專利名稱:用來進行區(qū)塊管理的方法、記憶裝置及其控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明有關(guān)于閃存(Flash Memory)的存取(Access),更具體地說,涉及一種用來進行區(qū)塊管理的方法以及相關(guān)的記憶裝置及其控制器。
背景技術(shù):
近年來由于閃存的技術(shù)不斷地發(fā)展,各種可攜式記憶裝置(例如符合SD/MMC、CF、MS、XD標準的記憶卡)或具備閃存的固態(tài)硬盤(Solid State Drive, SSD)被廣泛地實 施在諸多應(yīng)用中。因此,這些記憶裝置中的閃存的訪問控制遂成為相當熱門的議題。以常用的NAND型閃存而言,其主要可區(qū)分為單階細胞(Single LevelCell, SLC)與多階細胞(Multiple Level Cell,MLC)兩大類的閃存。單階細胞閃存中的每個被當作記憶單元的晶體管只有兩種電荷值,分別用來表示邏輯值0與邏輯值I。另外,多階細胞閃存中的每個被當作記憶單元的晶體管的儲存能力則被充分利用,采用較高的電壓來驅(qū)動,以透過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄兩組(或以上)位信息(00、01、11、10);理論上,多階細胞閃存的記錄密度可以達到單階細胞閃存的記錄密度的兩倍,這對于曾經(jīng)在發(fā)展過程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關(guān)產(chǎn)業(yè)而言,是非常好的消息。相較于單階細胞閃存,由于多階細胞閃存的價格較便宜,并且在有限的空間里可提供較大的容量,故多階細胞閃存很快地成為市面上的可攜式記憶裝置競相采用的主流。然而,多階細胞閃存的不穩(wěn)定性所導(dǎo)致的問題也一一浮現(xiàn)。為了確保記憶裝置對閃存的訪問控制能符合相關(guān)規(guī)范,閃存的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理數(shù)據(jù)的存取。依據(jù)相關(guān)技術(shù),有了這些管理機制的記憶裝置還是有不足之處。舉例來說,相關(guān)技術(shù)的管理機制無法保證在閃存中進行損耗整平(Wear Leveling)運作時能達到最佳的處理效能。因此,需要一種新穎的方法來進行區(qū)塊管理,以在進行抹除運作時能適應(yīng)性地選擇用來保存有效數(shù)據(jù)(Valid Data)的區(qū)塊。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于,針對現(xiàn)有技術(shù)的管理機制無法保證在閃存中進行損耗整平運作時能達到最佳的處理效能的缺陷,提供一種用來進行區(qū)塊管理的方法以及相關(guān)的記憶裝置及其控制器,以解決上述問題。本發(fā)明的另一目的在于提供一種用來進行區(qū)塊管理的方法以及相關(guān)的記憶裝置及其控制器,以在進行損耗整平(Wear Leveling)運作時能達到最佳的處理效能。本發(fā)明的另一目的在于提供一種用來進行區(qū)塊管理的方法以及相關(guān)的記憶裝置及其控制器,以在進行一目標區(qū)塊的抹除運作時能適應(yīng)性地選擇用來保存/儲存該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)(Valid Data)的區(qū)塊。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案之一是提供一種來進行區(qū)塊管理的方法,該方法應(yīng)用于一閃存(Flash Memory)的控制器,該閃存包含多個區(qū)塊,該方法包含有在該閃存的一數(shù)據(jù)區(qū)(Data Region)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)(EraseCount)最低的一目標區(qū)塊,作為一待抹除區(qū)塊,其中該至少一部分區(qū)塊的序號分別對應(yīng)于該至少一部分區(qū)塊的最新更新的順序;以及依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至一高損耗區(qū)塊(Heavily Worn Block)或一低損耗區(qū)塊(Lightly Worn Block),其中該高損耗區(qū)塊的損耗程度大于該低損耗區(qū)塊的損耗程度。上述本發(fā)明所述的方法,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含計算該目標區(qū)塊的序號與一最新存取區(qū)塊的序號之間的差值;以及依據(jù)該差值決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含
比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含當該差值達到該門坎值時,將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其中據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含當該差值低于該門坎值時,將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含比較該差值與該門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其另包含有在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)達到一門坎值的一區(qū)塊,作為該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其另包含有在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)低于一門坎值的一區(qū)塊,作為該低損耗區(qū)塊,其中該低損耗區(qū)塊并非該備用區(qū)當中具有最低抹除次數(shù)的區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其另包含有在移動/復(fù)制該有效數(shù)據(jù)之后,抹除該目標區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的方法,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含依據(jù)該目標區(qū)塊的序號以及至少一門坎值決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊;以及動態(tài)地調(diào)整該至少一門坎值,以改變該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的機率。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案之二是提供上述方法的同時,也對應(yīng)地提供一種記憶裝置,其包含有一閃存,該閃存包含多個區(qū)塊;以及一控制器,用來存取(Access)該閃存以及管理該多個區(qū)塊。另外,該控制器在該閃存的一數(shù)據(jù)區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)最低的一目標區(qū)塊,作為一待抹除區(qū)塊,其中該至少一部分區(qū)塊的序號分別對應(yīng)于該至少一部分區(qū)塊的最新更新的順序。此外,該控制器依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至一高損耗區(qū)塊或一低損耗區(qū)塊,其中該高損耗區(qū)塊的損耗程度大于該低損耗區(qū)塊的損耗程度。上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中該控制器計算該目標區(qū)塊的序號與一最新存取區(qū)塊的序號之間的差值,以及依據(jù)該差值決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中該控制器比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中當該差值達到該門坎值時,該控制器將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中該控制器比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中當該差值低于該門坎值時,該控制器將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中該控制器比較該差值與該門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中該控制器在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)達到一門坎值的一區(qū)塊,作為該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中該控制器在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)低于一門坎值的一區(qū)塊,作為該低損耗區(qū)塊,而該低損耗區(qū)塊并非該備用區(qū)當中具有最低抹除次數(shù)的區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的記憶裝置,其中在移動/復(fù)制該有效數(shù)據(jù)之后,該控制器抹除該目標區(qū)塊。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案之三是提供上述方法的同時,也對應(yīng)地提供一種記憶裝置的控制器,該控制器用來存取一閃存,該閃存包含多個區(qū)塊,該控制器包含有一只讀存儲器(Read Only Memory, ROM),用來儲存一程序代碼;以及一微處理器,用來執(zhí)行該程序代碼以控制對該閃存的存取以及管理該多個區(qū)塊。另外,透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器在該閃存的一數(shù)據(jù)區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)最低的一目標區(qū)塊,作為一待抹除區(qū)塊,其中該至少一部分區(qū)塊的序號分別對應(yīng)于該至少一部分區(qū)塊的最新更新的順序。此外,透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至一高損耗區(qū)塊或一低損耗區(qū)塊,其中該高損耗區(qū)塊的損耗程度大于該低損耗區(qū)塊的損耗程度。上述本發(fā)明所述的控制器,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器計算該目標區(qū)塊的序號與一最新存取區(qū)塊的序號之間的差值,以及依據(jù)該差值決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的控制器,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的控制器,其中當該差值達到該門坎值時,透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的控制器,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的控制器,其中當該差值低于該門坎值時,透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的控制器,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器比較該差值與該門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的控制器,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器在該 閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)達到一門坎值的一區(qū)塊,作為該高損耗區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的控制器,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)低于一門坎值的一區(qū)塊,作為該低損耗區(qū)塊,而該低損耗區(qū)塊并非該備用區(qū)當中具有最低抹除次數(shù)的區(qū)塊。上述本發(fā)明所述的控制器,其中在移動/復(fù)制該有效數(shù)據(jù)之后,透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器抹除該目標區(qū)塊。實施本發(fā)明的技術(shù)方案,具有以下有益效果依據(jù)本發(fā)明所實現(xiàn)的區(qū)塊管理能區(qū)別熱數(shù)據(jù)與冷數(shù)據(jù),并利用較高損耗程度的區(qū)塊儲存冷數(shù)據(jù)以及利用較低損耗程度的區(qū)塊儲存熱數(shù)據(jù)。藉此保證在閃存中進行損耗整平運作時達到最佳的處理效能。相較于相關(guān)技術(shù),本發(fā)明在不大幅地增加芯片面積及相關(guān)成本的狀況下就能達到兼顧運作效能與系統(tǒng)資源使用控管的目標。
下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明,附圖中圖I為依據(jù)本發(fā)明一第一實施例的一種記憶裝置的示意圖;圖2A為依據(jù)本發(fā)明一實施例的一種進行區(qū)塊管理的方法的流程圖;圖2B與圖2C分別繪示圖2A所示的方法在不同的實施例中的實施細節(jié);圖3繪示圖2A所示的方法在一實施例中所涉及的數(shù)據(jù)區(qū)中的區(qū)塊;圖4A與圖4B分別繪示圖2A所示的方法在不同的實施例中的實施細節(jié)。主要組件符號說明
權(quán)利要求
1.一種用來進行區(qū)塊管理的方法,該方法應(yīng)用于一閃存的控制器,該閃存包含多個區(qū)塊,其特征在于,該方法包含有 在該閃存的一數(shù)據(jù)區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)最低的一目標區(qū)塊,作為一待抹除區(qū)塊,其中該至少一部分區(qū)塊的序號分別對應(yīng)于該至少一部分區(qū)塊的最新更新的順序;以及 依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至一高損耗區(qū)塊或一低損耗區(qū)塊,其中該高損耗區(qū)塊的損耗程度大于該低損耗區(qū)塊的損耗程度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含 計算該目標區(qū)塊的序號與一最新存取區(qū)塊的序號之間的差值;以及 依據(jù)該差值決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含 比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含 當該差值達到該門坎值時,將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含 比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,其中據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含 當該差值低于該門坎值時,將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含 比較該差值與該門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,其另包含有 在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)達到一門坎值的一區(qū)塊,作為該高損耗區(qū)塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,其另包含有 在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)低于一門坎值的一區(qū)塊,作為該低損耗區(qū)塊,其中該低損耗區(qū)塊并非該備用區(qū)當中具有最低抹除次數(shù)的區(qū)塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,其另包含有 在移動/復(fù)制該有效數(shù)據(jù)之后,抹除該目標區(qū)塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,其中依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的步驟另包含 依據(jù)該目標區(qū)塊的序號以及至少一門坎值決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊;以及動態(tài)地調(diào)整該至少一門坎值,以改變該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊的機率。
12.一種記憶裝置,其特征在于,其包含有 一閃存,該閃存包含多個區(qū)塊;以及 一控制器,用來存取該閃存以及管理該多個區(qū)塊,其中該控制器在該閃存的一數(shù)據(jù)區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)最低的一目標區(qū)塊,作為一待抹除區(qū)塊,而該至少一部分區(qū)塊的序號分別對應(yīng)于該至少一部分區(qū)塊的最新更新的順序; 其中該控制器依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至一高損耗區(qū)塊或一低損耗區(qū)塊,而該高損耗區(qū)塊的損耗程度大于該低損耗區(qū)塊的損耗程度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的記憶裝置,其特征在于,其中該控制器計算該目標區(qū)塊的序號與一最新存取區(qū)塊的序號之間的差值,以及依據(jù)該差值決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的記憶裝置,其特征在于,其中該控制器比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的記憶裝置,其特征在于,其中當該差值達到該門坎值時,該控制器將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的記憶裝置,其特征在于,其中該控制器比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的記憶裝置,其特征在于,其中當該差值低于該門坎值時,該控制器將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的記憶裝置,其特征在于,其中該控制器比較該差值與該門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的記憶裝置,其特征在于,其中該控制器在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)達到一門坎值的一區(qū)塊,作為該高損耗區(qū)塊。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的記憶裝置,其特征在于,其中該控制器在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)低于一門坎值的一區(qū)塊,作為該低損耗區(qū)塊,而該低損耗區(qū)塊并非該備用區(qū)當中具有最低抹除次數(shù)的區(qū)塊。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的記憶裝置,其特征在于,其中在移動/復(fù)制該有效數(shù)據(jù)之后,該控制器抹除該目標區(qū)塊。
22.—種記憶裝置的控制器,該控制器用來存取一閃存,該閃存包含多個區(qū)塊,其特征在于,該控制器包含有 一只讀存儲器,用來儲存一程序代碼;以及 一微處理器,用來執(zhí)行該程序代碼以控制對該閃存的存取以及管理該多個區(qū)塊,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器在該閃存的一數(shù)據(jù)區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)最低的一目標區(qū)塊,作為一待抹除區(qū)塊,而該至少一部分區(qū)塊的序號分別對應(yīng)于該至少一部分區(qū)塊的最新更新的順序; 其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至一高損耗區(qū)塊或一低損耗區(qū)塊,而該高損耗區(qū)塊的損耗程度大于該低損耗區(qū)塊的損耗程度。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的控制器,其特征在于,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器計算該目標區(qū)塊的序號與一最新存取區(qū)塊的序號之間的差值,以及依據(jù)該差值決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊或該低損耗區(qū)塊。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的控制器,其特征在于,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的控制器,其特征在于,其中當該差值達到該門坎值時,透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的控制器,其特征在于,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器比較該差值與一門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的控制器,其特征在于,其中當該差值低于該門坎值時,透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該低損耗區(qū)塊。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的控制器,其特征在于,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器比較該差值與該門坎值以決定是否將該有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至該高損耗區(qū)塊。
29.根據(jù)權(quán)利要求22所述的控制器,其特征在于,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)達到一門坎值的一區(qū)塊,作為該高損耗區(qū)塊。
30.根據(jù)權(quán)利要求22所述的控制器,其特征在于,其中透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器在該閃存的一備用區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)低于一門坎值的一區(qū)塊,作為該低損耗區(qū)塊,而該低損耗區(qū)塊并非該備用區(qū)當中具有最低抹除次數(shù)的區(qū)塊。
31.根據(jù)權(quán)利要求22所述的控制器,其特征在于,其中在移動/復(fù)制該有效數(shù)據(jù)之后,透過該微處理器執(zhí)行該程序代碼的該控制器抹除該目標區(qū)塊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用來進行區(qū)塊管理的方法,該方法應(yīng)用于一閃存的控制器,該閃存包含多個區(qū)塊,該方法包含有在該閃存的一數(shù)據(jù)區(qū)中的至少一部分區(qū)塊當中選擇抹除次數(shù)最低的一目標區(qū)塊,作為一待抹除區(qū)塊,其中該至少一部分區(qū)塊的序號分別對應(yīng)于該至少一部分區(qū)塊的最新更新的順序;以及依據(jù)該目標區(qū)塊的序號決定應(yīng)當將該目標區(qū)塊中的有效數(shù)據(jù)移動/復(fù)制至一高損耗區(qū)塊或一低損耗區(qū)塊,其中該高損耗區(qū)塊的損耗程度大于該低損耗區(qū)塊的損耗程度。依據(jù)本發(fā)明所實現(xiàn)的區(qū)塊管理能區(qū)別熱數(shù)據(jù)與冷數(shù)據(jù),并利用較高損耗程度的區(qū)塊儲存冷數(shù)據(jù)以及利用較低損耗程度的區(qū)塊儲存熱數(shù)據(jù),保證在閃存中進行損耗整平運作時達到最佳的處理效能。
文檔編號G06F12/06GK102637145SQ201110036240
公開日2012年8月15日 申請日期2011年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月11日
發(fā)明者沈揚智 申請人:慧榮科技股份有限公司