意形狀)，且平均地設(shè)置于該光罩的表面 (如圖6b、6c所示)，以及經(jīng)由曝光時(shí)光線對(duì)于該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣所造成的干涉與繞射作用，使得該橋接式溝槽的光阻在顯影后該橋接式溝槽低于該橋接絕緣單元的高度(如圖7d 所示)。圖4為上述步驟S4的更詳細(xì)的步驟，故該導(dǎo)電層形成的步驟還包含，起始于步驟S4-1，濺鍍一導(dǎo)電材料于該基板上；接著步驟S4-2，涂覆一光阻于該基板上；再接著步驟S4-3，提供具有該光學(xué)補(bǔ)償式光罩，且通過(guò)該光學(xué)補(bǔ)償式光罩將對(duì)應(yīng)該等電導(dǎo)線的一電導(dǎo)線圖樣過(guò)度曝光于該光阻上；而接著步驟S4-4，顯影該電導(dǎo)線圖樣，用以形成具有彼此相鄰的該等圖樣區(qū)塊，且該電導(dǎo)線圖樣是利用過(guò)度曝光與過(guò)度顯影而產(chǎn)生。此外，導(dǎo)電層步驟還可再包含調(diào)整曝光用的一光能量，且配合該光學(xué)補(bǔ)償式光罩，使得該光能量與該光學(xué)補(bǔ)償式光罩彼此之間產(chǎn)生相互作用，用以補(bǔ)償該等電導(dǎo)線的關(guān)鍵尺寸損失(Critical Dimension Loss)，例如該光學(xué)補(bǔ)償式光罩所產(chǎn)生的圖樣可如圖7a與7b中粗黑線的電導(dǎo)線圖樣所示，其中圖7a是表示該光學(xué)補(bǔ)償式光罩產(chǎn)生具有等線徑寬度的電導(dǎo)線；而圖7b是表示該光學(xué)補(bǔ)償式光罩產(chǎn)生具有非等線徑寬度的電導(dǎo)線，且特別在電導(dǎo)線的兩端具有較寬的線徑。圖5為上述步驟S5的更詳細(xì)的步驟，故該保護(hù)層形成的步驟還包含，起始于步驟 S5-1，涂覆一光阻或一有機(jī)物的至少其一于該基板上；接著步驟S5-2，烘烤該光阻或該有機(jī)物，以形成一硬式保護(hù)膜。此外，于另一實(shí)施例中，若該保護(hù)層是非用于該基板的全部面積時(shí)，則可再步驟S5-1之后再包含提供具有一保護(hù)區(qū)域圖樣的一光罩，且通過(guò)該光罩將該保護(hù)區(qū)域圖樣曝光于該光阻或該有機(jī)物上，以及顯影位于該光阻或該有機(jī)物上的該保護(hù)區(qū)域圖樣；接著步驟S5-2，烘烤該光阻或該有機(jī)物，以形成一硬式保護(hù)膜。
參考圖7c至7d，是本發(fā)明于一實(shí)施例中的橋接式電極結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7c提供一種橋接式電極結(jié)構(gòu)，用于一電容式觸控板，其包含基板10、多個(gè)第一電極區(qū)塊12、多個(gè)第二電極區(qū)塊14與橋接絕緣單元16。該基板10的材質(zhì)可為玻璃材質(zhì)，亦即玻璃基板。該等第一電極區(qū)塊12，被設(shè)置于該基板10且通過(guò)一第一導(dǎo)線18進(jìn)行串聯(lián)電連接。該等第二電極區(qū)塊14，被設(shè)置于該基板10且該等第二電極區(qū)塊14被分別地設(shè)置于該第一導(dǎo)線18的兩側(cè)。該橋接絕緣單元16被垂直地設(shè)置于該第一導(dǎo)線18上，且該橋接絕緣單元16具有橋接式溝槽20，如圖7d所示。其中，該等第二電極區(qū)塊14通過(guò)一第二導(dǎo)線22通過(guò)該橋接絕緣單元16進(jìn)行串聯(lián)電連接。其中，該第一電極區(qū)塊12、該第二電極區(qū)塊14、該第一導(dǎo)線 18與該第二導(dǎo)線22是選自于透明或非透明的導(dǎo)電材質(zhì)，例如ITOandium tin oxide) 0再者，該第一導(dǎo)線18與該第二導(dǎo)線22是鉬(MO)-鋁(AL)-鉬(MO)的結(jié)構(gòu)。此外，該橋接式電極結(jié)構(gòu)還包含至少一保護(hù)層，設(shè)置于該橋接式電極結(jié)構(gòu)的一側(cè)、另一側(cè)或兩側(cè)，圖上未顯示，而該保護(hù)層為一有機(jī)物或一光阻所形成，例如光阻的材質(zhì)為二氧化硅(Si02)。參考圖8a至8b，為本發(fā)明于一實(shí)施例中的橋接式電極結(jié)構(gòu)的垂直剖面示意圖。于本實(shí)施例中，橋接式電極結(jié)構(gòu)用于一電容式觸控板，其包含基板層SL、透明導(dǎo)電層ECL、配向膜層PI與導(dǎo)電層CL。該透明導(dǎo)電層ECL被設(shè)置于該基板層SL至少一側(cè)。該配向膜層 PI被設(shè)置于該基板層SL與該透明導(dǎo)電層ECL的一側(cè)。該導(dǎo)電層CL是鄰接設(shè)置于該配向膜層PI的一側(cè)，且該導(dǎo)電層CL可為系鉬(MO)-鋁(AL)-鉬(MO)的結(jié)構(gòu)。此外，在該橋接式電極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)設(shè)置一保護(hù)層PL，且該保護(hù)層PL可為有機(jī)物層、光阻物層、抗反射層 (anti-reflection ;AR)、抗眩光層(anti-glare ;AG)或上述的組合。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)可以了解到，該保護(hù)層PL亦可忽略，而各層的排列制程順序亦可隨需求改變。與已知技術(shù)相較，本發(fā)明的橋接式電極的布設(shè)方法及其結(jié)構(gòu)，是通過(guò)具有半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣的光罩所形成于橋接絕緣單元的橋接式溝槽，使得在進(jìn)行電極間彼此連接時(shí)，除可提供于一基板上同時(shí)具有兩個(gè)方向的電極彼此絕緣而可分別進(jìn)行電連接外，再通過(guò)該橋接式溝槽是低于該橋接絕緣單元的高度的結(jié)構(gòu)，可有效地提高制程良率。本發(fā)明在上文中已以較佳實(shí)施例揭露，然本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，該實(shí)施例僅用于描繪本發(fā)明，而不應(yīng)解讀為限制本發(fā)明的范圍。應(yīng)注意的是，舉凡與該實(shí)施例等效的變化與置換，均應(yīng)設(shè)為涵蓋于本發(fā)明的范疇內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以上文的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種橋接式電極的布設(shè)方法，其包含 提供一基板；形成一透明導(dǎo)電層于該基板上，且該透明導(dǎo)電層具有多個(gè)圖樣區(qū)塊彼此相鄰設(shè)置； 形成一配向膜層于該基板上，且該配向膜層具有多個(gè)橋接式溝槽用以橫跨在該多個(gè)圖樣區(qū)塊之間；形成一導(dǎo)電層于該基板上，且該導(dǎo)電層具有多個(gè)電導(dǎo)線分別對(duì)應(yīng)設(shè)置于該多個(gè)橋接式溝槽上，而該導(dǎo)電層的該多個(gè)電導(dǎo)線是通過(guò)一光學(xué)補(bǔ)償式光罩，配合過(guò)度曝光或者過(guò)度顯影的至少其一所形成；以及形成一保護(hù)層于該基板上，用以增加光學(xué)透光率，以及保護(hù)該基板、該透明導(dǎo)電層、該配向膜層與該導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的布設(shè)方法，其該透明導(dǎo)電層形成的步驟還包含 濺鍍一導(dǎo)電薄膜于該基板上；涂覆一光阻于該基板上；提供具有對(duì)應(yīng)該多個(gè)圖樣區(qū)塊的一光罩，且通過(guò)該光罩將該多個(gè)圖樣區(qū)塊曝光形成于該光阻上；以及顯影、蝕刻與剝膜該等圖樣區(qū)塊，用以形成具有彼此相鄰的該等圖樣區(qū)塊。
3.如權(quán)利要求2所述的布設(shè)方法，其該配向膜層形成的步驟還包含 涂覆一光阻于該基板上；提供具有一半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣的一光罩，且通過(guò)該光罩用以將該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣曝光于該光阻上；顯影該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣于該光阻上，用以形成具有橫跨在該多個(gè)圖樣區(qū)塊之間的該多個(gè)橋接式溝槽；以及烘烤該光阻。
4.如權(quán)利要求3所述的布設(shè)方法，其該導(dǎo)電層形成的步驟還包含 濺鍍一導(dǎo)電材料于該基板上；涂覆一光阻于該基板上；提供具有該光學(xué)補(bǔ)償式光罩，且通過(guò)該光學(xué)補(bǔ)償式光罩將對(duì)應(yīng)該等電導(dǎo)線的一電導(dǎo)線圖樣過(guò)度曝光于該光阻上；以及顯影該電導(dǎo)線圖樣，用以形成具有彼此相鄰的該多個(gè)圖樣區(qū)塊，且該電導(dǎo)線圖樣是利用過(guò)度顯影而產(chǎn)生。
5.如權(quán)利要求4所述的布設(shè)方法，其該保護(hù)層形成的步驟還包含 涂覆一光阻或一有機(jī)物的至少其一于該基板上；以及烘烤該光阻或該有機(jī)物，以形成一硬式保護(hù)膜。
6.如權(quán)利要求5所述的布設(shè)方法，其該保護(hù)層形成的步驟包含提供具有一保護(hù)區(qū)域圖樣的一光罩，且通過(guò)該光罩將該保護(hù)區(qū)域圖樣曝光于該光阻或該有機(jī)物上；以及顯影位于該光阻或該有機(jī)物上的該保護(hù)區(qū)域圖樣。
7.如權(quán)利要求3所述的布設(shè)方法，其中該光罩的該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣形成步驟包含 提供該光罩表面的一不透光區(qū)域的線徑大于該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣的線徑。
8.如權(quán)利要求3所述的布設(shè)方法，其中該光罩的該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣形成步驟包含 形成多個(gè)孔洞且平均地設(shè)置于該光罩的表面。
9.如權(quán)利要求3所述的布設(shè)方法，其中該光罩的該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣形成步驟包含經(jīng)由曝光時(shí)光線對(duì)于該半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)圖樣所造成的干涉與繞射作用，使得該橋接式溝槽的光阻在顯影后，該橋接式溝槽低于該橋接絕緣單元的高度。
10.如權(quán)利要求4所述的布設(shè)方法，其中導(dǎo)電層步驟還包含調(diào)整曝光用的一光能量，且配合該光學(xué)補(bǔ)償式光罩，使得該光能量與該光學(xué)補(bǔ)償式光罩彼此之間產(chǎn)生相互作用，用以補(bǔ)償該等電導(dǎo)線的關(guān)鍵尺寸損失。
11.一種橋接式電極結(jié)構(gòu)，用于一電容式觸控板，其包含 一基板；多個(gè)第一電極區(qū)塊，被設(shè)置于該基板且通過(guò)一第一導(dǎo)線進(jìn)行串聯(lián)電連接； 多個(gè)第二電極區(qū)塊，被設(shè)置于該基板且該多個(gè)第二電極區(qū)塊被分別地設(shè)置于該第一導(dǎo)線的兩側(cè)；以及一橋接絕緣單元，被垂直地設(shè)置于該第一導(dǎo)線上，且該橋接絕緣單元具有一橋接式溝槽；其中該多個(gè)第二電極區(qū)塊是通過(guò)具有一第二導(dǎo)線的該橋接絕緣單元進(jìn)行串聯(lián)電連接。
12.如權(quán)利要求11所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，其中該第一電極區(qū)塊、該第二電極區(qū)塊、該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線是選自于透明或非透明的導(dǎo)電材質(zhì)。
13.如權(quán)利要求12所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，其中該基板為一玻璃基板。
14.如權(quán)利要求11所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線是鉬MO-鋁 AL-鉬MO的結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求11所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，還包含 至少一保護(hù)層設(shè)置于該橋接式電極結(jié)構(gòu)的一側(cè)。
16.如權(quán)利要求15所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，還包含 至少一該保護(hù)層設(shè)置于該橋接式電極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)。
17.如權(quán)利要求15或16所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)層為一有機(jī)物或一光阻所形成。
18.如權(quán)利要求17所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，其中該光阻的材質(zhì)為二氧化硅Si02。
19.一種橋接式電極結(jié)構(gòu)，用于一電容式觸控板，其包含一基板層；一透明導(dǎo)電層，被設(shè)置于該基板層至少一側(cè)；一配向膜層，被設(shè)置于該基板層與該透明導(dǎo)電層的一側(cè)；以及一導(dǎo)電層，被鄰接設(shè)置于該配向膜層的一側(cè)。
20.如權(quán)利要求19所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，還包含在該橋接式電極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)設(shè)置一保護(hù)層。
21.如權(quán)利要求20所述的橋接式電極結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)層為有機(jī)物層、光阻物層、抗反射層、抗眩光層或上述的組合。
全文摘要
一種橋接式電極的布設(shè)方法及其結(jié)構(gòu)，其中橋接式電極的布設(shè)方法的步驟包含提供基板；形成一透明導(dǎo)電層于該基板上，且該透明導(dǎo)電層具有多個(gè)圖樣區(qū)塊彼此相鄰設(shè)置；形成一配向膜層于該基板上，且該配向膜層具有多個(gè)橋接式溝槽用以橫跨在該多個(gè)圖樣區(qū)塊之間；形成一導(dǎo)電層于該基板上，且該導(dǎo)電層具有多個(gè)電導(dǎo)線分別對(duì)應(yīng)設(shè)置于該多個(gè)橋接式溝槽上，而該導(dǎo)電層的該多個(gè)電導(dǎo)線是通過(guò)一光學(xué)補(bǔ)償式光罩，配合過(guò)度曝光或者過(guò)度顯影的至少其一所形成；以及形成一保護(hù)層于該基板上，用以增加光學(xué)透光率，及保護(hù)該基板、該透明導(dǎo)電層、該配向膜層與該導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102169395SQ201010126220
公開(kāi)日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2010年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日
發(fā)明者范莉立 申請(qǐng)人:范莉立