專利名稱：一種帶緩存的高速cf卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)存儲裝置技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種帶緩存的高速CF卡。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的發(fā)展，對數(shù)據(jù)存儲的速度和容量要求越來越高，傳統(tǒng)CF卡存 在功耗大、讀寫速度慢等特點。

發(fā)明內(nèi)容
為解決傳統(tǒng)CF卡讀寫速度低的問題，本發(fā)明提供了一種帶緩存的高速CF卡。本發(fā)明的帶緩存的高速CF卡包括CF卡、CF轉(zhuǎn)SATA橋單元、SATA接口控制單元， DDR緩存單元、FLASH存儲單元以及供電單元；CF卡與CF轉(zhuǎn)SATA橋單元、SATA接口控制單 元依次連接；SATA接口控制單元分別與DDR緩存單元、FLASH存儲單元連接；供電單元與CF 轉(zhuǎn)SATA橋單元、SATA接口控制單元、FLASH存儲單元依次連接。本發(fā)明摒棄了現(xiàn)有技術(shù)中直接采用CF卡接口的方式，讀數(shù)據(jù)時SATA接口控制單 元從FLASH存儲單元讀取數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)放入DDR緩存單元同時將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成SATA標(biāo)準(zhǔn)信號 傳輸給CF轉(zhuǎn)SATA橋單元，CF轉(zhuǎn)SATA橋單元再將信號轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)CF卡接口。在本發(fā)明中 通過SATA接口控制單元提高了 CF芯片讀寫速度，采用的DDR緩存單元可以在空閑時段預(yù) 先讀寫CF卡內(nèi)容。SATA接口控制單元采用先進的數(shù)據(jù)讀寫控制算法，對FLASH存儲單元進 行了合理的分區(qū)，在讀寫數(shù)據(jù)時能夠均勻的將數(shù)據(jù)寫入不同的分區(qū)，減少同一個存儲區(qū)域 的讀寫次數(shù)，有效提高了 FLASH存儲單元的讀寫次數(shù)，提高了 CF卡的使用壽命。本發(fā)明的 CF卡讀寫速度到100MB/s以上。本發(fā)明的帶緩存的高速CF卡具有讀寫速度快，可靠性高、抗干擾能力強、數(shù)據(jù)存 儲安全等特點，具有良好的市場應(yīng)用前景。


圖1是本發(fā)明的帶緩存的高速CF卡的電路結(jié)構(gòu)框圖。圖中，1.CF轉(zhuǎn)SATA橋單元 2. SATA接口控制單元3. FLASH存儲單元 4.DDR緩存單元 5.供電單元 6. CF卡。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進行進一步描述。圖1是本發(fā)明的帶緩存的高速CF卡的電路結(jié)構(gòu)框圖，從圖1中可以看出，本發(fā) 明的帶緩存的高速CF卡中的CF卡6與CF轉(zhuǎn)SATA橋單元1相連，CF轉(zhuǎn)SATA橋單元1與 SATA接口控制單元2和DDR緩存單元4、FLASH存儲單元3相連。供電單元5與CF卡6上 的+5VDC管腳相連，產(chǎn)生3. 3VDC、1. 8VDC電源給CF轉(zhuǎn)SATA橋單元1、SATA接口控制單元2， DDR緩存單元4和FLASH存儲單元3供電。
CF轉(zhuǎn)SATA橋單元1主要由CF轉(zhuǎn)SATA橋芯片、晶振、電阻和電容組成。主要實現(xiàn) CF總線數(shù)據(jù)、地址、控制信號與SATA總線數(shù)據(jù)、地址、控制信號的轉(zhuǎn)換，將CF卡接口轉(zhuǎn)換為 SATA標(biāo)準(zhǔn)接口，并且保留了 CF標(biāo)準(zhǔn)接口。SATA接口控制單元2主要由SATA接口控制芯片、晶振、電阻和電容組成。主要實 現(xiàn)SATA總線的地址信號的解碼、控制信號轉(zhuǎn)換以及在FLASH存儲單元的數(shù)據(jù)讀寫，采用先 進的數(shù)據(jù)讀寫控制算法，對FLASH存儲單元進行了合理的分區(qū)，在讀寫數(shù)據(jù)時能夠均勻的 將數(shù)據(jù)寫入不同的分區(qū)，減少同一個存儲區(qū)域的讀寫次數(shù)，有效提高了 FLASH存儲單元的 讀寫次數(shù)。DDR緩存單元4由DDR內(nèi)存芯片、電容組成，主要實現(xiàn)讀寫數(shù)據(jù)的緩沖，在空閑時段 預(yù)先讀寫CF卡內(nèi)容。FLASH存儲單元3主要由FLASH芯片、電阻和電容組成，主要實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲和讀出。供電單元5由電源芯片及濾波電容組成，主要完成電源濾波及各單元的供電。本發(fā)明的帶緩存的高速CF卡實施例中的CF轉(zhuǎn)SATA橋單元(1)芯片型號采用美 國marvell公司生產(chǎn)的88se61 ；SATA接口控制單元(2)芯片型號采用美國marvell公司 生產(chǎn)的88ss917。按照本發(fā)明所公布的實施例能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明，但本發(fā)明的實施不僅僅限于以上實 施方式，如通過采用其他功能類似的CF轉(zhuǎn)SATA橋芯片、SATA接口控制芯片，F(xiàn)LASH芯片以 及電源芯片替代本發(fā)明的同類裝置部分可以實現(xiàn)本發(fā)明。
權(quán)利要求
一種帶緩存的高速CF卡,其特征在于所述的帶緩存的高速CF卡包括CF卡(6)、CF轉(zhuǎn)SATA橋單元(1)、SATA接口控制單元(2)，DDR緩存單元(4)、FLASH存儲單元(3)以及供電單元(5)；CF卡(6)與CF轉(zhuǎn)SATA橋單元(1)、SATA接口控制單元(2)依次連接；SATA接口控制單元(2)分別與DDR緩存單元(4)、FLASH存儲單元(3)連接；供電單元(5)與CF轉(zhuǎn)SATA橋單元(1)、SATA接口控制單元(2)、FLASH存儲單元(3)依次連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶緩存的高速CF卡，其特征在于所述的CF轉(zhuǎn)SATA橋單 元(1)芯片采用美國marvell公司生產(chǎn)的88se61 ；SATA接口控制單元(2)芯片采用美國 marvell公司生產(chǎn)的88ss917。
全文摘要
本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，涉及一種帶緩存的高速CF卡。本發(fā)明提供一種帶緩存的高速CF卡，包括CF卡、CF轉(zhuǎn)SATA橋單元、SATA接口控制單元，DDR緩存單元、FLASH存儲單元以及供電單元。本發(fā)明的帶緩存的高速CF卡的讀寫速度能夠達到100MB/s以上，讀寫速度快，可靠性高、抗干擾能力強、數(shù)據(jù)存儲安全性能好，具有較好的市場應(yīng)用前景。
文檔編號G06K19/077GK101980258SQ20101054017
公開日2011年2月23日 申請日期2010年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月11日
發(fā)明者嚴(yán)發(fā)寶, 周建平, 周玉昆, 唐建, 官琴, 張黎, 李向天, 李文才, 梅勇, 武文斌, 王璐, 袁強, 陳偉, 陳剛 申請人:四川省綿陽西南自動化研究所