專利名稱：用于執(zhí)行電容式觸摸感測(cè)和接近檢測(cè)的方法及裝置的制作方法
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-, 6 m 7 ^dj 7fóJfflííAífMíf / MfèilMsffi / ü^fè測(cè)、觸摸基線維持及接近基線維持的方法的流程圖；圖8是根據(jù)一種示例實(shí)施例的用于為了觸摸基線或接近基線的維持而對(duì)所感測(cè) 的數(shù)據(jù)進(jìn)行濾波的方法的流程圖；圖9是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合感測(cè)基線繪制的電極電壓測(cè)量值的第一 實(shí)例的圖表，；

圖10是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合感測(cè)基線繪制的電極電壓測(cè)量值的第二 實(shí)例的圖表；圖11是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合感測(cè)基線繪制的電極電壓測(cè)量值的第三 實(shí)例的圖表；以及圖12是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合感測(cè)基線繪制的電極電壓測(cè)量值的第四 實(shí)施例的圖表。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例包括即使在設(shè)備的特性不適用于包含相對(duì)大的接近傳感器時(shí)也 可以用以將接近檢測(cè)并入設(shè)備內(nèi)的方法和裝置。一種特定的實(shí)施例包括創(chuàng)建“偽”電極或 “接近”電極作為多個(gè)個(gè)體電極的組合，其中接近電極起著提供接近檢測(cè)的作用。另外，實(shí)施 例還包括用于與對(duì)來自接近電極的傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行濾波不同地對(duì)來自個(gè)體電極的傳感器 數(shù)據(jù)進(jìn)行濾波的方法和裝置，因?yàn)橛|摸感測(cè)和接近感測(cè)的特性可以具有不同的頻率特性。 各種實(shí)施例使接近檢測(cè)特征能夠容易地并入各種設(shè)備類型中，包括具有擁擠的觸摸傳感器 陣列和/或嚴(yán)格的尺寸約束的設(shè)備(例如，手機(jī)和其他便攜式設(shè)備)。圖1示出了根據(jù)一種示例實(shí)施例的在設(shè)備100的輸入面106上包括多個(gè)個(gè)體觸摸 傳感器電極102 (“電極”)和顯示器104的實(shí)例電子設(shè)備100的平面圖。電極102按照具 有“X”列和“Y”行的陣列108來排列。僅為了示例起見，陣列108包括10列和5行電極 102。標(biāo)號(hào)“i，j”可以在本說明書的通篇內(nèi)使用，以指示陣列(例如，陣列108)的特定電極， 其中“i”指示列編號(hào)，以及“j”指示行編號(hào)。因此，例如，陣列108的每個(gè)電極都能夠由值 1，1…i，j. X，Y來標(biāo)識(shí)。雖然設(shè)備100被示出為在10列和5行的陣列108中包括50個(gè) 電極102，但是應(yīng)當(dāng)理解，設(shè)備可以包括更多或更少的電極，該電極可以按照更多或更少的 列和/或行的陣列來排列，和/或在其他實(shí)施例中，該電極可以按照不同于陣列的配置來排 列。另外，電極可以包括獨(dú)立式電極，例如圖1所示的，和/或電極可以按照虛擬電極的形 式并入顯示屏內(nèi)。圖1所示的設(shè)備配置可以對(duì)應(yīng)于例如手機(jī)或微型計(jì)算機(jī)。應(yīng)當(dāng)理解，圖1的配置 僅出于示例起見而提供，并且可以將實(shí)施例并入想要經(jīng)由“激活元件”與電極接觸和/或 接近電極來接收用戶的輸入的任意類型的設(shè)備之內(nèi)。如同在此所使用的，術(shù)語“激活元件” 意指應(yīng)當(dāng)被廣泛地解釋并且包括用戶用以與電極交互的任何物體(例如，手指、耳朵、面頰、 手、觸控筆或者適用于靠近或觸摸一個(gè)或更多個(gè)電極的各種其他器具)。為了說明起見而并 非旨在限制，在下面的討論中假定電場(chǎng)感測(cè)被用來確定激活元件是否正靠近或接觸特定的 電極。但是，基于本文的描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，其他類型的接近和/或接觸感測(cè) 同樣可以采用。有用的可替代的感測(cè)技術(shù)的非限制性的實(shí)例包括光學(xué)感測(cè)、磁場(chǎng)感測(cè)以及 光學(xué)、電和/或磁場(chǎng)感測(cè)的組合。
在許多情況下，可以將與電容式觸摸傳感器關(guān)聯(lián)的電極設(shè)計(jì)成很小的，以便使得 在設(shè)備的輸入面上便于包含許多電極。對(duì)包含大量輸入電極的手持式設(shè)備來說尤其是這 樣。共同的實(shí)例是并入“qwerty”鍵盤、10到12鍵的數(shù)字和/或符號(hào)板以及其他多功能的 傳感器陣列的設(shè)備。傳感器的陣列可以消耗設(shè)備的輸入面上的大量可用空間，以及顯示屏 和其他構(gòu)件(例如，揚(yáng)聲器和/或傳聲器)可以消耗大量的剩余可用空間。圖I的設(shè)備100示 出了這種情況，其中顯示器104和傳感器陣列108的組合消耗了輸入面106上的幾乎全部 可用空間。這種情況的問題是在輸入面106上沒有為用于接近檢測(cè)的大面積的電極或傳感 元件留下空間。通過將個(gè)體電極動(dòng)態(tài)地組合成用于一般的接近感測(cè)用途的“偽電極”或“接 近電極”，在此所描述的各種實(shí)施例克服了這種限制，并且然后自動(dòng)地使組合的電極返回到 個(gè)體感測(cè)狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)指出，盡管設(shè)備可以在其輸入表面上具有用于容納相對(duì)大面積的一般 接近檢測(cè)電極的足夠的未使用空間，但是這會(huì)增添所不希望的額外的制造成本。因而，即使 對(duì)于具有足以容納大面積的接近檢測(cè)元件的空間的設(shè)備，本文所描述的用于實(shí)現(xiàn)大面積接 近檢測(cè)電極的電學(xué)等價(jià)物的各種實(shí)施例也可以是有用的。圖2示出了根據(jù)一種示例實(shí)施例的其內(nèi)并入了電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)的 電子系統(tǒng)200的一部分的簡(jiǎn)化框圖。系統(tǒng)200的這部分可以并入手機(jī)、收音機(jī)、計(jì)算機(jī)、便 攜式娛樂設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理、電子游戲、遙控設(shè)備、控制臺(tái)、電器、觸摸屏或者任何各種其 他類型的電子設(shè)備之內(nèi)。根據(jù)一種實(shí)施例，系統(tǒng)200包括系統(tǒng)控制器202、電容式觸摸和接 近傳感器系統(tǒng)204以及從I到N的觸摸板電極206、207、208，其中N是整數(shù)(例如，在f 100 的范圍內(nèi)的整數(shù))。如以上結(jié)合圖I所提到的，電極206-208可以按照陣列(例如，陣列108， 圖I)來排列，盡管電極206-208同樣可以按照不同的配置來排列。每個(gè)觸摸板電極206-208都被排列成與電介質(zhì)觸摸板(或其一部分)物理接近。每 個(gè)電極206-208及其關(guān)聯(lián)的電介質(zhì)觸摸板分別起著電容器的一個(gè)電極和電介質(zhì)的作用。當(dāng) 用戶觸摸電介質(zhì)觸摸板中與傳感器位置關(guān)聯(lián)(例如，正好在電極206-208之上)的部分時(shí)，電 極206-208的電位變化由于形成于地電位(例如，地球)、用戶及電極206-208之間的電容電 路而產(chǎn)生。通過電極充電和電壓測(cè)量處理，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以周期性 地且頻繁地確定與電極206-208關(guān)聯(lián)的電容是否已經(jīng)充分改變，以指示“觸摸事件”或“釋 放事件”是否已經(jīng)發(fā)生。更具體地，為了測(cè)量電容，充電電路通過在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)給電極206 提供預(yù)定的電流來給電極(例如，電極206)充電。在充電處理的頂點(diǎn)，觸摸檢測(cè)電路測(cè)量在 電極206與地面(或者某些其他固定的電位)之間的電壓。當(dāng)所測(cè)得的電壓充分下降到與非 觸摸條件關(guān)聯(lián)的基線值之下(例如，在觸摸檢測(cè)閾值之下)時(shí)，觸摸檢測(cè)電路可以指出已經(jīng) 感測(cè)到了觸摸。充電和測(cè)量處理繼續(xù)重復(fù)，并且當(dāng)所測(cè)得的電壓稍后朝著基線值上升了足 夠的大小(例如，在釋放檢測(cè)閾值之上)時(shí)，則觸摸檢測(cè)電路可以指出已經(jīng)感測(cè)到了釋放。根據(jù)一種實(shí)施例，系統(tǒng)200同樣包括接近檢測(cè)特征。如同下面將更詳細(xì)地解釋的， 接近檢測(cè)特征通過選擇性地組合多個(gè)電極206-208來實(shí)現(xiàn)，從而形成具有比孤立的個(gè)體電 極206-208的面積顯著大的面積的接近電極。再者，通過形成接近電極的電極206-208的 充電和電壓測(cè)量處理，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以周期性地且頻繁地確定與接 近電極關(guān)聯(lián)的電容是否已經(jīng)充分改變，以指出“接近事件”或“撤離事件”是否已經(jīng)發(fā)生。該 充電和測(cè)量處理可以類似于個(gè)體電極的充電和測(cè)量處理，盡管它是針對(duì)接近電極的全部電 極并行地執(zhí)行的。但是，根據(jù)一種實(shí)施例，用于接近電極充電處理的預(yù)定的充電電流和預(yù)定的充電時(shí)間可以按照不同于用于個(gè)體電極充電處理的預(yù)定的充電電流和預(yù)定的充電時(shí)間 的方式來配置。此外或作為選擇，根據(jù)一種實(shí)施例，用來確定激活元件是否接近接近電極的 分析(例如，濾波處理)的特性可以不同于用來確定觸摸是否已經(jīng)發(fā)生的分析(例如，濾波處 理)的特性。各種實(shí)施例的這些特征將在下面更詳細(xì)地討論。電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以使用互連的一個(gè)或更多個(gè)集成電路芯片 和/或分立的(discreet)構(gòu)件來實(shí)現(xiàn)以提供下述功能。電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204 通過充電線路220、221、222和測(cè)量線路230、231、232與每個(gè)電極206-208在操作上耦接。 盡管充電線路220-222和測(cè)量線路230-232在圖2中被示出為不同的線路，但是應(yīng)當(dāng)理解， 可以通過單條線路來對(duì)電極執(zhí)行充電和測(cè)量處理(例如，充電線路220和測(cè)量線路230是同 一線路)。換言之，根據(jù)各種實(shí)施例，可以對(duì)使用電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204的兩個(gè) 針腳或單個(gè)針腳的電極執(zhí)行充電和測(cè)量處理。根據(jù)一種實(shí)施例，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204被配置以為每個(gè)電極 206-208存儲(chǔ)充電配置信息，其中充電配置信息至少包括每個(gè)電極206-208的基線電壓、 充電電流和充電間隔。另外，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204被配置以為由多個(gè)電極 206-208形成的接近電極存儲(chǔ)充電配置信息。例如，個(gè)體電極206-208和/或接近電極的充 電配置信息可以在工廠校準(zhǔn)處理中設(shè)定和/或由客戶設(shè)定。根據(jù)一種實(shí)施例，充電配置信 息可以在設(shè)備200的使用壽命期間動(dòng)態(tài)地調(diào)整(例如，以確保充電電壓落在可測(cè)量的電壓 的中心范圍內(nèi)或者在中心范圍的一部分內(nèi))，或者可以固定充電配置信息。將電極206用作示例，為了給電極206充電，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204將 電流供應(yīng)到充電線路220之上，其中所供應(yīng)的電流具有與電極206的存儲(chǔ)充電電流相等的 大小。充電電流被供應(yīng)長(zhǎng)達(dá)電極206的存儲(chǔ)充電間隔，并且然后充電處理被終止。電容式 觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204然后通過測(cè)量線路230來測(cè)量電極206的電壓。為了給由多個(gè) 電極206-208形成的接近電極充電，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204將電流供應(yīng)到多條 充電線路220-222 (即，與接近電極的電極206-208關(guān)聯(lián)的充電線路220-222)之上，其中所 供應(yīng)的電流具有與接近電極的存儲(chǔ)充電電流相等的大小。充電電流被供應(yīng)長(zhǎng)達(dá)接近電極的 存儲(chǔ)充電間隔，并且然后充電處理被終止。然后通過多條測(cè)量線路230 (即，與接近電極的 電極206-208關(guān)聯(lián)的測(cè)量線路230-232)來測(cè)量所組合的接近電極的電壓。根據(jù)一種實(shí)施例，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204同樣被配置用于存儲(chǔ)在使用 個(gè)體電極測(cè)量值來執(zhí)行的第一分析(例如，第一濾波處理)期間使用的第一分析參數(shù)(例如， 第一濾波參數(shù))，以及用于存儲(chǔ)在使用接近電極測(cè)量值來執(zhí)行的第二分析(例如，第二濾波 處理)期間使用的第二分析參數(shù)(例如，第二濾波參數(shù))?；旧?，對(duì)個(gè)體電極測(cè)量值的分析 會(huì)產(chǎn)生電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204將其與個(gè)體電極206的存儲(chǔ)基線電壓進(jìn)行比較的 值。當(dāng)該值與存儲(chǔ)基線電壓之間的差值沒有超過觸摸檢測(cè)增量(delta)時(shí)，電容式觸摸和接 近傳感器系統(tǒng)204可以作出電極206處于“非觸摸狀態(tài)”的確定。相反地，當(dāng)該值與基線電 壓之間的差值超過觸摸檢測(cè)增量時(shí)，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以作出觸摸事件 已經(jīng)發(fā)生的確定，并從而電極206處于“觸摸狀態(tài)”。當(dāng)為觸摸狀態(tài)時(shí)，電容式觸摸和接近傳 感器系統(tǒng)204可以繼續(xù)重復(fù)充電和測(cè)量處理，直到在所確定的值與個(gè)體電極206的基線電 壓之間的比較得出小于釋放檢測(cè)增量的差值。此時(shí)，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可 以確定釋放事件已經(jīng)發(fā)生，并且從而電極206再次處于非觸摸狀態(tài)。
類似地，使用接近電極測(cè)量值來執(zhí)行的分析(例如，濾波處理)會(huì)產(chǎn)生電容式觸摸 和接近傳感器系統(tǒng)204將其與接近電極的存儲(chǔ)基線電壓(S卩，與個(gè)體電極的基線電壓不同 的基線電壓)進(jìn)行比較的另一個(gè)值。當(dāng)該值與存儲(chǔ)基線電壓之間的差值沒有超過接近檢測(cè) 增量時(shí)，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以作出電極206處于“非接近狀態(tài)”的確定。 相反地，當(dāng)該值與基線電壓之間的差值超過接近檢測(cè)增量時(shí)，電容式觸摸和接近傳感器系 統(tǒng)204可以作出以下確定接近事件已經(jīng)發(fā)生，并且從而電極206處于“接近狀態(tài)”。當(dāng)處于 接近狀態(tài)時(shí)，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以繼續(xù)重復(fù)充電和測(cè)量處理，直到在所 確定的值與接近電極的基線電壓之間的比較得出小于撤離檢測(cè)增量的差值。此時(shí)，電容式 觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以確定撤離事件已經(jīng)發(fā)生，并且從而接近電極再次處于非接 近狀態(tài)。電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204與系統(tǒng)控制器202在操作上耦接。系統(tǒng)控制器 202可以包括專用的或通用的微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、專用集成電路(ASIC)或者某些 其他類型的處理構(gòu)件。系統(tǒng)控制器202以及電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以通過通 信接口 210來通信。根據(jù)一種實(shí)施例，通信接口 210可以包括一條或多條中斷線路以及一 條或多條通信線路。例如，在一種實(shí)施例中，通信接口 210可以包括用于支撐I2C (內(nèi)置集 成電路)通信協(xié)議的傳輸裝置。在其他實(shí)施例中，通信接口 210可以包括用于支持SPI (串 行外圍接口)協(xié)議、UART (通用異步收發(fā)器)協(xié)議或者某些其他類型的內(nèi)置處理器通信協(xié)議 的傳輸裝置。各種類型的中斷、控制信號(hào)和數(shù)據(jù)都可以通過通信接口 210來傳輸。例如，系統(tǒng)控 制器202可以通過通信接口 210來提供控制信號(hào)，該控制信號(hào)適用于激活或去激活(例如， 啟用或禁用)電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204。另外，當(dāng)電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204 檢測(cè)到觸摸事件、釋放事件、接近事件或撤離事件時(shí)，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可 以通過通信接口 210來提供中斷。響應(yīng)于中斷，系統(tǒng)控制器202可以提供有關(guān)中斷的信息 的請(qǐng)求(例如，請(qǐng)求讀取用于描述中斷的觸發(fā)事件的電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204的 寄存器)。電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204可以然后返回用于指示例如電極標(biāo)識(shí)(例如， 個(gè)體電極或接近電極)以及觸摸事件、釋放事件、接近事件或撤離事件的指示符的數(shù)據(jù)。給 定情形下，系統(tǒng)控制器202然后可以采取任意適合的動(dòng)作?，F(xiàn)在將描述有關(guān)電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)以及配置方法和裝置的各種實(shí)施 例的更多細(xì)節(jié)。圖3示出了根據(jù)一種示例實(shí)施例的電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)300 (例 如，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204，圖2)的簡(jiǎn)化框圖。根據(jù)一種實(shí)施例，電容式觸摸和 接近傳感器系統(tǒng)300包括傳感器處理系統(tǒng)302、電流源304、時(shí)鐘/定時(shí)器306、模擬-數(shù)字 轉(zhuǎn)換器(ADC)308、多路復(fù)用器輸入/輸出(1/0)310和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)312。這些構(gòu)件可以被并入 單個(gè)集成電路之內(nèi)，或者部分或全部構(gòu)件可以被實(shí)現(xiàn)作分離的設(shè)備。傳感器處理系統(tǒng)302被配置用于通過一條或多條通信線路340、341以及一條或多 條中斷線路360與外部控制器(例如，系統(tǒng)控制器202，圖2)通信。根據(jù)一種實(shí)施例，并且 響應(yīng)于通過通信線路340接收到控制信號(hào)，傳感器處理系統(tǒng)302可以啟動(dòng)監(jiān)控一個(gè)或更多 個(gè)外部電極(例如，電極106-108，圖1)的處理，以確定存在于電極上的電壓是否展示出了 指示非觸摸狀態(tài)、觸摸狀態(tài)、觸摸事件、釋放事件、非接近狀態(tài)、接近狀態(tài)、靠近事件或撤離 事件的性質(zhì)。另外，在檢測(cè)到接觸事件、釋放事件、靠近事件或撤離事件時(shí)，傳感器處理系統(tǒng)302可以經(jīng)由線路358將描述事件的信息存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備312內(nèi)，并且可以通過中斷 線路360將中斷發(fā)送給系統(tǒng)控制器(例如，系統(tǒng)控制器202，圖2)。描述事件的信息可以包 括，例如，電極標(biāo)識(shí)(例如，個(gè)體電極或接近電極)以及事件的類型(例如，觸摸、釋放、靠近或 撤離)。作為選擇，信息可以包括電極標(biāo)識(shí)和電極的當(dāng)前狀態(tài)(例如，觸摸狀態(tài)、非觸摸狀態(tài)、 接近狀態(tài)或非接近狀態(tài))。另外，傳感器系統(tǒng)處理302可以將新進(jìn)入的狀態(tài)的指示存儲(chǔ)于數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備312內(nèi)。例如，傳感器處理系統(tǒng)302可以在觸摸事件發(fā)生時(shí)存儲(chǔ)關(guān)于電極處于 觸摸狀態(tài)的指示，以及傳感器處理系統(tǒng)302可以在釋放事件發(fā)生時(shí)存儲(chǔ)關(guān)于電極處于非觸 摸狀態(tài)的指示。根據(jù)一種實(shí)施例，傳感器處理系統(tǒng)302同樣可以(例如，通過通信線路340從系統(tǒng) 控制器202，圖2)接收控制信號(hào)，該控制信號(hào)指示電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)204應(yīng)當(dāng)被 激活或被去激活(例如，啟用或禁用)。激活/去激活控制信號(hào)可以單次(例如，在設(shè)備的工廠 設(shè)置期間)或多次提供。不管怎樣，傳感器處理系統(tǒng)302可以存儲(chǔ)接近電極啟用指示符(例 如，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備312中)，該啟用指示符指示接近電極是啟用的還是禁用的。另外，傳感 器處理系統(tǒng)302可以在靠近事件發(fā)生時(shí)存儲(chǔ)關(guān)于接近電極處于接近狀態(tài)的指示，以及傳感 器處理系統(tǒng)302可以在撤離事件發(fā)生時(shí)存儲(chǔ)關(guān)于接近電極處于非接近狀態(tài)的指示。在通過 通信線路340接收到有關(guān)中斷的信息的請(qǐng)求時(shí)，傳感器處理系統(tǒng)302可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備 312檢索信息，并且可以通過通信線路341來發(fā)送包括事件描述的響應(yīng)。傳感器處理系統(tǒng) 302同樣可以通過通信線路340來接收控制信號(hào)，該控制信號(hào)指示傳感器處理系統(tǒng)302應(yīng)當(dāng) 停止電極監(jiān)控(例如，當(dāng)設(shè)備被斷電時(shí))，并且因此，傳感器處理系統(tǒng)302可以停止電極監(jiān)控。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備312可以包括一個(gè)或更多個(gè)寄存器或者其他易失性存儲(chǔ)器，其適用 于存儲(chǔ)觸摸、釋放、靠近和撤離事件信息，電極狀態(tài)信息、個(gè)體電極和接近電極兩者的分析 參數(shù)(例如，濾波參數(shù))，個(gè)體電極和接近電極兩者的充電參數(shù)，電極專用參數(shù)及接近電極啟 用指示符，這些信息和參數(shù)中的每一種都將在下面更詳細(xì)地討論。充電參數(shù)可以包括例如 充電電流、充電間隔以及與非觸摸或非接近條件關(guān)聯(lián)的基線值。另外，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)312可以包 括觸摸檢測(cè)增量值、釋放檢測(cè)增量值、靠近檢測(cè)增量值及撤離檢測(cè)增量值。作為選擇，數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)設(shè)備312可以包括觸摸檢測(cè)閾值(例如，基線值減去觸摸檢測(cè)增量)、釋放檢測(cè)閾值(例 如，基線值減去釋放檢測(cè)增量)、靠近檢測(cè)閾值(例如，接近電極基線值減去靠近檢測(cè)增量) 以及撤離檢測(cè)閾值(例如，接近電極基線值減去撤離檢測(cè)增量)。“配置”傳感器300指的是 在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備312內(nèi)或其他任何地方存儲(chǔ)(或“建立”)本段所描述的某些或全部值、參數(shù) 和/或信息的處理。這些值、參數(shù)和/或信息中的每一種的用法將在下面更詳細(xì)地討論。在啟動(dòng)電極監(jiān)控處理(例如，響應(yīng)于通過通信線路340接收到的控制信號(hào))時(shí)，傳感 器處理系統(tǒng)302可以通過經(jīng)由多路復(fù)用器控制線路350將選擇信號(hào)提供給多路復(fù)用器I/O 310來選擇要監(jiān)控的第一電極(例如，電極206,圖2)。選擇信號(hào)指不，多路復(fù)用器I/O 310 應(yīng)當(dāng)為了充電而啟用電流源348與所選電極之間的連接。傳感器處理系統(tǒng)302可以從數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)設(shè)備312中檢索出所選電極的充電參數(shù)，并且可以通過控制線路342給電流源304提 供用于指示充電電流的控制信號(hào)。另外，傳感器處理系統(tǒng)302可以通過控制線路344給時(shí) 鐘/定時(shí)器306提供用于指示所選電極的充電間隔的時(shí)鐘/定時(shí)器控制信號(hào)。時(shí)鐘/定 時(shí)器306此后可以通過控制線路346給電流源304提供使能信號(hào)，該使能信號(hào)促使電流源 304將處于充電電流的電流提供到電流輸出線路348上。在充電間隔終了時(shí)，時(shí)鐘/定時(shí)器306可以通過控制線路346給電流源304提供禁用信號(hào)，該禁用信號(hào)促使電流源304停 止在電流輸出線路348上提供電流。在電流輸出線路348上所提供的電流被提供給在充電 線路320、321、322之一上的選擇電極。當(dāng)接近電極被啟用時(shí)，對(duì)接近電極的監(jiān)控可以通過依次監(jiān)控個(gè)體電極來執(zhí)行。根 據(jù)一種實(shí)施例，為了監(jiān)控接近電極，傳感器處理系統(tǒng)302可以通過經(jīng)由多路復(fù)用器控制線 路350將選擇信號(hào)提供給多路復(fù)用器I/O 310來選擇要監(jiān)控的接近電極，其中選擇信號(hào)指 示多路復(fù)用器1/0310應(yīng)當(dāng)為了充電而啟用電流源348與多個(gè)電極(上至全部電極)之間的 連接。傳感器處理系統(tǒng)302可以從數(shù)據(jù)處理312中檢索出接近電極的充電參數(shù)，并且可以 通過控制線路342給電流源304提供用于指示充電電流的控制信號(hào)。根據(jù)一種實(shí)施例，接 近電極的充電電流可以不同于個(gè)體電極的充電電流。另外，傳感器處理系統(tǒng)302可以通過 控制線路344給時(shí)鐘/定時(shí)器306提供用于指示接近電極的充電間隔的時(shí)鐘/定時(shí)器控制 信號(hào)。再者，根據(jù)一種實(shí)施例，接近電極的充電間隔可以不同于個(gè)體電極的充電間隔。時(shí)鐘 /定時(shí)器306此后可以通過控制線路346給電流源304提供使能信號(hào)，該使能信號(hào)促使電流 源304將處于充電電流的電流提供到電流輸出線路348上。在充電間隔終了時(shí)，時(shí)鐘/定 時(shí)器306可以通過控制線路346給電流源304提供禁用信號(hào)，該禁用信號(hào)促使電流源304 停止在電流輸出線路348上提供電流。在電流輸出線路348上所提供的電流被提供給在多 條充電線路320、321、322上的與接近電極關(guān)聯(lián)的電極。當(dāng)電流供應(yīng)被終止時(shí)(例如，在充電間隔結(jié)束時(shí))，電容式觸摸傳感器可以測(cè)量電 極的電壓。傳感器處理系統(tǒng)302可以通過經(jīng)由多路復(fù)用器控制線路350給多路復(fù)用器I/O 310提供另一種控制信號(hào)來執(zhí)行所選電極或接近電極的電壓測(cè)量，該控制信號(hào)使多路復(fù)用 器I/O 310能夠通過一條或多條測(cè)量線路330、331、332存取所選電極(或多個(gè)電極，在接近 電極的情形中)的模擬電壓信號(hào)。選擇信號(hào)為了感測(cè)而促使多路復(fù)用器I/O 310啟用所選 電極(或多個(gè)電極，在接近電極的情形中)與ADC308之間的連接。如前面所討論的，盡管充 電線路320-322和測(cè)量線路330-332在圖3中被示出為不同的線路，但是應(yīng)當(dāng)理解，可以通 過單條線路來對(duì)電極執(zhí)行充電和測(cè)量處理(例如，充電線路320和測(cè)量線路330可以是同一 線路)。多路復(fù)用器I/O 310通過模擬電壓線路352給ADC308提供模擬電壓信號(hào)。根據(jù) 一種實(shí)施例，響應(yīng)于由時(shí)鐘/定時(shí)器306通過控制線路354提供的時(shí)鐘信號(hào)，ADC308將所 收到的模擬電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字值，該數(shù)字值可以表示為ADC計(jì)數(shù)。換言之，ADC308采樣 模擬電壓信號(hào)以便提供多個(gè)數(shù)字值。ADC308然后通過數(shù)字電壓線路356給傳感器處理系統(tǒng) 302提供所采樣的數(shù)字值。電極(或多個(gè)電極)然后可以在放電時(shí)間內(nèi)充電至零電壓，并且 該處理可以重復(fù)一次或多次以便獲得同一選擇電極或接近電極的一個(gè)或更多個(gè)額外的電 壓測(cè)量值。如同將結(jié)合圖8更詳細(xì)地描述的，例如，傳感器處理系統(tǒng)302可以促使充電和電 壓測(cè)量處理針對(duì)所選電極或接近電極重復(fù)一次或多次，并且然后可以評(píng)定所測(cè)得的電壓以 確定，例如，觸摸事件、釋放事件、靠近事件或撤離事件是否已經(jīng)發(fā)生。如同在此所使用的， 所測(cè)得的“電極電壓”、“電極電壓值”或“EVV” 一般可以指的是單個(gè)測(cè)量值的電極電壓值或 者基于多次電極電壓值測(cè)量在數(shù)學(xué)上得出的電極電壓值。在接收到有關(guān)所選電極(例如，電極206，圖2)的電極電壓值的來自ADC308的信 息時(shí)，傳感器處理系統(tǒng)302然后可以通過到多路復(fù)用器I/O 310的控制信號(hào)來選擇另一個(gè)電極(例如，電極207，圖2)，并且可以針對(duì)下一選擇電極重復(fù)充電和測(cè)量處理。該處理可 以針對(duì)全部剩余電極(例如，到電極208，圖2)來執(zhí)行，從而完成監(jiān)控電極電壓的第一次迭 代。根據(jù)一種實(shí)施例，在監(jiān)控每個(gè)個(gè)體電極的電極電壓的迭代結(jié)束時(shí)，傳感器處理系統(tǒng)302 可以通過到多路復(fù)用器1/0310的控制信號(hào)來選擇接近電極(即，電極206-208中的多個(gè)電 極的組合，圖2)，并且可以針對(duì)接近電極重復(fù)選擇充電和測(cè)量處理。此后可以執(zhí)行充電和 監(jiān)控系統(tǒng)的電極的另外的迭代，再次從第一選擇電極(例如，電極206，圖2)開始。根據(jù)其 他實(shí)施例，接近電極的監(jiān)控處理可以在開始時(shí)或者在監(jiān)控個(gè)體電極的迭代處理中的某處執(zhí) 行，或者接近電極的監(jiān)控處理可以在監(jiān)控個(gè)體電極的迭代內(nèi)多次重復(fù)。如上所述，根據(jù)一種實(shí)施例，電容式觸摸傳感器300適用于執(zhí)行自動(dòng)配置和/或重 配置處理。自動(dòng)配置處理包括在開始時(shí)確定并存每個(gè)電極的儲(chǔ)基線值、充電電流和充電間 隔(在此分別稱為“存儲(chǔ)基線值”、“存儲(chǔ)充電電流”和“存儲(chǔ)充電間隔”)，以及存儲(chǔ)接近電極 的基線值、充電電流和充電間隔(在此也分別稱為“存儲(chǔ)接近基線值”、“存儲(chǔ)接近充電電流” 和“存儲(chǔ)接近充電間隔”)。自動(dòng)重配置處理包括更新(例如，確定并存儲(chǔ))每個(gè)電極的存儲(chǔ)基 線值、存儲(chǔ)充電電流和存儲(chǔ)充電間隔，以及接近電極的存儲(chǔ)接近基線值、存儲(chǔ)接近充電電流 和存儲(chǔ)接近充電間隔。自動(dòng)配置處理或自動(dòng)重配置處理在此可以簡(jiǎn)單地稱為“配置處理”。 自動(dòng)配置處理可以結(jié)合針對(duì)每個(gè)電極執(zhí)行的充電和測(cè)量處理來執(zhí)行。用于配置和自動(dòng)重配 置系統(tǒng)以及更新各種參數(shù)的方法和裝置將結(jié)合圖6和7更詳細(xì)地描述。如以上所簡(jiǎn)要討論的，電容式觸摸傳感器300可以評(píng)定所測(cè)得的電壓以確定觸摸 事件、釋放事件、靠近事件或撤離事件是否已經(jīng)發(fā)生。根據(jù)一種實(shí)施例，當(dāng)電極處于非接觸 狀態(tài)時(shí)，確定觸摸事件是否已經(jīng)發(fā)生包括確定所測(cè)得的電壓是在觸摸檢測(cè)閾值之上還是在 其之下。相反地，當(dāng)電極處于觸摸狀態(tài)時(shí)，確定釋放事件是否已經(jīng)發(fā)生包括確定所測(cè)得的電 壓是在釋放檢測(cè)閾值之上還是在其之下。類似地，當(dāng)接近電極處于非接近狀態(tài)時(shí)，確定接近 事件是否已經(jīng)發(fā)生包括確定所測(cè)得的電壓是在靠近檢測(cè)閾值之上還是在其之下。相反地， 當(dāng)接近電極處于接近狀態(tài)時(shí)，確定撤離事件是否已經(jīng)發(fā)生包括確定所測(cè)得的電壓是在撤離 檢測(cè)閾值之上還是在其之下。圖4是結(jié)合基線值、觸摸或靠近檢測(cè)閾值以及釋放或撤離檢測(cè)閾值的描述來提供 的。雖然同一圖形被用來描述個(gè)體電極的觸摸和釋放檢測(cè)以及接近電極的靠近和撤離檢 測(cè)，但是應(yīng)當(dāng)理解，個(gè)體電極和接近電極的檢測(cè)事件可以具有顯著不同的特性。但是，為了 簡(jiǎn)潔起見，僅使用單個(gè)圖形來描繪個(gè)體電極和接近電極兩者的檢測(cè)事件。更具體地，圖4是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合單個(gè)電極或接近電極的基線 402、觸摸或靠近檢測(cè)閾值406 (稱為“第一檢測(cè)閾值”)以及靠近或撤離檢測(cè)閾值412 (稱為 “第二檢測(cè)閾值”)繪制的實(shí)例電壓測(cè)量值420、421、422的圖表400。盡管在圖4中僅標(biāo)示 了三個(gè)分立的電極電壓測(cè)量值420-422，但是電壓測(cè)量信號(hào)404表示多個(gè)測(cè)量點(diǎn)，這些測(cè)量 點(diǎn)出于描述的清楚起見被示出為連接在一起作為連續(xù)的電壓測(cè)量信號(hào)404。類似地，盡管基 線402出于描述的清楚起見被示出為連續(xù)的信號(hào)，但是基線實(shí)際上在系統(tǒng)中可以由所存儲(chǔ) 的基線值表示。在各種實(shí)施例中，每個(gè)電壓測(cè)量值420-422都可以表示電極(或接近電極) 的單個(gè)充電和測(cè)量循環(huán)的單次測(cè)量的結(jié)果，或者每個(gè)電壓測(cè)量值420-422都可以表示電極 (或接近電極)的多個(gè)充電和測(cè)量循環(huán)的多個(gè)測(cè)量值。不管怎樣，電壓測(cè)量值420-422在測(cè) 量與測(cè)量之間可以是不同的，如圖4所示。
從圖表400的左側(cè)開始，當(dāng)所選的個(gè)體電極處于非觸摸狀態(tài)或者接近電極處于非 接近狀態(tài)時(shí)，多次電壓測(cè)量(包括電壓測(cè)量420)在時(shí)間間隔410內(nèi)進(jìn)行。當(dāng)電極的電壓測(cè) 量值具有在檢測(cè)閾值406 (例如，觸摸檢測(cè)閾值)之上的值時(shí)，可以認(rèn)為該電極處于非觸摸狀 態(tài)，以及當(dāng)接近電極的電壓測(cè)量值具有在檢測(cè)閾值406 (例如，靠近檢測(cè)閾值)之上的值時(shí)， 可以認(rèn)為該接近電極處于非接近狀態(tài)。根據(jù)一種實(shí)施例，在任意給定時(shí)間，觸摸檢測(cè)閾值等 于存儲(chǔ)基線值減去觸摸檢測(cè)增量(例如，增量430)，或者靠近檢測(cè)閾值等于存儲(chǔ)接近基線值 減去靠近你檢測(cè)增量(例如，增量430)。在一種實(shí)施例中，觸摸檢測(cè)閾值和靠近檢測(cè)增量是 固定的值，盡管在別的實(shí)施例中，觸摸檢測(cè)增量和/或靠近檢測(cè)增量可以是可調(diào)整的值。圖 4示出電壓測(cè)量值420是在第一檢測(cè)閾值406之上的，并且因此電壓測(cè)量值420與第一檢測(cè) 閾值406的比較將指出該電極是處于非觸摸狀態(tài)還是處于非接近狀態(tài)。根據(jù)一種實(shí)施例，每個(gè)個(gè)體電極和接近電極的基線(例如，基線402)可以在電極處 于非觸摸狀態(tài)或非接近狀態(tài)時(shí)動(dòng)態(tài)地調(diào)整，這將在后面更詳細(xì)地討論。在圖4中通過在時(shí) 間間隔410內(nèi)提高和降低基線402的性質(zhì)(nature)來示出基線402的動(dòng)態(tài)調(diào)整。由于基 線402是動(dòng)態(tài)調(diào)整的，因而第一檢測(cè)閾值406和第二釋放閾值412同樣是動(dòng)態(tài)調(diào)整的，如圖 4所示。連續(xù)向右橫穿圖表400,電壓測(cè)量信號(hào)404在時(shí)間408處下降到第一檢測(cè)閾值406 之下。因此，電壓測(cè)量值421與第一檢測(cè)閾值406的比較將指出該電極現(xiàn)在正處于觸摸狀 態(tài)或接近狀態(tài)。如同后面將更詳細(xì)地描述的，當(dāng)檢測(cè)到從非觸摸或非接近狀態(tài)到觸摸或接 近狀態(tài)的轉(zhuǎn)換時(shí)，系統(tǒng)可以生成中斷(例如，在中斷線路360上，圖3)。當(dāng)電極的電壓測(cè)量值 具有在第二檢測(cè)閾值412之下的值時(shí)，可以認(rèn)為該電極保留于觸摸或接近狀態(tài)。根據(jù)一種 實(shí)施例，在任意給定時(shí)間，第二檢測(cè)閾值412等于存儲(chǔ)基線值減去增量432(例如，釋放檢測(cè) 增量或撤離檢測(cè)增量)。如圖4所示，在時(shí)間間隔416內(nèi)，電極保留于觸摸或接近狀態(tài)。再次繼續(xù)向右橫穿 圖表400，電壓測(cè)量信號(hào)404在時(shí)間414處上升至第二檢測(cè)閾值412之上。因此，電壓測(cè)量 值422與第二檢測(cè)閾值412的比較將指出電極再次處于非接觸狀態(tài)或非接近狀態(tài)。當(dāng)電極 的電壓測(cè)量值具有在第二檢測(cè)閾值406之上的值時(shí)，可以認(rèn)為該電極保留于非觸摸或非接 觸狀態(tài)。在所示出的實(shí)施例中，第二檢測(cè)閾值412處于與第一檢測(cè)閾值406不同的電壓，這 造成了系統(tǒng)內(nèi)的滯后。更具體地，第二檢測(cè)閾值412處于比第一檢測(cè)閾值高的電壓。在一 種可替換的實(shí)施例中，第二閾值412可以是處于比第一檢測(cè)閾值406低的電壓。在又一種 可替換的實(shí)施例中，第一檢測(cè)閾值406和第二檢測(cè)閾值412可以是相等的，在這種情況下， 系統(tǒng)可以僅保留一個(gè)閾值用于比較用途(用于每個(gè)電極以及用于接近電極)。這些不同的實(shí) 施例意欲包含于本發(fā)明主題的范圍之內(nèi)。既然基線值和各種閾值都已經(jīng)詳細(xì)地描述了，因而以下將給出關(guān)于傳感器控制器 (例如，傳感器處理系統(tǒng)302，圖3)及其操作的更詳細(xì)的描述。該描述將參照?qǐng)D5-7來進(jìn)行， 為了增強(qiáng)理解，圖5-7應(yīng)當(dāng)共同來查看。更具體地，圖5示出了根據(jù)一種示例實(shí)施例的電容 式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)(例如，系統(tǒng)300，圖3)的傳感器處理系統(tǒng)500 (例如，傳感器處理 系統(tǒng)302，圖3)的簡(jiǎn)化示意框圖，以及圖6和7示出了根據(jù)一種示例實(shí)施例的用于執(zhí)行觸摸 /釋放檢測(cè)、接近檢測(cè)、觸摸基線維持及接近基線維持的方法的流程圖。根據(jù)一種實(shí)施例，圖6和7所示的整個(gè)方法可以由包括傳感器控制器(例如，傳感器處理系統(tǒng)302，圖3，或者傳感 器處理系統(tǒng)500，圖5)的電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)(例如，電容式觸摸和接近傳感器系 統(tǒng)300，圖3)在沒有任何外部處理實(shí)體(例如，系統(tǒng)控制器202，圖2)的輔助下執(zhí)行。在一 種可替換的實(shí)施例中，該方法的某些部分可以由外部處理實(shí)體來執(zhí)行。首先參照?qǐng)D5,根據(jù)一種實(shí)施例，傳感器處理系統(tǒng)500包括充電和傳感控制器模塊 502、個(gè)體電極(IE)傳感濾波器506、IE基線濾波器508、第一比較器510、接近電極(PE)傳 感濾波器512、PE基線濾波器514和第二比較器516。根據(jù)一種實(shí)施例，充電和傳感控制器 模塊502進(jìn)而包括IE充電和傳感控制器530、PE充電和傳感控制器532和定序器534。為 了便于描述，圖5還示出了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504可以對(duì)應(yīng)于例如圖3的 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備312。現(xiàn)在還參照?qǐng)D6，用于執(zhí)行觸摸/釋放檢測(cè)、靠近/撤離檢測(cè)、觸摸基線維持和接近 基線維持的方法可以由傳感器處理系統(tǒng)500基于接收到通信線路540上的控制信號(hào)(例如， 來自圖2的系統(tǒng)控制器202的在圖3的線路340上的控制信號(hào))來啟動(dòng)。根據(jù)一種實(shí)施例， 在接收到控制信號(hào)時(shí)，該方法可以在塊602中開始為每個(gè)個(gè)體電極和接近電極存取電極充 電參數(shù)、分析參數(shù)(例如，濾波參數(shù))、基線值和狀態(tài)/事件檢測(cè)參數(shù)。電極充電參數(shù)、分析參 數(shù)、初始基線值和狀態(tài)/事件檢測(cè)參數(shù)可以在工廠校準(zhǔn)處理中和/或由客戶在將電容式觸 摸和接近傳感器系統(tǒng)(例如，系統(tǒng)300)集成到設(shè)備(例如，設(shè)備100或200，圖1和2)內(nèi)時(shí)被 確定和被建立。傳感器處理系統(tǒng)500 (或傳感器處理系統(tǒng)302，圖3)可以從非易失性數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)設(shè)備中檢索出電極充電參數(shù)、分析參數(shù)、初始基線值和狀態(tài)/事件檢測(cè)參數(shù)，并且將它 們存儲(chǔ)于可由傳感器處理系統(tǒng)500訪問的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504 (或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備312)內(nèi)。存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504內(nèi)的并且可由傳感器處理系統(tǒng)500的各種元件來訪問的 電極充電參數(shù)可以包括，例如，每個(gè)個(gè)體電極和接近電極的充電電流和充電間隔。后面將結(jié) 合圖8更詳細(xì)地討論的分析參數(shù)(例如，濾波參數(shù))可以包括，例如，每個(gè)個(gè)體電極和接近電 極的一個(gè)或更多個(gè)噪聲計(jì)數(shù)限制(NCL)值、最大半增量(MHD)值、噪聲半增量(NHD)值和濾 波器延遲限制(FDL)值。初始基線值可以包括每個(gè)個(gè)體電極和接近電極的基線值。對(duì)于每 個(gè)個(gè)體電極，狀態(tài)/事件檢測(cè)參數(shù)可以包括觸摸檢測(cè)閾值和/或觸摸檢測(cè)增量以及釋放檢 測(cè)閾值和/或釋放檢測(cè)增量。對(duì)于接近電極，狀態(tài)/事件檢測(cè)參數(shù)可以包括靠近檢測(cè)閾值和 /或靠近檢測(cè)增量以及撤離檢測(cè)閾值和/或釋放檢測(cè)增量。上述值中的每個(gè)值都可以存儲(chǔ) 于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504的不同寄存器或存儲(chǔ)器內(nèi)。另外，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504可以包括分配用 于存儲(chǔ)每個(gè)個(gè)體電極的狀態(tài)指示符(例如，指示電極是處于觸摸狀態(tài)還是處于非觸摸狀態(tài)) 和接近電極的狀態(tài)指示符(例如，指示接近電極是處于接近狀態(tài)還是處于非接近狀態(tài))的寄 存器或存儲(chǔ)器。開始時(shí)，狀態(tài)指示符可以被初始化以指示每個(gè)個(gè)體電極都處于非觸摸狀態(tài) 以及接近電極處于非接近狀態(tài)(除非系統(tǒng)另外確定)。為了解釋方便，以下的描述將假定該 方法在這些初始設(shè)定的情況下開始。根據(jù)一種實(shí)施例，電極充電參數(shù)和分析參數(shù)可以是固定的值，此類值在設(shè)備的操 作及使用壽命中都不改變。根據(jù)可替換的實(shí)施例，電極充電參數(shù)和/或分析參數(shù)可以包括 可以由設(shè)備確定和/或修改的值，以便在設(shè)備的操作和/或使用壽命內(nèi)配置或重配置該設(shè) 備。在此沒有詳細(xì)地討論用于修改電極充電參數(shù)和/或分析參數(shù)的方法的實(shí)施例，但是應(yīng) 當(dāng)理解，此類方法被設(shè)想在本發(fā)明主題的范圍之內(nèi)。另一方面，基線值、狀態(tài)/事件檢測(cè)參數(shù)及狀態(tài)指示符包括可以由設(shè)備改變的值，這將在下面更詳細(xì)地描述。一旦實(shí)現(xiàn)了對(duì)各種參數(shù)的存取，傳感器處理系統(tǒng)500就可以進(jìn)入電極監(jiān)控狀態(tài)， 在該狀態(tài)中，傳感器處理系統(tǒng)500反復(fù)地確定個(gè)體電極是否正發(fā)生觸摸或釋放事件以及接 近電極是否正發(fā)生靠近或撤離事件。下面將描述的塊606-622 (圖6)與個(gè)體電極的電極監(jiān) 控狀態(tài)相關(guān)聯(lián)，以及下面將描述的塊630-644 (圖7)與接近電極的電極監(jiān)控狀態(tài)相關(guān)聯(lián)。 下面將描述的電極監(jiān)控處理對(duì)應(yīng)于其中全部個(gè)體電極都按照連續(xù)的順序來監(jiān)控，并且然后 監(jiān)控接近電極的實(shí)施例。電極監(jiān)控處理的順序執(zhí)行可以由例如定序器534來控制，該定序 器534可以分別給IE充電和傳感控制器530以及PE充電和傳感控制器532提供控制信號(hào)。 根據(jù)一種實(shí)施例，由定序器534所提供的控制信號(hào)可以在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間啟用充電和傳感控制 器530、532，并且可以識(shí)別待選擇的電極。雖然以下描述了包括首先監(jiān)控個(gè)體電極以及然后 監(jiān)控接近電極的特定的執(zhí)行次序，但是應(yīng)當(dāng)理解，在可替換的實(shí)施例中，可以在監(jiān)控個(gè)體電 極之前監(jiān)控接近電極，或者可以在監(jiān)控個(gè)體電極的序列內(nèi)的某一點(diǎn)監(jiān)控接近電極。此外，盡 管下面將描述的電極監(jiān)控處理指示接近電極僅在個(gè)體電極的連續(xù)監(jiān)控之后監(jiān)控了一次，但 是其他實(shí)施例可以包括結(jié)合個(gè)體電極的連續(xù)監(jiān)控而多次監(jiān)控接近電極。最后，盡管可能需 要塊606-622的多次迭代以使電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)達(dá)到穩(wěn)定的狀態(tài)操作，但是下 面的描述假定，為了使電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)確立穩(wěn)定的狀態(tài)操作已經(jīng)執(zhí)行足夠多 的電極電壓測(cè)量。根據(jù)一種實(shí)施例，個(gè)體電極監(jiān)控處理可以由IE充電和傳感控制器530來啟動(dòng)和控 制。為了啟動(dòng)個(gè)體電極監(jiān)控處理，在塊606中，選擇一個(gè)電極(例如，電極206-208之一，圖 2)來評(píng)定。如同前面所討論的，個(gè)體電極的選擇可以包括IE充電和傳感控制器530通過控 制線路550給電極選擇電路提供選擇信號(hào)(例如，通過多路復(fù)用器控制線路350給多路復(fù)用 器I/O 310提供選擇信號(hào)，圖3)。在塊608中，充電/測(cè)量/濾波處理被執(zhí)行用于確定個(gè)體電極電壓值(“IEVV”)。 根據(jù)一種實(shí)施例，充電/測(cè)量/濾波處理包括對(duì)所選電極執(zhí)行預(yù)定數(shù)量的充電和測(cè)量循環(huán)。 為了啟動(dòng)單個(gè)充電循環(huán)，IE充電和傳感控制器530可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中檢索出所選 電極的充電電流，并且可以通過控制線路542 (例如，控制線路342，圖3)給電流源(例如， 電流源304，圖3)發(fā)送控制信號(hào)，該控制信號(hào)指定了待施加于電極的充電電流。另外，IE充 電和傳感控制器530可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中檢索出所選電極的充電間隔，并且可以通 過控制線路544給時(shí)鐘/定時(shí)器(例如，時(shí)鐘/定時(shí)器306，圖3)發(fā)送控制信號(hào)，該控制信號(hào) 指定充電間隔。電流源然后可以給多路復(fù)用器I/O提供充電電流，該多路復(fù)用器I/O進(jìn)而 可以給所選電極提供充電電流。電流的供應(yīng)時(shí)長(zhǎng)可以由時(shí)鐘/定時(shí)器來控制。例如，根據(jù)一種實(shí)施例，對(duì)所選電極執(zhí)行的充電和測(cè)量循環(huán)的預(yù)定數(shù)量可以是1 到10，盡管在其他實(shí)施例中，充電和測(cè)量循環(huán)的預(yù)定數(shù)量可以大于10。例如，當(dāng)該預(yù)定數(shù)量 為1時(shí)，IEVV等于單次電壓測(cè)量值，以及當(dāng)該預(yù)定數(shù)量大于1時(shí)，IEVV可以通過預(yù)定數(shù)量的 連續(xù)獲得的電壓測(cè)量值的數(shù)學(xué)關(guān)系來確定。例如，可以將IEVV確定為預(yù)定數(shù)量的測(cè)量電壓 的平均值，盡管在其他實(shí)施例中，IEVV可以使用其他數(shù)學(xué)關(guān)系來確定。與IEVV對(duì)應(yīng)的每個(gè) 電極測(cè)量值都可以由IE傳感濾波器506通過數(shù)字電壓線路556來接收(例如，數(shù)字電壓線 路356，圖3)。根據(jù)一種實(shí)施例，電極測(cè)量值由多路復(fù)用器I/O從所選電極傳遞到IE傳感 濾波器506。IE傳感濾波器506被配置用于組合與預(yù)定數(shù)量對(duì)應(yīng)的多個(gè)電極測(cè)量值，以便生成可以由IE傳感濾波器506提供給比較器510和IE基線濾波器508的IEVV。根據(jù)一種 實(shí)施例，IE傳感濾波器506、IE基線濾波器508、PE傳感濾波器512及PE基線濾波器514 可以被實(shí)現(xiàn)為數(shù)字(例如，離散的)濾波器，和/或根據(jù)其他實(shí)施例，濾波器506、508、512和 /或514中的任何一個(gè)或更多個(gè)可以被實(shí)現(xiàn)為連續(xù)的濾波器。在塊610中，作出電極當(dāng)前是處于觸摸狀態(tài)還是處于非觸摸狀態(tài)的確定(例如，由 IE充電和傳感控制器530)。根據(jù)一種實(shí)施例，這可以包括從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中存取所選 電極的狀態(tài)指示符。當(dāng)電極處于非觸摸狀態(tài)時(shí)，可以在塊616中作出IEVV是在觸摸檢測(cè)閾 值(例如，檢測(cè)閾值406，圖4)之上還是在其之下的進(jìn)一步確定。IEVV相對(duì)于觸摸檢測(cè)閾值 的評(píng)定可以由例如比較器510來執(zhí)行，該比較器510可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中存取所選 電極的基線值和狀態(tài)/事件檢測(cè)參數(shù)。例如，當(dāng)IEVV具有大于觸摸檢測(cè)閾值的值時(shí)，可以 認(rèn)為IEVV在觸摸檢測(cè)閾值之上。相反地，當(dāng)IEVV具有小于觸摸檢測(cè)閾值的值時(shí)，可以認(rèn)為 IEVV在觸摸檢測(cè)閾值之下。作為選擇，關(guān)于IEVV是在觸摸檢測(cè)閾值之上還是在其之下的 確定可以通過確定IEVV與個(gè)體電極的基線值之間的差值(例如，在電壓測(cè)量值421與基線 404之間的差值，圖4)，以及進(jìn)一步確定該差值是否大于(或者大于或等于)個(gè)體電極的存儲(chǔ) 觸摸檢測(cè)增量(例如，檢測(cè)增量430，圖4)來作出。當(dāng)確定IEVV在觸摸檢測(cè)閾值之下時(shí)，則在塊618中，將電極轉(zhuǎn)換為觸摸狀態(tài)。根據(jù) 一種實(shí)施例，這可以包括傳感器處理系統(tǒng)500存儲(chǔ)電極現(xiàn)在正處于觸摸狀態(tài)的指示(例如， 在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中)。另外，根據(jù)一種實(shí)施例，傳感器處理系統(tǒng)500可以指示狀態(tài)轉(zhuǎn)換 (即，從非觸摸狀態(tài)到觸摸狀態(tài))已經(jīng)發(fā)生。例如，傳感器處理系統(tǒng)500可以在中斷線路560 (例如，中斷線路360，圖3)上生成中斷，該中斷指示電極已經(jīng)改變了狀態(tài)。如前面所討論的， 該中斷可以促使系統(tǒng)控制器(例如，系統(tǒng)控制器202，圖2)請(qǐng)求有關(guān)中斷的信息(例如，經(jīng)由 線路540)，并且電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)可以返回指示例如個(gè)體電極的標(biāo)識(shí)和觸摸事 件的指示符的數(shù)據(jù)(例如，經(jīng)由線路541)。在給定的情況下，系統(tǒng)控制器然后可以采取任何 適當(dāng)?shù)膭?dòng)作。再次參照塊616，當(dāng)確定IEVV在觸摸檢測(cè)閾值之上時(shí)，則在塊620中，系統(tǒng)可以(或 者可以不)更新個(gè)體電極的存儲(chǔ)基線值。根據(jù)一種實(shí)施例，這可以包括由IE基線濾波器508 執(zhí)行濾波處理。雖然在此使用了術(shù)語“濾波處理”，但是由IE基線濾波器508 (和PE基線 濾波器514)所執(zhí)行的處理可以更一般地稱為“分析”。術(shù)語“濾波處理”的使用并不是要限 制對(duì)由濾波器508、514所執(zhí)行的處理的解釋。IE基線濾波器508被配置用于確定是否要 改變個(gè)體電極的基線值以及改變多少。如同將結(jié)合圖8-12更詳細(xì)地討論的，濾波處理可以 在作出改變基線值的確定時(shí)和/或在確定使基線值改變多少時(shí)考慮各種分析參數(shù)(在此也 稱為“濾波參數(shù)”，該指稱并不是要限制)。根據(jù)一種實(shí)施例，濾波參數(shù)由IE基線濾波器508 從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中存取，以及濾波參數(shù)包括選自濾波器延遲限制(FDL)值、最大半增量 (MHD)值、噪聲半增量(NHD)值和噪聲計(jì)數(shù)限制(NCL)值的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)。FDL、MHD、 NHD和/或NCL值對(duì)于每個(gè)個(gè)體電極而言可以是相同的，或者它們對(duì)個(gè)體電極而言可以是 不同的。根據(jù)一種實(shí)施例，個(gè)體電極的FDL、MHD、NHD和/或NC1值可以不同于接近電極的 FDL、MHD、NHD和/或NCL值。關(guān)于這些值中的每個(gè)值以及它們?cè)跒V波操作中的相關(guān)性的更 詳細(xì)的解釋將在后面結(jié)合圖8-12更詳細(xì)地描述。當(dāng)由IE基線濾波器508結(jié)合塊620來執(zhí)行的濾波處理指示個(gè)體電極的基線值應(yīng)當(dāng)要改變時(shí)，之前所存儲(chǔ)的基線值可以用新值來重寫(例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中與個(gè)體電 極的基線值關(guān)聯(lián)的寄存器或存儲(chǔ)器用新的基線值來重寫)。新的基線值的確定同樣將在后 面結(jié)合圖8-12更詳細(xì)地描述。當(dāng)新的基線值被確定時(shí)，電極的新的觸摸檢測(cè)和釋放檢測(cè)閾 值同樣可以被確定并存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504內(nèi)。這使得個(gè)體電極的基線能夠在存在緩慢 變化狀況的情況下動(dòng)態(tài)地調(diào)整和精確地維持。雖然別的實(shí)施例可以排除基線的動(dòng)態(tài)調(diào)整， 但是這可以增加虛假觸摸和/或釋放檢測(cè)的可能性。如同前面結(jié)合圖4所討論的，根據(jù)一 種實(shí)施例，基線的動(dòng)態(tài)調(diào)整可以在電極處于非觸摸狀態(tài)的時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行，并且可以在電 極處于觸摸狀態(tài)的時(shí)間間隔內(nèi)被繞過。再次參照塊610，當(dāng)作出了電極處于觸摸狀態(tài)的確定時(shí)，可以在塊612中作出IEVV 是在所選電極的釋放檢測(cè)閾值(例如，檢測(cè)閾值412，圖4)之上還是在其之下的進(jìn)一步確 定。例如，當(dāng)IEVV具有大于釋放檢測(cè)閾值的值時(shí)，可以認(rèn)為IEVV在釋放檢測(cè)閾值之上。相 反地，當(dāng)IEVV具有小于釋放檢測(cè)閾值的值時(shí)，可以認(rèn)為IEVV在釋放檢測(cè)閾值之下。關(guān)于 IEVV是在釋放檢測(cè)閾值之上還是在其之下的確定可以通過確定IEVV與個(gè)體電極的存儲(chǔ)基 線值之間的差值，并且進(jìn)一步確定該差值是否大于(或者大于或等于)釋放檢測(cè)增量(例如， 檢測(cè)增量432，圖4)來作出。當(dāng)確定IEVV在釋放檢測(cè)閾值之上時(shí)，則在塊614中，將電極轉(zhuǎn)換為非觸摸狀態(tài)。根 據(jù)一種實(shí)施例，這可以包括電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)存儲(chǔ)關(guān)于電極現(xiàn)在正處于非觸摸 狀態(tài)的指示(例如，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中)。另外，根據(jù)一種實(shí)施例，電容式觸摸和接近傳 感器系統(tǒng)可以指示狀態(tài)轉(zhuǎn)換(即，從觸摸狀態(tài)到非觸摸狀態(tài))已經(jīng)發(fā)生。例如，電容式觸摸和 接近傳感器系統(tǒng)可以在中斷線路560 (例如，中斷線路360，圖3)上生成中斷，該中斷指示電 極已經(jīng)改變了狀態(tài)。如之前所討論，該中斷可以促使系統(tǒng)控制器(例如，系統(tǒng)控制器202，圖 2)經(jīng)由線路540請(qǐng)求有關(guān)中斷的信息，以及電容式觸摸傳感器可以將數(shù)據(jù)返回到線路541 上，該數(shù)據(jù)指示例如個(gè)體電極的標(biāo)識(shí)和釋放事件的指示符。當(dāng)確定IEVV在釋放檢測(cè)閾值之下(塊612)時(shí)或者在塊614、618或620完成時(shí)，則 完成了該個(gè)體電極的充電和測(cè)量迭代，并且可以對(duì)別的個(gè)體電極執(zhí)行充電和測(cè)量迭代。因 此，在塊622中，可以作出是否全部電極都已經(jīng)被評(píng)定(例如，是否已經(jīng)對(duì)電極206-208中的 每個(gè)電極都執(zhí)行了充電和測(cè)量迭代，圖2)的確定。當(dāng)確定全部電極都已經(jīng)被評(píng)定(塊622) 時(shí)，該方法可以通過再次選擇電極(塊606)并且針對(duì)新選擇的電極重復(fù)充電和測(cè)量處理而 如圖6那樣反復(fù)進(jìn)行。當(dāng)確定全部個(gè)體電極都已經(jīng)被評(píng)定(塊622)時(shí)，則可以評(píng)定接近電極。如上所述， 作為選擇，接近電極可以在處理流程的較早時(shí)間(或者在處理流程內(nèi)多次)評(píng)定。在次序標(biāo) 號(hào)“A”從圖6到圖7之后，監(jiān)控接近電極的處理在塊628內(nèi)開始確定接近電極(PE)是啟用 的還是禁用的。根據(jù)一種實(shí)施例，接近檢測(cè)特征可以選擇性地啟用和禁用，如同前面所指出 的，以及接近檢測(cè)啟用指示符可以由系統(tǒng)來保持(例如，存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504內(nèi)或其他 地方)。關(guān)于接近電極是啟用的還是禁用的確定可以通過存取和評(píng)定接近檢測(cè)啟用指示符 來作出。當(dāng)啟用指示符指示接近電極沒有啟用時(shí)，則繞過接近電極的充電和監(jiān)控處理(即， 塊630-644)，并且方法可以進(jìn)到塊646，該塊646將在后面描述。當(dāng)啟用指示符指示接近電極已啟用時(shí)，則處理可以進(jìn)到塊630，在塊630中，接近 電極通過將多個(gè)個(gè)體電極耦接到一起來產(chǎn)生。根據(jù)一種實(shí)施例，接近電極的產(chǎn)生可以包括PE充電和傳感控制器532通過控制線路550給電極選擇電路提供選擇信號(hào)(例如，通過多路 復(fù)用器控制線路350給多路復(fù)用器I/O 310提供選擇信號(hào)，圖3)。選擇信號(hào)可以識(shí)別多個(gè) 個(gè)體信號(hào)，并且響應(yīng)于接收到選擇信號(hào)，電極選擇電路(例如，多路復(fù)用器I/O 310，圖3)可 以將所識(shí)別的電極并行地耦接到一起。換言之，電極選擇電路將為了充電而啟用電流源(例 如，電流源348)與該多個(gè)識(shí)別電極之間的連接，并且隨后將為了感測(cè)而啟用該多個(gè)識(shí)別電 極之間的連接(例如，在下面將描述的塊632中)。接近電極可以包括少至一個(gè)電極，盡管實(shí) 施例設(shè)想接近電極包括多個(gè)電極(例如，兩個(gè)或更多，可能包括全部個(gè)體電極)。當(dāng)接近電極 包括多個(gè)電極時(shí)，電極可以彼此直接相鄰，或者一個(gè)或更多個(gè)電極可以不與形成接近電極 的其他電極相鄰。在塊632中，充電/測(cè)量處理被執(zhí)行以確定接近電極電壓值(“PEVV”)。根據(jù)一種 實(shí)施例，充電/測(cè)量處理包括對(duì)接近電極執(zhí)行預(yù)定數(shù)量的充電和測(cè)量循環(huán)。在各種實(shí)施例 中，用于接近電極的充電和測(cè)量循環(huán)的預(yù)定數(shù)量可以與用于個(gè)體電極的充電和測(cè)量循環(huán)的 預(yù)定數(shù)量相同或不同。為了啟動(dòng)單次充電循環(huán)，PE充電和傳感控制器532可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 設(shè)備504中檢索出接近電極的充電電流，并且可以通過控制線路542 (例如，控制線路342， 圖3)給電流源(例如，電流源304，圖3)發(fā)送控制信號(hào)，該控制信號(hào)可以指定待施加于接近 電極的充電電流。另外，PE充電和傳感控制器532可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中檢索出接近 電極的充電間隔，并且可以通過控制線路544給時(shí)鐘/定時(shí)器(例如，時(shí)鐘/定時(shí)器306，圖 3)發(fā)送控制信號(hào)，該控制信號(hào)指定充電間隔。電流源然后可以給多路復(fù)用器I/O提供充電 電流，該多路復(fù)用器I/O進(jìn)而可以給接近電極(S卩，多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)個(gè)體電極的集合) 提供充電電流。供應(yīng)電流的市場(chǎng)可以由時(shí)鐘/定時(shí)器來控制。根據(jù)一種實(shí)施例，待施加于 接近電極的充電電流和/或接近電極的充電間隔可以不同于個(gè)體電極的充電電流和/或充 電間隔。例如，待施加于接近電極的充電電流可以高于個(gè)體電極的充電電流，因?yàn)樵摮潆婋?流是用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)電極的，而不是單個(gè)電極的。根據(jù)一種特定的實(shí)施例，施加于接近電極的 充電電流可以大致等于包括接近電極的電極數(shù)量乘以單個(gè)電極的充電電流。例如，根據(jù)一種實(shí)施例，對(duì)接近電極執(zhí)行的充電和測(cè)量循環(huán)的預(yù)訂數(shù)量可以是1 到10，盡管在其他實(shí)施例中，充電和測(cè)量循環(huán)的預(yù)定數(shù)量可以大于10。例如，當(dāng)預(yù)訂數(shù)量為 1時(shí)，PEVV等于單次電壓測(cè)量值，以及當(dāng)預(yù)定數(shù)量大于1時(shí)，PEVV可以通過預(yù)定數(shù)量的依次 獲得的電壓測(cè)量值的數(shù)學(xué)關(guān)系來確定。例如，PEVV可以被確定為預(yù)訂數(shù)量的測(cè)量電壓的平 均值，盡管在其他實(shí)施例中，PEVV可以使用其他數(shù)學(xué)關(guān)系來確定。與PEVV對(duì)應(yīng)的每個(gè)電極 測(cè)量值可以由PE傳感濾波器512通過數(shù)字電壓線路556 (例如，數(shù)字電壓線路356，圖3) 來接收。根據(jù)一種實(shí)施例，電極測(cè)量值由多路復(fù)用器I/O從用于限定接近電極的所選電極 傳遞給PE傳感濾波器512。PE傳感濾波器512被配置用于組合與預(yù)定數(shù)量對(duì)應(yīng)的多個(gè)電 極測(cè)量值，以便生成可以由PE傳感濾波器512提供給比較器516和PE基線濾波器514的 PEW。在塊634中，作出(例如，由PE充電和傳感控制器532)關(guān)于接近電極當(dāng)前是處于 接近(PR0X)狀態(tài)還是處于非接近(N0N-PR0X)狀態(tài)的確定。根據(jù)一種實(shí)施例，這可以包括 從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中存取接近電極的狀態(tài)指示符。當(dāng)接近電極處于非接近狀態(tài)時(shí)，在塊 640中可以作出PEVV是在靠近檢測(cè)閾值(例如，檢測(cè)閾值406，圖4)之上還是在其之下的進(jìn) 一步確定。PEVV相對(duì)于靠近檢測(cè)閾值的評(píng)定可以由例如比較器516來執(zhí)行，該比較器516可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中存取接近電極的基線值和狀態(tài)/事件檢測(cè)參數(shù)。例如，當(dāng)PEVV 具有大于靠近檢測(cè)閾值的值時(shí)，可以認(rèn)為PEVV在靠近檢測(cè)閾值之上。相反地，當(dāng)PEVV具有 小于靠近檢測(cè)閾值的值時(shí)，可以認(rèn)為PEVV在靠近檢測(cè)閾值之下。作為選擇，關(guān)于PEVV是在 靠近檢測(cè)閾值之上還是在其之下的確定可以通過確定PEVV與接近電極的基線值之間的差 值(例如，在電壓測(cè)量值421與基線404之間的差值，圖4)，以及進(jìn)一步確定該差值是否大于 (或者大于或等于)接近電極的存儲(chǔ)靠近檢測(cè)增量(例如，檢測(cè)增量430，圖4)來作出。當(dāng)確定PEVV在靠近檢測(cè)閾值之下時(shí)，則在塊642中，將電極轉(zhuǎn)換為接近狀態(tài)。根 據(jù)一種實(shí)施例，這可以包括傳感器處理系統(tǒng)500存儲(chǔ)接近電極現(xiàn)在正處于接近狀態(tài)的指示 (例如，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中)。另外，根據(jù)一種實(shí)施例，傳感器處理系統(tǒng)500可以指示狀 態(tài)轉(zhuǎn)換(即，從非接近狀態(tài)到接近狀態(tài))已經(jīng)發(fā)生。例如，傳感器處理系統(tǒng)500可以在中斷線 路560 (例如，中斷線路360，圖3)上生成中斷，該中斷指示接近電極已經(jīng)改變了狀態(tài)。如 前面所討論的，該中斷可以促使系統(tǒng)控制器(例如，系統(tǒng)控制器202，圖2)請(qǐng)求有關(guān)中斷的 信息(例如，經(jīng)由線路540)，并且電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)可以返回指示例如接近電極 的標(biāo)識(shí)和靠近事件的指示符的數(shù)據(jù)(例如，經(jīng)由線路541)。在給定的情況下，系統(tǒng)控制器然 后可以采取任何適當(dāng)?shù)膭?dòng)作。再次參照塊640，當(dāng)確定PEVV在靠近檢測(cè)閾值之上時(shí)，則在塊644中，系統(tǒng)可以(或 者可以不)更新接近電極的存儲(chǔ)基線值。根據(jù)一種實(shí)施例，這可以包括由PE基線濾波器514 執(zhí)行濾波處理。PE基線濾波器514被配置用于確定是否要改變接近電極的基線值以及改 變多少。如同將結(jié)合圖8-12更詳細(xì)地討論的，濾波處理可以在作出改變基線值的確定時(shí)和 /或在確定使基線值改變多少時(shí)考慮各種濾波參數(shù)。根據(jù)一種實(shí)施例，濾波參數(shù)由PE基線 濾波器514從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中存取，并且濾波參數(shù)包括選自FDL值、MHD值、NHD值和 NCL值的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)，如同前面關(guān)于個(gè)體電極所描述的。根據(jù)一種實(shí)施例，接近電極 的FDL、MHD、NHD和/或NC1值可以不同于個(gè)體電極的FDL、MHD、NHD和/或NCL值。關(guān)于 這些值中的每個(gè)值以及它們?cè)跒V波操作中的相關(guān)性的更詳細(xì)的解釋將在后面結(jié)合圖8-12 更詳細(xì)地描述。當(dāng)由PE基線濾波器514結(jié)合塊644來執(zhí)行的濾波處理指示接近電極的基線值應(yīng) 當(dāng)要改變時(shí)，之前所存儲(chǔ)的基線值可以用新值來重寫(例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中與接近電 極的基線值關(guān)聯(lián)的寄存器或存儲(chǔ)器位置用新的基線值來重寫)。新的基線值的確定同樣將 在后面結(jié)合圖8-12更詳細(xì)地描述。當(dāng)新的基線值被確定時(shí)，接近電極的新的靠近檢測(cè)和撤 離檢測(cè)閾值同樣可以被確定并存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504內(nèi)。這使得接近電極的基線能夠在 存在緩慢變化狀況的情況下動(dòng)態(tài)地調(diào)整和精確地維持。雖然別的實(shí)施例可以排除基線的動(dòng) 態(tài)調(diào)整，但是這可以增加虛假靠近和/或撤離檢測(cè)的可能性。根據(jù)一種實(shí)施例，基線的動(dòng)態(tài) 調(diào)整可以在接近電極處于非接近狀態(tài)的時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行，并且根據(jù)一種實(shí)施例，可以在電 極處于接近狀態(tài)的時(shí)間間隔內(nèi)被繞過。再次參照塊634，當(dāng)作出了接近電極處于靠近狀態(tài)的確定時(shí)，可以在塊636中作出 PEVV是在接近電極的撤離檢測(cè)閾值(例如，檢測(cè)閾值412，圖4)之上還是在其之下的進(jìn)一步 確定。例如，當(dāng)PEVV具有大于撤離檢測(cè)閾值的值時(shí)，可以認(rèn)為PEVV在撤離檢測(cè)閾值之上。 相反地，當(dāng)PEVV具有小于撤離檢測(cè)閾值的值時(shí)，可以認(rèn)為PEVV在撤離檢測(cè)閾值之下。關(guān)于 PEVV是在撤離檢測(cè)閾值之上還是在其之下的確定可以通過確定PEVV與接近電極的存儲(chǔ)基線值之間的差值，并且進(jìn)一步確定該差值是否大于(或者大于或等于)撤離檢測(cè)增量(例如， 檢測(cè)增量432，圖4)來作出。當(dāng)確定PEVV在撤離檢測(cè)閾值之上時(shí)，則在塊638中，將接近電極轉(zhuǎn)換為非接近狀 態(tài)。根據(jù)一種實(shí)施例，這可以包括電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)存儲(chǔ)關(guān)于接近電極現(xiàn)在正 處于非接近狀態(tài)的指示(例如，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中)。另外，根據(jù)一種實(shí)施例，電容式觸 摸和接近傳感器系統(tǒng)可以指示狀態(tài)轉(zhuǎn)換(即，從接近狀態(tài)到非接近狀態(tài))已經(jīng)發(fā)生。例如，電 容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)可以在中斷線路560 (例如，中斷線路360，圖3)上生成中斷， 該中斷指示電極已經(jīng)改變了狀態(tài)。如之前所討論，該中斷可以促使系統(tǒng)控制器(例如，系統(tǒng) 控制器202，圖2)經(jīng)由線路540請(qǐng)求有關(guān)中斷的信息，以及電容式觸摸傳感器可以將數(shù)據(jù)返 回到線路541上，該數(shù)據(jù)指示例如接近電極的標(biāo)識(shí)和撤離事件的指示符。當(dāng)確定PEVV在撤離檢測(cè)閾值之下(塊636)時(shí)或者在塊638、642或644完成時(shí)，則 完成了該接近電極的充電和測(cè)量迭代。當(dāng)這發(fā)生時(shí)，在塊646中，電容式觸摸和接近傳感 器系統(tǒng)可以進(jìn)入空閑狀態(tài)，在該空閑狀態(tài)中，電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)在空閑時(shí)段(例 如，f 100毫秒或者某個(gè)別的時(shí)段)內(nèi)暫時(shí)停止電極評(píng)定。在空閑時(shí)段終了時(shí)，塊606-646 可以重復(fù)，如同后面的次序標(biāo)號(hào)“B”所指示的，從圖7到圖6。如同以上結(jié)合圖6和7的塊620和644所討論的，可以對(duì)個(gè)體電極執(zhí)行第一濾波 處理(塊620)以確定是否要改變個(gè)體電極的基線值，以及可以對(duì)接近電極執(zhí)行第二且不同 的濾波處理(塊644)以確定是否要改變接近電極的基線值。根據(jù)一種實(shí)施例，第一和第二 濾波處理可以使用不同參數(shù)的相同濾波算法(或硬件)，或者它們可以使用不同的濾波算法 (或硬件)。下面的描述假定將用不同濾波參數(shù)的相同濾波算法用于第一和第二濾波處理， 但是這并非意欲是限制的。根據(jù)一種實(shí)施例，第一濾波處理(用于個(gè)體電極)包括將具有第一頻率響應(yīng)的濾波 器應(yīng)用于個(gè)體電極的測(cè)量電壓值，以及第二濾波處理(用于接近電極)包括將具有第二且不 同的頻率響應(yīng)的濾波器應(yīng)用于接近電極的測(cè)量電極電壓值。根據(jù)一種更具體的實(shí)施例，與 第一濾波處理關(guān)聯(lián)的濾波器響應(yīng)時(shí)間顯著快于與第二濾波處理關(guān)聯(lián)的濾波器響應(yīng)時(shí)間。根 據(jù)一種還要具體的實(shí)施例，第一濾波處理包括將具有第一截止頻率的低通濾波器應(yīng)用于個(gè) 體電極的測(cè)量電極電壓值，以及第二濾波處理包括將具有第二且不同的截止頻率的低通濾 波器應(yīng)用于接近電極的測(cè)量電極電壓值，其中第一截止頻率高于第二截止頻率。根據(jù)一種 實(shí)施例，第一截止頻率至少是第二截止頻率的兩倍，盡管在其他實(shí)施例中，截止頻率之間的 差值可以是較小的。根據(jù)另一種實(shí)施例，第一截止頻率至少是第二截止頻率的四倍。根據(jù)一種實(shí)施例，在第一和第二濾波處理之間的差異通過與接近電極相比將不同 的濾波參數(shù)用于個(gè)體電極來實(shí)現(xiàn)。如前面所提及的，濾波參數(shù)可以包括以下各項(xiàng)最大半增 量(MHD)值、噪聲半增量(NHD)值、噪聲計(jì)數(shù)限制(NCL)值和濾波器延遲限制(FDL)值，這些 參數(shù)中的每個(gè)都將在下面更詳細(xì)地描述?；旧希@些濾波參數(shù)約束了針對(duì)個(gè)體電極和接 近電極所執(zhí)行的濾波處理，這將在下面解釋。如上文所討論的，用于個(gè)體電極的MHD、NHD、NCL和/或FDL值中的某些或全部可 以不同于用于接近電極的。根據(jù)一種更具體的實(shí)施例，接近電極的MHD值小于任意個(gè)體電 極的MHD值(例如，小1/2或者某一其他倍數(shù))，接近電極的NHD值小于任意個(gè)體電極的NHD 值(例如，小1/2或者某一其他倍數(shù))，接近電極的NCL值大于任意個(gè)體電極的NCL值(例如，大至2倍或者某一其他倍數(shù))，和/或接近電極的FDL值大于任意個(gè)體電極的FDL值(例如， 大至2倍或者某一其他倍數(shù))。根據(jù)一種實(shí)施例，在第一濾波處理(例如，用于個(gè)體電極的塊620，圖6)與第二濾 波處理(例如，用于接近電極的塊644，圖6)之間的差異以相同的濾波算法來實(shí)現(xiàn)，盡管用 不同的濾波參數(shù)。但是，如前面所提及的，在其他實(shí)施例中，在第一與第二濾波處理之間的 差異可以使用不同的濾波算法和/或不同的硬件來實(shí)現(xiàn)。前一實(shí)施例結(jié)合圖8來詳細(xì)地描 述，盡管它并非意欲是限制的。另外，盡管圖8示出了使用特定濾波參數(shù)的特定濾波算法， 但是應(yīng)當(dāng)理解，可以實(shí)現(xiàn)使用其他濾波參數(shù)(例如，更多的、更少的或不同的濾波參數(shù))的其 他濾波算法。下面結(jié)合圖8來描述的算法出于示例的目的而提供，而不是限制性。盡管下 面只討論一次圖8所示的算法的步驟，但是應(yīng)當(dāng)理解，該算法可以使用不同的濾波參數(shù)針 對(duì)個(gè)體電極或接近電極來執(zhí)行。另外，應(yīng)當(dāng)指出，用于每個(gè)個(gè)體電極和接近電極的濾波算法 的不同實(shí)例化可以是在進(jìn)行中的，并行的，盡管只有與正被評(píng)定的及關(guān)聯(lián)的實(shí)例化可以在 任意給定時(shí)間通過濾波器的各種狀態(tài)來進(jìn)行。圖8是根據(jù)一種示例實(shí)施例的用于為了觸摸基線或接近基線的保持而對(duì)感測(cè)數(shù) 據(jù)進(jìn)行濾波的方法的流程圖。例如，該方法可以使用IE基線濾波器508或者使用PE基線濾 波器514來執(zhí)行，取決于是個(gè)體電極的電子電壓值(EVV)還是接近電極的電子電壓值(EVV) 正在被濾波。例如，該方法可以結(jié)合塊620和644的濾波處理中的任一處理或二者來執(zhí)行。 但是，如同前面所討論的，用于個(gè)體電極的和用于接近電極的濾波參數(shù)(例如，MHD、NHD、NCL 和FCL)中的某些或全部可以不同的。在下面的描述中，假定濾波處理已經(jīng)獲得了穩(wěn)定的狀 態(tài)，意指已經(jīng)接收到并處理了足夠多的EVV以使濾波器處于穩(wěn)定狀態(tài)模式。該方法可以在塊802中以初始化一個(gè)或更多個(gè)NCL計(jì)數(shù)器來開始。根據(jù)一種實(shí)施 例，該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)NCL計(jì)數(shù)器，這兩個(gè)NCL計(jì)數(shù)器包括NCLP (NCL正)和NCLN (NCL負(fù)) 計(jì)數(shù)器。NCL計(jì)數(shù)器的相關(guān)性將在后面于塊818和834的討論中進(jìn)行闡明。簡(jiǎn)要地，在作出 非噪聲的確定之前，使用NCLP計(jì)數(shù)器來指示具有在被評(píng)定的電極的基線之上的值(以及具 有大于MHD值的與基線間的差值)的連續(xù)的LTEVV樣本的數(shù)量。類似地，在作出非噪聲的確 定之前，使用NCLN計(jì)數(shù)器來指示具有在基線之上的值(以及具有大于MHD值的與基線間的 差值)的連續(xù)的LT EVV樣本的數(shù)量。在計(jì)數(shù)器累加直到達(dá)到某個(gè)計(jì)數(shù)上閾值(例如，NCLP 或NCLN)的實(shí)施例中，這兩個(gè)計(jì)數(shù)器都可以初始化為零。作為選擇，在計(jì)數(shù)器累加直到達(dá)到 某個(gè)計(jì)數(shù)下閾值(例如，零)的實(shí)施例中，計(jì)數(shù)器可以分別初始化為NCLP和NCLN。下面將描 述前一種實(shí)施例。在塊804中，一個(gè)或更多個(gè)之前所接收到的EVV被用來計(jì)算(例如，由IE極限濾波 器508或PE基線濾波器514，圖5)由濾波算法的后續(xù)級(jí)所運(yùn)算的長(zhǎng)期EVV (LT EVV)。一 般地，在說明書和權(quán)利要求書中，LT EVV可以稱為“比較值”。根據(jù)一種實(shí)施例，用來計(jì)算 LTEVV的EVV的數(shù)量等于其數(shù)據(jù)正被濾波的電極(個(gè)體電極或接近電極)的FDL值。FDL值 為給定的電極指定了被用來在數(shù)學(xué)上得出LTEVV的連續(xù)的EVV樣本的數(shù)量。例如，當(dāng)電極 的FDL值等于4時(shí)，則該電極的4個(gè)EVV將被用來計(jì)算LT EVV。FDL值指示濾波器的工作速率，其中較大的值可以促使濾波器工作得更慢。根據(jù) 一種實(shí)施例，F(xiàn)LD值可以是I到15，盡管在其他實(shí)施例中，該范圍可以是不同的。之前所接 收的用于其數(shù)據(jù)正被濾波的電極的EVV和FDL值可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備(例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504，圖5)中檢索出。根據(jù)一種實(shí)施例，LT EVV的計(jì)算可以包括求FDL EVV的平均值，盡管 該計(jì)算同樣可以包括不同的數(shù)學(xué)運(yùn)算。在塊806中，將LT EVV (S卩，比較值)與其數(shù)據(jù)正被濾波的電極的當(dāng)前基線值進(jìn)行 比較。該電極的當(dāng)前基線值可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備(例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504，圖5)中檢索出。 根據(jù)一種實(shí)施例，LT EVV與當(dāng)前基線的比較包括計(jì)算LT EVV與基線之間的差值。在塊808中，作出在LT EVV與基線之間的差值是否大于(或者大于或等于)其數(shù)據(jù) 正被濾波的電極的MHD值的確定。MHD值指定了在LT EVV與用于將LT EVV歸類為非噪聲 的基線值之間的最大差值。電極的MHD值可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備(例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504，圖 5)中檢索出。根據(jù)一種實(shí)施例，MHD值可以是1到63，盡管在其他實(shí)施例中，該范圍可以是 不同的。當(dāng)在LT EVV與基線之間的差值小于或等于(或者僅僅小于)MHD值時(shí)，可以將LT EVV看作是非噪聲漂移，并且在塊810中更新電極的基線值。根據(jù)一種實(shí)施例，基線值被更 新至LT EVV。在別的實(shí)施例中，基線值可以更新至當(dāng)前基線值與LT EVV之間的某個(gè)值。根 據(jù)一種實(shí)施例，電極的基線值可以通過以新的基線值重寫所存儲(chǔ)的基線值(例如，在數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)設(shè)備504中，圖5)而更新。該方法然后可以如圖所示出的那樣反復(fù)進(jìn)行，其中該方法的 下次迭代可以結(jié)合接收到電極的后續(xù)EVV而發(fā)生。再次參照塊808，當(dāng)在LT EVV與基線之間的差值大于(或者大于或等于)MHD時(shí)，可 以將LT EVV看作是噪聲，盡管并不一定是這樣。更多的評(píng)定可以指示是否應(yīng)當(dāng)將LT EVV 看作是噪聲，這將在下面描述。在分開考慮于基線之上和之下的電位噪聲樣本的實(shí)施例中， 電位噪聲樣本的特征可以在于其大于或小于電極的基線值。因此，在塊812中，作出LT EVV 是否大于(或者大于或等于)電極的基線值的確定。當(dāng)LT EVV大于(或者大于或等于)電極的基線值時(shí)，則在塊814中，NCLP計(jì)數(shù)器被 累加。這指示LT EVV值被認(rèn)為是一組連續(xù)的LTEVV中具有在基線之上的值(以及大于MHD 值的與基線間的差值)的一個(gè)。另外，在塊816中，NCLN計(jì)數(shù)器被設(shè)定為零。如前面所提及 的，在作出非噪聲的確定之前，NCLN計(jì)數(shù)器被用來指示具有在基線之下的值(以及具有大于 MHD值的與基線間的差值)的多個(gè)連續(xù)的LTEVV樣本。因此，即使NCLN計(jì)數(shù)器具有非零值， 具有在基線之上的值(以及具有大于MHD值的與基線間的差值)的LT EVV樣本的接收將會(huì) 中斷具有在基線之下的值的LT EVV樣本的連續(xù)接收。因此，適當(dāng)?shù)氖菍CLN計(jì)數(shù)器復(fù)位 為零。在塊818中，作出NCLP計(jì)數(shù)器是否等于其數(shù)據(jù)正被濾波的電極的NCLP值的確定。 對(duì)于每個(gè)電極(包括接近電極)，在作出非噪聲漂移的確定之前，所存儲(chǔ)的NCL值指定了具有 大于MHD的與基線間的差值的連續(xù)的LT EVV樣本的數(shù)量。根據(jù)一種實(shí)施例，NCL值可以是 1到15個(gè)樣本，盡管在其他實(shí)施例中，該范圍可以是不同的。根據(jù)一種實(shí)施例，對(duì)電極實(shí)現(xiàn) 了兩個(gè)NCL值，其中在作出非噪聲的確定之前，NCLP值指定了必須發(fā)生的具有在基線之上 的值(以及具有大于MHD值的與基線間的差值)的連續(xù)的LT EVV樣本的數(shù)量。NCLP計(jì)數(shù)器 跟蹤該數(shù)字。表示為NCLN的第二 NCL值指定了必須發(fā)生的具有在基線之下的值(以及具有 大于MHD值的與基線間的差值)的連續(xù)的LTEVV樣本的數(shù)量。NCLN計(jì)數(shù)器跟蹤該數(shù)字。在 別的實(shí)施例中，只有單個(gè)NCL值可以實(shí)現(xiàn)。NCLP和NCLN (或者單個(gè)NCL值)可以從數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)設(shè)備(例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504，圖5)中檢索出。當(dāng)作出NCLP計(jì)數(shù)器不等于電極的NCLP值的確定時(shí)，則該方法如圖所示出的那樣反復(fù)進(jìn)行，并且不進(jìn)行基線的更新。相反地，當(dāng)作出NCLP計(jì)數(shù)器等于電極的NCLP值的確定時(shí)，則在塊820中更新電極 的基線值。根據(jù)一種實(shí)施例，基線值被增加NHD值。對(duì)于每個(gè)電極，NHD值指定了將要在檢 測(cè)到非噪聲漂移時(shí)施加于基線值的遞增變化，該遞增變化超過了 MHD閾值。根據(jù)一種實(shí)施 例，NHD值可以是1到63，盡管在其他實(shí)施例中，該范圍可以是不同的。根據(jù)一種實(shí)施例，對(duì) 電極實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)NHD值，其中NHDP值指定了將要在檢測(cè)到非噪聲漂移時(shí)施加于基線值的遞 增變化，該遞增變化具有大于基線值的大小。表示為NHDN的第二 NHD值指定了將要在檢測(cè) 到非噪聲漂移時(shí)施加于基線值的遞增變化，該遞增變化具有小于基線值的大小。在別的實(shí) 施例中，僅可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)NHD值。NHDP和NHDN (或者單個(gè)NHD值)可以從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備(例 如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504，圖5)中檢索出。根據(jù)另一種實(shí)施例，基線值可以增加不同于NHD值 的某個(gè)值(例如，增加最后接收到的LT EVV樣本或者多個(gè)之前所接收的LT EVV樣本的平均 值)。不管怎樣，電極的基線值可以通過以新的基線值來重寫所存儲(chǔ)的基線值(例如，在數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)設(shè)備504中，圖5)而更新。該方法然后可以如圖所示出的那樣反復(fù)進(jìn)行，其中該方法 的下次迭代可以結(jié)合接收到電極的后續(xù)EVV而發(fā)生。再次參照塊812，當(dāng)LT EVV小于或等于(或者僅僅小于)電極的基線值時(shí)，則在塊 830中，NCLN計(jì)數(shù)器被累加。這指示LT EVV值被認(rèn)為是一組連續(xù)的LT EVV中具有在基線 之下的值(以及大于MHD值的與基線間的差值)的一個(gè)。另外，在塊832中，NCLP計(jì)數(shù)器被 設(shè)定為零。如前面所提及的，在作出非噪聲的確定之前，NCLP計(jì)數(shù)器被用來指示具有在基 線之上的值(以及具有大于MHD值的與基線間的差值)的多個(gè)連續(xù)的LT EVV樣本。因此，SP 使NCLP計(jì)數(shù)器具有非零值，具有在基線之下的值(以及具有大于MHD值的與基線間的差值) 的LT EVV樣本的接收將會(huì)中斷具有在基線之上的值的LT EVV樣本的連續(xù)接收。因此，適 當(dāng)?shù)氖菍CLP計(jì)數(shù)器復(fù)位為零。在塊834中，作出NCLN計(jì)數(shù)器是否等于其數(shù)據(jù)正被濾波的電極的NCLN值的確定。 當(dāng)作出NCLN計(jì)數(shù)器不等于電極的NCLN值的確定時(shí)，則該方法如圖所示出的那樣反復(fù)進(jìn)行， 并且不進(jìn)行基線的更新。相反地，當(dāng)作出NCLN計(jì)數(shù)器等于電極的NCLN值的確定時(shí)，則在塊 836中更新電極的基線值。根據(jù)一種實(shí)施例，基線值被降低了 NHD值。根據(jù)一種更具體的實(shí) 施例，基線值被降低了 NHDN值，如前面所討論的。根據(jù)另一種實(shí)施例，基線值可以降低不同 于NHD值的某個(gè)值(例如，降低最后接收到的LT EVV樣本或者多個(gè)之前所接收的LTEVV樣 本的平均值)。不管怎樣，電極的基線值可以通過以新的基線值來重寫所存儲(chǔ)的基線值(例 如，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備504中，圖5 )而更新。該方法然后可以如圖所示出的那樣反復(fù)進(jìn)行，其 中該方法的下次迭代可以結(jié)合接收到電極的后續(xù)EVV而發(fā)生。圖9-12是示出結(jié)合基線值繪制的EVV的各種實(shí)例的圖表，以及這些圖表旨在進(jìn)一 步闡明前面所討論的濾波參數(shù)的操作。在圖表中，縱軸指示大小(例如，EVV樣本或基線的)， 并且橫軸指示時(shí)間。每條水平網(wǎng)格線都可以看作是大小為1單位增量(one increment)大 小的差值，并且每條垂直網(wǎng)格線對(duì)應(yīng)于樣本(例如，EVV)。每個(gè)圓表示樣本值，并且每條短劃 線指示電極的當(dāng)前基線值。圖9是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合感測(cè)基線繪制的EVV測(cè)量值的第一實(shí)例的 圖表900。該實(shí)例被提供用于說明系統(tǒng)的小的遞增變化可以表示長(zhǎng)期的且緩慢的(例如，環(huán) 境的)變化。該實(shí)例假定，電極的MHD值等于1。因此，在EVV與將EVV歸類為非噪聲的基線值之間的最大差值為值1。EVV921表示其間基線值902等于EVV921的值的暫時(shí)狀態(tài)。EVV922具有為在基線 值902之上的1單位增量的值。由于在EVV922與基線值902之間的差值不大于MHD (例 如，在塊808中所進(jìn)行的比較，圖8)，則基線值被更新至值903，該值903與EVV922的值對(duì) 應(yīng)(例如，在塊810中，圖8)。EVV923、924、925中的每個(gè)EVV都分別示出了在當(dāng)前的基線值 903,904和905之上的1單位增量的增加，并且因此增加基線值，從而跟蹤變化，直至達(dá)到 906的基線值。EVV926然后被接收，該EVV926具有為在基線值906之上的2單位增量的值。由于 在EVV926與基線值906之間的差值大于MHD (例如，在塊808中所進(jìn)行的比較，圖8)，則基 線值不被更新，假定電極的NCLP值大于1。在EVV927之后，EVV928被接收，該EVV928具有 為在基線值906之下的6單位增量的值。由于在EVV928與基線值902之間的差值大于MHD (例如，在塊808中所進(jìn)行的比較，圖8)，則基線值不被更新，假定電極的NCLN值大于1。在 EVV929之后，EVV930、931、932、933分別示出了在當(dāng)時(shí)的基線值906、907、908和909之下的 1單位增量的降低，并且最終達(dá)到基線值910。圖10是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合感測(cè)基線繪制的電極電壓測(cè)量值的第二 實(shí)例的圖表1000。該實(shí)例被提供用于說明，相對(duì)大的EVV變化可以被看作噪聲并且通過NHD 和NCL的值來予以考慮。一般地，在MHD之外的值被濾波處理所拒絕。但是，當(dāng)充分多(例 如，NCL)的連續(xù)值在MHD之外(沿同一方向)時(shí)，則可以調(diào)整基準(zhǔn)。NCL調(diào)控在調(diào)整基線之 前應(yīng)當(dāng)察看到多少個(gè)連續(xù)的數(shù)據(jù)點(diǎn)，并且NHD規(guī)定調(diào)整的大小。該實(shí)例假定電極的MHD值 等于1，NCL值等于3，以及NHD值等于1。EVV1021表示其間基線值1002等于EVV1021的值的暫時(shí)狀態(tài)。EVV1022各自具有 為在基線值1002之上的2單位增量的值，以及EVV1023具有為在基線值1002之上的3單 位增量的增量。由于EVV1022、1023是連續(xù)的，并且在EVV1022、1023與基線值1002之間的 差值大于MHD (例如，在塊808中所進(jìn)行的比較，圖8)，NCL計(jì)數(shù)器本應(yīng)累積至3 (例如，在塊 814中，圖8)。因此，NCL計(jì)數(shù)器等于NCL(例如，如塊818所確定的，圖8)，并且基線值增加 1的NHD值到值1003 (例如，在塊820中，圖8)。類似地，在下三個(gè)連續(xù)的EVV1024、1025、 1026與基線值1003之間的差值同樣大于MHD，并且因此，基線值再次增加1的NHD值到值 1004。EVV1027之后被接收，該EVV1027具有為在基線值1004之上的1單位增量的值。因 為在EVV1027與基線值1004之間的差值不大于MHD (例如，在塊808中進(jìn)行的比較，圖8)， 則基線值被更新至與EVV1027的值對(duì)應(yīng)的值1005 (例如，在塊810中，圖8)。圖11是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合感測(cè)基線繪制的電極電壓測(cè)量值的第三 實(shí)例的圖表1100。該實(shí)例被提供用于說明，當(dāng)所接收的EVV大于MHD時(shí)，但是連續(xù)的EVV反 復(fù)無常地高于或低于基線，因而基線將不被修改(例如，如同結(jié)合圖8的NCLP和NCLN計(jì)數(shù) 器所描述的)。該實(shí)例假定，電極的MHD值等于1，NCLP值等于3，以及NCLN值等于3。EVV1110表示其間基線值1102等于EVV1110的值的暫時(shí)狀態(tài)。EVV1111各自具有 為在基線值1102之上的2單位增量的值，以及EVV1112具有為在基線值1102之下的2或 3單位增量的值。雖然EVV1111是連續(xù)的，并且在EVV1111與基線值1102之間的差值大于 MHD (例如，在塊808中進(jìn)行的比較，圖8)，但是NCLP計(jì)數(shù)器在其由于接收到EVV1112而復(fù) 位(例如，在塊832中，圖8)之前本應(yīng)僅累加至2(例如，在塊814中，圖8)，其中EVV1112落在基線值1102之下。因此，NCLP計(jì)數(shù)器沒有達(dá)到與NCLP值相等的值(例如，如塊818所確 定的，圖8)，并且基線值沒有增加。類似地，盡管EVV1112是連續(xù)的，但是在EVV1112與基 線值1102之間的差值大于MHD (例如，在塊808內(nèi)所進(jìn)行的比較，圖8)，但是NCLN計(jì)數(shù)器 在其由于接收到EVV1113而復(fù)位(例如，在塊816中，圖8)之前本應(yīng)僅累加至2 (例如，在塊 830中，圖8)，其中EVV1113落在基線值1102之上。因此，NCLN計(jì)數(shù)器沒有達(dá)到與NCLN值 相等的值(例如，如塊834所確定的，圖8)，并且基線值沒有增加。在任一 EVV都沒有導(dǎo)致 NCL計(jì)數(shù)器達(dá)到NCL值的情況下，應(yīng)當(dāng)對(duì)EVV1113和1114執(zhí)行類似的處理。因此，在圖11 的實(shí)例中，基線沒有被調(diào)整。圖12是示出根據(jù)一種示例實(shí)施例的結(jié)合感測(cè)基線繪制的電極電壓測(cè)量值的第四 實(shí)例的圖表1200。該實(shí)例被提供用于說明FDL可以被實(shí)現(xiàn)用于拒絕數(shù)據(jù)的低頻變化，以及 用于使整個(gè)系統(tǒng)減速。根據(jù)一種實(shí)施例，以及如前面所討論的，電極的FDL值指示可以組合 用于產(chǎn)生待供應(yīng)給后續(xù)濾波級(jí)的LT EVV的EVV的數(shù)量。實(shí)例假定，電極的MHD值等于1， NCLP值等于3，NCLN值等于3，NHDP值等于1，以及FDL值等于4。在FDL值為4的情況下，每四個(gè)連續(xù)的EVV為一組的各組(由實(shí)心圓所示)被用來 生成LT EVV (由空心圓所示)。因此，EVV1201被用來生成LT EVV1221 (例如，在塊804中， 圖 8)，EVV1202 被用來生成 LT EVV1222, EVV1203 被用來生成 LT EVV1223, EVV1204 被用 來生成 LT EVV1224，EVV1205 被用來生成 LT EVV1225，EVV1206 被用來生成 LT EVV1226, EVV1207被用來生成LT EVV1227，EVV1208被用來生成LT EVV1228，EVV1209被用來生成LT EVV1229，以及EVV1210被用來生成LT EVV1230。正是LT EVV1221-1230被依次評(píng)定以確定 是否為電極調(diào)整基線值。例如，LT EVV1221等于基線值1240，并且因此沒有作出基線調(diào)整。EVV1222是在 基線值1240之上的1單位增量。由于在LT EVV1222與基線值1240之間的差值不大于MHD (例如，在塊808中所進(jìn)行的比較，圖8)，那么基線值被更新至值1241(例如，在塊810中，圖 8)。LT EVV1223、1224和1225各自具有為在基線值1241之下的5單位或6單位增量的值。 由于LT EVV1223-1225是連續(xù)的，并且在LTEVV1223-1225與基線值1241之間的差值大于 MHD (例如，在塊808中所進(jìn)行的比較，圖8)，因而NCLN計(jì)數(shù)器本應(yīng)累加至3(例如，在塊830 中，圖8)。因此，NCLN計(jì)數(shù)器等于NCLN (例如，這在塊834中確定，圖8)，并且基數(shù)值被降 低1到值1242的NHDN值(例如，在塊836中，圖8)。類似地，在下三個(gè)連續(xù)的LT EVV1226、 1227、1228與基線值1242之間的差值同樣大于MHD，并且因此，基線值再次降低1到值1243 的NHDN值。LT EVV1229之后被確定，這具有為在基線值1243之下的1單位增量的值。因 為在LT EVV1229與基線值1243之間的差值不大于MHD (例如，在塊808中進(jìn)行的比較，圖 8)，那么基線值被更新至值1244，這與LT EVV1229的值對(duì)應(yīng)(例如，在塊810中，圖8)。因而，用于配置電容式觸摸傳感器設(shè)備的方法和裝置的各種實(shí)施例已經(jīng)在上面進(jìn) 行了描述。各種實(shí)施例使不同的分析(例如，濾波)和/或充電參數(shù)能夠針對(duì)多個(gè)電極(例如， 電極106-108，圖1)中的每個(gè)電極和接近電極，或者針對(duì)全部個(gè)體電極和接近電極來建立。 一種實(shí)施例包括一種用于執(zhí)行電容式觸摸感測(cè)和接近檢測(cè)的方法。該方法包括以下步驟: 建立與多個(gè)個(gè)體電極中的一個(gè)個(gè)體電極的第一連接，以便接收用于指示該個(gè)體電極的狀態(tài) 的一個(gè)或更多個(gè)第一信號(hào)，并且對(duì)該一個(gè)或更多個(gè)第一信號(hào)執(zhí)行第一分析(例如，第一濾波 處理)以確定是否執(zhí)行用于個(gè)體電極基線值的第一更新處理。該方法還包括以下步驟建立與包含該多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)電極的接近電極的第二連接，以便接收用于指示該接近電 極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)，并且對(duì)該一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)執(zhí)行第二分析(例如， 第二濾波處理)以確定是否執(zhí)行用于接近電極基線值的第二更新處理，其中第一分析與第 二分析是彼此不同的。根據(jù)另一種實(shí)施例，該方法還包括確定接近電極是啟用的還是禁用 的，并且當(dāng)接近電極為禁用時(shí)，繞過建立第二連接以及執(zhí)行第二分析的步驟。根據(jù)再一種實(shí) 施例，構(gòu)成接近電極的該多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)電極彼此緊密接近。另一種實(shí)施例包括一種用于執(zhí)行電容式觸摸感測(cè)和接近檢測(cè)的方法，該方法包括 以下步驟為多個(gè)個(gè)體電極中的一個(gè)個(gè)體電極存儲(chǔ)與執(zhí)行第一充電和感測(cè)處理關(guān)聯(lián)的第一 充電參數(shù)和第一分析參數(shù)，為包含該多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)電極的接近電極存儲(chǔ)與執(zhí)行第 二充電和感測(cè)處理關(guān)聯(lián)的第二充電參數(shù)和第二分析參數(shù)，其中與第二充電和感測(cè)操作不同 地配置第一充電和感測(cè)操作。該方法還包括以下步驟建立與個(gè)體電極的第一連接，根據(jù)第 一充電參數(shù)給個(gè)體電極充電，接收指示個(gè)體電極的狀態(tài)的第一信號(hào)，以及基于第一信號(hào)來 確定是否通過執(zhí)行受第一分析參數(shù)所約束的第一分析(例如，第一濾波處理)來執(zhí)行用于個(gè) 體電極基線值的第一更新處理。該方法還包括以下步驟建立與接近電極的第二連接，根據(jù) 第二充電參數(shù)給接近電極充電，提供指示接收電極的狀態(tài)的第二信號(hào)，以及基于第二信號(hào) 來確定是否通過執(zhí)行受第二分析參數(shù)所約束的第二分析(例如，第二濾波處理)來執(zhí)行用于 接近電極基線值的第二更新處理。又一種實(shí)施例包括包含電極選擇電路以及與電極選擇電路在操作上耦接的處理 系統(tǒng)的電極電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)。電極選擇電路被配置用于建立與多個(gè)個(gè)體電極 中的一個(gè)個(gè)體電極的第一連接，以便接收用于指示該個(gè)體電極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第一 信號(hào)，以及建立與包含該多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)電極的接近電極的第二連接，以便接收用 于指示該接近電極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)。處理系統(tǒng)被配置用于對(duì)該一個(gè)或更 多個(gè)第一信號(hào)執(zhí)行第一分析(例如，濾波處理)，以確定是否執(zhí)行用于個(gè)體電極基線值的第 一更新處理，以及用于對(duì)該一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)執(zhí)行第二分析(例如，第二濾波處理)，以 確定是否執(zhí)行用于接近電極基線值的第二更新處理，其中第一分析與第二分析是彼此不同 的。在此說明書和權(quán)利要求書中的詞“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(若存在)可以 用于區(qū)分類似的元件或步驟，而并不一定用于描述特定的次序或時(shí)間順序。應(yīng)當(dāng)理解，這樣 使用的詞在適當(dāng)?shù)那闆r下是可交換的，使得在此所描述的實(shí)施例能夠例如按照不同于在此 所示出的或者(否則的話)所描述的順序或布局來操作或制作。另外，結(jié)合任意流程圖示出 及描述的處理、塊或步驟的順序只是為了示例的目的，并且應(yīng)當(dāng)理解，在其他實(shí)施例中，各 種處理、塊或步驟可以按照其他的順序和/或并行地執(zhí)行，和/或所述處理、塊或步驟中的 某一些可以被結(jié)合、被刪除或被拆分成多個(gè)處理、塊或步驟，和/或附加的或不同的處理、 塊或步驟可以結(jié)合實(shí)施例來執(zhí)行。而且，詞“包括”、“包含”、“具有”以及它們的任何變體意 欲覆蓋非排他性的包含，使得包括元件或步驟列表的處理、方法、物品或裝置并不一定限制 于那些元件或步驟，而是可以包括沒有明確列出的或者此類處理、方法、物品或裝置所固有 的其他元件或步驟。本文所使用的詞“耦接的”和“在操作上耦接的”被定義為以電學(xué)的或 非電學(xué)的方式直接或間接地連接。應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本發(fā)明主題的范圍的情況下可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種修改。雖然以上已經(jīng)結(jié)合特定的系統(tǒng)、裝置及方法描述了本發(fā)明主題的原理，但是應(yīng)當(dāng)清楚地 知道，該描述只是通過舉例來進(jìn)行的，而不是作為對(duì)本發(fā)明主題的范圍的限制。在此所描述 的以及在附圖中所示出的各種功能或處理塊可以用硬件、固件、軟件或者它們的任意結(jié)合 來實(shí)現(xiàn)。此外，在此所采用的語詞或術(shù)語是為了描述而非限制的目的的。 以上關(guān)于特定實(shí)施例的描述充分揭示了本發(fā)明主題的一般性質(zhì)，使得在不脫離一 般概念的情況下可以通過應(yīng)用現(xiàn)有知識(shí)容易地針對(duì)各種應(yīng)用來修改和/或調(diào)整它。因此， 此類調(diào)整和修改是屬于所公開的實(shí)施例的等價(jià)物的含義和范圍之內(nèi)的。本發(fā)明主題包含所 有此類屬于所附權(quán)利要求書的精神及廣泛的范圍之內(nèi)的可選方案、修改、等價(jià)物和變化。
權(quán)利要求
1.一種用于執(zhí)行電容式觸摸感測(cè)和接近檢測(cè)的方法，所述方法包括以下步驟 建立與多個(gè)個(gè)體電極中的一個(gè)個(gè)體電極的第一連接，以便接收指示所述個(gè)體電極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第一信號(hào)； 對(duì)所述一個(gè)或更多個(gè)第一信號(hào)執(zhí)行第一分析，以確定是否為個(gè)體電極基線值執(zhí)行第一更新處理； 建立與包含所述多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)個(gè)體電極的接近電極的第二連接，以便接收指示所述接近電極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)；以及 對(duì)所述一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)執(zhí)行第二分析，以確定是否為接近電極基線值執(zhí)行第二更新處理，其中所述第一分析和所述第二分析是彼此不同的。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述第一分析包括第一濾波處理，并且所述第二分析包括第二濾波處理，所述方法還包括 在執(zhí)行所述第一分析之前，存儲(chǔ)用于約束所述第一濾波處理的第一濾波參數(shù)；以及 在執(zhí)行所述第二分析之前，存儲(chǔ)用于約束所述第二濾波處理的第二濾波參數(shù)，其中所述第一濾波參數(shù)不同于所述第二濾波參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中 存儲(chǔ)所述第一濾波參數(shù)包括存儲(chǔ)用于指定將被用來確定在所述第一濾波處理中使用的第一比較值的所述一個(gè)或更多個(gè)第一信號(hào)的數(shù)量的第一濾波器延遲極限值；以及 存儲(chǔ)所述第二濾波參數(shù)包括存儲(chǔ)用于指定將被用來確定在所述第二濾波處理中使用的第二比較值的所述一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)的數(shù)量的第二濾波器延遲極限值，其中所述第一濾波器延遲極限值和所述第二濾波器延遲極限值是彼此不同的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中 存儲(chǔ)所述第一濾波參數(shù)包括存儲(chǔ)用于指定第一比較值與用于將所述第一比較值歸類為非噪聲的所述個(gè)體電極基線值之間的最大差值的第一最大半增量值；以及 存儲(chǔ)所述第二濾波參數(shù)包括存儲(chǔ)用于指定第二比較值與用于將所述第二比較值歸類為非噪聲的所述接近電極基線值之間的最大差值的第二最大半增量值，其中所述第一最大半增量值與所述第二最大半增量值是彼此不同的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中 存儲(chǔ)所述第一濾波參數(shù)包括在作出非噪聲漂移的確定之前存儲(chǔ)用于指定與大于所述第一最大半增量值的所述個(gè)體電極基線值具有差值的連續(xù)的第一比較值的數(shù)量的第一噪聲計(jì)數(shù)極限值；以及 存儲(chǔ)所述第二濾波參數(shù)包括在作出非噪聲漂移的確定之前存儲(chǔ)用于指定與大于所述第二最大半增量值的所述接近電極基線值具有差值的連續(xù)的第二比較值的數(shù)量的第二噪聲計(jì)數(shù)極限值，其中所述第一噪聲計(jì)數(shù)極限值與所述第二噪聲計(jì)數(shù)極限值是彼此不同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中 存儲(chǔ)所述第一濾波參數(shù)包括存儲(chǔ)用于指定在執(zhí)行所述第一更新處理時(shí)所述個(gè)體電極基線值將要被調(diào)整的大小的第一噪聲半增量值；以及 存儲(chǔ)所述第二濾波參數(shù)包括存儲(chǔ)用于指定在執(zhí)行所述第二更新處理時(shí)所述接近電極基線值將要被調(diào)整的大小的第二噪聲半增量值，其中所述第一噪聲半增量值與所述第二噪聲半增量值是彼此不同的。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括 通過根據(jù)第一充電參數(shù)給所述個(gè)體電極充電來執(zhí)行個(gè)體電極充電處理； 為所述個(gè)體電壓確定由所述個(gè)體電極充電處理產(chǎn)生的第一電壓值； 確定所述第一電壓值是否滿足第一標(biāo)準(zhǔn)； 當(dāng)所述個(gè)體電極的所述狀態(tài)為非觸摸狀態(tài)時(shí)并且當(dāng)所述第一電壓值滿足所述第一標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，將所述個(gè)體電極的所述狀態(tài)轉(zhuǎn)換為觸摸狀態(tài)； 通過根據(jù)第二充電參數(shù)給所述接近電極充電來執(zhí)行接近電極充電處理； 為所述接近電極確定由所述接近電極充電處理產(chǎn)生的第二電壓值； 確定所述第二電壓值是否滿足第二標(biāo)準(zhǔn)；以及 當(dāng)所述接近電極的所述狀態(tài)為非接近狀態(tài)時(shí)并且當(dāng)所述第二電壓值滿足所述第二標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，將所述接近電極的所述狀態(tài)轉(zhuǎn)換為接近狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括 確定所述第一電壓值是否滿足第三標(biāo)準(zhǔn)； 當(dāng)所述個(gè)體電極的所述狀態(tài)為觸摸狀態(tài)時(shí)并且當(dāng)所述第一電壓值滿足所述第三標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，將所述個(gè)體電極的所述狀態(tài)轉(zhuǎn)換為非觸摸狀態(tài)； 確定所述第二電壓值是否滿足第四標(biāo)準(zhǔn)；以及 當(dāng)所述接近電極的所述狀態(tài)為接近狀態(tài)時(shí)并且當(dāng)所述第二電壓值滿足所述第四標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，將所述接近電極的所述狀態(tài)轉(zhuǎn)換為非接近狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中 所述第一充電參數(shù)包括第一充電電流；以及 所述第二充電參數(shù)包括與所述第一充電電流不同的第二充電電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中 所述第一充電參數(shù)包括第一充電間隔；以及 所述第二充電參數(shù)包括與所述第一充電間隔不同的第二充電間隔。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中構(gòu)成所述接近電極的所述多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)個(gè)體電極彼此緊密接近。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括 確定所述接近電極是啟用的還是禁用的；以及 當(dāng)所述接近電極為禁用時(shí)，繞過建立所述第二連接和執(zhí)行所述第二分析的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述第一分析包括第一濾波處理，并且所述第二分析包括第二濾波處理，以及其中 所述第一濾波處理具有第一頻率響應(yīng)；以及 所述第二濾波處理具有與所述第一頻率響應(yīng)不同的第二頻率響應(yīng)。
14.一種用于執(zhí)行電容式觸摸感測(cè)和接近檢測(cè)的方法，所述方法包括以下步驟 為多個(gè)個(gè)體電極中的一個(gè)個(gè)體電極存儲(chǔ)與執(zhí)行第一充電和感測(cè)處理關(guān)聯(lián)的第一充電參數(shù)和第一分析參數(shù)； 為包含所述多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)個(gè)體電極的接近電極存儲(chǔ)與執(zhí)行第二充電和感測(cè)處理關(guān)聯(lián)的第二充電參數(shù)和第二分析參數(shù)，其中所述第一充電和感測(cè)操作被與所述第二充電和感測(cè)操作不同地配置；建立與所述個(gè)體電極的第一連接； 根據(jù)所述第一充電參數(shù)來給所述個(gè)體電極充電； 接收指示所述個(gè)體電極的狀態(tài)的第一信號(hào)； 基于所述第一信號(hào)來確定是否通過執(zhí)行受所述第一分析參數(shù)所約束的第一分析來執(zhí)行用于個(gè)體電極基線值的第一更新處理； 建立與所述接近電極的第二連接； 根據(jù)所述第二充電參數(shù)來給所述接近電極充電； 接收指示所述接近電極的狀態(tài)的第二信號(hào)；以及 基于所述第二信號(hào)來確定是否通過執(zhí)行受所述第二分析參數(shù)所約束的第二分析來執(zhí)行用于接近電極基線值的第二更新處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一充電參數(shù)不同于所述第二充電參數(shù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一分析參數(shù)不同于所述第二分析參數(shù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括 確定所述接近電極是啟用的還是禁用的；以及 當(dāng)所述接近電極為禁用時(shí)，繞過以下步驟建立所述第二連接，給所述接近電極充電，接收所述第二信號(hào)，和確定是否執(zhí)行所述第二更新處理。
18.—種電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng),包括 電極選擇電路，被配置用于建立與多個(gè)個(gè)體電極中的一個(gè)個(gè)體電極的第一連接以便接收指示所述個(gè)體電極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第一信號(hào)，以及用于建立與包括所述多個(gè)個(gè)體電極中的多個(gè)個(gè)體電極的接近電極的第二連接以便接收指示所述接近電極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)；以及 處理系統(tǒng)，與所述電極選擇電路在操作上耦接，并且被配置用于對(duì)所述一個(gè)或更多個(gè)第一信號(hào)執(zhí)行第一分析以確定是否執(zhí)行用于個(gè)體電極基線值的第一更新處理，以及用于對(duì)所述一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)執(zhí)行第二分析以確定是否執(zhí)行用于接近電極基線值的第二更新處理，其中所述第一分析與所述第二分析是彼此不同的。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)，其中所述電極選擇電路包括 多路復(fù)用器，被配置以響應(yīng)于來自所述處理系統(tǒng)的第一控制信號(hào)而建立所述第一連接，以及響應(yīng)于來自所述處理系統(tǒng)的第二控制信號(hào)而建立所述第二連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電容式觸摸和接近傳感器系統(tǒng)，還包括 電流源，與所述處理系統(tǒng)及所述電極選擇電路在操作上耦接，并且被配置以向所述個(gè)體電極供應(yīng)第一充電電流以及向所述接近電極供應(yīng)第二充電電流，其中所述第一充電電流與所述第二充電電流是彼此不同的。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例包括用于執(zhí)行電容式觸摸感測(cè)和接近檢測(cè)的方法和裝置。電極選擇電路(310)建立(606)與多個(gè)個(gè)體電極(206、207、208)中的一個(gè)個(gè)體電極的第一連接，以便接收(608)指示個(gè)體電極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第一信號(hào)，以及建立(630)與包含該多個(gè)個(gè)體電極(206、207、208)中的多個(gè)個(gè)體電極的接近電極的第二連接，以便接收(632)指示接近電極的狀態(tài)的一個(gè)或更多個(gè)第二信號(hào)。處理系統(tǒng)對(duì)第一信號(hào)執(zhí)行(616)第一分析，以確定是否為個(gè)體電極基線值執(zhí)行(620)第一更新過程，以及對(duì)第二信號(hào)執(zhí)行(640)第二分析，以確定是否為接近電極基線值執(zhí)行(644)第二更新過程。在一種實(shí)施例中，第一分析和第二分析是彼此不同的。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102667690SQ201080052492
公開日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2010年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月21日
發(fā)明者B·T·奧索伊納克, C·R·蒂加登, S·麥加 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司