專利名稱：Rfid標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體與包括其的卡及rfid標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體與包括其的卡及RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的制造方法，具體地說(shuō)，就是涉及一種通過(guò)利用主體的電鍍過(guò)程能夠很容易地制造出RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體與包括其的卡及RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著無(wú)線技術(shù)的不斷發(fā)展，從后付制HiPass卡到交通卡及銀行卡等多個(gè)領(lǐng)域都正在廣泛使用RFID (Radio Frequency IDentif ication)系統(tǒng)或者復(fù)合智能卡系統(tǒng),所謂的“復(fù)合智能卡系統(tǒng)”是指利用IC芯片外露于卡表面形態(tài)的智能卡的系統(tǒng)。RFID系統(tǒng)基本上由RFID標(biāo)簽及RFID閱讀器構(gòu)成，在RFID標(biāo)簽上內(nèi)置有天線電路 模式，具體的實(shí)例，如13. 5MHz電路模式按線圈形態(tài)制作，可以通過(guò)外部電磁波誘導(dǎo)電能或者將想要通過(guò)RFID IC芯片傳輸?shù)男盘?hào)向外部發(fā)射。因此，對(duì)于RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的制造來(lái)說(shuō)，其電路模式的制造工序與IC芯片的電路連接部即襯墊部的設(shè)置占有重要的部分。依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，如果想要制作RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體電路模式，可以通過(guò)直接將線圈在基板上纏繞復(fù)數(shù)個(gè)圈后固定在磁心薄膜層上或者在磁心薄膜與銅箔合體的基板上制作蝕刻電路模式等工序完成。但是，將線圈直接集成在基板上的方式其制作工序方面存在一定的困難，不適于批量生產(chǎn)。另外，如果采用蝕刻的方法，就很難在確保電路模式的精確間隔的同時(shí)將其制造成嵌體，并會(huì)發(fā)生電路模式重疊的短路(short)現(xiàn)象。因此，它很難適于RFID標(biāo)簽嵌體或者復(fù)合卡的生產(chǎn)。特別是，依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，電路模式的連接部即襯墊部是通過(guò)其它的工序制作的，這樣就降低了其量產(chǎn)性。因此，就迫切需要研發(fā)出一種能夠通過(guò)更加便利的方式制造具有精密構(gòu)造的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)課題
本發(fā)明為解決上述問(wèn)題而研發(fā)，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠利用包含樹脂區(qū)域及非樹脂區(qū)域的主體(master)通過(guò)電鍍方式制作RFID標(biāo)簽的電路模式從而方便地制造出RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法及通過(guò)此方法制造的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體及其卡。課題解決方法
為實(shí)現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法包括以下幾個(gè)步驟對(duì)由樹脂填充的樹脂區(qū)域和形成規(guī)定模式的非樹脂區(qū)域構(gòu)成的主體表面進(jìn)行鍍金，在上述非樹脂區(qū)域設(shè)置多個(gè)模式電路部的步驟；在設(shè)置有上述多個(gè)模式電路部的主體上層粘接磁心薄膜層的步驟；將上述磁心薄膜層與主體分離，并將上述多個(gè)模式電路部向上述磁心薄膜層側(cè)轉(zhuǎn)移的步驟；在上述多個(gè)模式電路部之間的空間設(shè)置絕緣部的步驟；在上述絕緣部設(shè)置電連接上述多個(gè)模式電路部的跳線步驟。在這里，上述多個(gè)模式電路部包括沿上述磁心薄膜層表面的邊緣以纏繞的形式形成的第I導(dǎo)電部；在上述磁心薄膜層表面位于上述第I導(dǎo)電部?jī)?nèi)側(cè)的第2導(dǎo)電部。另外，在上述第I導(dǎo)電部的兩端分別設(shè)置有第I外部襯墊及第I內(nèi)部襯墊，在上述第2導(dǎo)電部的兩端分別設(shè)置有第2外部襯墊及第2內(nèi)部襯墊。另外，本發(fā)明的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法還包括以下步驟在上述多個(gè)模式電路部上側(cè)設(shè)置使上述第I內(nèi)部襯墊及第2內(nèi)部襯墊各自至少露出一部分的覆蓋層步驟；在上述覆蓋層的露出部分上配置分別與上述第I內(nèi)部襯墊及第2內(nèi)部襯墊進(jìn)行電連接的RFID芯片的步驟。
另外，上述絕緣部可以設(shè)置在上述第I外部襯墊及第2外部襯墊之間的空間上。另外，設(shè)置上述跳線的步驟包括使第I外部襯墊及上述第2外部襯墊各自的至少一部分和上述絕緣部的至少一部分露出的掩膜形成步驟；在上述露出的部分上印刷導(dǎo)電性物質(zhì)而相互連接上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊的跳線形成步驟；將上述掩膜除去的步驟。另外，還包括將上述主體的非樹脂區(qū)域進(jìn)行離型處理的步驟。在上述實(shí)施例中，上述樹脂可以采用聚四氟乙烯。另外，上述RFID標(biāo)簽可以采用13. 56 用RFID標(biāo)簽。另外，依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體包括磁心薄膜層、沿上述磁心薄膜層表面邊緣以纏繞形式形成的第I導(dǎo)電部、在上述磁心薄膜層表面位于上述第I導(dǎo)電部?jī)?nèi)側(cè)的第2導(dǎo)電部、位于上述第I導(dǎo)電部一端的第I內(nèi)部襯墊、位于上述第I導(dǎo)電部另一端的第I外部襯墊、位于上述第2導(dǎo)電部一端的第2內(nèi)部襯墊、位于上述第2導(dǎo)電部另一端的第2外部襯墊、位于上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊之間的空間上的絕緣部、位于上述絕緣部上將上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊進(jìn)行電連接的跳線。另外，依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的卡包括磁芯薄膜層、沿上述磁心薄膜層表面邊緣以纏繞的形式形成的第I導(dǎo)電部、在上述磁心薄膜層表面位于上述第I導(dǎo)電部?jī)?nèi)側(cè)的第2導(dǎo)電部、位于上述第I導(dǎo)電部一端的第I內(nèi)部襯墊、位于上述第I導(dǎo)電部另一端的第I外部襯墊、位于上述第2導(dǎo)電部一端的第2內(nèi)部襯墊、位于上述第2導(dǎo)電部另一端的第2外部襯墊、位于上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊之間的絕緣部、位于上述絕緣部上電連接上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊之間的跳線、覆蓋設(shè)置有上述第I導(dǎo)電部及上述第2導(dǎo)電部的上述磁心薄膜層全面并使上述第I內(nèi)部襯墊及上述第2內(nèi)部襯墊各自至少露出一部分的覆蓋層、在上述露出的部分上分別電連接上述第I內(nèi)部襯墊及上述第2內(nèi)部襯墊的RFID芯片。優(yōu)選地，通過(guò)上述跳線連接的上述第I導(dǎo)電部及第2導(dǎo)電部構(gòu)成用于13. 56 用RFID標(biāo)簽的電路模式。發(fā)明的效果
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例，利用主體能夠方便而快捷地制造出RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體及包含其的卡。特別是，在主體的表面設(shè)置有樹脂區(qū)域和非樹脂區(qū)域，并只對(duì)非樹脂區(qū)域鍍金，從而就可以制作出精密的RFID電路模式。這樣，主體就可以反復(fù)使用。


圖I是用于制造依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的主體的一個(gè)構(gòu)成例的平面 圖2是圖I所示主體的剖面 圖3至圖5是為了對(duì)利用圖I所示主體制造RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明的剖面 圖6是與圖5所示剖面圖相對(duì)應(yīng)的平面圖；
圖7是為了對(duì)在多個(gè)模式電路部之間的空間上設(shè)置絕緣部的過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明的平面圖； 圖8及圖9是為了對(duì)用于連接多個(gè)模式電路部之間的跳線制造過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明的平面
圖10及圖11是為了對(duì)在RFID標(biāo)簽電路模式上搭載覆蓋層及RFID芯片并完成RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明的平面圖。圖中主要部分符號(hào)說(shuō)明*
100 :主體
110 :樹脂區(qū)域 120，130 :非樹脂區(qū)域
141:第I模式電路部
142 第2模式電路部。
具體實(shí)施例方式下面，將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體說(shuō)明。圖I是用于依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的RFID標(biāo)簽制造方法的主體構(gòu)成模式圖。從圖I可以看出，在主體100的表面設(shè)置有樹脂區(qū)域110和非樹脂區(qū)域120、130，樹脂區(qū)域110是指向主體100表面形成的槽(groove)內(nèi)填充樹脂的部分。非樹脂區(qū)域120、130是指在主體100表面未填充樹脂的部分。如圖I所示，非樹脂區(qū)域120、130包括為形成第I導(dǎo)電部而設(shè)置的第I區(qū)域120和為形成第2導(dǎo)電部而設(shè)置的第2區(qū)域130。另外，主體100是用于制作RFID標(biāo)簽的電路模式的一種模型，即發(fā)揮模具作用的部分。也就是在非樹脂區(qū)域120、130上設(shè)置導(dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成模式電路部。因此，非樹脂區(qū)域120、130制作成與嵌入于RFID標(biāo)簽的電路模式相對(duì)應(yīng)的形狀。圖I所示的主體100可以通過(guò)多種方式制作，例如主體100可以采用通過(guò)光蝕刻(Photolitho-Etching)方式制作的金屬蝕刻主體,如果主體100包含金屬，也可以稱作金
屬主體。另外，向樹脂區(qū)域110填充的樹脂可以使用具有耐化學(xué)性優(yōu)越或者經(jīng)過(guò)特定處理(例如熱處理等)后非粘附性優(yōu)越等特性的任意一種物質(zhì)，具體地說(shuō)，可以使用氟系高分子樹脂，特別是氟乙烯樹脂，例如可以使用聚四氟乙烯樹脂。另外，也可以使用硅系高分子樹脂。作為氟系高分子樹脂的一個(gè)實(shí)例，特別是，可以使用美國(guó)杜邦公司對(duì)P. T. F. E(Poly Tetra Fluoro Ethylene)樹脂進(jìn)行商標(biāo)注冊(cè)的聚四氟乙烯(Teflon)。聚四氟乙烯與普通塑料相比其耐熱性、耐化學(xué)性、研磨性、耐低溫性、電絕緣性、高頻特性等都非常優(yōu)秀，同時(shí)還具有特殊的非粘附性和低摩擦特性，因此，它適合用于制作本模式的構(gòu)造物。圖2是沿圖I所示主體100的A-B線截?cái)嘈纬蓴嗝娴钠拭鎴D,如圖2所示,在主體100的表面形成已設(shè)定形狀的槽，向槽內(nèi)填充樹脂從而構(gòu)成樹脂區(qū)域110)，除樹脂區(qū)域110之外的其余部分構(gòu)成非樹脂區(qū)域120。樹脂區(qū)域110的深度及面積隨主體100制造工藝條件的不同而改變。圖3至圖5是為了對(duì)依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的RFID標(biāo)簽制造方法進(jìn)行說(shuō)明的剖面圖。如圖3所示，對(duì)設(shè)置有樹脂區(qū)域110及非樹脂區(qū)域120、130的主體100表面進(jìn)行鍍金從而形成模式電路部141、142。 電鍍作業(yè)可以使用鎳或者銀、銅等金屬。具體地說(shuō)，就是利用硫酸銅電鍍液等銅電鍍液在鍍銅浴內(nèi)約為30°C左右的條件下電鍍5至15分鐘形成模式電路部141、142。在這種情況下，鍍金電源可以利用直流或者脈沖電源。模式電路部141、142的厚度可以通過(guò)控制電鍍時(shí)間或者電鍍電源進(jìn)行調(diào)整，即可以通過(guò)控制直流或脈沖電源的施加時(shí)間或者脈沖幅度調(diào)制、電流密度等對(duì)模式電路部141、142厚度進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。在多個(gè)模式電路部141、142中，第I模式電路部141是指在相對(duì)應(yīng)于非樹脂區(qū)域中的第I區(qū)域120的部分上形成的電鍍物質(zhì)，第2模式電路部142是指在相對(duì)應(yīng)于非樹脂區(qū)域中的第2區(qū)域130的部分上形成的電鍍物質(zhì)。因此，第I模式電路部141沿主體100的邊緣以纏繞的形式形成，第2模式電路部142位于第I模式電路部141的內(nèi)側(cè)，與第I模式電路部141保持一定的間隔。另外，依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，在進(jìn)行電鍍之前，可以對(duì)非樹脂區(qū)域120、130的表面進(jìn)行離型處理，即當(dāng)模式電路部141、142通過(guò)電鍍形成之后，在后續(xù)的工序中，需要向磁心薄膜層(未圖示)一側(cè)轉(zhuǎn)移，因此，必須確保容易分離。為此，可以事先對(duì)非樹脂區(qū)域120、130表面進(jìn)行離型處理。在這種狀態(tài)下，如圖4所示，將磁心薄膜層200粘接在主體100上。如圖4所示，磁心薄膜層200包括結(jié)合劑層210及支撐層220。下面，對(duì)粘接過(guò)程進(jìn)行具體說(shuō)明。首先，在另行設(shè)置的支撐層220表面涂布結(jié)合劑形成結(jié)合劑層210。接著，為使形成的結(jié)合劑層210朝向主體100表面，結(jié)合磁心薄膜層200和主體100。結(jié)合過(guò)程可以通過(guò)將涂布了具有壓敏性粘合劑等特性的結(jié)合劑的聚酯薄膜或者聚氯乙烯薄膜朝模式電路部141、142 —側(cè)結(jié)合的方式完成。具體地說(shuō)，聚酯薄膜系熱熔液或者熱熔薄膜可以用作結(jié)合劑。這種結(jié)合劑在物質(zhì)層表面經(jīng)涂布、干燥、硬化或?qū)訅旱裙ば蛑笠越Y(jié)合薄膜形式形成，然后，可以使磁心薄膜層200朝主體100 —側(cè)結(jié)合。另外，磁心薄膜層200的支撐層220可以采用通常用于RFID標(biāo)簽或卡的塑料材質(zhì)即聚酯纖維薄膜或聚氯乙烯薄膜等，除此之外，也可以采用紙質(zhì)、金屬、橡膠等多種材質(zhì)。但是，如果采用金屬等具有導(dǎo)電性的支撐層220)時(shí)，為了確保模式電路部141、142的RF接收及發(fā)射作業(yè)能夠正常進(jìn)行，可以對(duì)支撐層220表面進(jìn)行絕緣處理。另外，結(jié)合工序也可以通過(guò)層壓設(shè)備完成。所謂的“層壓(laminating)”就是將內(nèi)容物插入聚酯纖維等薄膜或者如玻璃等薄片(sheet)之間，然后再進(jìn)行粘合的工序。具體地說(shuō)，可以采用通過(guò)滾柱、熱板、內(nèi)置熱板的滾柱等進(jìn)行加熱和增壓而粘合的熱層壓(hotlaminating)等工藝。結(jié)合工序如果采用具有粘合劑特性的結(jié)合劑就可以在常溫條件下完成。結(jié)合劑層210及支撐層220部分在后續(xù)的工序中與模式電路部141、142 —起從主體100分離并對(duì)模式電路部141、142進(jìn)行支撐。在圖4中，雖然顯示結(jié)合劑層210與樹脂區(qū)域110保持一定的間隔，但是，在結(jié)合過(guò)程中，結(jié)合劑層210也會(huì)與樹脂區(qū)域110接觸。
如圖4所示，當(dāng)磁心薄膜層200與主體100粘接并經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間之后，使磁心薄膜層200從主體100分離。在這一過(guò)程中，在主體100表面形成的模式電路部141、142被轉(zhuǎn)移到磁心薄膜層200上。圖5是轉(zhuǎn)移了模式電路部141、142的磁心薄膜層200構(gòu)成模式圖,如圖5所不,模式電路部141、142雖然向結(jié)合劑層210內(nèi)插入一定的深度，但這僅是一個(gè)實(shí)例，模式電路部141、142既可以固定在結(jié)合劑層210表面，也可以將模式電路部141、142插入直至達(dá)到支撐層220表面。圖6是與圖5所示剖面圖相對(duì)應(yīng)的平面圖。如圖6所示，第I模式電路部141以沿磁心薄膜層200邊緣纏繞復(fù)數(shù)個(gè)圈的形式構(gòu)成，第2模式電路部142設(shè)置于第I模式電路部141的內(nèi)側(cè)空間。在圖6中，雖然顯示第2模式電路部142像一條線，但第2模式電路部142也可以設(shè)置成線圈的形態(tài)，即也可以沿第I模式電路部141內(nèi)側(cè)面至少纏繞I圈以上的方式構(gòu)成第2模式電路部142。另外，無(wú)需一定要設(shè)置兩個(gè)模式電路部，根據(jù)實(shí)施例的具體情況，也可以設(shè)置3個(gè)以上模式電路部。在圖6所示第I模式電路部141兩端中的一端設(shè)置有第I內(nèi)部襯墊141-a，在另一端設(shè)置有第I外部襯墊141-b。另外，在第2模式電路部142兩端中的一端設(shè)置有第2內(nèi)部襯墊142-a，在另一端設(shè)置有第2外部襯墊142-b。即各個(gè)模式電路部包括構(gòu)成模式的線部分和設(shè)置在其線兩端的襯墊。如圖3至圖6所示，模式電路部利用主體100可以批量制作，即可以一并制作構(gòu)成模式的線部分和襯墊部分。這樣，就解除了需要另行制作線圈和襯墊的麻煩。在圖6中，雖然顯示第I及第2內(nèi)部襯墊141-a、142-a相互并列設(shè)置，但各個(gè)襯墊
141-a、142-a、141_b、142_b的位置及形狀可以進(jìn)行多樣變更。如上所述，可以利用主體100進(jìn)行電鍍一并形成多個(gè)模式電路部，因此，就能夠很容易地制作RFID電路模式。特別是，在主體100上精確地制作樹脂區(qū)域110和非樹脂區(qū)域120、130后可以反復(fù)使用。因此，在制造過(guò)程中，就可以降低不良模式的發(fā)生幾率。另外，還可以使RFID電路模式的制作變得更加經(jīng)濟(jì)。采用這種方式制造的電路模式可以作為用于13. 56用RFID標(biāo)簽的電路模式，這樣制造的最終RFID標(biāo)簽可以作為13. 56 用RFID標(biāo)簽。如圖6所示，如果在磁心薄膜層200上側(cè)設(shè)置多個(gè)模式電路部141、142)，就可以將設(shè)置在各個(gè)模式電路部141、142 —端的第I外部襯墊及第2外部襯墊141-b、142-b進(jìn)行電連接。在這種情況下，為了確保不與構(gòu)成第I模式電路部141的線發(fā)生短路，在第I外部襯墊與第2外部襯墊141-b、142-b之間的區(qū)域設(shè)置絕緣部。圖7顯示了設(shè)置有絕緣部150的磁心薄膜層200上側(cè)構(gòu)成。絕緣部150可由普通的絕緣物質(zhì)構(gòu)成，絕緣部150成貼紙狀，可以通過(guò)貼附于第I外部襯墊及第2外部襯墊141-b、142-b之間的方式構(gòu)成。另外，也可以通過(guò)將絕緣液滴入第I外部襯墊及第2外部襯墊141-b、142-b之間的空間后再使其凝固的方式構(gòu)成。另外，在圖7中，雖然顯示絕緣部150僅設(shè)置在整體磁心薄膜層200的一部分上，但并非僅限定于此。即在磁心薄膜層200上除了各個(gè)外部襯墊及各個(gè)內(nèi)部襯墊之外的全部分都可以設(shè)置絕緣部，具體地說(shuō)，在各個(gè)外部襯墊及各個(gè)內(nèi)部襯墊的位置覆蓋掩膜后，可以通過(guò)涂布絕緣液的方式或者在除相關(guān)部分之外的位置利用粘合劑粘接絕緣部的方式設(shè)置 絕緣部。接下來(lái)，圖8及圖9是用于將多個(gè)模式電路部141、142進(jìn)行電連接的跳線制造工序的一個(gè)實(shí)例。S卩，如圖8所示，在磁心薄膜層200的全面覆蓋有掩膜160，在掩膜160的一個(gè)區(qū)域設(shè)置有露出部161。如圖8所示，露出部161使第I外部襯墊及第2外部襯墊141-b、142-b各自至少一部分和絕緣部150的一部分露出。如圖8所示，在覆蓋有掩膜160的狀態(tài)下，涂布導(dǎo)電性物質(zhì)，導(dǎo)電性物質(zhì)的涂布可以通過(guò)利用滾柱印刷、沖壓等工序完成。在這種狀態(tài)下，如圖9所示，如果除去掩膜160)，就形成跳線170。跳線170可由導(dǎo)電性膠構(gòu)成。如圖9所示，跳線170通過(guò)絕緣部150上側(cè)將第I外部襯墊及第2外部襯墊141_b、
142-b進(jìn)行電連接。通過(guò)絕緣部150，可防止除第I外部襯墊141-b之外的與第I模式電路部141的其它部分進(jìn)行電連接。如上所述，制作好跳線170后，如圖10所示，在模式電路部141、142上側(cè)層壓覆蓋層300。覆蓋層200可由聚酯纖維薄膜或聚氯乙烯薄膜等塑料或者紙質(zhì)材料構(gòu)成。由于覆蓋層300相當(dāng)于RFID標(biāo)簽嵌體外觀，因此覆蓋層300的材料應(yīng)當(dāng)選用不會(huì)對(duì)卡的后續(xù)工序產(chǎn)生影響的材質(zhì)。另外，覆蓋層300可以利用粘合劑沿模式電路部141、142上側(cè)結(jié)合于磁心薄膜層200。粘合劑的種類既可以與上述結(jié)合劑層210相同，也可以使用與其不同的粘合劑。在覆蓋層300的一個(gè)區(qū)域設(shè)置有露出部310。露出部310按合適的大小及位置設(shè)置，以確保使下側(cè)的第I內(nèi)部襯墊141-a及第2內(nèi)部襯墊142-a各自至少露出一部分。接著，如圖11所示，在露出部310上配置RFID芯片。RFID芯片分別與通過(guò)露出部310露出的第I內(nèi)部襯墊141-a及第2內(nèi)部襯墊142_a進(jìn)行電連接，從而完成RFID標(biāo)簽400的制作。另外，配置RFID芯片后，也可以進(jìn)行利用透明薄膜對(duì)其進(jìn)行壓膜等的表面處理。另外，在上述說(shuō)明過(guò)程中，雖然對(duì)本發(fā)明的理想實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并非僅限于上述特定的實(shí)施例，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，可進(jìn)行多樣的變形實(shí)施。這種多樣的變形實(shí)施不可從本發(fā)明的技術(shù)思想或前景個(gè)別理解。
權(quán)利要求
1.一種RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法，其特征在于，包括以下幾個(gè)步驟 對(duì)由樹脂填充的樹脂區(qū)域和形成規(guī)定模式的非樹脂區(qū)域構(gòu)成的主體表面進(jìn)行鍍金，在上述非樹脂區(qū)域設(shè)置多個(gè)模式電路部的步驟；在設(shè)置有上述多個(gè)模式電路部的主體上層粘接磁心薄膜層的步驟；將上述磁心薄膜層分離，向上述磁心薄膜層側(cè)轉(zhuǎn)移上述多個(gè)模式電路部的步驟；在上述多個(gè)模式電路部之間的空間上設(shè)置絕緣部的步驟；在上述絕緣部設(shè)置電連接上述多個(gè)模式電路部的跳線的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法，其特征在于， 上述多個(gè)模式電路部包括沿上述磁心薄膜層表面邊緣以纏繞的形式形成的第I模式電路部； 在上述磁心薄膜層表面位于上述第I模式電路部?jī)?nèi)側(cè)的第2模式電路部， 在上述第I模式電路部的兩端分別設(shè)置有第I外部襯墊及第I內(nèi)部襯墊，在上述第2模式電路部的兩端分別設(shè)置有第2外部襯墊及第2內(nèi)部襯墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法，其特征在于，還包括以下幾個(gè)步驟 在上述多個(gè)模式電路部上側(cè)設(shè)置使上述第I內(nèi)部襯墊及第2內(nèi)部襯墊各自至少露出一部分的覆蓋層的步驟； 在上述覆蓋層的露出部分配置分別與上述第I內(nèi)部襯墊及第2內(nèi)部襯墊進(jìn)行電連接的RFID芯片的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法，其特征在于 上述絕緣部設(shè)置在上述第I外部襯墊與第2外部襯墊之間的空間上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法，其特征在于，設(shè)置上述跳線的步驟包括 使第I外部襯墊及上述第2外部襯墊的各自至少一部分和上述絕緣部的至少一部分露出的設(shè)置掩膜的步驟； 在上述露出的部分印刷導(dǎo)電性物質(zhì)而相互連接上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊的形成跳線的步驟； 將上述掩膜除去的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法，其特征在于，還包括以下步驟 對(duì)上述主體的非樹脂區(qū)域進(jìn)行離型處理的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求6中的任意一項(xiàng)所述的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法，其特征在于， 上述樹脂可以采用聚四氟乙烯。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求6中的任意一項(xiàng)所述的RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體制造方法，其特征在于， 上述RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體用于13. 56 用復(fù)合智能卡。
9.一種RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體，其特征在于，包括以下幾個(gè)部分 磁心薄膜層、 沿上述磁心薄膜層表面邊緣以纏繞形式形成的第I模式電路部、在上述磁心薄膜層表面位于上述第I模式電路部?jī)?nèi)側(cè)的第2模式電路部、 位于上述第I模式電路部一端的第I內(nèi)部襯墊、 位于上述第I模式電路部另一端的第I外部襯墊、 位于上述第2模式電路部一端的第2內(nèi)部襯墊、 位于上述第2模式電路部另一端的第2外部襯墊、 位于上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊之間空間的絕緣部、 位于上述絕緣部上電連接上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊之間的跳線。
10.一種卡，其特征在于，包括 磁心薄膜層、 沿上述磁心薄膜層表面邊緣以纏繞形式形成的第I模式電路部、 在上述磁心薄膜層表面位于上述第I模式電路部?jī)?nèi)側(cè)的第2模式電路部、 位于上述第I模式電路部一端的第I內(nèi)部襯墊、 位于上述第I模式電路部另一端的第I外部襯墊、 位于上述第2模式電路部一端的第2內(nèi)部襯墊、 位于上述第2模式電路部另一端的第2外部襯墊、 位于上述第I外部襯墊及上述第2外部襯墊之間空間的絕緣部、 位于上述絕緣部上電連接上述第I外部襯墊及上述第2外部之間襯墊的跳線、 覆蓋設(shè)置有上述第I模式電路部及上述第2模式電路部的上述磁心薄膜層全面并使上述第I內(nèi)部襯墊及上述第2內(nèi)部襯墊各自至少露出一部分的覆蓋層、 在上述露出的部分上分別電連接上述第I內(nèi)部襯墊及上述第2內(nèi)部襯墊的RFID芯片，通過(guò)上述跳線連接的上述第I模式電路部及第2模式電路部構(gòu)成用于13. 56用RFID標(biāo)簽的電路模式。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制造RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體的RFID標(biāo)簽制造方法。本方法包括以下幾個(gè)步驟對(duì)由樹脂填充的樹脂區(qū)域和形成規(guī)定模式的非樹脂區(qū)域構(gòu)成的金屬主體表面進(jìn)行鍍金，在上述非樹脂區(qū)域設(shè)置多個(gè)模式電路部的步驟；在設(shè)置有上述多個(gè)模式電路部的主體上層粘接磁心薄膜層的步驟；將上述磁心薄膜層與金屬主體分離，并將上述多個(gè)模式電路部向上述磁心薄膜層側(cè)轉(zhuǎn)移的步驟；在上述多個(gè)模式電路部之間的至少一部分空間設(shè)置絕緣部的步驟；在上述絕緣部設(shè)置電連接上述多個(gè)模式電路部的跳連接線步驟。利用本方法，能夠很容易地制造出RFID標(biāo)簽內(nèi)置型嵌體。
文檔編號(hào)G06K19/07GK102918549SQ201080054992
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月3日
發(fā)明者李鐘基, 羅暻錄 申請(qǐng)人:三元Fa株式會(huì)社, 株式會(huì)社Emot