專利名稱：微型射頻識(shí)別標(biāo)簽的制作方法
微型射頻識(shí)別標(biāo)簽相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用根據(jù)35U. S. C. 119，本申請(qǐng)要求2009年4月20日提交的、發(fā)明名稱為“微型RFID 標(biāo)簽”的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第61/170，836號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容引用結(jié)合于此。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別(RFID)應(yīng)答器(標(biāo)簽)一般以與RFID基站(RFID讀出器)結(jié)合的方式工作，用于各種存貨控制、安全及其它用途。典型地，具有與其相關(guān)的標(biāo)簽的物品，例如具有位于其上或其內(nèi)部的標(biāo)簽的容器，被放到由基站建立的“讀出區(qū)域”中。RFID基站可傳送由接收RFID標(biāo)簽調(diào)制的詢問RF信號(hào)。例如，RFID基站可以產(chǎn)生一定(載波)頻率的連續(xù)波(CW)電磁干擾，且此干擾可由RFID標(biāo)簽調(diào)制，以對(duì)應(yīng)于經(jīng)由干擾傳送回基站的數(shù)據(jù)。調(diào)制的干擾或信號(hào)可以以低于載波頻率的速率傳輸信息，該速率稱為數(shù)據(jù)速率(data rate)。 RFID標(biāo)簽可調(diào)制RF信號(hào)從而對(duì)該信號(hào)賦予存儲(chǔ)在RFID標(biāo)簽內(nèi)的信息并且然后將調(diào)制的應(yīng)答RF信號(hào)傳送到基站。RFID標(biāo)簽可以是有源的，包含其自身的RF發(fā)射器；或者是無源的，不具有發(fā)射器。 無源RFID標(biāo)簽，即依賴于調(diào)制的背散射以為詢問RFID基站提供返回鏈接的標(biāo)簽，可包括其自身的功率源，諸如電池，或者它們可以是“場(chǎng)供電的”(field-powered)，由此它們通過整流詢問RF信號(hào)而獲得其運(yùn)行功率。盡管電池供電標(biāo)簽以及場(chǎng)供電標(biāo)簽都具有最小的RF場(chǎng)強(qiáng)讀出需求或讀出閾值，但是通常場(chǎng)供電無源RFID標(biāo)簽的范圍可由RFID讀出器提供的輻射功率量限制，且具有其自身功率源的RFID標(biāo)簽的范圍由總通信連接的信噪比水平限制。 由于詢問信號(hào)必須為場(chǎng)供電無源RFID標(biāo)簽提供功率，因此場(chǎng)供電無源RFID標(biāo)簽的讀出閾值典型地實(shí)質(zhì)上高于有源RFID標(biāo)簽的讀出閾值。然而，由于場(chǎng)供電無源標(biāo)簽不包括其本身的功率源，所以場(chǎng)供電無源標(biāo)簽實(shí)質(zhì)上沒有有源RFID標(biāo)簽貴，且由于場(chǎng)供電無源標(biāo)簽沒有電池“耗盡”，因此長(zhǎng)遠(yuǎn)來看場(chǎng)供電無源RFID標(biāo)簽比有源RFID標(biāo)簽可能更可靠。盡管場(chǎng)供電無源RFID標(biāo)簽具有成本、可靠性以及環(huán)境優(yōu)勢(shì)，但是場(chǎng)供電無源RFID 標(biāo)簽的高效操作仍存在阻礙。具體地，可能難以通過詢問信號(hào)從基站傳送足夠的功率到場(chǎng)供電無源RFID標(biāo)簽。基站可賦予信號(hào)的功率量由多個(gè)因素限制，例如聯(lián)邦通信委員會(huì) (FCC)關(guān)于信號(hào)頻率和功率的規(guī)定。結(jié)果，提供這樣一種RFID標(biāo)簽的非常有利的，該RFID 標(biāo)簽緊湊、輕質(zhì)、價(jià)廉、可任意使用以及高效利用從詢問基站接收的信號(hào)能量的主要部分。針對(duì)這樣的背景技術(shù)，發(fā)明了這里描述的RFID標(biāo)簽。

發(fā)明內(nèi)容
本文公開了一種用于RFID標(biāo)簽的電感線圈的制造方法，所述電感線圈包括導(dǎo)電跡線圖案。所述方法包括提供具有由相對(duì)表面限定的預(yù)定厚度的電絕緣基板；在電絕緣基板中的所述相對(duì)表面的至少一個(gè)上制作凹槽，所述凹槽到達(dá)小于電絕緣基板厚度的受控深度，并且凹槽在電絕緣基板的表面上形成圖案，所述圖案對(duì)應(yīng)于電感線圈的導(dǎo)電跡線的期望圖案；以及在凹槽內(nèi)沉積導(dǎo)電材料。
可采用激光燒蝕、熱壓印和模制中的至少一個(gè)制作凹槽。在凹槽內(nèi)沉積導(dǎo)電材料可包括在形成有所述凹槽的所述電絕緣基板的實(shí)質(zhì)上整個(gè)表面上沉積導(dǎo)電材料；以及從電感線圈的導(dǎo)電跡線圖案之外的基板表面去除導(dǎo)電材料。在凹槽內(nèi)沉積導(dǎo)電材料可包括在所述凹槽內(nèi)形成導(dǎo)電區(qū)域；以及在導(dǎo)電區(qū)域中沉積導(dǎo)電材料。在所述凹槽內(nèi)沉積導(dǎo)電材料可包括在形成有所述凹槽的所述電絕緣基板的實(shí)質(zhì)上整個(gè)表面上沉積基底層；從凹槽之外的基板表面去除基底層；以及在凹槽中的基底層上沉積導(dǎo)電材料。形成在所述RFID標(biāo)簽上的電感線圈可成形為螺旋圖案。還公開了一種用于RFID標(biāo)簽的電感線圈，該電感線圈包括導(dǎo)電跡線圖案。該電感線圈包括電絕緣基板，具有由相對(duì)表面限定的預(yù)定厚度；一個(gè)或更多凹槽，位于電絕緣基板的相對(duì)表面的至少一個(gè)上，所述凹槽到達(dá)小于所述電絕緣基板厚度的受控深度，并且所述凹槽在電絕緣基板的表面上形成圖案，所述圖案對(duì)應(yīng)于電感線圈的導(dǎo)電跡線的期望圖案；以及導(dǎo)電材料，實(shí)質(zhì)上設(shè)置在一個(gè)或更多凹槽內(nèi)以形成電感線圈的導(dǎo)電跡線的圖案。電感線圈可成形為螺旋圖案。還公開了一種具有RFID標(biāo)簽的物體。其包括物體；以及RFID標(biāo)簽，所述RFID標(biāo)簽在第一維度上相對(duì)薄且在第二和第三正交維度上相對(duì)較大，所述RFID標(biāo)簽貼附到所述物體上。所述RFID標(biāo)簽包括電絕緣基板，具有沿所述第一維度的預(yù)定厚度，所述厚度由相對(duì)表面限定；一個(gè)或更多凹槽，位于所述電絕緣基板的所述相對(duì)表面的至少一個(gè)上，所述凹槽到達(dá)小于所述電絕緣基板的所述厚度的受控深度，并且所述凹槽在所述電絕緣基板的所述表面上形成圖案，所述圖案對(duì)應(yīng)于所述RFID標(biāo)簽的所述電感線圈的導(dǎo)電跡線的期望圖案；以及導(dǎo)電材料，實(shí)質(zhì)上設(shè)置在所述一個(gè)或更多凹槽內(nèi)以形成所述電感線圈的所述導(dǎo)電跡線的所述圖案。形成在RFID標(biāo)簽上的電感線圈可具有至少2微亨的感應(yīng)系數(shù)。形成在RFID標(biāo)簽上的電感線圈的導(dǎo)電跡線可具有約ΙΟμπι或更小的高度。形成在RFID標(biāo)簽上的電感線圈的導(dǎo)電跡線可具有約20 μ m或更小的寬度。形成在RFID標(biāo)簽上的電感線圈可成形為螺旋圖案。所述物體中可具有腔體且RFID標(biāo)簽可通過被包含在腔體內(nèi)而貼附到物體上。通過在RFID標(biāo)簽上過度的模制塑料而使RFID標(biāo)簽包含在腔體內(nèi)。


圖1示出示范性RFID系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的示意框圖；圖2A-2B示出裝配有RFID標(biāo)簽的兩個(gè)裝置，用于與RFID系統(tǒng)一起使用，該RFID 系統(tǒng)例如為圖1所示的RFID系統(tǒng)；圖3示出可包含在微型RFID標(biāo)簽中的電感線圈的一個(gè)實(shí)施例；圖4為印刷電路板的制造方法的第一實(shí)施例的工藝步驟的概略圖；圖5為印刷電路板的制造方法的第二實(shí)施例的工藝步驟的概略圖；圖6為印刷電路板的制造方法的第三實(shí)施例的工藝步驟的概略圖；圖7為印刷電路板的制造方法的實(shí)施例中采用的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖；圖8示出印刷電路板的制造方法的步驟的高度簡(jiǎn)化的示意圖；圖9示出印刷電路板的制造方法的步驟的高度簡(jiǎn)化的示意圖；圖10示出印刷電路板的制造方法的步驟的高度簡(jiǎn)化的示意圖11示出印刷電路板的制造方法的步驟的高度簡(jiǎn)化的示意圖；圖12示出印刷電路板的制造方法的步驟的高度簡(jiǎn)化的示意圖；圖13示出印刷電路板的制造方法的步驟的高度簡(jiǎn)化的示意圖；圖14示出印刷電路板的制造方法的步驟的高度簡(jiǎn)化的示意圖。
具體實(shí)施例方式盡管本發(fā)明可容許各種變更和替代形式，但其具體實(shí)施例通過示例的方式顯示在附圖中且在本文中被詳細(xì)描述。然而，應(yīng)該理解其并不旨在將本發(fā)明限制為特定的公開形式，而是本發(fā)明覆蓋落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的所有變更、等同方案和替代方案。本文公開的實(shí)施例涉及用于提供微型RFID標(biāo)簽的系統(tǒng)以及相關(guān)方法，該微型 RFID標(biāo)簽可貼附或集成到各種裝置中，各種裝置包括但不限于醫(yī)學(xué)產(chǎn)品、一次性產(chǎn)品、消費(fèi)者產(chǎn)品等等。RFID標(biāo)簽的面積可實(shí)質(zhì)上較小，其在考慮尺寸和/或重量的應(yīng)用中是有利的。 此外，由于材料要求以及改進(jìn)和簡(jiǎn)化的制造方法，與RFID標(biāo)簽相關(guān)的成本可相對(duì)低。以下描述關(guān)于RFID標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)和操作的更具體內(nèi)容。圖1示出包括RFID標(biāo)簽讀出器12以及RFID標(biāo)簽14的RFID系統(tǒng)10的示意框圖。 RFID標(biāo)簽讀出器12包括調(diào)諧電路16，調(diào)諧電路16包括串聯(lián)連接的電感器18和電容器20。 RFID標(biāo)簽讀出器12可經(jīng)由調(diào)諧電路16產(chǎn)生連續(xù)波(CW)RF功率。此CW RF功率可通過交流電作用而電磁耦合到RFID標(biāo)簽14的并聯(lián)諧振電路天線22。并聯(lián)諧振電路天線22可以包括電感器26和電容器24，電感器26和電容器24中的一個(gè)或兩者可以集成到RFID標(biāo)簽 14中。CWRF電磁功率一般由參考標(biāo)號(hào)28表示。RFID標(biāo)簽14可以包括功率轉(zhuǎn)換器或整流器電路，該功率轉(zhuǎn)換器或整流器電路將一些CW RF電磁功率28轉(zhuǎn)換為RFID標(biāo)簽14的邏輯電路(例如集成電路)使用的直流功率。RFID標(biāo)簽14也可以包括存儲(chǔ)器、調(diào)制電路、或可在例如一個(gè)或更多集成電路中實(shí)施的任何其它適合電路。當(dāng)RFID標(biāo)簽14的并聯(lián)諧振電路天線22靠近RFID標(biāo)簽讀出器12的調(diào)諧電路16 時(shí)，可以產(chǎn)生并聯(lián)諧振電路天線22上的AC電壓。并聯(lián)諧振電路天線22上的AC電壓可以被整流，并且當(dāng)整流電壓變得足以激活RFID標(biāo)簽14的邏輯電路時(shí)，RFID標(biāo)簽14可被激活并通過調(diào)制RFID標(biāo)簽讀出器12的入射RF載波信號(hào)28而開始發(fā)送存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。例如，RFID 標(biāo)簽14可以使用振幅調(diào)制以傳送信號(hào)到RFID標(biāo)簽讀出器12。RFID標(biāo)簽讀出器12可以檢測(cè)這些調(diào)制信號(hào)并且將它們轉(zhuǎn)換為開/關(guān)脈沖的檢測(cè)串行數(shù)據(jù)字位流，開/關(guān)脈沖代表來自RFID標(biāo)簽12的信息。在這點(diǎn)上，RFID標(biāo)簽讀出器12可以對(duì)數(shù)據(jù)解碼，從而識(shí)別與RFID 標(biāo)簽14相關(guān)的裝置。應(yīng)該理解圖1所示的RFID系統(tǒng)10是出于說明的目的提供，并且采用其它構(gòu)造的RFID系統(tǒng)也可以被使用。圖2A和2B分別示出注射器40和瓶42。注射器40和瓶42均裝配有RFID標(biāo)簽 (即，注射器40上的RFID標(biāo)簽44以及注射器42上的RFID標(biāo)簽46)。例如，每一個(gè)RFID 標(biāo)簽44、46可以包括用于存儲(chǔ)信息的讀/寫存儲(chǔ)器和用于與RFID標(biāo)簽讀出器通信的內(nèi)置天線。分別貼附到注射器40和瓶42的RFID標(biāo)簽44、46可以存儲(chǔ)與其包含的產(chǎn)品相關(guān)的信息。例如，RFID標(biāo)簽44，46中的信息可以包括產(chǎn)品信息，諸如與醫(yī)學(xué)產(chǎn)品相關(guān)的序列號(hào)和/或國(guó)家藥品代碼(NDC)、產(chǎn)品名稱、制造商名稱、批號(hào)、和/或產(chǎn)品有效期?？商鎿Q地或附加地，RFID標(biāo)簽44、46中的信息可以包括與數(shù)據(jù)庫(kù)中的一個(gè)或更多入口(entries)唯一相關(guān)的產(chǎn)品標(biāo)識(shí)符，該數(shù)據(jù)庫(kù)可被訪問以獲得關(guān)于產(chǎn)品的信息。RFID 標(biāo)簽44、46中的信息也可包括確認(rèn)醫(yī)學(xué)產(chǎn)品的量和/或濃度的劑量信息、和/或確認(rèn)要接收該醫(yī)學(xué)產(chǎn)品的患者的患者標(biāo)識(shí)符。其它可選信息可包括管理要求、使用說明和/或產(chǎn)品警告，諸如可能的過敏反應(yīng)或該產(chǎn)品與其它產(chǎn)品的不利的相互作用。信息可由制造商和/ 或接收和/或運(yùn)輸相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)施寫入RFID標(biāo)簽44、46中。RFID標(biāo)簽44、46中的一些或所有信息也可被印在RFID標(biāo)簽44、46的外表面上，從而使用戶可以直觀地讀出信息。每一個(gè)RFID標(biāo)簽44、46都可以做得薄并且柔性，允許RFID標(biāo)簽44、46被貼附到諸如注射器40、瓶42等的裝置，從而使RFID標(biāo)簽44、46不會(huì)妨礙該裝置的使用。此外，RFID 標(biāo)簽44、46可被集成到裝置的材料(例如塑料)中。例如，RFID標(biāo)簽44、46可通過它們上面的過度的模制塑料或者通過將它們封裝在裝置的腔體內(nèi)而被集成。圖3示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的RFID標(biāo)簽50的示意性平面圖。RFID標(biāo)簽50包括設(shè)置在絕緣基板52的表面上的電感線圈M。電感線圈M可以是RFID標(biāo)簽50的諧振電路中的構(gòu)件，該諧振電路例如為圖1所示的諧振電路22?；?2可以例如是由PET、聚酯薄膜、紙、塑料、聚酰亞胺膠帶(kapton)、聚酰亞胺等或它們的任意組合制成。在此示例中，電感線圈M是具有兩端、即內(nèi)端和外端的螺旋線圈。一般而言，RFID標(biāo)簽50的邏輯電路(未示出)可位于線圈M的內(nèi)側(cè)上。連接襯墊56可用于將電感線圈M的每一端連接到RFID 標(biāo)簽50的電路，諸如一個(gè)或更多集成電路。一個(gè)或更多集成電路可以采用任何合適的工藝和材料(例如硅IC)制造。如圖所示，線圈M可以包括彼此基本以90度角設(shè)置的多個(gè)直線段。此外，盡管所示的電感線圈討呈“方形螺旋”的形狀，也可考慮其它構(gòu)造(例如矩形線圈、圓形螺旋、六邊形螺旋、其它螺旋，或其它構(gòu)造)。電感線圈M可由導(dǎo)電材料制成，并且例如可包括諸如銅和鋁的金屬、電鍍金屬、 導(dǎo)電的有機(jī)和無機(jī)材料等等。為了實(shí)現(xiàn)期望的性能，電感線圈M可具有足夠大小的感應(yīng)系數(shù)(例如幾微亨利 (μ H)或更大)。此外，希望電感線圈M的電阻可以相對(duì)低，從而使電感線圈M的損耗不會(huì)降低RFID標(biāo)簽50的性能。另外，RFID標(biāo)簽50可具有相對(duì)小的面積(例如5mmX 5mm的方形，或更小)，從而使RFID標(biāo)簽50可被貼附或集成到裝置中而不妨礙裝置的預(yù)定用途，并且由于需要較少的材料而使RFID標(biāo)簽的成本可以相對(duì)低。為了提供足夠大的感應(yīng)系數(shù)值，電感線圈M包括覆蓋足夠面積的螺旋跡線。在具有相對(duì)小足印(footprint)的設(shè)計(jì)中，線圈M可能需要更多圈，從而需要相對(duì)薄的導(dǎo)電跡線以裝配在較小的面積內(nèi)。如上所述，由于電感線圈M的損耗依賴于跡線的電阻，因此需要相對(duì)厚的跡線以實(shí)現(xiàn)較低的電阻值。例如，電感線圈M的跡線高度可約為10 μ m,且跡線寬度可約為20 μ m。為實(shí)現(xiàn)上述設(shè)計(jì)目標(biāo)和特性，提供一種制造工藝，其特征在于使得電感線圈M的導(dǎo)電跡線構(gòu)建到基底基板52內(nèi)部的雕刻溝槽中。雕刻溝槽結(jié)構(gòu)或基板可基于諸如聚酰亞胺、PC、PET、PEN、LCP或其它適合材料的聚合物而實(shí)現(xiàn)。用于雕刻溝槽的工藝可以是激光燒蝕、熱壓印(hot embossing)、模制或其它適合工藝。熱壓印本質(zhì)上為將圖案壓印到軟化的材料(例如聚合物)上，其中通過將該材料的溫度升高到剛好高于其玻璃轉(zhuǎn)化溫度而軟化該材料。用于在材料中限定圖案的壓印可以
7多種方式實(shí)現(xiàn)，包括硅的微機(jī)械加工、光刻、采用計(jì)算機(jī)數(shù)控(CNC)工具的機(jī)械加工(用于制作大特征)等等。廣泛種類的聚合物已被成功地?zé)釅河榫哂形⒚准?jí)(或以下)的尺寸特征，包括聚碳酸酯和PMMA。這種技術(shù)可被用于雕刻溝槽。這種方法的優(yōu)點(diǎn)可包括能夠利用聚合物的寬范圍屬性，以及有可能經(jīng)濟(jì)地大量制造具有小于微米級(jí)的特征的部件。本文描述的RFID標(biāo)簽允許將一次性裝置與RFID標(biāo)簽讀出器協(xié)作使用的新應(yīng)用。 由于本實(shí)施例的RFID標(biāo)簽的尺寸小，因此可以將RFID標(biāo)簽嵌入各種一次性裝置中，諸如藥瓶、電化學(xué)試驗(yàn)片、管裝置等等。RFID系統(tǒng)集成到一次性裝置中允許以下的新應(yīng)用限制使用、品牌保護(hù)、交換重要信息諸如產(chǎn)品有效期、防范危險(xiǎn)源以及其它有用的應(yīng)用。圖4-圖14及其有關(guān)的以下討論涉及各種方法，其可用于制造RFID電感線圈，諸如圖3所示的RFID電感線圈54。這些方法允許制造尺寸相對(duì)小、提供高性能并且成本相對(duì)低的RFID標(biāo)簽。圖4a_圖4g為本發(fā)明方法的第一實(shí)施例的步驟的概略圖。根據(jù)圖如，初始材料為由例如聚酰亞胺的電介質(zhì)材料制成的電絕緣箔、即基板101。箔101的厚度可在約10微米至約80微米的范圍。在圖4b示出的第一工藝步驟中，通過采用脈沖或連續(xù)的受激準(zhǔn)分子激光束(excimer laser beam)的激光燒蝕，在箔101中制造凹槽102、103、104、105，上述激光束通過相應(yīng)的掩模傳送而入射到箔101的上表面上。凹槽103、104、105對(duì)應(yīng)于要形成在印刷電路板上的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的期望位置；凹槽102制作在后續(xù)步驟中要制造通孔10 的位置處(圖4c)。通過控制入射到箔101上的激光能量的總量來控制凹槽103、104、105的深度。例如，通過適當(dāng)控制入射(impinging)到箔上的激光脈沖的數(shù)量或者通過控制采用連續(xù)的激光束照射箔期間的總時(shí)間，可以調(diào)節(jié)這個(gè)能量。凹槽102、103、104、105典型地可以具有約 1微米至20微米的深度。為了確保激光束僅在要制作導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和孔的位置處入射到箔101 上，在箔101的上表面上疊置一個(gè)掩模，該掩模具有對(duì)應(yīng)于導(dǎo)體結(jié)構(gòu)103和104以及孔10 的期望圖案的透明部分；在用于凹槽105的箔下表面上疊置類似的掩模。因此，箔101中產(chǎn)生的線圖案對(duì)應(yīng)于導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的期望圖案。在圖如所示的下一步驟中，通過激光燒蝕在箔101中制作期望的通孔10加。為此，通過一個(gè)掩模在要形成孔的位置處利用受激準(zhǔn)分子激光器再次照射箔101，該掩模具有僅在對(duì)應(yīng)于孔的位置處對(duì)激光束透明的部分。通孔10 的典型直徑在約20至約50微米的范圍。然后，通過采用氧等離子體或水性介質(zhì)，可以清洗箔101以去除激光燒蝕工藝的任何殘留物。在根據(jù)圖4d的下一步驟中，箔101的上表面和下表面以及凹槽103、104、105的幾乎全部區(qū)域被金屬化，通孔10 的內(nèi)壁亦如此。這個(gè)金屬化步驟可通過諸如濺射或者陽(yáng)極或陰極電弧蒸發(fā)的物理氣相沉積(PVD)工藝執(zhí)行。由于執(zhí)行PVD工藝，約200nm厚的金屬層107可沉積在箔101的表面上。典型地，金屬層107包括銅；然而，可以采用諸如銀的其它金屬。為改善PVD層107與箔101的粘附性，在電介質(zhì)基板101上沉積PVD層之前，可以沉積諸如鎳、鉻、鈀或銀的粘合劑層，或?qū)⑵鋺?yīng)用到PVD工藝中?？蛇x地，在圖4d的金屬沉積步驟之前，可在等離子體中激活電介質(zhì)基板101。之后，可通過化學(xué)金屬沉積或電化學(xué)工藝(電鍍)，在PVD層107上沉積附加金屬層108 (例如銅)。根據(jù)實(shí)際示例，生成層108的厚度(圖如所示)在約10微米至40微米的范圍。在此示例中，層108的厚度基本上等于凹槽102、103、104、105的深度。在下一步驟中，從箔101上在最終印刷電路中不期望有導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的那些區(qū)域去除金屬(例如銅)。可通過諸如研磨、拋光或銑削的機(jī)械加工步驟執(zhí)行期望導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之外的該金屬去除。生成的結(jié)構(gòu)在圖4f中示出。因此，金屬僅保留在希望有導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的位置，如在凹槽103、104和105中的導(dǎo)電區(qū)域109、110和111以及通孔10 中所示。之后，絕緣箔 101可被電化學(xué)拋光或簡(jiǎn)單地化學(xué)蝕刻以補(bǔ)償表面不規(guī)則并確保充分安全的工藝。隨后，電絕緣介電箔或?qū)?12和113被分別層疊到由此制造的兩層印刷電路的頂面和底面。結(jié)果如圖4g所示。在印刷電路的例如用于安裝構(gòu)件必須可接電的那些位置，在介電箔112和113中的一個(gè)或兩者中制造開口。為了制造這樣的開口，可采用適合掩模執(zhí)行激光燒蝕工藝，從而使激光束僅入射到箔112和113的要制造開口的位置上。為制造多層印刷電路，如圖4f的步驟所示，在機(jī)械去除(研磨)多余金屬之后，將介電箔112和113層疊到形成在基板101上的印刷電路的兩個(gè)面上，并且重復(fù)執(zhí)行如上所述的工藝?？梢灾圃焯峁┑较聦拥耐ǖ赖拿た滓约巴?。在上述工藝中，在兩個(gè)步驟中形成通孔10 和凹槽103、104、105，如圖4b和如所示。作為選擇，人們可在單個(gè)步驟中執(zhí)行燒蝕。根據(jù)此實(shí)施例，使用轉(zhuǎn)換掩模(change-over mask)，并且通過激光燒蝕在凹槽103、104、105的位置以及孔10 的位置加工箔101直到凹槽具有需要的深度。然后，改變掩模，并且只有孔10 被進(jìn)一步燒蝕，直到形成穿過箔 101的期望通道。以下，參考圖5a_圖5f描述一個(gè)實(shí)施例，該實(shí)施例為結(jié)合圖4a_圖4g描述的實(shí)施例的替換實(shí)施例。這個(gè)工藝始于電絕緣介電箔120，其中在箔120的兩個(gè)面上層疊電絕緣介電箔121和122，箔121和122的材料不同于箔120的材料，如圖如所示。在如圖恥所示第一步驟中，通過激光燒蝕在箔121和122中制造導(dǎo)體結(jié)構(gòu)124、125、1 以及凹槽123的期望圖案，凹槽123位于希望形成通孔的位置。在下一步驟中，如圖5c所示，通過激光燒蝕制造通孔123a。箔121和122由比箔120的材料更容易燒蝕的材料形成，例如，箔121和122 由蒸發(fā)溫度遠(yuǎn)低于基板或箔120的絕緣體的絕緣體制成。以這種方式，凹槽124、125、126 的深度可被精確控制。凹槽124、125、126的深度基本上等于箔121和122的厚度。然后， 通過物理氣相沉積，合成結(jié)構(gòu)的全部上暴露表面和下暴露表面被金屬化以形成金屬層127， 如圖5d所示。之后，通過電鍍?cè)跉庀喑练e層127上沉積附加金屬層128，如圖k所示。然后，根據(jù)圖5f，通過研磨、拋光或銑削，機(jī)械加工圖^3所示的金屬化箔結(jié)構(gòu)的上表面和下表面，從而使金屬(銅)僅保留在凹槽124、125、1沈和孔123a中的期望位置。在本實(shí)施例中，以與第一實(shí)施例中相同的設(shè)備執(zhí)行激光燒蝕，即，采用具有期望的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和孔的對(duì)應(yīng)圖案的掩模。本發(fā)明的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是，該燒蝕工藝可采用這樣的激光器，其不能如受激準(zhǔn)分子激光器那樣精確地控制而在箔基板120的介電材料中制造期望的深度。原因在于深度主要由層121和122的厚度確定并且層121和122比基板120更容易被燒蝕?，F(xiàn)參考圖6a-圖6d描述本發(fā)明方法的第三實(shí)施例。根據(jù)圖6a，工藝始于電絕緣介電箔130，箔130具有層疊在箔或基板130的頂面和底面上的不同電絕緣介電箔131和132。此實(shí)施例的特征在于，基板130包括在激光束照射時(shí)由電絕緣體變成導(dǎo)電體的物質(zhì)。具有激光誘導(dǎo)導(dǎo)電性的這種材料的示例為有機(jī)聚合物聚(二乙硫基乙炔)和聚(二燒硫基乙炔)。在 R. Baumann 等人的"Local Electrical Conductivity in Poly (Bis-Alkylthio-Acetylene) Layers After Laser Irradiation，，，Synthetic metals (1993)，第3643-3648頁(yè)中提到的類型的材料。介電箔131和132不具有箔130的激光誘導(dǎo)導(dǎo)電性特性。在第一步驟中，如圖6b所示，通過激光燒蝕，在箔131和132中要設(shè)置導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的位置處形成凹槽134、135、136 ；同時(shí)，在希望形成通孔的位置處，通過激光燒蝕在層疊的箔 131和132中形成凹槽133。當(dāng)激光束已經(jīng)燒蝕箔131和132的要設(shè)置結(jié)構(gòu)134、135和136 以及凹槽133的部分并入射到基板130上時(shí)，被如此照射的基板部分變得導(dǎo)電。在下一步驟中，根據(jù)圖6c，通過激光燒蝕制造通孔133a。然后，通過無電鍍，凹槽134、135、136被填充金屬(例如銅)，以制造圖6d所示的結(jié)構(gòu)。這個(gè)實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)之一在于不需要去除多余材料。金屬僅沉積在已經(jīng)被激光照射的位置134、135、136。此外，僅產(chǎn)生少量廢品或不產(chǎn)生廢品，這使得該方法對(duì)環(huán)境有益。作為無電鍍的替代，假如諸如結(jié)構(gòu)134、135、136的所有結(jié)構(gòu)都經(jīng)由電接觸線被連接用于鍍覆，則也可通過電鍍施加銅。應(yīng)該理解僅通過重復(fù)所述工藝步驟，所有的上述工藝也可用于制造多層印刷電路板。在本發(fā)明的實(shí)施例中，用于激光燒蝕以在電介質(zhì)基板中形成期望凹槽的掩?？梢允抢缦辔谎谀?。這樣的相位掩模包括其上施加有介電層的石英基板。從掩模的對(duì)應(yīng)于基板中通孔的那些位置去除介電層。從掩模的對(duì)應(yīng)于基板中凹槽的那些位置去除一些介電層。這樣的相位掩模具有在單個(gè)工藝步驟中形成用于導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的孔和凹槽的優(yōu)點(diǎn)。作為其替代，通過在基板上直接“寫入”激光束，或者通過采用適應(yīng)性光學(xué)系統(tǒng)，可不使用掩模執(zhí)行激光燒蝕?；迳系闹苯訉懭肟赏ㄟ^采用例如反射鏡或折射元件的系統(tǒng)使激光束偏轉(zhuǎn)或相對(duì)于固定光束移動(dòng)基板而實(shí)現(xiàn)?，F(xiàn)參考圖7描述提到的適應(yīng)性光學(xué)系統(tǒng)，其中通過激光燒蝕加工基板140。受激準(zhǔn)分子激光器141發(fā)射的激光光束142通過均質(zhì)器(homogenize!·) 143轉(zhuǎn)變?yōu)閷挼目臻g上均勻的光束144，其入射到微透鏡的兩維陣列145上。微透鏡陣列145由單個(gè)板制造并且包括幾千個(gè)單獨(dú)的透鏡(典型地約一萬個(gè))。根據(jù)實(shí)際示例，陣列142的每一個(gè)透鏡具有約100 微米的外徑。微透鏡陣列145由入射光束144產(chǎn)生多個(gè)單獨(dú)的光束，諸如光束146a、146b、 146c。光束146a、146b、146c分別入射到適應(yīng)性反射器147的對(duì)應(yīng)反射鏡元件147a、147b、 147c。適應(yīng)性反射器147的每一個(gè)反射鏡元件由分開的壓電驅(qū)動(dòng)器分別調(diào)節(jié)。通過相應(yīng)地控制反射器147的反射鏡元件，來自微透鏡陣列145的光束射向基板140上的期望位置。由此，通過激光燒蝕而產(chǎn)生基板中凹槽和孔的期望圖案。通過適當(dāng)控制激光束照射的能量密度，孔和導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可同時(shí)產(chǎn)生。在激光照射期間，適應(yīng)性反射器147的反射鏡元件可通過與其相關(guān)的壓電驅(qū)動(dòng)器而被移動(dòng)，以便制造導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的期望圖案。檢流計(jì)驅(qū)動(dòng)器可用作反射鏡元件的所述壓電驅(qū)動(dòng)器的替代物。應(yīng)該理解，結(jié)合圖7描述的適應(yīng)性光學(xué)系統(tǒng)可用作光學(xué)系統(tǒng)，用于以本發(fā)明的工藝的任一上述實(shí)施例進(jìn)行激光燒蝕。電介質(zhì)基板的材料例如是聚酰亞胺，但也可采用諸如環(huán)氧樹脂、氰脂(cyanate ester)、聚酯、聚苯硫醚、聚四氟乙烯、雙馬來酰亞胺三嗪的其它材料?；蹇赏ㄟ^單獨(dú)切片
10的形式加工或形成為其上纏繞有塑料材料的卷筒。雖然在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中電介質(zhì)基板為薄箔，但本發(fā)明并不限于此，也可使用其它形式的電介質(zhì)材料，例如電介質(zhì)載板。圖至圖14f的基板201表示高度集成的印刷電路板的基底材料的截面。耐高溫的聚合物板通常被用作這種類型的印刷電路板的材料，在所述實(shí)施例中采用聚酰亞胺板。所示基板首先被貼附到用于固定薄箔的支撐框架(未示出)上，從而為單獨(dú)的加工步驟提供更容易的操作。在貼附到支撐件上之后，根據(jù)圖8b，從基板的對(duì)應(yīng)于后續(xù)導(dǎo)電引線 (lead) 202,203,204,205的位置去除材料。此材料去除實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電圖案的制造并且通過采用脈沖受激準(zhǔn)分子激光器的燒蝕而完成。根據(jù)圖8c，同樣通過采用受激準(zhǔn)分子激光器在對(duì)應(yīng)于后續(xù)鍍覆通孔位置進(jìn)行附加材料去除而制造通孔20加?？捎糜跓g的UV區(qū)域內(nèi)的脈沖受激準(zhǔn)分子激光器提供激光束，該激光束采用與導(dǎo)電路徑和鍍覆通孔的期望結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的掩模而被結(jié)構(gòu)化。可選地，可采用聚焦激光照射進(jìn)行加工。聚焦激光束相對(duì)于基板的運(yùn)動(dòng)可被自由控制。適應(yīng)性光學(xué)系統(tǒng)可用于操縱激光束， 該系統(tǒng)具有多個(gè)可對(duì)準(zhǔn)反射元件，用于使激光的各單獨(dú)光束直接偏轉(zhuǎn)到基板上。在材料去除之后，引入接地層，如圖8d所示的薄層206，以形成導(dǎo)電軌跡和/或鍍覆通孔。顯然，基底層206可被引入到基板201的表面上以及凹槽202、203、204、205或孔20 的壁上。傳統(tǒng)的濕法工藝、PVD/CVD工藝或激光支持的沉積方法可用于施加基底層 206。在引入基底層206之后，根據(jù)圖Se，從基板201的不對(duì)應(yīng)于后續(xù)導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔的這些區(qū)域去除基底層206?；讓?06的這種選擇性去除對(duì)應(yīng)于負(fù)導(dǎo)電圖案的制造并且通過采用脈沖受激準(zhǔn)分子激光器的燒蝕而實(shí)現(xiàn)。在選擇性燒蝕基底層206之后，根據(jù)圖8f，化學(xué)沉積金屬層207，用于隨后制造導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔。根據(jù)關(guān)于圖9a至圖9g示出的變型，并且根據(jù)圖9f，在選擇性燒蝕基底層206a之后，在對(duì)應(yīng)于后續(xù)導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔的區(qū)域化學(xué)沉積薄金屬層207。金屬207可以是無電流沉積的銅。根據(jù)圖9g，采用電化學(xué)沉積的金屬209加強(qiáng)導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔，以制造印刷電路板。在根據(jù)圖IOa至IOg所示的變型中，在燒蝕對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電軌跡的區(qū)域202、203、204、 205之后引入可去除蓋層210。然后，在對(duì)應(yīng)于通孔的區(qū)域20 中燒蝕基板材料和蓋層210， 并且在對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電軌跡的區(qū)域燒蝕蓋層210。在此步驟之后首先引入基底層206。顯然，基底層206可被引入到蓋層的表面上、導(dǎo)電軌跡結(jié)構(gòu)的底面上以及基板中的孔壁上。傳統(tǒng)濕法工藝、PVD/CVD方法或激光支持的沉積工藝可用于施加此基底層206。然后，可采用所謂的剝離工藝去除蓋層210。如圖IOf所示，從后續(xù)導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔之外的區(qū)域去除基底層206，與此相同地去除蓋層210。根據(jù)圖10g，化學(xué)沉積導(dǎo)電金屬層207，以制造后續(xù)的導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔?？刹捎没瘜W(xué)濕法工藝或借助于機(jī)械去除工藝執(zhí)行剝離工藝。在圖Ila至圖Ilg所示的變型中，在電磁照射的輔助下，例如在激光照射的輔助下，以限定方式結(jié)構(gòu)化全面覆蓋的基底層206’。通過電磁照射的影響，在后續(xù)導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔的區(qū)域中，露出結(jié)合種子(binding seeds)2110如圖Ilf所示，基底層206’的未照射部分被洗掉。根據(jù)圖Hg，化學(xué)沉積或電化學(xué)沉積導(dǎo)電金屬層207，以制作后續(xù)的導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔。
在根據(jù)圖1 至圖12f所示的變型中，最初通過電磁照射去除后續(xù)鍍覆通孔22 的區(qū)域。然后，將基底層2 被施加到整個(gè)表面上。傳統(tǒng)的濕法工藝可用于引入不導(dǎo)電基底層226。隨后，同樣采用傳統(tǒng)方法，在整個(gè)表面上施加可拆卸和/或可激光去除的蓋層212。 在電磁照射的輔助下，在此蓋層212中制造對(duì)應(yīng)于后續(xù)導(dǎo)電軌跡的凹槽222、223、224、225。 根據(jù)圖12e，通過燒蝕這些區(qū)域中的蓋層212而露出基底層226。在后續(xù)步驟中，導(dǎo)電材料 227可選擇性沉積在后續(xù)導(dǎo)電軌跡和鍍覆通孔的這些區(qū)域中。可替換地，通過曝光和顯影， 在光敏電介質(zhì)材料中可制造導(dǎo)電軌跡結(jié)構(gòu)。在圖13a至圖13d所示的變型中，后續(xù)的導(dǎo)電軌跡202、203、204、205以及鍍覆通孔20 的區(qū)域受到電磁照射。此照射導(dǎo)致濕化學(xué)浴期間在后續(xù)導(dǎo)電軌跡202、203、204、205 和鍍覆通孔20 的區(qū)域中沉積導(dǎo)電材料237。在圖1 至圖14f所示的變型中，在圖14d所示的步驟之后不需要燒蝕不必要區(qū)域中的基底層206。圖He顯示采用化學(xué)或電化學(xué)方法在基底層206上沉積導(dǎo)電材料M7， 直到產(chǎn)生平坦表面。包括導(dǎo)電材料247和基底層的層在后續(xù)的蝕刻工藝中被去除，直到導(dǎo)電材料247僅保留在導(dǎo)電軌跡202、203、204和205和通孔20 中(圖14f)。凹槽202、 203,204,205中的導(dǎo)電材料247于是與基板201的表面齊平。這種附加的制造方法的實(shí)質(zhì)優(yōu)點(diǎn)在于，例如采用激光燒蝕，通過在基板基底層上引入選擇性蒸發(fā)的導(dǎo)電材料，可機(jī)械地確定期望的導(dǎo)電軌跡的結(jié)構(gòu)?？扇菀椎乜刂评玢~的導(dǎo)電材料的沉積速率，從而使在引入的導(dǎo)電材料與基底層或基板之間可分別保持平坦表面。不再需要加工導(dǎo)電材料、基底層或基板的表面。如上所述，根據(jù)本文所述實(shí)施例的制造方法有利于在基板的凹槽內(nèi)引入導(dǎo)電軌跡 (跡線)。在這點(diǎn)上，提供了一種用于制造RFID標(biāo)簽的電感線圈和相關(guān)跡線的精細(xì)且精確的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單轉(zhuǎn)換。一旦制造了 RFID電感線圈和相關(guān)跡線，它們可耦合到邏輯電路(例如硅IC)以形成RFID標(biāo)簽。在其它方法之中，本文描述的制造方法具有下面的附加優(yōu)點(diǎn)高密度、高精確度的圖案形成；極高的分辨率；優(yōu)良的再現(xiàn)性，具有對(duì)應(yīng)于薄膜技術(shù)的最精細(xì)導(dǎo)電幾何圖形的分辨率；優(yōu)良的表面平坦性，這是由于導(dǎo)電引線被雕刻在基底材料中；允許使用耐高溫基底材料(例如，其Tg值> 500度C)；極短的加工周期(每層3至6個(gè)加工步驟)，降低成本的高可能性。應(yīng)該注意的是本文描述的任何方法可用于提供僅在其一側(cè)具有電感線圈的基板， 與上述基板不同，上述基板的每一個(gè)顯示了制造多個(gè)導(dǎo)電表面以在基板的兩側(cè)制造線圈。盡管在附圖和前面的描述中詳細(xì)示出和描述了本發(fā)明，但是這種示出和描述被認(rèn)為是示范性的而非特征限制性的。例如，以上描述的某些實(shí)施例可以與其它所述實(shí)施例結(jié)合和/或以其它方式設(shè)置(例如，以其它順序執(zhí)行工藝要素)。因此，應(yīng)該理解，僅示出和描述了某些實(shí)施例及其變型，希望保護(hù)的是在本發(fā)明精神以內(nèi)的所有改變和變更。
權(quán)利要求
1.一種用于射頻識(shí)別標(biāo)簽的電感線圈的制造方法，所述電感線圈包括導(dǎo)電跡線的圖案，所述方法包括提供具有由相對(duì)表面限定的預(yù)定厚度的電絕緣基板；在所述電絕緣基板的所述相對(duì)表面的至少一個(gè)上制作凹槽，所述凹槽到達(dá)小于所述電絕緣基板的所述厚度的受控深度，并且所述凹槽在所述電絕緣基板的所述表面上形成圖案，所述圖案對(duì)應(yīng)于所述電感線圈的導(dǎo)電跡線的期望圖案；以及在所述凹槽內(nèi)沉積導(dǎo)電材料。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中采用激光燒蝕、熱壓印和模制中的至少一個(gè)制作所述凹槽。
3.如權(quán)利要求1所限定的方法，其中在所述凹槽內(nèi)沉積導(dǎo)電材料包括在形成有所述凹槽的所述電絕緣基板的實(shí)質(zhì)上整個(gè)表面上沉積導(dǎo)電材料；以及從所述電感線圈的所述導(dǎo)電跡線的圖案之外的所述基板的所述表面去除導(dǎo)電材料。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中采用激光燒蝕、熱壓印和模制中的至少一個(gè)制作所述凹槽。
5.如權(quán)利要求1所限定的方法，其中在所述凹槽內(nèi)沉積導(dǎo)電材料包括 在所述凹槽內(nèi)形成導(dǎo)電區(qū)域；以及在所述導(dǎo)電區(qū)域中沉積導(dǎo)電材料。
6.如權(quán)利要求1所限定的方法，其中在所述凹槽內(nèi)沉積導(dǎo)電材料包括 在形成有所述凹槽的所述電絕緣基板的實(shí)質(zhì)上整個(gè)表面上沉積基底層； 從所述凹槽之外的所述基板的所述表面去除所述基底層；以及在所述凹槽中的所述基底層上沉積導(dǎo)電材料。
7.如權(quán)利要求1所限定的方法，其中形成在所述射頻識(shí)別標(biāo)簽上的所述電感線圈成形為螺旋圖案。
8.一種用于射頻識(shí)別標(biāo)簽的電感線圈，所述電感線圈包括導(dǎo)電跡線的圖案，包括 電絕緣基板，具有由相對(duì)表面限定的預(yù)定厚度；一個(gè)或更多凹槽，位于所述電絕緣基板的所述相對(duì)表面的至少一個(gè)上，所述凹槽到達(dá)小于所述電絕緣基板的所述厚度的受控深度，并且所述凹槽在所述電絕緣基板的所述表面上形成圖案，所述圖案對(duì)應(yīng)于所述電感線圈的導(dǎo)電跡線的期望圖案；以及導(dǎo)電材料，實(shí)質(zhì)上設(shè)置在所述一個(gè)或更多凹槽內(nèi)以形成所述電感線圈的所述導(dǎo)電跡線的所述圖案。
9.如權(quán)利要求8所限定的電感線圈，其中所述電感線圈成形為螺旋圖案。
10.一種具有射頻識(shí)別標(biāo)簽的物體，包括 物體；以及射頻識(shí)別標(biāo)簽，所述射頻識(shí)別標(biāo)簽在第一維度上相對(duì)薄且在第二和第三正交維度上相對(duì)較大，所述射頻識(shí)別標(biāo)簽貼附到所述物體上，所述射頻識(shí)別標(biāo)簽包括電絕緣基板，具有沿所述第一維度的預(yù)定厚度，所述厚度由相對(duì)表面限定； 一個(gè)或更多凹槽，位于所述電絕緣基板的所述相對(duì)表面的至少一個(gè)上，所述凹槽到達(dá)小于所述電絕緣基板的所述厚度的受控深度，并且所述凹槽在所述電絕緣基板的所述表面上形成圖案，所述圖案對(duì)應(yīng)于所述射頻識(shí)別標(biāo)簽的所述電感線圈的導(dǎo)電跡線的期望圖案；以及導(dǎo)電材料，實(shí)質(zhì)上設(shè)置在所述一個(gè)或更多凹槽內(nèi)以形成所述電感線圈的所述導(dǎo)電跡線的所述圖案。
11.如權(quán)利要求10所限定的物體，其中形成在所述射頻識(shí)別標(biāo)簽上的所述電感線圈具有至少2微亨的感應(yīng)系數(shù)。
12.如權(quán)利要求10所限定的物體，其中形成在所述射頻識(shí)別標(biāo)簽上的所述電感線圈的所述導(dǎo)電跡線具有約10 μ m或更小的高度。
13.如權(quán)利要求10所限定的物體，其中形成在所述射頻識(shí)別標(biāo)簽上的所述電感線圈的所述導(dǎo)電跡線具有約20 μ m或更小的寬度。
14.如權(quán)利要求10所限定的物體，其中形成在所述射頻識(shí)別標(biāo)簽上的所述電感線圈的所述導(dǎo)電跡線具有約10 μ m或更小的高度以及約20 μ m或更小的寬度。
15.如權(quán)利要求14所限定的物體，其中形成在所述射頻識(shí)別標(biāo)簽上的所述電感線圈具有至少2微亨的感應(yīng)系數(shù)。
16.如權(quán)利要求10所限定的物體，其中形成在所述射頻識(shí)別標(biāo)簽上的所述電感線圈成形為螺旋圖案。
17.如權(quán)利要求10所限定的物體，其中所述物體中具有腔體且所述射頻識(shí)別標(biāo)簽通過被包含在所述腔體內(nèi)而貼附到所述物體上。
18.如權(quán)利要求17所限定的物體，其中通過在所述射頻識(shí)別標(biāo)簽上過度的模制塑料而使所述射頻識(shí)別標(biāo)簽包含在所述腔體內(nèi)。
全文摘要
一種用于制作RFID標(biāo)簽的技術(shù)，其包括在絕緣基板中形成凹槽或溝槽。在溝槽中形成導(dǎo)電跡線，從而形成用于RFID標(biāo)簽的電感線圈。
文檔編號(hào)G06K19/077GK102460484SQ201080027362
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月20日
發(fā)明者L.施特拉姆, P.薩托里厄斯, W.塔姆 申請(qǐng)人:弗萊克斯電子有限責(zé)任公司