專利名稱：制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，屬于觸控面板制程技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
若是觸控面板的加工方式是采取逐層貼合的工序，容易造成貼合對(duì)位不精確，而 且增加觸控面板的厚度和重量，降低觸控產(chǎn)品的透光度及觸控敏感度，產(chǎn)品品質(zhì)很難得到 很大提升。加工透明導(dǎo)電材料時(shí)，因?yàn)槌尚蜗鄳?yīng)的感應(yīng)線圖案需要蝕刻掉大量透明導(dǎo)電材 料，造成大量的蝕刻廢液，環(huán)境污染嚴(yán)重；而且觸控面板的色差大，蝕刻痕跡明顯。本發(fā)明通過(guò)采用光阻工藝可以對(duì)觸控面板的不同深度層面進(jìn)行光阻蝕刻得到相 應(yīng)的圖案；再來(lái)電鍍金屬導(dǎo)電材料，在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走 線，操作簡(jiǎn)單可以降低制造成本。因此，電鍍工藝與光阻工藝的有機(jī)結(jié)合可以省去復(fù)雜的貼 合工序來(lái)加工觸控面板，從而有效降低觸控面板的厚度和重量，提高透光度和觸控敏感度。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明使用光阻技術(shù)對(duì)透明導(dǎo)電材料蝕刻形成網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域來(lái) 降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環(huán)保；再來(lái)電鍍金屬導(dǎo)電材料，在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻 膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線，操作簡(jiǎn)單可以降低制造成本。技術(shù)方案本發(fā)明公開(kāi)一種制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，包括如下步驟在無(wú) 塵干燥條件下進(jìn)行；步驟一對(duì)透明導(dǎo)電材料老化結(jié)晶；步驟二 曝光蝕刻老化結(jié)晶透明導(dǎo)電材料，在溫度40攝氏度狀態(tài)下，用鹽酸對(duì)透 明導(dǎo)電材料蝕刻，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟三在步驟二中透明導(dǎo)電材料表面電鍍金屬導(dǎo)電材料；步驟四在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；其中，在室溫 狀態(tài)下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導(dǎo)電材料得到金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導(dǎo)電材料上。上述步驟二中鹽酸的摩爾濃度范圍值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之間；步驟四中硫 酸雙氧水混合液的摩爾濃度值是1M0L/L。步驟二中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個(gè)方塊 蝕刻邊長(zhǎng)0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟四中光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米 之間。蝕刻反應(yīng)時(shí)間為30秒鐘到60秒鐘。金屬導(dǎo)電材料是銅；透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫。 步驟五中透明光學(xué)膠的厚度范圍值在50微米到100微米之間。最后各線路圖案成形后用 光阻劑清除殘余光阻膜，提高產(chǎn)品外觀品質(zhì)。有益效果本發(fā)明公開(kāi)了制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，通過(guò)采用光阻工藝可 以對(duì)觸控面板的不同深度層面進(jìn)行光阻蝕刻得到相應(yīng)的圖案，使用光阻技術(shù)對(duì)透明導(dǎo)電材 料蝕刻形成網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域來(lái)降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環(huán)保；再來(lái)電鍍金屬 導(dǎo)電材料，在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線，操作簡(jiǎn)單可以降低制造成本。電鍍工藝與光阻工藝的有機(jī)結(jié)合可以省去復(fù)雜的貼合工序來(lái)加工觸控面板，從而 有效降低觸控產(chǎn)品的厚度重量，提高透光度和觸控敏感度。


圖1是本發(fā)明的局部結(jié)構(gòu)圖案示意框圖。圖2是本發(fā)明的局部網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域示意框圖。圖3是本發(fā)明的制作流程示意框圖。
具體實(shí)施例方式下面是本發(fā)明的具體實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步描述圖3所示，本發(fā)明公開(kāi)一種制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，包括如下步驟在無(wú) 塵干燥條件下進(jìn)行；步驟一對(duì)透明導(dǎo)電材料老化結(jié)晶；步驟二 曝光蝕刻老化結(jié)晶透明導(dǎo)電材料，在溫度40攝氏度狀態(tài)下，用鹽酸對(duì)透 明導(dǎo)電材料蝕刻，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟三在步驟二中透明導(dǎo)電材料表面電鍍金屬導(dǎo)電材料；步驟四在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；其中，在室溫 狀態(tài)下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導(dǎo)電材料得到金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導(dǎo)電材料上。上述步驟二中鹽酸的摩爾濃度范圍值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之間；步驟四中硫 酸雙氧水混合液的摩爾濃度值是1M0L/L。步驟二中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個(gè)方塊 蝕刻邊長(zhǎng)0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟四中光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米 之間。蝕刻反應(yīng)時(shí)間為30秒鐘到60秒鐘。金屬導(dǎo)電材料是銅；透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫。 步驟五中透明光學(xué)膠的厚度范圍值在50微米到100微米之間。實(shí)施例1 銘板層的厚度是0. 7毫米；金屬導(dǎo)電材料的厚度是0. 04微米；透明導(dǎo)電材料的厚 度是0. 045毫米；基板層的厚度是50微米，基板層是聚碳酸樹(shù)脂。制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，包括如下步驟在無(wú)塵干燥條件下進(jìn)行；步驟一對(duì)透明導(dǎo)電材料老化結(jié)晶；步驟二 曝光蝕刻老化結(jié)晶透明導(dǎo)電材料，在溫度40攝氏度狀態(tài)下，用鹽酸對(duì)透 明導(dǎo)電材料蝕刻，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟三在步驟二中透明導(dǎo)電材料表面電鍍金屬導(dǎo)電材料；步驟四在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；其中，在室溫 狀態(tài)下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導(dǎo)電材料得到金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導(dǎo)電材料上。上述步驟二中鹽酸的摩爾濃度是4. 1M0L/L ；步驟四中硫酸雙氧水混合液的摩爾 濃度是1. 0M0L/L。步驟二中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個(gè)方塊蝕刻邊長(zhǎng)0. 35毫米，蝕 刻線寬60微米；步驟四中光阻膜的厚度是15微米。其中，蝕刻反應(yīng)時(shí)間為30秒鐘。步驟 五中透明光學(xué)膠的厚度是50微米。
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實(shí)施例2 銘板層的厚度是1. 8毫米；金屬導(dǎo)電材料的厚度是0. 1微米；透明導(dǎo)電材料的厚 度是0. 1微米；基板層的厚度是180微米，基板層是硬化玻璃。制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，包括如下步驟在無(wú)塵干燥條件下進(jìn)行；步驟一對(duì)透明導(dǎo)電材料老化結(jié)晶；步驟二 曝光蝕刻老化結(jié)晶透明導(dǎo)電材料，在溫度40攝氏度狀態(tài)下，用鹽酸對(duì)透 明導(dǎo)電材料蝕刻，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟三在步驟二中透明導(dǎo)電材料表面電鍍金屬導(dǎo)電材料；步驟四在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；其中，在室溫 狀態(tài)下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導(dǎo)電材料得到金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導(dǎo)電材料上。上述步驟二中鹽酸的摩爾濃度是4. 5M0L/L ；步驟四中硫酸雙氧水混合液的摩爾 濃度是1. 0M0L/L。步驟二中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個(gè)方塊蝕刻邊長(zhǎng)0. 35毫米，蝕 刻線寬60微米；步驟四中光阻膜的厚度是20微米。其中，蝕刻反應(yīng)時(shí)間為60秒鐘。步驟 五中透明光學(xué)膠的厚度是100微米。實(shí)施例3 銘板層的厚度是1. 1毫米；金屬導(dǎo)電材料的厚度是0. 08微米；透明導(dǎo)電材料的厚 度是0. 07微米；基板層的厚度是125微米，基板層是聚碳酸樹(shù)脂。制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，包括如下步驟在無(wú)塵干燥條件下進(jìn)行；步驟一對(duì)透明導(dǎo)電材料老化結(jié)晶；步驟二 曝光蝕刻老化結(jié)晶透明導(dǎo)電材料，在溫度40攝氏度狀態(tài)下，用鹽酸對(duì)透 明導(dǎo)電材料蝕刻，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟三在步驟二中透明導(dǎo)電材料表面電鍍金屬導(dǎo)電材料；步驟四在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；其中，在室溫 狀態(tài)下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導(dǎo)電材料得到金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導(dǎo)電材料上。上述步驟二中鹽酸的摩爾濃度是4. 3M0L/L ；步驟四中硫酸雙氧水混合液的摩爾 濃度是1. 0M0L/L。步驟二中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個(gè)方塊蝕刻邊長(zhǎng)0. 35毫米，蝕 刻線寬60微米；步驟四中光阻膜的厚度是18微米。其中，蝕刻反應(yīng)時(shí)間為45秒鐘。步驟 五中透明光學(xué)膠的厚度是75微米。
權(quán)利要求
一種制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，包括如下步驟，其特征在于所述步驟在無(wú)塵干燥條件下進(jìn)行；步驟一對(duì)透明導(dǎo)電材料老化結(jié)晶；步驟二曝光蝕刻老化結(jié)晶透明導(dǎo)電材料，在溫度40攝氏度狀態(tài)下，用鹽酸對(duì)透明導(dǎo)電材料蝕刻，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟三在步驟二中透明導(dǎo)電材料表面電鍍金屬導(dǎo)電材料；步驟四在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；其中，在室溫狀態(tài)下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導(dǎo)電材料得到金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導(dǎo)電材料上。
2.如權(quán)利要求1所述制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，其特征在于所述步驟二中鹽 酸的摩爾濃度范圍值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之間；步驟四中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃 度值是1M0L/L。
3.如權(quán)利要求1所述制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，其特征在于所述步驟二中網(wǎng) 格圖案為方塊矩陣；其中，單個(gè)方塊蝕刻邊長(zhǎng)0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟四中光阻 膜的厚度范圍值在15微米到20微米之間。
4.如權(quán)利要求1所述制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，其特征在于所述蝕刻反應(yīng)時(shí) 間為30秒鐘到60秒鐘。
5.如權(quán)利要求1所述制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，其特征在于所述金屬導(dǎo)電材 料是銅；透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫。
6.如權(quán)利要求1所述制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，其特征在于所述步驟五中透 明光學(xué)膠的厚度范圍值在50微米到100微米之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種制造網(wǎng)格圖案型觸控面板的方法，屬于觸控面板制程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明使用光阻技術(shù)對(duì)透明導(dǎo)電材料蝕刻形成網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域來(lái)降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環(huán)保；再來(lái)電鍍金屬導(dǎo)電材料，在金屬導(dǎo)電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線，操作簡(jiǎn)單可以降低制造成本。
文檔編號(hào)G06F3/041GK101968697SQ20101025211
公開(kāi)日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2010年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月13日
發(fā)明者陳棟南 申請(qǐng)人:牧東光電(蘇州)有限公司