專利名稱：存儲器塊管理的制作方法
技術領域：
一般來說，本發(fā)明涉及半導體存儲器裝置、方法及系統(tǒng)，且更特定來說涉及存儲器
塊管理。
背景技術：
通常將存儲器裝置提供為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路。存在包含易失性及非易失性存儲器的許多不同類型的存儲器。易失性存儲器可需要電力來維持其數(shù)據(jù)且包含隨機存取存儲器(RAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)及同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)以及其它存儲器。非易失性存儲器可通過在不被供電時仍保持所存儲的信息而提供持久數(shù)據(jù)且可包含NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程ROM (EEPROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)及相變隨機存取存儲器(PCRAM)以及其它存儲器。存儲器裝置可組合在一起以形成固態(tài)驅動器(SSD)。固態(tài)驅動器可包含非易失性存儲器(例如，NAND快閃存儲器及NOR快閃存儲器)，且/或可包含易失性存儲器(例如， DRAM及SRAM)，還包含各種其它類型的非易失性及易失性存儲器?？墒褂肧SD來替換硬盤驅動器作為計算機的主要存儲裝置，因為所述固態(tài)驅動器可在性能、大小、重量、耐用性、操作溫度范圍及功率消耗方面具有優(yōu)于硬驅動器的優(yōu)點。舉例來說，SSD在與磁盤驅動器相比時因其缺乏移動部件而可具有優(yōu)越性能，此可避免與磁盤驅動器相關聯(lián)的尋覓時間、等待時間及其它機電延遲。SSD制造商可使用非易失性快閃存儲器來形成可不使用內部電池供應的快閃SSD，因此允許所述驅動器更通用且更小型。SSD可包含若干個存儲器裝置，例如，若干個存儲器芯片(如本文中所使用，“若干個”某物可指此些事物中的一者或一者以上，例如，若干個存儲器裝置可指一個或一個以上存儲器裝置)。所屬領域的技術人員應了解，存儲器芯片可包含若干個裸片。每一裸片上可包含若干個存儲器陣列及外圍電路。存儲器陣列可包含若干個平面，其中每一平面包含若干個物理存儲器單元塊。每一物理塊可包含可存儲若干個數(shù)據(jù)扇區(qū)的若干個存儲器單元頁。舉例來說，SSD內的存儲器塊選擇可涉及確定編程哪些物理塊(例如，向哪些物理塊寫入數(shù)據(jù))及擦除哪些物理塊，以及待以其寫入到物理塊及擦除物理塊的次序。用于SSD 中的存儲器單元可限于有限數(shù)目個寫入擦除循環(huán)，所述有限數(shù)目個寫入擦除循環(huán)可確定驅動器的壽命。因而，改善存儲器塊選擇效率及分配效率可增加SSD的壽命。


圖1是包含多個塊且可根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例操作的存儲器陣列的圖示。圖2是圖解說明具有可根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例操作的多個平面群組的若干個存儲器裝置的圖示。
圖3圖解說明存儲器塊管理的一先前方法。圖4圖解說明存儲器塊管理的另一先前方法。圖5圖解說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的存儲器塊管理。圖6圖解說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的存儲器塊管理。圖7圖解說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的存儲器塊管理。圖8A、圖8B及圖8C圖解說明具有可根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例使用的映射信息的表。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的電子存儲器系統(tǒng)的功能性框圖。
具體實施例方式本發(fā)明包含用于存儲器系統(tǒng)中的存儲器塊管理的方法及裝置。本發(fā)明的一個或一個以上實施例包含一個或一個以上存儲器裝置，所述一個或一個以上存儲器裝置具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊。一個或一個以上實施例包含確定所述平面內的有缺陷物理塊。在特定塊位置處的所述物理塊中無一物理塊被確定為有缺陷的情況下，一個或一個以上實施例包含將所述特定塊位置處的所述物理塊指派給超級塊，且在特定塊位置處的所述物理塊中的一者或一者以上被確定為有缺陷的情況下，一個或一個以上實施例包含將所述特定塊位置處未被確定為有缺陷的物理塊指派給超級塊；及針對所述特定塊位置處被確定為有缺陷的所述一個或一個以上物理塊中的每一者給所述超級塊指派相應替換物理塊。在一個或一個以上實施例中，所述相應替換物理塊選自所述平面中包含被確定為有缺陷的所述相應物理塊的相應一者內的若干個物理塊。在本發(fā)明的以下詳細說明中，參照形成本發(fā)明的一部分且其中以圖解說明方式展示可如何實踐本發(fā)明的一個或一個以上實施例的隨附圖式。充分詳細地描述這些實施例以使所屬領域的技術人員能夠實踐本發(fā)明的所述實施例，且應理解，可利用其它實施例且可在不背離本發(fā)明的范圍的情況下作出過程、電及/或結構改變。如本文中所使用，標示符 “B”、“D”、“K”、“M”、“N”、“P”、“R”、“S”及“T”(尤其涉及圖式中的參考編號)指示本發(fā)明的一個或一個以上實施例可包含如此標示的若干個特定特征。本文中的圖遵循以下編號慣例，其中第一個數(shù)位或前幾個數(shù)位對應于圖式圖編號且剩余數(shù)位識別圖式中的元件或組件。不同圖之間的類似元件或組件可通過使用類似數(shù)位來識別。舉例來說，Iio可參考圖1中的元件“10”，且類似元件在圖2中可稱為210。應了解，可添加、更換及/或消除本文中各種實施例中所示的元件以提供本發(fā)明的若干個額外實施例。另外，應了解，所述圖中所提供的元件的比例及相對標度打算圖解說明本發(fā)明的實施例且不應理解為具有限制意義。圖1是包含多個物理塊104-0(塊0)、104-1(塊1)、…、104-B(塊B)且可根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例操作的存儲器陣列102的圖示。雖然圖1中未展示，但所屬領域的技術人員應了解，存儲器陣列102可連同與其操作相關聯(lián)的各種外圍電路一起位于特定半導體裸片上。在圖1中所示的實例中，指示符“B”用于指示陣列102可包含若干個物理塊。作為一實例，陣列102中的物理塊的數(shù)目可為1 個塊、512個塊或1，024個塊，但實施例并不
7限于陣列102中的128的特定倍數(shù)或任一特定數(shù)目個物理塊。此外，實施例并不限于陣列中所使用存儲器的類型，例如非易失性、易失性等。在圖1中所圖解說明的實施例中，存儲器陣列102可為(舉例來說)NAND快閃存儲器陣列102。在此實例中，每一物理塊104-0、104_1、…、104-B包含可作為一單位一起擦除的存儲器單元，例如，每一物理塊中的單元可以大致同時的方式被擦除。舉例來說，每一物理塊中的單元可在單個操作中一起被擦除。每一物理塊(例如，104-0、104-1、···、104-Β)含有耦合到存取線(例如，字線)的若干個物理存儲器單元行(例如，106-0、106-1、'"、106-R)。 指示符“R”用于指示物理塊(例如，104-0、104-1、…、104-B)可包含若干行。在一些實施例中，每一物理塊中的行(例如，字線)的數(shù)目可為32，但實施例并不限于每物理塊特定數(shù)目的行 106-0、106-1、…、106-R。所屬領域的技術人員應了解，每一行106-0、106_1、…、106-R可存儲一個或一個以上數(shù)據(jù)頁。一頁是指編程及/或讀取單位，例如，一起編程及/或讀取或者作為功能性存儲器單元群組的若干個單元。在圖1中所示的實施例中，每一行106-0、106-1、…、106-R存儲一個數(shù)據(jù)頁。然而，本發(fā)明的實施例并不限于此。舉例來說，在本發(fā)明的一些實施例中， 每一行可存儲多個數(shù)據(jù)頁。在本發(fā)明的一個或一個以上實施例中，且如圖1中所示，與行106-0、106_1、…、 106-R相關聯(lián)的一頁可根據(jù)若干個物理數(shù)據(jù)扇區(qū)108-0、108-1、…、108-S存儲數(shù)據(jù)。指示符“S”用于指示一行(例如，106-0、106-1、*"、106-R)可包含若干個物理扇區(qū)。每一物理扇區(qū)108-0、108-1、…、108-S可對應于邏輯扇區(qū)且可包含開銷信息(例如，錯誤校正碼(ECC) 信息及邏輯塊地址(LBA)信息)以及用戶數(shù)據(jù)。所屬領域的技術人員應了解，邏輯塊尋址是通常由主機用來識別邏輯信息扇區(qū)的方案。作為一實例，邏輯扇區(qū)可存儲表示若干個數(shù)據(jù)字節(jié)(例如，256個字節(jié)、512個字節(jié)或1，OM個字節(jié))的信息。實施例并不限于這些實例。應注意，物理塊104-0、104-1、…、104-B、行 106-0、106-1、…、106-R、扇區(qū) 108-0、 108-1、…、108-S及頁的其它格式及/或配置是可能的。舉例來說，物理塊104-0、104-1、···、 104-B的行106-0、106-1、…、106-R可包含單個邏輯扇區(qū)，所述單個邏輯扇區(qū)可包含(舉例來說)多于或少于512個字節(jié)的數(shù)據(jù)。圖2是圖解說明具有可根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例操作的多個平面群組的若干個存儲器裝置的圖示。根據(jù)本文中所描述的一個或一個以上實施例，出于存儲器塊管理的目的，將物理存儲器單元塊的平面組織成群組。在一個或一個以上實施例中，群組可包含來自一個或一個以上不同存儲器陣列的若干個平面。在一個或一個以上實施例中， 對應于群組的一個或一個以上平面可來自不同存儲器裝置。圖2中所示的實施例包含四個存儲器裝置230-0、230-1、230_2及230_3。存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3的組合可稱為存儲器單元，例如，本文中結合圖9進一步描述的存儲器單元925。在一個或一個以上實施例中，存儲器裝置230-0、230-1、230-2及 230-3形成固態(tài)驅動器(SSD)的存儲器單元。存儲器裝置230-0、230-1、230_2及230-3每一者可為每芯片包含多個裸片的半導體存儲器芯片。所屬領域的技術人員應了解，特定芯片上的每一裸片可包含存儲器陣列以及與其操作相關聯(lián)的各種外圍電路(圖2中未展示)。
在圖2中所圖解說明的實施例中，每一存儲器裝置230-0、230-1、230_2及230_3 包含兩個存儲器陣列202-0及202-1 (分別展示為裸片0及裸片1)。每一存儲器陣列202-0 及202-1可為例如結合圖1所描述的陣列102的快閃存儲器陣列。舉例來說，每一存儲器陣列202-0及202-1包含多個物理存儲器單元塊，例如，圖1中所示的塊104-0、104-2、···、 104-B。所屬領域的技術人員應了解，可將陣列(例如，202-0及202-1)的物理塊組織成多個平面。舉例來說，在圖2中所圖解說明的實施例中，可將所述存儲器陣列中的每一者劃分成第一物理塊平面(平面0)及第二物理塊平面(平面1)。然而，本發(fā)明的實施例并不限于每陣列特定數(shù)目個平面。舉例來說，在各種實施例中，存儲器陣列可僅包含一個平面或可包含兩個以上平面。在一個或一個以上實施例中，且如結合圖3到圖9進一步描述，陣列(例如，202-0 及202-1)內的物理塊在所述平面內具有相關聯(lián)的塊位置。所述相關聯(lián)的位置可指示塊在其特定平面內的物理位置。在一個或一個以上實施例中，來自共同平面的物理塊不能被同時擦除，但來自不同平面的物理塊可被同時擦除。 在圖2中所圖解說明的實施例中，可將與存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3 相關聯(lián)的物理塊平面組織成兩個群組，例如，240-0(群組0)及MO-I (群組1)。在圖2中所圖解說明的實施例中，每一群組MO-O及MO-I包含來自四個存儲器陣列中的每一者的所述平面中的每一者。舉例來說，群組240-0包含四個存儲器裝置230-0、230-1、230-2及 230-3中的每一者內的陣列202-0(裸片0)的平面(平面0及平面1)。群組MO-I包含四個存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3中的每一者內的陣列202-1 (裸片1)的平面 (平面0及平面1)。實施例并不限于圖2中所示的實例。舉例來說，在一個或一個以上實施例中，群組可包含單個陣列內的平面的集合。作為一實例，一個群組可包含裝置230-0的陣列202-0 的平面0及平面1，另一群組可包含裝置230-0的陣列202-1的平面0及平面1，且另一群組可包含裝置230-1的陣列202-0的平面0及平面1。在一些實施例中，群組可包含單個存儲器裝置的不同陣列內的若干個平面。作為一實例，一個群組可包含裝置230-0的陣列202-0的平面0及陣列202-1的平面0，且另一群組可包含裝置230-0的陣列202-0的平面1及陣列202-1的平面1。作為另一實例，一個群組可包含裝置230-0的陣列202-0的平面0及平面1以及陣列202-1的平面0及平面 1，且另一群組可包含裝置230-1的陣列202-0的平面0及平面1以及陣列202-1的平面0 及平面1。在其中陣列(例如，202-0及202-1)包含多個平面的實施例中，平面的群組可在一些實施例中包含來自不同存儲器裝置的一個或一個以上陣列中的每一者的一個平面。舉例來說，參照圖2，在一個或一個以上實施例中，若干個群組中的每一者可包含來自四個相應存儲器裝置內四個存儲器陣列中的每一者的一個平面的集合。舉例來說，一個群組可包含四個存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3中的每一者內的陣列202-0 (裸片0)的平面0。第二群組可包含四個存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3中的每一者內的陣列 202-0(裸片0)的平面1。第三群組可包含四個存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3 中的每一者內的陣列202-1 (裸片1)的平面0，且第四群組可包含四個存儲器裝置230-0、
9230-1、230-2及230-3中的每一者內的陣列202-1 (裸片1)的平面1。在一個或一個以上實施例中，且如圖2中所圖解說明，群組MO-O及MO-I每一者具有與其相關聯(lián)的若干個超級塊，例如，超級塊0、超級塊1、…、超級塊N。如本文中所使用，超級塊可指包含來自對應群組內每一平面的物理塊的物理塊的集合。在各種實施例中， 超級塊包含不多于一個來自其群組中的每一平面的物理塊(例如，不多于一個來自共同平面的物理塊)。在一個或一個以上實施例中，超級塊可跨越多個存儲器裝置。舉例來說，超級塊可為包含來自對應群組內的不同存儲器裝置內的至少兩個存儲器陣列中的每一者內的平面的物理塊的物理塊的集合。實施例并不限于每群組特定數(shù)目個超級塊。作為一實例，群組(例如，240-0及 240-1)可包含每群組64個、512個或1，OM個超級塊。在圖2中所圖解說明的實施例中，與群組MO-O相關聯(lián)的超級塊對5-0、對5-1、…、245-N每一者為包含來自與四個相應存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3相關聯(lián)的四個陣列202-0 (例如，裸片0)中的每一者的若干個物理塊的物理塊的相應集合。同樣，與群組MO-I相關聯(lián)的超級塊對5-0、對5-1、…、 245-N每一者為包含來自與四個相應存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3相關聯(lián)的四個陣列202-1 (例如，裸片1)中的每一者的若干個物理塊的物理塊的相應集合。在本發(fā)明的一個或一個以上實施例中，超級塊可為針對對應于特定群組的若干個平面中的每一者每平面一個物理塊的集合。舉例來說，在圖2中所圖解說明的實施例中，超級塊M5-0J45-1、…、245-N中的每一者可為八個物理塊(針對群組的四個不同存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3的每一陣列202-0，每平面一個塊)的相應集合。然而，在一個或一個以上實施例中，超級塊并非必須包含來自給定存儲器陣列 (例如，202-0及202-1)中的每一平面的物理塊。舉例來說，在圖2中所圖解說明的實施例中，超級塊M5-0J45-1、…、245-N中的每一者可為四個物理塊(例如，來自群組的四個不同存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3的每一陣列202-0中的平面中的一者的一個塊或來自四個不同存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3的每一陣列202-1中的平面中的一者的一個塊)的相應集合。在各種實施例中，可同時對超級塊的物理塊執(zhí)行擦除操作。也就是說，可大致同時擦除特定超級塊的物理塊集合。并且，在各種實施例中，可同時從與特定超級塊相關聯(lián)的物理塊頁讀取且可同時寫入到所述物理塊頁。本發(fā)明的實施例并不限于圖2中所圖解說明的實例。舉例來說，在一個或一個以上實施例中，群組可包含多于或少于四個存儲器陣列內的物理塊平面。作為一實例，可將圖 2中所示的實施例組織成四個群組第一群組可包含存儲器裝置230-0及230-1內的陣列 202-0 (裸片0)的平面；第二群組可包含存儲器裝置230-2及230-3內的陣列202-0 (裸片 0)的平面；第三群組可包含存儲器裝置230-0及230-1內的陣列202-1 (裸片1)的平面； 且第四群組可包含存儲器裝置230-2及230-3內的陣列202-1 (裸片1)的平面。在此實例中，與所述四個群組相關聯(lián)的超級塊可包含兩個物理塊(來自與特定群組相關聯(lián)的兩個陣列中的每一者的一個物理塊)或可包含四個物理塊(針對與特定群組相關聯(lián)的兩個陣列中的每一者，每平面一個物理塊)。作為一實例，對于每超級塊總共4，096個物理扇區(qū)來說，四個物理塊(針對與特定群組相關聯(lián)的兩個陣列中的每一者，每平面一個物理塊)的超級塊可包含每物理塊1 個頁及每頁(假設4KB的頁)8個物理扇區(qū)。在此實例中，可將4，096個地址的LBA范圍映射到特定4，096個扇區(qū)的物理超級塊。然而，本發(fā)明的實施例并不限于特定頁大小、扇區(qū)大小及/或物理塊大小。舉例來說，實施例并不限于每超級塊特定數(shù)目個扇區(qū)。在一個或一個以上實施例中，特定超級塊(例如，245-0到對5_幻內的物理塊可具有不同塊位置。也就是說，特定超級塊內的物理塊可位于對應于給定群組(例如，240-0及 240-1)的平面內的不同位置處。作為一個實例，考慮對應于群組240-0的超級塊245-0的物理塊。對應于超級塊245-0的物理塊集合可包含位于接近裝置230-0的陣列202-0的頂部部分處的物理塊且可包含位于接近裝置230-1、230-2及230-3的陣列202-0的中間或下部部分處的物理塊。圖3圖解說明存儲器塊管理的一先前方法。圖3中所示的實例包含若干個存儲器陣歹Ij 302-0、302-1、302-2、...、302-(Κ_1)。存儲器陣列 302-0、302-1、302_2、...、302-(Κ_1) 可類似于例如圖1中所示的陣列102及圖2中所示的存儲器陣列202-0及202-1的存儲器陣列。存儲器陣列302-0、302-1、302-2、…、302_(Κ_1)可為存儲器單元(例如，下文結合圖9所描述的存儲器單元92 的一部分。作為一實例，陣列302-0、302-1、302-2、…、 302-(K-I)中的一者或一者以上可來自不同存儲器裝置，例如，來自不同快閃存儲器裸片或芯片。如上文結合圖2所描述，陣列302-0、302-1、302_2、…、302_(K_1)每一者包含若干個物理存儲器單元塊，其中每一陣列的塊組織成平面。在此實例中，每一陣列包含兩個存儲器塊平面，例如，所示的平面0及平面1。實施例并不限于與特定存儲器陣列相關聯(lián)的特定數(shù)目個平面。在圖3中所圖解說明的實例中，將來自陣列302-0到302-(Κ-1)中的每一者的平面(平面0及平面1)集體組織為單個平面群組。所屬領域的技術人員應了解，可通過物理塊地址(PBA)來識別所述存儲器塊中的每一者。如圖3中所示的實例中所圖解說明，陣列302-0、302-1、302-2、...、302-(Κ_1)中的每一者內的物理塊可具有與其相關聯(lián)的塊位置322。在此實例中，存在十二個塊(ΒΡ0到 ΒΡ11)。與塊相關聯(lián)的塊位置322可指示所述塊在其相應平面內的物理位置。如圖3中所示的實例中所圖解說明，每一存儲器陣列302-0、302-1、302_2、…、 302-(K-I)包含相同塊位置322處的兩個物理塊(每平面一個物理塊)。舉例來說，陣列 302-0、302-1、302-2、…、302-(Κ-1)中的每一者包含塊位置BPO處的兩個塊，塊位置BPl處的兩個塊等。本發(fā)明的實施例并不限于每存儲器陣列特定數(shù)目個存儲器塊或每平面特定數(shù)目個存儲器塊。圖3中所示的實例圖解說明與陣列302-0、302-1、302_2、-,302-(Κ-1)內的物理存儲器塊相關聯(lián)的塊狀態(tài)。舉例來說，陣列302-0、302-1、302-2、…、302_(Κ_1)包含若干個壞塊347(標記為BAD BLK)?！皦膲K”是指被確定為有缺陷(例如，對于數(shù)據(jù)存儲來說不可用或不可靠)的塊?？稍陉嚵械膲勖陂g的各種時期確定塊為有缺陷。舉例來說，在制造陣列之后，可在初步測試后即刻確定有缺陷塊。塊也可隨時間變?yōu)橛腥毕萸?舉例來說) 可隨著對所述塊所執(zhí)行的編程與擦除循環(huán)的數(shù)目增加而不再用于操作使用。在圖3中所示的實例中，陣列302-0、302-1、302_2、…、302_(K_1)包含若干個強制型壞塊349 (標記為FBB)?！皬娭菩蛪膲K”是指不管所述塊可為無缺陷的事實仍將其視為有缺陷(例如，對于數(shù)據(jù)存儲來說不可用或不可靠)的塊。可出于各種原因將塊強制為壞塊349。舉例來說，所屬領域的技術人員應了解，一些存儲器系統(tǒng)經(jīng)配置以使得出于執(zhí)行操作(例如，編程操作及讀取操作)的目的而一起尋址陣列內的相同塊位置處的物理塊。作為一實例，可一起尋址在陣列302-0、302-1、302-2、…、302-(Κ-1)中的每一者的塊位置BPO 處的塊對。在一些此類系統(tǒng)中，且在圖3中所示的實例中，將特定陣列內與有缺陷塊347共享共同塊位置322的物理塊視為強制型壞塊349。圖3中所示的實例還圖解說明若干個超級塊，例如，345-1 (超級塊1)及345_2 (超級塊2)。如上文結合圖2所描述，超級塊可為每一者包含來自對應群組(例如，圖2中所描述的群組MO-O及Μ0-1)內每一平面的物理塊的物理塊的集合。在各種實施例中，陣列可來自不同存儲器裝置，例如，裸片或芯片。在圖3中所示的實例中，超級塊(例如，345-1及345_2)每一者為跨越多個陣列 302-0、302-1、302-2、…、302-(Κ-1)的“N”個物理塊的集合。在圖3中所圖解說明的實例中， 超級塊內的每一物理塊具有特定塊編號324，例如，將跨越陣列302-0、302-1、302-2、…、 302-(K-I)的超級塊內的“N”個物理塊編號為塊0到塊(N-I)。因而，在此實例中，每一超級塊(例如，345-1及345-2)為來自存儲器陣列302-0、302-1、302_2、…、302_(Κ_1)中的每一者的總共N個物理塊(例如，兩個物理塊(來自平面0及平面1中的每一者的一個物理塊))的集合。在此實例中，將物理塊指派給超級塊以使得對應于特定超級塊的物理塊可在不同塊位置322處。舉例來說，超級塊345-1的塊0及塊1在陣列302-0內的塊位置BPO處。超級塊345-1的塊2及塊3在陣列302-1內的塊位置BPl處。超級塊345-1的塊4及塊5在陣列302-2內的塊位置ΒΡ4處。超級塊345-1的塊(Ν-2)及塊(N-I)在陣列302-(K-I)內的塊位置ΒΡ6處。同樣，超級塊345-2的塊0及塊1在陣列302-0內的塊位置BPl處。超級塊345-2的塊2及塊3在陣列302-1內的塊位置BPO處。超級塊345-2的塊4及塊5在陣列302-2內的塊位置BPl處。超級塊345-2的塊(Ν-2)及塊(N-I)在陣列302-(K-I)內的塊位置ΒΡ4處。以圖3中所圖解說明的方式將N個物理塊指派給超級塊(例如，345-1及345-2)可導致需要提供相對大的查找表(LUT)以提供對應于超級塊的適當邏輯塊地址(LBA)到物理塊地址(PBA)映射。舉例來說，LUT包含跨越多個陣列302-0、302-1、302-2、…、302-(Κ-1)中的每一者的每一個別物理塊對的條目，例如，針對每一塊位置322及針對多個陣列302-0、 302-1、302-2、…、302-(Κ-1)中的每一者，對應于每一塊對(來自平面0的一個塊及來自平面1的一個塊)的物理位置的條目。并且，以結合圖3中所示的實例所描述的方式指派物理塊可產生Ν/2次LUT搜索以基于結合操作(例如，編程、擦除及/或讀取操作)所接收的特定LBA確定特定超級塊(例如，345-1及345- 中的每一塊對的物理位置。在一個或一個以上實施例中，當已將特定物理塊指派給特定超級塊時，稍后不會將其重新指派給不同超級塊。例如特定LUT的大小及用于確定指派給特定超級塊的特定物理塊的LUT搜索次數(shù)等因素可影響系統(tǒng)性能的各種方面。舉例來說，相對大LUT可(例如)在控制器上的RAM 中或在存儲器陣列自身內(此取決于將所述LUT存儲在何處)占據(jù)大量存儲空間。并且， 與執(zhí)行編程、讀取及擦除操作相關聯(lián)的大量LUT搜索可因減慢與特定操作相關聯(lián)的執(zhí)行時間而減少系統(tǒng)吞吐量。
圖4圖解說明存儲器塊管理的另一先前方法。圖4中所示的實例包含若干個存儲器陣列 402-0、402-1、402-2、...、402-(Κ_1)。存儲器陣列 402-0、402-1、402_2、…、 402-(K-I)可類似于例如圖1中所示的陣列102及圖2中所示的存儲器陣列202-0及202-1 的存儲器陣列。存儲器陣列402-0、402-1、402-2、…、402-(Κ-1)可為存儲器單元(例如，下文結合圖9所描述的存儲器單元925)的一部分。作為一實例，陣列402-0、402-1、402-2、…、 402-(K-I)中的一者或一者以上可來自不同存儲器裝置，例如，來自不同快閃存儲器裸片或芯片。如上文結合圖2及圖3所描述，陣列402-0、402-1、402-2、…、402-(K-I)每一者包含若干個物理存儲器單元塊，其中每一陣列的塊組織成平面(例如，此實例中所示的平面0 及平面1)。如圖4中所示的實例中所圖解說明，陣列402-0、402-1、402-2、…、402_(Κ_1) 中的每一者內的物理塊可具有與其相關聯(lián)的塊位置422。在此實例中，存在十二個塊位置 BPO到BPl 1。塊的塊位置422可指示所述塊在其相應平面內的物理位置。類似于圖3中所示的實例，每一存儲器陣列402-0、402-1、402-2、…、402-(Κ-1)包含相同塊位置422處的兩個物理塊(每平面一個物理塊)。舉例來說，陣列402-0、402-1、 402-2、…、402-(Κ-1)中的每一者包含塊位置BPO處的兩個塊，塊位置BPl處的兩個塊等。 在圖4中所圖解說明的實例中，將來自陣列402-0到402-(Κ-1)中的每一者的平面(平面 0及平面1)集體組織為單個平面群組。圖4中所示的實例圖解說明與陣列402-0、402-1、402-2、...、402-(Κ_1)內的物理存儲器塊相關聯(lián)的塊狀態(tài)。舉例來說，如上文結合圖3所描述，陣列402-0、402-1、 402-2、…、402-(Κ-1)包含若干個壞塊447(標記為BAD BLK)以及若干個強制型壞塊 449 (標記為FBB)。在此實例中，且如結合圖3所描述，出于執(zhí)行操作(例如，編程操作及讀取操作) 的目的，一起尋址陣列內的相同塊位置處的物理塊。因而，在圖4中所示的實例中，將所述群組的與有缺陷塊447共享共同塊位置422的物理塊視為強制型壞塊449。舉例來說，在陣列402-0中，平面1的具有塊位置BP2的物理塊為強制型壞塊449，因為其與平面0的有缺陷塊447共享塊位置BP2。圖4中所示的實例還圖解說明若干個超級塊，例如，445-1 (超級塊1)及445_2 (超級塊2)。如上文結合圖2及圖3所描述，超級塊可為來自至少兩個不同平面中的每一者的物理塊的集合，其中不多于一個物理塊來自特定平面。在圖4中所示的實例中，超級塊(例如,445-1及445-2)每一者為跨越多個陣列402-0、402-1、402_2、…、402_(K_1)的“N”個物理塊的集合。在圖4中所圖解說明的實例中，超級塊內的每一物理塊具有特定塊編號424， 例如，將跨越陣列402-0、402-1、402-2、-,402-(Κ-1)的超級塊內的“N”個物理塊編號為塊0到塊(Ν-1)。因而，在此實例中，每一超級塊(例如，445-1及445-2)為來自存儲器陣列402-0、402-1、402-2、…、402_(Κ_1)中的每一者的總共N個物理塊(例如，兩個物理塊 (來自平面0及平面1中的每一者的一個物理塊))的集合。在此實例中，將物理塊指派給超級塊以使得對應于特定超級塊的物理塊每一者在相同塊位置422處。也就是說，每一物理塊(例如，特定超級塊的塊0到塊(N-I))在其平面內的相同塊位置422處。舉例來說，超級塊445-1包含跨越陣列402-0到402-(K-I)在塊位置BPO處的所有物理塊。同樣，超級塊445-2包含跨越陣列402-0到402-(K-I)在塊位置BP5處的所有物理塊。然而，由于在圖4中所示實例中指派給超級塊的物理塊每一者共享相同塊位置 422，因此，如果陣列402-0到402-(K-I)中的一者包含在特定塊位置(例如，塊位置BP2) 處的壞塊447，那么將預期包含壞塊447的超級塊中的所有其它物理塊強制為壞塊449。因此，不會將在所述特定位置422處的物理塊指派給超級塊。舉例來說，由于位于陣列402-0 內平面1的BP2處的物理塊包含壞塊447，因此不會將BP2位置處的物理塊指派給超級塊。 類似地，也不將在塊位置BP3、BP7、BP8及BPll處的物理塊中的每一者指派給超級塊(因為在那些塊位置中的每一者處存在壞塊447)。因而，出于超級塊指派的目的，將那些塊位置處相關聯(lián)的原本無缺陷物理塊視為有缺陷。以圖4中所圖解說明的方式將N個物理塊指派給超級塊(例如，445-1或445_2) 可減少與陣列402-0、402-1、402-2、…、402_(K_1)相關聯(lián)的平面群組內的可用超級塊的量。舉例來說，在圖4中所圖解說明的實例中，在十二個塊位置中的五個塊位置(例如，ΒΡ2、 ΒΡ3、ΒΡ7、ΒΡ8及ΒΡ11)處的物理塊不可用于指派給超級塊。然而，由于每一超級塊(例如， 445-1及445-2)的物理塊在相同塊位置422處，因此僅需要LUT中的一個條目來將邏輯塊地址映射到特定物理超級塊。因而，LUT的大小可小于結合圖3所描述的實例，且重構超級塊的時間減少，因為單個表搜索可產生對應于特定超級塊的物理塊的適當物理位置。以圖 4中所圖解說明的方式將N個物理塊指派給超級塊(例如，445-1或445-2)與結合圖3所描述的實例相比可將LUT存儲空間及超級塊重構時間減少到Ν/2倍。圖5圖解說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的存儲器塊管理。圖5中所示的實施例包含若干個存儲器陣列502-0、502-1、502-2、…、502_(Κ_1)。存儲器陣列502-0、 502-1,502-2,…、502-(Κ-1)可類似于例如圖1中所示的陣列102及圖2中所示的存儲器陣列202-0及202-1的存儲器陣列。存儲器陣列502-0、502-1、502-2、…、502_(Κ_1)可為存儲器單元(例如，下文結合圖9所描述的存儲器單元925)的一部分。作為一實例，陣列 502-0、502-1、502-2、-,502-(Κ-1)中的一者或一者以上可來自不同存儲器裝置，例如，來自不同快閃存儲器裸片或芯片。如上文結合圖2、圖3及圖4所描述，陣列502-0、502-1、502-2、...、502-(Κ_1)每一者包含若干個物理存儲器單元塊，其中每一陣列的塊組織成平面(例如，所示的平面0及平面1)。如圖5中所示的實施例中所圖解說明，陣列502-0、502-1、502-2、…、502_(Κ_1) 中的每一者內的物理塊可具有與其相關聯(lián)的塊位置522。在此實例中，存在十五個塊位置 BPO到ΒΡ14。塊的塊位置522可指示所述塊在其相應平面內的物理位置。類似于圖3及圖4中所示的實例，每一存儲器陣列502-0、502-1、502_2、…、 502-(K-I)包含相同塊位置522處的兩個物理塊(每平面一個物理塊)。舉例來說，陣列 502-0、502-1、502-2、-,502-(Κ-1)中的每一者包含塊位置編號BPO處的兩個塊、塊位置 BPl處的兩個塊等。在圖5中所圖解說明的實例中，將來自陣列502-0到502-(K-I)中的每一者的平面(平面0及平面1)集體組織為單個平面群組。圖5中所示的實施例包含與陣列502-0、502-1、502-2、...、502-(Κ_1)內的物理存儲器塊相關聯(lián)的塊狀態(tài)。舉例來說，如上文結合圖3及圖4所描述，陣列502-0、502-1、 502-2、…、502-(Κ-1)包含若干個壞塊Μ7 (標記為BAD BLK)。在圖5中所圖解說明的實施例中，空白塊表示無缺陷物理塊，而陰影塊表示指派給特定超級塊的物理塊。如上所述，超級塊可為來自至少兩個不同平面中的每一者的物理塊的集合，且具有不多于一個來自那些平面中的特定一者的物理塊。在圖5中所示的實施例中，超級塊(例如，545-1、545_2々及M5-2B)每一者為跨越多個陣列502-0、502-1、502-2、...、502-(Κ_1)的“N”個物理塊的集合。在圖5中所圖解說明的實例中，超級塊內的每一物理塊具有特定塊編號524，例如，跨越陣列502-0、502-1、 502-2、…、502-(Κ-1)將超級塊內的“N”個物理塊編號為塊0到塊(N-I)。因而，在此實例中， 每一超級塊(例如，545-1、545-2々及Μ5-2Β)為來自存儲器陣列502-0、502-1、502_2、…、 502-(K-I)中的每一者的總共N個物理塊(例如，兩個物理塊(來自平面0及平面1中的每一者的一個物理塊))的集合。在一個或一個以上實施例中，且如圖5中所圖解說明，超級塊(例如，545-1、 討5-2々及Μ5-2Β)中的每一者包含至少兩個不同平面的相同特定塊位置522處尚未被確定為有缺陷的每一物理塊(下文中稱為“無缺陷塊”)及在與無缺陷物理塊相同的特定塊位置處的每一壞物理塊的替換物理塊，其中所述替換物理塊在不同于無缺陷物理塊的塊位置處。作為一實例，在圖5中所圖解說明的實施例中，如果跨越陣列502-0到502-(K-I)在特定塊位置522處的物理塊中的每一者為無缺陷塊，那么將在所述特定塊位置處的所有物理塊指派給特定超級塊，例如，此實施例中的545-1。然而，如果跨越陣列502-0到502-(K-I)在特定塊位置522處的物理塊中的一者或一者以上為壞塊Μ7，那么將在所述特定塊位置522處的無缺陷塊中的每一者指派給特定超級塊(例如，545-2Α)，其中作為對所述特定塊位置處的一個或一個以上壞物理塊547 的替換，將一個或一個以上替換物理塊指派給特定超級塊(例如，545-2Α)。在一個或一個以上實施例中，且如圖5中所圖解說明，替換物理塊來自與其在特定超級塊(例如，545-2Α 及Μ5-2Β)中替換的壞物理塊547相同的平面。在一個或一個以上實施例中，耦合到存儲器陣列(例如，502-0到502-(Κ-1))的控制電路經(jīng)配置以將特定塊位置522處的壞物理塊 547映射到不同塊位置處的替換物理塊。因而，圖5中所圖解說明的實施例包含兩種類型的超級塊。舉例來說，將在不具有與其相關聯(lián)的壞塊Μ7的特定塊位置522處的物理塊指派給第一類型的超級塊(例如，超級塊Μ5-1)。如圖5中所示，將塊位置BPO處的所有物理塊指派給超級塊Μ5-1。在圖5中所圖解說明的實施例中，將在具有與其相關聯(lián)的一個或一個以上壞塊 547的特定塊位置522處的無缺陷物理塊指派給也包含指派給其的替換物理塊的第二類型的超級塊(例如，超級塊或545-2Β)。舉例來說，如圖5中所示，位于陣列502-0 的平面0內的塊位置ΒΡ2處的物理塊為壞塊Μ7。因而，將替換塊(例如，位于陣列502-0 的平面0內的塊位置ΒΡ12處的物理塊)連同塊位置ΒΡ2處的無缺陷塊一起指派給超級塊 Μ5-2Α。也就是說，超級塊Μ5-2Α的塊編號塊0為替換塊。作為另一實例，塊位置ΒΡ3處的物理塊包含兩個壞塊Μ7，例如，陣列502-1的平面0內的塊及陣列502-(K-I)的平面1 內的塊。因而，超級塊Μ5-2Β的塊編號塊2及塊編號為塊(N-I)為替換塊，例如，將位于陣列502-1的平面0內的塊位置ΒΡ12處的物理塊及位于陣列502-(K-I)的平面1內的塊位置ΒΡ12處的物理塊作為塊位置ΒΡ3處的相應壞塊Μ7的替換塊指派給超級塊Μ5-2Β。因而，在圖5中所圖解說明的實施例中，以指派給第一類型的超級塊(例如， 545-1)的物理塊每一者在相同塊位置522處的此方式將物理塊指派給超級塊。也就是說，特定第一類型的超級塊的每一物理塊(例如，塊0到塊(N-I))在相同塊位置522處。在此實施例中，也以指派給第二類型的超級塊(例如，545-2々或討5-28)的物理塊中的至少一者在不同塊位置522處的此方式將物理塊指派給超級塊。也就是說，指派給特定第二類型的超級塊的所述或所述替換物理塊在不同于指派給所述特定超級塊的無缺陷塊的塊位置522 處。在一個或一個以上實施例中，存儲器控制器(例如，結合圖9所描述的存儲器控制器920)可包含經(jīng)配置以指派每一平面(例如，平面0及平面1)內的特定數(shù)目個物理塊以用于替換所述平面內的壞物理塊討7的控制電路。舉例來說，在圖5中所圖解說明的實施例中，陣列502-0到502-(K-I)包含經(jīng)指派以用于重新映射的一部分533。在此實施例中， 塊位置BP12、BP13及BP14處的物理塊中的每一者經(jīng)指派以用于替換其相應平面中的壞塊 547且可被指派到類型2的特定超級塊(例如，545-2A或M5-2B)。所述替換物理塊可用于將壞塊重新映射到無缺陷物理塊。在一個或一個以上實施例中，控制電路可經(jīng)配置以指派每一平面內的預定數(shù)目個物理塊以用于替換所述平面內的壞物理塊547。在一個或一個以上實施例中，經(jīng)指派以用于替換壞物理塊的物理塊的特定數(shù)目是至少部分地基于每平面有缺陷塊的最高預期數(shù)目。舉例來說，存儲器陣列502-0到 502-(K-I)的制造商可指示每平面不多于約2%到約4%的物理塊在陣列的壽命內將有缺陷。舉例來說，陣列502-0到502-(Κ-1)中的不多于約2%到約4%的物理塊將為壞塊Μ7。 在各種實施例中，經(jīng)指派以用于重新映射的物理塊533的特定數(shù)目不超過每平面有缺陷塊的最高預期數(shù)目。也就是說，在各種實施例中，經(jīng)指派以用于重新映射的部分533可為每平面物理塊總數(shù)目的約2%到約4%。本發(fā)明的實施例并不限于每平面特定預期百分數(shù)或數(shù)目的有缺陷塊。如上所述，在一個或一個以上實施例中，每平面若干個預期有缺陷塊可包含“原始型”有缺陷塊(例如，在制造時有缺陷的塊及/或通過初步測試是有缺陷的塊)以及在制造及初步測試時功能良好但在存儲器裝置(例如，快閃存儲器裝置)的壽命期間變得有缺陷的塊。在初步測試之后(例如，在裝置的壽命期間)變?yōu)橛腥毕莸膲K可稱為“生長型”有缺陷塊。因而，與特定平面相關聯(lián)的若干個預期有缺陷塊可包含來自每一平面的原始型有缺陷塊以及生長型有缺陷塊。在一個或一個以上實施例中，來自用于重新映射的部分533的替換塊也可用于替換在存儲器裝置的使用期間被確定為有缺陷的塊(例如，用于替換生長型有缺陷塊)。在此些實施例中，含有生長型有缺陷塊的超級塊可保持相同；然而，所述生長型有缺陷物理塊將由來自用于重新映射的部分533的物理塊動態(tài)地替換。以圖5中所圖解說明的方式將N個物理塊指派給超級塊(例如，545-1、545_2Α或 545-2Β)與結合圖3及圖4所描述的先前方法相比可提供經(jīng)改善的塊管理效率。舉例來說， 在圖5中所圖解說明的實施例中，LUT中的單個LBA到PBA映射條目可用于定位指派給類型1的超級塊(例如，545-1)的物理塊，因為對應于類型1的超級塊的物理塊在共同塊位置 522處。并且，與在圖4中所圖解說明的實例中不同，可將與一個或一個以上壞塊547共享塊位置η的物理塊指派給類型2的超級塊(例如，545-2Α或545-2Β)，此可減少與強制型壞塊相關聯(lián)的低效率。如下文結合圖8Α到圖8C進一步描述，單獨LUT可用于針對類型2的超級塊將LBA映射到PBA。與用于針對類型1的超級塊將LBA映射到PBA的LUT相比，用于存儲用于針對類型2的超級塊將LBA映射到PBA的LUT的存儲空間可較小。舉例來說，由于可存在相對少數(shù)目(例如，2%到4%)的壞塊M7，因此，類型2的超級塊的數(shù)目與類型1的超級塊的數(shù)目相比可較小。圖6圖解說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的存儲器塊管理。圖6中所示的實施例包含若干個存儲器陣列602-0、602-1、602-2、…、602-(K-I)。存儲器陣列602-0、 602-1,602-2,…、602-(Κ-1)可類似于例如圖1中所示的陣列102及圖2中所示的存儲器陣列202-0及202-1的存儲器陣列。存儲器陣列602-0、602-1、602-2、…、602_(Κ_1)可為存儲器單元(例如，下文結合圖9所描述的存儲器單元925)的一部分。作為一實例，陣列 602-0、602-1、602-2、-,602-(Κ-1)中的一者或一者以上可來自不同存儲器裝置，例如，來自不同快閃存儲器裸片或芯片。如上文結合圖2、圖3、圖4及圖5所描述，陣歹丨J 602-0、602-1、602_2、…、602_(Κ_1) 每一者包含若干個物理存儲器單元塊，其中每一陣列的塊組織成平面(例如，所示的平面0 及平面1)。如圖6中所示的實施例中所圖解說明，陣列602-0、602-1、602-2、…、602-(Κ-1) 的每一平面內的物理塊在與其相關聯(lián)的不同塊位置622處。在此實例中，存在十二個塊位置ΒΡ0到BPl 1。塊的塊位置622可指示所述塊在其相應平面內的物理位置。類似于圖3及圖4中所示的實例，每一存儲器陣列602-0、602-1、602_2、…、 602-(K-I)包含相同塊位置622處的兩個物理塊(每平面一個物理塊)。舉例來說，陣列 602-0、602-1、602-2、…、602-(K-I)中的每一者包含塊位置BPO處的兩個塊，具有位置編號 BPl的兩個塊等。在圖6中所圖解說明的實例中，將來自陣列602-0到602-(K-I)中的每一者的平面(平面O及平面1)集體組織為單個平面群組(例如，圖2中所示的群組240-0或 240-1)。圖6中所示的實施例包含與陣列602-0、602-1、602-2、-,602-(Κ-1)內的物理存儲器塊相關的塊狀態(tài)。舉例來說，如上文結合圖3及圖4所描述，陣列602-0、602-1、 602-2、…、602-(Κ-1)包含若干個壞塊647(標記為BAD BLK)以及若干個強制型壞塊 649(標記為FBB)。在圖6中所圖解說明的實施例中，空白塊表示無缺陷物理塊，而陰影塊表示指派給特定超級塊的物理塊。如上所述，超級塊可為來自至少兩個不同平面中的每一者的物理塊的集合，且具有不多于一個來自所述平面中的特定一者的物理塊。在圖6中所圖解說明的實施例中，且如結合圖3及圖4所描述，出于執(zhí)行操作(例如，編程操作及讀取操作)的目的，一起尋址陣列內的相同塊位置處的物理塊。因而，在圖6 中所示的實施例中，將特定陣列內在與壞塊647共同的塊位置622處的無缺陷物理塊強制為壞塊649。舉例來說，在陣列602-0中，平面1的在塊位置BP2處的物理塊為強制型壞塊 649，因為其與平面0的壞塊647共享塊位置BP2。類似于結合圖5所描述的實施例，圖6中所圖解說明的實施例包含兩種類型的超級塊(例如，類型1 645-1及類型2 645-2)。每一超級塊為跨越多個陣列602_0、602_1、 602-2、…、602-(Κ-1)的“N”個物理塊的集合。在圖6中所圖解說明的實施例中，超級塊內的每一物理塊具有特定塊編號624，例如，將跨越陣列602-0、602-1、602-2、…、602_(Κ_1) 的超級塊內的“N”個物理塊編號為塊0到塊(N-I)。因而，在圖6中所圖解說明的實施例中， 每一超級塊(例如，645-1及645-2)為來自存儲器陣列602-0、602-1、602_2、…、602_(Κ_1)中的每一者的總共N個物理塊(例如，兩個物理塊(來自平面0及平面1中的每一者的一個物理塊))的集合。在圖6中所圖解說明的實施例中，第一類型的超級塊(例如，645-1)中的每一者包含在至少兩個不同存儲器陣列的相同特定塊位置622處的所有無缺陷物理塊。也就是說， 在指派給類型1的超級塊(例如，645-1)的物理塊的塊位置622處不存在壞塊647或強制型壞塊649。在圖6中所圖解說明的實施例中，在與壞塊647相同的塊位置622處的無缺陷物理塊可用于指派給類型2的超級塊(例如，645-2)。舉例來說，將位于陣列602-0的平面0 及平面1內的塊位置BP3處(其中壞塊647還位于(例如)陣列602-1的平面0內及陣列602-(Κ-1)的平面1內的ΒΡ3處)的無缺陷物理塊指派給超級塊645-2(例如)作為超級塊645-2的塊0及塊1。還將位于陣列602-1的平面0及平面1內的塊位置BP7處(其中壞塊647還位于陣列602-0的平面1內的塊位置BP7處)的無缺陷物理塊指派給超級塊 645-2 (例如)作為超級塊645-2的塊2及塊3。另外，將位于陣列602-2的平面0及平面1 內的塊位置BP8處(其中壞塊647還位于陣列602- (K-I)的平面0內的壞塊位置BP8處) 的無缺陷物理塊指派給超級塊645-2(例如)作為超級塊645-2的塊4及塊5。并且，將位于陣列602-(K-I)的平面0及平面1內的塊位置BP7處(其中壞塊647還位于陣列602-0的平面1內的塊位置BP7處)的無缺陷物理塊指派給超級塊645-2(例如)作為超級塊645-2 的塊(N-幻及塊(N-I)。在一個或一個以上實施例中，存儲器控制器(例如，圖9中所描述的存儲器控制器 920)可包含經(jīng)配置以防止將在與壞塊647相同的塊位置622處且在同一陣列內的無缺陷塊指派給第二類型的超級塊的控制電路。舉例來說，如圖6中所圖解說明，將與壞塊647共享共同塊位置且在與壞塊647相同的陣列中的物理塊強制為壞塊649，以便防止將其指派給類型2的超級塊(例如，645-2)。以圖6中所圖解說明的方式將N個物理塊指派給超級塊(例如，645-1或645_2) 與結合圖3及圖4所描述的先前方法相比可提供經(jīng)改善的塊管理效率。舉例來說，在圖6 中所圖解說明的實施例中，LUT中的單個LBA到PBA映射條目可用于定位指派給類型1的超級塊(例如，645-1)的物理塊，因為對應于類型1的超級塊的物理塊共享共同塊位置622。 并且，與圖4中所圖解說明的實例中不同，與一個或一個以上壞塊647共享共同塊位置的無缺陷物理塊可用于指派給類型2的超級塊(例如，645-2)。類似于圖5的實施例，且如下文參照圖8A到圖8C進一步描述，單獨LUT可用于針對類型2的超級塊將LBA映射到PBA。與用于針對類型1的超級塊將LBA映射到PBA的LUT 相比，用于存儲用于針對類型2的超級塊將LBA映射到PBA的LUT的存儲空間可較小。舉例來說，由于可存在相對少數(shù)目(例如，2%到4%)的壞塊647，因此，類型2的超級塊的數(shù)目與類型1的超級塊的數(shù)目相比可較小。圖7圖解說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的存儲器塊管理。圖7中所示的實施例包含若干個存儲器陣列702-0、702-1、702-2、…、702_(K_1)。存儲器陣列702-0、 702-1,702-2,…、702-(Κ-1)可類似于例如圖1中所示的陣列102及圖2中所示的存儲器陣列202-0及202-1的存儲器陣列。存儲器陣列702-0、702-1、702-2、…、702_(Κ_1)可為存儲器單元(例如，下文結合圖9所描述的存儲器單元925)的一部分。作為一實例，陣列
18702-0、702-1、702-2、-,702-(Κ-1)中的一者或一者以上可來自不同存儲器裝置，例如，來自不同快閃存儲器裸片或芯片。如上文結合圖2到圖6所描述，陣歹丨J 702-0、702-1、702-2、...、702-(Κ_1)每一者包含若干個物理存儲器單元塊，其中每一陣列的塊組織成平面，例如，所示的平面0及平面 1。如圖7中所示的實施例中所圖解說明，陣列702-0、702-1、702-2、...、702-(Κ_1)中的每一者內的物理塊可具有與其相關聯(lián)的塊位置722。在此實例中，存在十五個塊位置ΒΡ0到 ΒΡ14。塊的塊位置722可指示所述塊在其相應平面內的物理位置。在圖7中所示的實施例中，每一存儲器陣列702-0、702-1、702-2、…、702-(Κ-1)包含相同塊位置722處的兩個物理塊(每平面一個物理塊)。舉例來說，陣列702-0、702-1、 702-2、…、702-(Κ-1)中的每一者包含塊位置BPO處的兩個塊，塊位置BPl處的兩個塊等。 在圖7中所圖解說明的實例中，將來自陣列702-0到702-(Κ-1)中的每一者的平面(平面 0及平面1)組織為兩個相應平面群組。圖7中所示的實施例包含與陣列702-0、702-1、702_2、-,702-(Κ-1)內的物理存儲器塊相關聯(lián)的塊狀態(tài)。舉例來說，如上文所描述，陣列702-0、702-1、702-2、…、702-(Κ-1) 包含若干個壞塊747(標記為BAD BLK)。在圖7中所圖解說明的實施例中，空白塊表示無缺陷物理塊，而陰影塊表示指派給特定超級塊的物理塊。如上所述，超級塊可為來自至少兩個不同平面中的每一者的物理塊的集合，且具有不多于一個來自所述平面中的特定一者的物理塊。除超級塊每一者為跨越多個陣列702-0、702-1、702_2、-,702-(Κ-1)的與“N”個物理塊不同的“Ν/2”個物理塊的集合以外，圖7中所圖解說明的實施例類似于結合圖5所描述的實施例。在圖7中所圖解說明的實例中，超級塊內的每一物理塊具有特定塊編號724， 例如，跨越陣列702-0、702-1、702-2、…、702_(Κ_1)將超級塊內的“Ν/2”個物理塊偶數(shù)編號或奇數(shù)編號為塊0到塊(N-I)。因而，在此實施例中，每一超級塊(例如，745-1Α、745-1Β及745-lC，745-2A、 745-2B及745-2C)為來自存儲器陣列702-0、702-1、702_2、…、702_(K_1)中的每一者的總共Ν/2個物理塊(例如，來自平面0或平面1的一個物理塊)的集合。舉例來說，類型1的超級塊(例如，745-1Α)包含位于陣列702_0到702-(K_l)中的每一者的平面0內的塊位置BPO處的物理塊。類型1的另一超級塊(例如，745-1Β)包含位于陣列702-0到702-(K-I)中的每一者的平面1內的塊位置BPO處的物理塊。類型1的又一超級塊(例如，745-1C)包含位于陣列702-0到702-(K-I)中的每一者的平面1內的塊位置ΒΡ2處的物理塊。類似于圖5中所描述的實施例，如果跨越陣列702-0到702_(Κ_1)的特定塊位置 722處的物理塊中的一者或一者以上為壞塊747，那么將所述特定塊位置722處的無缺陷塊中的每一者指派給特定超級塊(例如，745-2Α)，其中將一個或一個以上替換物理塊作為所述特定塊位置處的一個或一個以上壞物理塊747的替換指派給所述特定超級塊(例如， 745-2Α)。在一個或一個以上實施例中，且如圖7中所圖解說明，替換物理塊來自與其在特定超級塊(例如，745-2Α、745-2Β或745-2C)中替換的壞物理塊747相同的平面。在一個或一個以上實施例中，耦合到存儲器陣列(例如，702-0到702-(Κ-1))的控制電路經(jīng)配置以將特定塊位置722處的壞物理塊747映射到不同塊位置處的替換物理塊。因而，圖7中所圖解說明的實施例包含兩種類型的超級塊745-1及745-2。在圖7中所圖解說明的實施例中，將與一個或一個以上壞塊747共享特定塊位置722的無缺陷物理塊指派給還包含指派給其的替換物理塊的第二類型的超級塊(例如， 745-2A、745-2B或745-2C)。舉例來說，如圖7中所示，位于陣列702-0的平面0內的塊位置BP2處的物理塊為壞塊747。因而，將替換塊(例如，位于陣列702-0的平面0內的塊位置BP12處的物理塊)連同陣列702-1到702-(Κ-1)的平面0內的塊位置ΒΡ2處的無缺陷塊一起指派給超級塊745-2Α。也就是說，超級塊745-2Α的塊編號塊0為替換塊。作為另一實例，塊位置ΒΡ3處的物理塊包含兩個壞塊747，例如，陣列702-1的平面0內的塊及陣列702-(K-I)的平面1內的塊。因而，超級塊745-2Β的塊編號塊2及超級塊745-2C的塊編號塊(N-I)為替換塊，例如，將位于陣列702-1的平面0內的塊位置ΒΡ12處的物理塊及位于陣列702-(K-I)的平面1內的塊位置ΒΡ12處的物理塊作為塊位置ΒΡ3處的相應壞塊 747的替換塊分別指派給超級塊745-2Β及745-2C。因而，在圖7中所圖解說明的實施例中，將物理塊指派給第一類型的超級塊(例如，745-1Α、745-1Β及745-1C)，使得對應于特定超級塊的物理塊每一者在相同相應塊位置 722處。也就是說，特定超級塊的Ν/2個物理塊中的每一者共享相同塊位置722。將物理塊指派給第二類型的超級塊(例如，745-2Α、745-2Β及745-2C)，使得第二類型的特定超級塊的Ν/2個物理塊中的至少一者在不同塊位置722處。也就是說，指派給第二類型的特定超級塊的替換物理塊在不同于指派給第二類型的特定超級塊的無缺陷塊的塊位置722處。在一個或一個以上實施例中，且如圖5的實施例中所描述，存儲器控制器(例如， 結合圖9所描述的存儲器控制器920)可包含經(jīng)配置以指派每一平面(例如，平面0及平面 1)內的特定數(shù)目個物理塊以用于替換所述平面內的壞物理塊747的控制電路。舉例來說， 在圖 中所圖解說明的實施例中，陣列702-0到702-(Κ-1)包含經(jīng)指派以用于重新映射的一部分733。在此實施例中，塊位置ΒΡ12、ΒΡ13及ΒΡ14處的物理塊中的每一者經(jīng)指派以用于替換相應壞塊747且可被指派到類型2的特定超級塊(例如，745-2Α、745-2Β或745-2C)。以圖7中所圖解說明的方式將Ν/2個物理塊指派給超級塊(例如，745-1Α、 745-lB、745-lC、745-2A、745-2B或745-2C)與結合圖3及圖4所描述的先前方法相比可提供經(jīng)改善的塊管理效率。舉例來說，在圖7中所圖解說明的實施例中，LUT中的單個LBA到 PBA映射條目可用于定位指派給類型1的超級塊(例如，745-1Α、745-1Β或745-1C)的物理塊，因為對應于類型1的超級塊的物理塊共享共同塊位置722。并且，與圖4中所圖解說明的實例中不同，可將與一個或一個以上壞塊747共享共同塊位置的無缺陷物理塊指派給類型2的超級塊(例如，745-2A、745-2B或745-2C)，此可減少與強制型壞塊相關聯(lián)的低效率。如下文結合圖8A到圖8C進一步描述，單獨LUT可用于針對類型2的超級塊將LBA 映射到PBA。與用于針對類型1的超級塊將LBA映射到PBA的LUT相比，用于存儲用于針對類型2的超級塊將LBA映射到PBA的LUT的存儲空間可較小。舉例來說，由于可存在相對少數(shù)目(例如，2%到4%)的壞塊747，因此，類型2的超級塊的數(shù)目與類型1的超級塊的數(shù)目相比可較小。圖8A、圖8B及圖8C圖解說明具有可根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例使用的映射信息的表。所屬領域的技術人員應了解，一個或一個以上LBA可由與特定操作(例如， 編程、讀取、擦除等)相關聯(lián)的存儲器控制器接收。查找表(LUT)包含邏輯塊地址(LBA)到物理塊地址(PBA)映射，所述映射可基于所接收的LBA提供指派給特定超級塊的物理塊的
物理位置。圖8A圖解說明包含對應于不同類型(例如，本文中結合圖5、圖6及圖7所描述的類型1及類型2)的超級塊的LBA到PBA映射的實例性LUT 842。在圖8A中所圖解說明的實例中，指示符“P”表示與超級塊相關聯(lián)的多個存儲器陣列內每平面的物理塊的總數(shù)目。指示符“M”表示多個存儲器陣列內每平面的有缺陷塊的最高數(shù)目。如上文所描述，數(shù)目“M”可由制造商提供，舉例來說，作為在特定存儲器陣列的壽命內每平面有缺陷塊的預期最大數(shù)目。因此，“P-M”表示每平面的可用物理塊的總數(shù)目且因而可存在“P-M”個超級塊?！癙-M” 個超級塊中的大部分將為類型1的超級塊(例如，分別結合圖5及圖6所描述的M5-1或 645-1)，因為每平面存在相對少量(例如，2%到4% )的壞塊。因而，在圖8A中所圖解說明的實例中，表842包含對應于若干個超級LBA (標記為所示的超級LBA 0到超級LBA (P-M-I))的“P-M”個條目。在此實例中，表842為單個條目表，例如，每一超級LBA對應于單個條目。條目850-0、850-1、850-2及850-3表示對應于類型1的超級塊的條目。也就是說，由于指派給類型1的超級塊的物理塊中的每一者共享共同塊位置(例如，圖5/6中所示的522/62 ，因此可使用單個條目來確定指派給類型1的特定超級塊的所有物理塊的物理位置。在實例性表842中，條目852表示對應于類型2的超級塊(例如，結合圖5、圖6 及圖7所描述的具有一個或一個以上指派給其的具有不同塊位置的物理塊的超級塊)的條目。由于指派給類型2的超級塊的物理塊跨越多個陣列可具有各種塊位置，因此，與條目 850-1、850-2、850-2及850-3不同，條目852不包含直接LBA到PBA映射。相反，條目852 包含對不同表(例如，表860)的指示，所述表包含針對類型2的超級塊的LBA到PBA映射。作為一實例，考慮接收特定超級LBA的存儲器控制器?？墒紫然谔囟ǔ塋BA 搜索單個條目表(例如，842)如果確定表842內的對應于特定LBA的條目為對應于與類型 2的超級塊相關聯(lián)的PBA的條目(例如，852)，那么可搜索表(例如，表860)以確定指示指派給特定類型2超級塊的物理塊的物理位置的適當映射信息。也就是說，表860可包含對應于特定類型2超級塊的物理塊集合中的每一物理塊的PBA。圖8B及圖8C中圖解說明含有針對類型2的超級塊的LBA到PBA映射的類型2表(例如，表860)的實例。圖8B及圖8C圖解說明每一者包含對應于類型2的超級塊的LBA到PBA映射的實例性LUT 844-1及LUT 844-2。表844-1及表844-2可為響應于表(例如，圖8A中所示的表842)內的指示而搜索的表(例如，表860)。在圖8B中所圖解說明的實例中，LUT 844-1包含(MxN)個條目，其中“M”表示多個存儲器陣列內每平面的預期有缺陷塊的最高數(shù)目，且“N”表示每超級塊的物理塊的數(shù)目。 作為一實例，條目862-0、862-1、…、862_(N_1)中的每一者包含對應于指派給特定類型2 超級塊(例如，結合圖5的實施例所描述的M5-2A或545-2B)的特定物理塊的LBA到PBA
映射信息。在圖8C中所圖解說明的實例中，LUT 844-2包含[Mx (N/2)]個條目，其中“M”表示多個存儲器陣列內每平面的預期有缺陷塊的最高數(shù)目，且“N”表示每超級塊的物理塊的數(shù)目。作為一實例，條目864-0、864-1、…、864_[(Ν_1)/2]中的每一者包含對應于指派給特定類型2超級塊(例如，結合圖6的實施例所描述的645- 的特定物理塊對(來自特定陣列的平面0及平面1)的LBA到PBA映射信息。所屬領域的技術人員應了解，一些存儲器系統(tǒng)經(jīng)配置以使得同時對特定陣列的兩個平面內的物理塊執(zhí)行操作。在此些例項中，可將相同陣列內與壞塊共享共同塊位置的物理塊強制為不可由系統(tǒng)使用。舉例來說，如圖6中所示的實施例中所圖解說明，與壞塊647 共享塊位置622且在與壞塊647相同的陣列中的物理塊變?yōu)閺娭菩蛪膲K649。因而，圖8C 的表844-2可在存儲器系統(tǒng)(例如，圖9中所示的900)經(jīng)配置以同時對多個存儲器陣列的兩個平面內的物理塊執(zhí)行操作時具有圖8B的表844-1 —半多的條目。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的電子存儲器系統(tǒng)900的功能框圖。 在一個或一個以上實施例中，系統(tǒng)900為固態(tài)驅動器(SSD)，例如，快閃SSD。也就是說，圖9 的實施例可圖解說明固態(tài)驅動器900的一個實施例的組件及架構。在圖9中所圖解說明的實施例中，系統(tǒng)900包含控制器920、主機接口 924、陣列接口擬6及固態(tài)存儲器單元925。在圖9中所圖解說明的實施例中，存儲器單元925包含若干個存儲器裝置930-0、 930-1、…、930-D。作為一實例，所述存儲器裝置可為例如快閃存儲器(例如，NAND快閃或 NOR快閃裝置)的非易失性存儲器裝置以及其它裝置。存儲器裝置930-0、930-1、…、930-D 可為例如結合圖2所描述的存儲器裝置230-0、230-1、230-2及230-3的存儲器裝置。在一個或一個以上實施例中，且如圖9中所圖解說明，存儲器裝置930-0、930-1、…、930-D中的每一者包含若干個存儲器陣列902-0、902-1、902-3、...、902-(Κ_1)。存儲器陣列902-0、 902-1,902-3,…、902-(Κ-1)可為例如結合圖5、圖6及圖7所描述的存儲器陣列的陣列。 舉例來說，存儲器陣列902-0、902-1、902-3、…、902-(K-I)中的每一者可包含多個物理存儲器單元塊。在一個或一個以上實施例中，存儲器陣列902-0、902-1、902-3、…、902-(Κ-1) 中的每一者可表示單個裸片，且存儲器裝置930-0、930-1、…、930-D中的每一者可表示每芯片具有多個裸片的存儲器芯片。在一個或一個以上實施例中，可將存儲器單元925組織成跨越存儲器陣列的多個平面群組，其中每一群組為來自不同存儲器裝置的至少兩個平面的集合。如上文結合圖2 所描述，所述群組可具有與其相關聯(lián)的若干個超級塊，其中所述超級塊為來自所述群組的至少兩個平面中的每一者的物理塊的集合。在各種實施例中，所述群組的至少兩個平面可位于至少兩個不同存儲器陣列上。如圖9中所圖解說明，存儲器單元925可經(jīng)由陣列接口擬6耦合到控制器920。陣列接口擬6可用于在存儲器單元925與控制器920之間傳送信息?？刂破?20可經(jīng)由主機接口擬4耦合到存儲器存取裝置(例如，主機裝置的處理器(未展示))。主機裝置可包含計算裝置，例如，個人計算機(PC)、膝上型計算機、數(shù)碼相機或蜂窩式電話以及各種其它計算裝置。作為一實例，當存儲器單元925如圖9中所圖解說明用于計算裝置中的數(shù)據(jù)存儲時，主機接口擬4可為串行先進技術附件(SATA)以及其它接口，例如，控制器920可為SATA 控制器或USB控制器以及其它控制器。也就是說，實施例并不限于特定類型的控制器920 及/或主機接口 924。在一個或一個以上實施例中，且如圖9中所圖解說明，控制器920包含控制電路 922?？刂齐娐?22可包含處理器923、空間管理器927、存儲器929(例如，RAM)以及用于存儲器系統(tǒng)900的操作的其它控制電路(未展示)。在一個或一個以上實施例中，控制器920 用于將數(shù)據(jù)寫入到存儲器單元925且從存儲器單元925讀取數(shù)據(jù)。
22
在一個或一個以上實施例中，控制器920可經(jīng)由主機接口擬4從主機裝置接收邏輯塊地址(LBA)931?？刂齐娐?22可經(jīng)配置以搜索一個或一個以上查找表(例如，表842、 844-1及844- 以確定指派給特定超級塊的物理塊的物理位置。在各種實施例中，且如上文所描述，控制電路922可經(jīng)配置以選擇性地將物理塊指派給第一類型的超級塊或第二類型的超級塊，其中所述超級塊為來自至少兩個不同平面中的每一者的物理塊的集合。在各種實施例中，所述至少兩個不同平面可來自不同存儲器陣列?？刂齐娐?22可經(jīng)配置以將物理塊指派給如(舉例來說)圖5、圖6及圖7中所描述的特定超級塊。Mrk本發(fā)明包含用于存儲器系統(tǒng)中的存儲器塊管理的方法及裝置。本發(fā)明的實施例與先前方法相比可改善存儲器塊管理的效率。本發(fā)明的一個或一個以上實施例包含一個或一個以上存儲器裝置，所述一個或一個以上存儲器裝置具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊。一個或一個以上實施例包含確定所述平面內的有缺陷物理塊。在特定塊位置處的所述物理塊中無一物理塊被確定為有缺陷的情況下，一個或一個以上實施例包含將所述特定塊位置處的所述物理塊指派給超級塊，且在特定塊位置處的所述物理塊中的一者或一者以上被確定為有缺陷的情況下，一個或一個以上實施例包含將所述特定塊位置處未被確定為有缺陷的物理塊指派給超級塊；及針對所述特定塊位置處被確定為有缺陷的所述一個或一個以上物理塊中的每一者給所述超級塊指派相應替換物理塊。在一個或一個以上實施例中，所述相應替換物理塊選自所述平面中包含被確定為有缺陷的所述相應物理塊的相應一者內的若干個物理塊。本發(fā)明的一個或一個以上實施例包含確定具有與其相關聯(lián)的多個平面群組的存儲器單元內的有缺陷物理塊，每一群組包含組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊。實施例可包含將來自相應群組的至少兩個平面中的每一者的塊的集合指派給相應超級塊。超級塊可包含在相應群組的至少兩個平面中的每一者內具有相同特定位置編號的所有無缺陷塊的集合；及針對具有與所述無缺陷塊相同的特定位置編號的每一有缺陷塊的替換塊。所述替換塊可選自每一平面內經(jīng)指派以用于替換所述相應平面內的有缺陷塊的塊群組。雖然本文中已圖解說明及描述了具體實施例，但所屬領域的技術人員應了解，可用目的在于實現(xiàn)相同結果的布置來替代所示的具體實施例。本發(fā)明打算涵蓋本發(fā)明的一個或一個以上實施例的修改形式或變化形式。應理解，以上說明是以說明性方式而非限定性方式作出。在審閱以上說明之后，所屬領域的技術人員將明了以上實施例的組合及本文中未具體描述的其它實施例。本發(fā)明的一個或一個以上實施例的范圍包含其中使用以上結構及方法的其它應用。因此，應參照所附權利要求書連同授權此權利要求書的等效內容的整個范圍來確定本發(fā)明的一個或一個以上實施例的范圍。在前述實施方式中，出于簡化本發(fā)明的目的，將一些特征一起集合于單個實施例中。不應將本發(fā)明的此方法解釋為反映本發(fā)明的所揭示實施例必須使用比明確陳述于每一權利要求中更多的特征的意圖。而是，如以上權利要求書反映，發(fā)明性標的物在于少于單個所揭示實施例的所有
23特征。因此，以上權利要求書由此并入到實施方式中，其中每一權利要求獨立地作為單獨實施例。
權利要求
1.一種存儲器控制器，其包括控制電路，其耦合到一個或一個以上存儲器裝置，所述一個或一個以上存儲器裝置具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊，且其中所述控制電路經(jīng)配置以確定所述平面內的有缺陷物理塊；在特定塊位置處的所述物理塊中無一物理塊被確定為有缺陷的情況下，將所述特定塊位置處的所述物理塊指派給超級塊；及在特定塊位置處的所述物理塊中的一者或一者以上被確定為有缺陷的情況下將所述特定塊位置處未被確定為有缺陷的所述物理塊指派給超級塊；且針對所述特定塊位置處被確定為有缺陷的所述一個或一個以上物理塊中的每一者給所述超級塊指派相應替換物理塊；其中所述相應替換物理塊選自所述平面中包含被確定為有缺陷的所述相應物理塊的相應一者內的某一數(shù)目的物理塊。
2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器控制器，其中所述特定塊位置處被確定為有缺陷的所述物理塊中的至少一者為生長型有缺陷物理塊；且所述控制電路經(jīng)配置以針對所述特定塊位置處被確定為生長型有缺陷物理塊的所述至少一個物理塊中的每一者給所述超級塊動態(tài)地指派相應替換物理塊。
3.根據(jù)權利要求1到2中任一權利要求所述的存儲器控制器，其中所述控制電路經(jīng)配置以確定所述物理塊數(shù)目。
4.根據(jù)權利要求3所述的存儲器控制器，其中所述物理塊數(shù)目是至少部分地基于每平面有缺陷塊的最高預期數(shù)目而確定的。
5.根據(jù)權利要求3所述的存儲器控制器，其中所述物理塊數(shù)目不超過每平面有缺陷塊的最高預期數(shù)目。
6.根據(jù)權利要求1到2中任一權利要求所述的存儲器控制器，其中所述控制電路經(jīng)配置以將被確定為有缺陷的物理塊映射到不同于被確定為有缺陷的所述物理塊的塊位置處的替換塊。
7.根據(jù)權利要求1到2中任一權利要求所述的存儲器控制器，其中所述控制電路經(jīng)配置以針對在與被確定為有缺陷的物理塊特定相同的陣列內且在與被確定為有缺陷的物理塊相同的特定塊位置處的每一物理塊，將原本無缺陷的物理塊視為有缺陷塊。
8.一種存儲器控制器，其包括控制電路，其耦合到一個或一個以上存儲器裝置，所述一個或一個以上存儲器裝置具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊，且其中所述控制電路經(jīng)配置以將所述物理塊中的至少一些物理塊選擇性地指派給第一類型的超級塊及第二類型的超級塊中的一者；其中所述第一類型的超級塊僅包含跨越所述至少兩個平面的相應相同塊位置處的物理塊；且其中所述第二類型的超級塊包含跨越所述至少兩個平面的相應相同塊位置處尚未被確定為有缺陷的若干物理塊及不同塊位置處替換所述特定塊位置處被確定為有缺陷的至少一個物理塊的至少一個物理塊。
9.根據(jù)權利要求8所述的存儲器控制器，其中所述控制電路經(jīng)配置以存取表，所述表包含每一者具有對應于所述第一類型的相應超級塊的映射信息的若干個條目；及每一者具有對不同表的指示的若干個條目，所述不同表具有對應于所述第二類型的相應超級塊的映射信息。
10.根據(jù)權利要求9所述的存儲器控制器，其中所述控制電路經(jīng)配置以基于特定邏輯超級塊地址搜索所述不同表以確定所述第二類型的特定超級塊的物理超級塊地址。
11.根據(jù)權利要求10所述的存儲器控制器，其中所述不同表包含指派給所述第二類型的所述特定超級塊的每一物理塊的物理塊地址。
12.根據(jù)權利要求10所述的存儲器控制器，其中存儲器單元包含多個快閃存儲器裝置，其中每一快閃存儲器裝置包含至少一個存儲器陣列，且其中所述至少兩個平面來自至少兩個不同存儲器陣列且被組織成若干個群組中的一者。
13.根據(jù)權利要求8到12中任一權利要求所述的存儲器控制器，其中所述塊位置指示所述物理塊在其相應平面內的物理位置。
14.一種存儲器控制器，其包括控制電路，其耦合到一個或一個以上存儲器裝置，所述一個或一個以上存儲器裝置具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊，且其中所述控制電路經(jīng)配置以將所述物理塊中的至少一些物理塊選擇性地指派給第一類型的超級塊及第二類型的超級塊中的一者，每一類型的超級塊包含不多于一個來自特定平面的物理塊；其中所述第一類型的超級塊僅包含跨越所述至少兩個平面的特定塊位置處的物理塊;及確定所述至少兩個平面內的物理塊是否有缺陷；且其中將在被確定為有缺陷的物理塊的塊位置處且尚未被確定為有缺陷的物理塊指派給所述第二類型的超級塊。
15.根據(jù)權利要求14所述的存儲器控制器，其中所述控制電路經(jīng)配置以防止將在被確定為有缺陷的塊的所述塊位置處且在與被確定為有缺陷的塊相同的陣列中的尚未被確定為有缺陷的塊指派給所述第二類型的超級塊。
16.根據(jù)權利要求14所述的存儲器控制器，其中所述第二類型的所述超級塊中的一者或一者以上包含相同塊位置處的至少兩個塊。
17.根據(jù)權利要求14所述的存儲器控制器，其中所述第二類型的所述超級塊中的一者或一者以上包含相同塊位置處的至少三個塊。
18.根據(jù)權利要求14到17中任一權利要求所述的存儲器控制器，其中所述一個或一個以上存儲器裝置形成快閃固態(tài)驅動器的一部分。
19.根據(jù)權利要求14到17中任一權利要求所述的存儲器控制器，其中對應于超級塊的所述物理塊可大致同時擦除。
20.根據(jù)權利要求14到17中任一權利要求所述的存儲器控制器，其中所述第一及第二類型的超級塊每一者包含相同數(shù)目個物理塊。
21.一種存儲器控制器，其包括控制電路，其耦合到一個或一個以上存儲器裝置，所述一個或一個以上存儲器裝置具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊，且其中所述控制電路經(jīng)配置以 確定所述至少兩個平面內的物理塊是否有缺陷；將所述物理塊中的至少一些物理塊選擇性地指派給所述超級塊中的相應一者， 其中所述超級塊中的每一者具有不多于一個來自特定平面的物理塊；且其中所述超級塊中的至少一者包含在跨越所述至少兩個平面的特定塊位置處的尚未被確定為有缺陷的所述物理塊；及針對所述特定塊位置處已被確定為有缺陷的物理塊的替換塊，所述替換物理塊選自在與被確定為有缺陷的所述物理塊相同的平面內的經(jīng)指派物理塊群組。
22.一種用于存儲器系統(tǒng)中的塊管理的方法，所述方法包括確定存儲器單元內的有缺陷物理塊，所述存儲器單元具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊；及將來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊指派給所述超級塊中的相應一者； 其中所述超級塊中的每一者包含在所述至少兩個平面的相應相同塊位置處尚未被確定為有缺陷的物理塊；及在所述相應相同塊位置處的物理塊被確定為有缺陷的情況下，針對被確定為有缺陷的所述物理塊的替換塊，所述替換物理塊選自在與被確定為有缺陷的所述物理塊相同的平面內的物理塊。
23.根據(jù)權利要求22所述的方法，其包含指派每一平面內的若干個物理塊以用于替換所述平面內已被確定為有缺陷的物理塊。
24.根據(jù)權利要求22到23中任一權利要求所述的方法，其包含將被確定為有缺陷的所述物理塊映射到所述替換物理塊。
25.一種用于存儲器系統(tǒng)中的塊管理的方法，所述方法包括將物理塊指派給與存儲器單元相關聯(lián)的第一類型的超級塊，所述存儲器單元具有至少兩個不同的物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個不同平面中的每一者的物理塊；將物理塊指派給與所述存儲器單元相關聯(lián)的第二類型的超級塊； 其中所述第一類型的超級塊中的每一者僅包含跨越所述至少兩個不同平面的相應塊位置處的物理塊；且其中所述第二類型的超級塊中的每一者包含跨越所述至少兩個不同平面的相應塊位置處的物理塊及不同塊位置處的物理塊，所述不同塊位置處的所述物理塊替換所述相應塊位置處已被確定為有缺陷的物理塊。
26.根據(jù)權利要求25所述的方法，其包含防止將在與被確定為有缺陷的塊相同的塊位置處且在與被確定為有缺陷的塊相同的陣列中的物理塊指派給所述第二類型的超級塊。
27.根據(jù)權利要求25到沈中任一權利要求所述的方法，其包含搜索表，所述表包含 每一者具有對應于所述第一類型的相應超級塊的映射信息的若干個條目；及每一者具有對不同表的指示的若干個條目，所述不同表具有對應于所述第二類型的相應超級塊的映射信息。
28.根據(jù)權利要求27所述的方法，其包含搜索所述不同表以基于特定邏輯超級塊地址確定所述第二類型的特定超級塊的物理超級塊地址。
29.一種存儲器控制器，其包括控制電路，其耦合到一個或一個以上存儲器裝置，所述一個或一個以上存儲器裝置具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊，且其中所述控制電路經(jīng)配置以確定所述平面內的有缺陷物理塊，所述有缺陷物理塊包含原始型有缺陷塊以及生長型有缺陷塊；在特定塊位置處的所述物理塊中無一物理塊被確定為有缺陷的情況下，將所述特定塊位置處的所述物理塊指派給超級塊；及在特定塊位置處的所述物理塊中的一者或一者以上被確定為有缺陷的情況下將所述特定塊位置處未被確定為有缺陷的所述物理塊指派給超級塊；且針對所述特定塊位置處被確定為有缺陷的所述一個或一個以上物理塊中的每一者給所述超級塊指派相應替換物理塊；其中所述相應替換物理塊選自所述平面中包含被確定為有缺陷的所述相應物理塊的相應一者內的經(jīng)指派數(shù)目的物理塊。
30.根據(jù)權利要求四所述的存儲器控制器，其中所述控制電路經(jīng)配置以在當前指派給特定超級塊的所述物理塊中的一者或一者以上變?yōu)樯L型有缺陷塊的情況下，為來自所述平面中的所述相應一者內的所述經(jīng)指派數(shù)目的物理塊的所述生長型有缺陷塊指派替換塊。
全文摘要
各種實施例包含一個或一個以上存儲器裝置，所述一個或一個以上存儲器裝置具有組織成超級塊的至少兩個物理塊平面，其中每一超級塊包含來自所述至少兩個平面中的每一者的物理塊。實施例包含確定所述平面內的有缺陷塊。在特定塊位置處的所述塊中無一塊被確定為有缺陷的情況下，實施例包含將所述特定塊位置處的所述塊指派給超級塊，且在特定塊位置處的所述塊中的一者或一者以上被確定為有缺陷的情況下，實施例包含將所述特定塊位置處被確定為有缺陷的所述塊指派給超級塊；及針對所述特定塊位置處被確定為有缺陷的所述一個或一個以上塊中的每一者給所述超級塊指派相應替換塊。所述相應替換塊選自所述平面中包含被確定為有缺陷的所述相應塊的相應一者內的某一數(shù)目的塊。
文檔編號G06F12/02GK102341792SQ201080010244
公開日2012年2月1日 申請日期2010年2月24日 優(yōu)先權日2009年3月4日
發(fā)明者艾倫·陳, 西亞麥克·內馬齊, 邁赫迪·阿斯納阿沙里 申請人:美光科技公司