專利名稱：觸控面板及其多點(diǎn)檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于ー種觸控面板及其檢測(cè)方法，且特別是有關(guān)于ー種觸控面板及其多點(diǎn)檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
隨著科技不斷的進(jìn)步，各式電子裝置不斷推陳出新，其中電子裝置的輸入方式也不斷的有創(chuàng)新技術(shù)出現(xiàn)。舉例來說，觸控面板即是ー項(xiàng)重大突破的技木。透過觸控面板，使用者可直接以觸控筆或手指在觸控面板上點(diǎn)選元件、寫字或畫圖，而不需要鍵盤或鼠標(biāo)。直覺式的輸入方式，改變了電子裝置的發(fā)展模式。在觸控面板發(fā)展的過程中，觸控點(diǎn)的判斷精準(zhǔn)度及單點(diǎn)、多點(diǎn)觸控判斷的正確性是觸控面板發(fā)展的關(guān)鍵因素。有鑒于此，目前業(yè)界無不致カ于發(fā)展各種技術(shù)來提高觸控點(diǎn)的判斷精準(zhǔn)度以及單、多點(diǎn)觸控判斷的正確性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于ー種觸控面板及其多點(diǎn)檢測(cè)方法，其利用判斷與分析步驟來分辨觸控面板被觸控的情況，以提高觸控面板在單點(diǎn)及多點(diǎn)檢測(cè)上的精準(zhǔn)度。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法。觸控面板包括具有阻抗異向性的一導(dǎo)電層和數(shù)個(gè)感測(cè)接墊。其中導(dǎo)電層的一第一軸向的阻抗值低于導(dǎo)電層的ー第二軸向的阻抗值。此些感測(cè)接墊分布于導(dǎo)電層沿第二軸向的相對(duì)兩側(cè)邊以在該觸控面板形成數(shù)個(gè)感測(cè)區(qū)域。多點(diǎn)檢測(cè)方法包括以下步驟。沿一第二軸向測(cè)量觸控面板的一感測(cè)曲線。感測(cè)曲線的ー最大感測(cè)值位于此些感測(cè)區(qū)域的一第一感測(cè)區(qū)域。此些感測(cè)區(qū)域的一第ニ感測(cè)區(qū)域及一第三感測(cè)區(qū)域分別相鄰于第一感測(cè)區(qū)域的兩側(cè)，感測(cè)曲線于第二感測(cè)區(qū)域的一第一平均感測(cè)值大于第三感測(cè)區(qū)域的一第二平均感測(cè)值。分析第一感測(cè)區(qū)域的一第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)。分析第二感測(cè)區(qū)域的一第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)。分析第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及第ニ觸控點(diǎn)坐標(biāo)的ー相對(duì)距離。若相對(duì)距離小于ー預(yù)定距離，則定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)被觸控，或定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)與第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)的一中點(diǎn)被觸控。若相對(duì)距離大于或等于預(yù)定距離，則定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及第ニ控點(diǎn)坐標(biāo)同時(shí)被觸控。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種觸控面板。觸控面板包括一導(dǎo)電層、數(shù)個(gè)感測(cè)元件、一測(cè)量單元、一分析単元及一定義單元。導(dǎo)電層具有阻抗異向性。導(dǎo)電層的一第一軸向的阻抗值低于導(dǎo)電膜的一第二軸向的阻抗值。此些感測(cè)接墊分布于導(dǎo)電層沿第二軸向的相對(duì)兩側(cè)邊以在觸控面板形成數(shù)個(gè)感測(cè)區(qū)域。測(cè)量單元用以沿ー第二軸向測(cè)量觸控面板的一感測(cè)曲線。感測(cè)曲線的ー最大感測(cè)值位于此些感測(cè)區(qū)域的一第一感測(cè)區(qū)域。此些感測(cè)區(qū)域的一第二感測(cè)區(qū)域及一第三感測(cè)區(qū)域分別相鄰于第一感測(cè)區(qū)域的兩側(cè)。感測(cè)曲線于第二感測(cè)區(qū)域的一第一平均感測(cè)值大于第三感測(cè)區(qū)域的一第二平均感測(cè)值。分析単元用以分析第ー感測(cè)區(qū)域的一第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及第ニ感測(cè)區(qū)域的一第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)，并分析第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及第ニ觸控點(diǎn)坐標(biāo)的ー相對(duì)距離。若相對(duì)距離小于ー預(yù)定距離，則定義單元定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)被觸控，或定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)與第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)的ー中點(diǎn)被觸控。若相對(duì)距離大于或等于預(yù)定距離，則定義單元定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及第ニ控點(diǎn)坐標(biāo)同時(shí)被觸控。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說明，其中 圖I繪示第一實(shí)施例的一觸控面板的示意圖。圖2繪示觸控面板被兩個(gè)手指接觸的示意圖。圖3繪示觸控面板被兩個(gè)手指接觸的另ー示意圖。圖4繪示本實(shí)施例多點(diǎn)檢測(cè)方法的流程圖。圖5A 繪示圖4的各步驟的示意圖。圖6繪示第二實(shí)施例的觸控面板的示意圖。圖7繪示第三實(shí)施例的觸控面板的示意圖。主要元件符號(hào)說明100、200、300 :觸控面板110、210、310 :導(dǎo)電層111 :納米碳管120 :測(cè)量單元130 :分析單元140 :定義單元150 :感測(cè)接墊211、311 :感測(cè)元件Dl:第一軸向D12 :相對(duì)距離D2:第二軸向AO :感測(cè)區(qū)域Al :第一感測(cè)區(qū)域A2 :第二感測(cè)區(qū)域A3 :第三感測(cè)區(qū)域C1、C2、C3、C4 :感測(cè)曲線M:中點(diǎn)Pl :第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)P2 :第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)SlOl S107 :流程步驟Vmax :最大感測(cè)值
具體實(shí)施例方式以下系提出實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，實(shí)施例僅用以作為范例說明，并不會(huì)限縮本發(fā)明欲保護(hù)的范圍。此外，實(shí)施例中的圖式系省略不必要的元件，以清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。本發(fā)明是利用判斷與分析步驟來分辨觸控面板被觸控的情況，以提高觸控面板在單點(diǎn)及多點(diǎn)檢測(cè)上的精準(zhǔn)度。第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)DI，其繪示第一實(shí)施例 的一觸控面板100的示意圖。觸控面板100具有多個(gè)感測(cè)區(qū)域A0。觸控面板100包括一導(dǎo)電層110、多個(gè)感測(cè)接墊150、一測(cè)量單元120、一分析単元130及一定義單元140。導(dǎo)電層110具有阻抗異向性。導(dǎo)電層110的一第一軸向D I的阻抗值低于導(dǎo)電膜110的一第二軸向D2的阻抗值。此些感測(cè)接墊150分布于導(dǎo)電層110沿第二軸向D2的相對(duì)兩側(cè)邊以在觸控面板100形成多個(gè)感測(cè)區(qū)域A0。此導(dǎo)電層110例如是(但不局限)為納米碳管膜。納米碳管膜包含有數(shù)個(gè)納米碳管111。此些納米碳管111為長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，且實(shí)質(zhì)上朝第一軸向Dl排列。在納米碳管膜的實(shí)施例中，相鄰的四個(gè)感測(cè)接墊150在觸控面板100定義出一個(gè)感測(cè)區(qū)域A0。如圖I所示，相鄰的四個(gè)感測(cè)接墊150定義出一個(gè)感測(cè)區(qū)域A0，所以相鄰的感測(cè)區(qū)域AO將共用兩個(gè)感測(cè)接墊150，且會(huì)部分相互重疊。在任ー感測(cè)區(qū)域AO中，第一軸向Dl的阻抗值較低，第二軸向D2(例如是圖I的X軸方向)的阻抗值相對(duì)較高。測(cè)量單元120用以沿第二軸向D2測(cè)量觸控面板110的ー感測(cè)曲線Cl。透過感測(cè)曲線Cl的峰值可以感測(cè)出哪ー感測(cè)區(qū)域AO被觸控。測(cè)量單元120可再借由四個(gè)感測(cè)接墊150的電容值的測(cè)量可以分析出此ー感測(cè)區(qū)域AO在第一軸向Dl的哪ー坐標(biāo)位置被觸控。分析単元130則用以進(jìn)行各種分析程序，例如是坐標(biāo)數(shù)值的分析程序。定義單元140則用以輸出或記錄觸控面板100被觸控的情況的分析結(jié)果。其中分析単元130及定義単元140例如是ー芯片、一固件電路或儲(chǔ)存數(shù)組程序碼的儲(chǔ)存媒體。如上所述，測(cè)量単元120可從感測(cè)曲線Cl的峰值感測(cè)出哪ー感測(cè)區(qū)域AO被觸控。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示觸控面板100被兩個(gè)手指接觸的示意圖。當(dāng)使用者以兩個(gè)手指接觸觸控面板100時(shí)，測(cè)量単元120可由感測(cè)曲線C2的兩個(gè)峰值來判斷出哪兩個(gè)感測(cè)區(qū)域AO被觸控，接著再分別分析出這兩個(gè)感測(cè)區(qū)域AO分別在第一軸向Dl的哪ー坐標(biāo)位置被觸控。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示觸控面板100被兩個(gè)手指接觸的另ー示意圖。當(dāng)使用者以兩個(gè)手指接觸觸控面板100時(shí)，兩個(gè)手指可能過于接近而使得感測(cè)曲線C3沒有明顯的兩個(gè)峰值。此時(shí)，觸控面板100可借由以下的多點(diǎn)檢測(cè)方法來進(jìn)行判斷與分析，以做出精確的判斷。請(qǐng)參照?qǐng)D4及5A 圖4繪示本實(shí)施例多點(diǎn)檢測(cè)方法的流程圖，圖5A 繪示圖4的各步驟的示意圖。以下以上述觸控面板100為例來說明本實(shí)施例的多點(diǎn)檢測(cè)方法，然而本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員均可了解本發(fā)明的多點(diǎn)檢測(cè)方法并不局限于上述觸控面板100。并且多點(diǎn)檢測(cè)方法也不局限于流程圖上的步驟順序與細(xì)部步驟。首先，在步驟SlOl中，如圖5A所示，沿第二軸向D2測(cè)量觸控面板100的感測(cè)曲線C4。感測(cè)曲線C4的一最大感測(cè)值Vmax位于此些感測(cè)區(qū)域AO的一第一感測(cè)區(qū)域Al。也就是說，觸控面板100在第一感測(cè)區(qū)域Al —定有被一手指觸控。此些感測(cè)區(qū)域AO的一第二感測(cè)區(qū)域A2及一第三感測(cè)區(qū)域A3分別相鄰于第一感測(cè)區(qū)域Al的兩側(cè)。感測(cè)曲線C4于第二感測(cè)區(qū)域A2的一第一平均感測(cè)值大于第三感測(cè)區(qū)域A3的一第二平均感測(cè)值。也就是說，在一種情況中，可能是第二感測(cè)區(qū)域A2被另一手指觸控，而造成第二感測(cè)區(qū)域A2的第一平均感測(cè)值較高。在另ー種情況中，可能是較粗的手指橫跨第一感測(cè)區(qū)域Al及第ニ感測(cè)區(qū)域A2，而造成第二感測(cè)區(qū)域A2的第一平均感測(cè)值較高。后面的步驟將可分辨出這兩種情況。接著，在步驟S102中，如圖5B所示，分析単元130分析第一感測(cè)區(qū)域Al的一第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)P1。其中第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)Pi系為ニ維坐標(biāo)。然后，在步驟S103中，如圖5C所示，分析單元130分析第二感測(cè)區(qū)域A2的一第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)P2。其中第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)P2也是ニ 維坐標(biāo)。接著，在步驟S104中，如圖所示，分析單元130分析第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)Pl及第ニ觸控點(diǎn)坐標(biāo)P2的一相對(duì)距離D12。然后，在步驟S105中，分析単元130判斷相對(duì)距離D12是否小于ー預(yù)定距離。若相對(duì)距離D12小于預(yù)定距離，則進(jìn)入步驟S106 ;若相對(duì)距離D12大于或等于預(yù)定距離，則進(jìn)入步驟S107。其中，預(yù)定距離為O. 5 I. 5厘米。此預(yù)定距離系可依據(jù)實(shí)際情況作調(diào)整，一般是依據(jù)人類手指的大小范圍來制訂此預(yù)定距離。進(jìn)入步驟S106時(shí)，表示第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)Pl與第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)P2相當(dāng)接近，故可認(rèn)定觸控面板100僅被ー個(gè)手指所觸控。故在此步驟中，定義單元140定義觸控面板100在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)Pl被觸控，或定義觸控面板100在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)Pl與第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)P2的一中點(diǎn)M被觸控。進(jìn)入步驟S107吋，表示第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)Pl與第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)P2分離的較遠(yuǎn)，故可認(rèn)定觸控面板100是被兩個(gè)手指所觸控。故在此步驟中，定義單元140定義觸控面板100在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)Pl及第ニ控點(diǎn)坐標(biāo)P2同時(shí)被觸控。根據(jù)上述實(shí)施例，可以辨識(shí)出使用者是否以多個(gè)手指來接觸觸控面板100。兩個(gè)手指過于接近吋，也可以精準(zhǔn)地辨識(shí)出兩個(gè)手指的觸控點(diǎn)坐標(biāo)。而在使用者的手指較粗吋，也可以不會(huì)誤判為兩個(gè)手指。第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示第二實(shí)施例的觸控面板200的示意圖。本實(shí)施例的觸控面板200與第一實(shí)施例的觸控面板100不同的處在于導(dǎo)電層210，其余相同的處不再重復(fù)敘述。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層210包含多個(gè)感測(cè)元件211。此些感測(cè)元件211為長(zhǎng)條型金屬薄膜，且實(shí)質(zhì)上朝第一軸向Dl排列。同樣地，導(dǎo)電層210的第一軸向Dl的阻抗值低于導(dǎo)電膜210的第二軸向D2的阻抗值。透過上述多點(diǎn)檢測(cè)方法，第二實(shí)施例同樣也可以辨識(shí)出使用者是否以多個(gè)手指來接觸觸控面板200。兩個(gè)手指過于接近吋，也同樣可以精準(zhǔn)地辨識(shí)出兩個(gè)手指的觸控點(diǎn)坐標(biāo)。而在使用者的手指較粗時(shí)，也同樣可以不會(huì)誤判為兩個(gè)手指。第三實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示第三實(shí)施例的觸控面板300的示意圖。本實(shí)施例的觸控面板300與第一實(shí)施例的觸控面板100不同之處在于導(dǎo)電層310，其余相同的處不再重復(fù)敘述。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層310包含多個(gè)感測(cè)元件311。此些感測(cè)元件311為長(zhǎng)條型銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)或長(zhǎng)條型銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, ΙΖ0),且實(shí)質(zhì)上朝第一軸向Dl排列。本實(shí)施例的感測(cè)元件310實(shí)質(zhì)上為梯形結(jié)構(gòu)。同樣地，導(dǎo)電層310的第一軸向D I的阻抗值低于導(dǎo)電膜310的第二軸向D2的阻抗值。透過上述多點(diǎn)檢測(cè)方法，第三實(shí)施例同樣也可以辨識(shí)出使用者是否以多個(gè)手指來接觸觸控面板300。兩個(gè)手指過于接近吋，也同樣可以精準(zhǔn)地辨識(shí)出兩個(gè)手指的觸控點(diǎn)坐標(biāo)。而在使用者的手指較粗時(shí)，也同樣可以不會(huì)誤判為兩個(gè)手指。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例掲示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法，該觸控面板包括具有阻抗異向性的一導(dǎo)電層和多個(gè)感測(cè)接墊，其中該導(dǎo)電層的一第一軸向的阻抗值低于該導(dǎo)電層的一第二軸向的阻抗值，該些感測(cè)接墊分布于該導(dǎo)電層沿該第二軸向的相對(duì)兩側(cè)邊以在該觸控面板形成多個(gè)感測(cè)區(qū)域，該多點(diǎn)檢測(cè)方法包括 沿一第二軸向測(cè)量該觸控面板的一感測(cè)曲線，該感測(cè)曲線的一最大感測(cè)值位于該些感測(cè)區(qū)域的一第一感測(cè)區(qū)域，該些感測(cè)區(qū)域的一第二感測(cè)區(qū)域及一第三感測(cè)區(qū)域分別相鄰于該第一感測(cè)區(qū)域的兩側(cè)，該感測(cè)曲線于該第二感測(cè)區(qū)域的一第一平均感測(cè)值大于該第三感測(cè)區(qū)域的一第二平均感測(cè)值； 分析該第一感測(cè)區(qū)域的一第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)； 分析該第二感測(cè)區(qū)域的一第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)； 分析該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及該第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)的一相對(duì)距離； 若該相對(duì)距離小于一預(yù)定距離，則定義該觸控面板在該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)被觸控，或定義該觸控面板在該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)與該第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)的一中點(diǎn)被觸控；以及 若該相對(duì)距離大于或等于該預(yù)定距離，則定義該觸控面板在該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及該第二控點(diǎn)坐標(biāo)同時(shí)被觸控。
2.如權(quán)利要求I所述的觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，該導(dǎo)電層為一納米碳管膜。
3.如權(quán)利要求2所述的觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，該納米碳管膜包含有多個(gè)納米碳管，且該些納米碳管實(shí)質(zhì)上朝該第一軸向排列。
4.如權(quán)利要求I所述的觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，該導(dǎo)電層包含有多個(gè)感測(cè)元件，其特征在于，該些感測(cè)元件為長(zhǎng)條型金屬薄膜、長(zhǎng)條型銦錫氧化物或長(zhǎng)條型銦鋅氧化物，且實(shí)質(zhì)上朝該第一軸向排列。
5.如權(quán)利要求I所述的觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，相鄰的該感測(cè)區(qū)域部分相互重疊。
6.如權(quán)利要求I所述的觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，該預(yù)定距離為0.5 I.5厘米。
7.如權(quán)利要求I所述的觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及該第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)為二維坐標(biāo)。
8.—種觸控面板，該觸控面板包括 一導(dǎo)電層，具有阻抗異向性，其中該導(dǎo)電層的一第一軸向的阻抗值低于該導(dǎo)電膜的一第二軸向的阻抗值； 多個(gè)感測(cè)接墊，該些感測(cè)接墊分布于該導(dǎo)電層沿該第二軸向的相對(duì)兩側(cè)邊以在該觸控面板形成多個(gè)感測(cè)區(qū)域； 一測(cè)量單元，用以沿一第二軸向測(cè)量該觸控面板的一感測(cè)曲線，該感測(cè)曲線的一最大感測(cè)值位于該些感測(cè)區(qū)域的一第一感測(cè)區(qū)域，該些感測(cè)區(qū)域的一第二感測(cè)區(qū)域及一第三感測(cè)區(qū)域分別相鄰于該第一感測(cè)區(qū)域的兩側(cè)，該感測(cè)曲線于該第二感測(cè)區(qū)域的一第一平均感測(cè)值大于該第三感測(cè)區(qū)域的一第二平均感測(cè)值； 一分析單元，用以分析該第一感測(cè)區(qū)域的一第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及該第二感測(cè)區(qū)域的一第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)，并分析該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及該第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)的一相對(duì)距離；以及一定義單元，若該相對(duì)距離小于一預(yù)定距離，則該定義單元定義該觸控面板在該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)被觸控，或定義該觸控面板在該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)與該第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)的一中點(diǎn)被觸控；若該相對(duì)距離大于或等于該預(yù)定距離，則該定義單元定義該觸控面板在該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及該第二控點(diǎn)坐標(biāo)同時(shí)被觸控。
9.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于，該導(dǎo)電層為一納米碳管膜。
10.如權(quán)利要求9所述的觸控面板，其特征在于，該納米碳管膜包含有多個(gè)納米碳管，且該些納米碳管實(shí)質(zhì)上朝該第一軸向排列。
11.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于，該導(dǎo)電層包含多個(gè)感測(cè)元件，且該些感測(cè)元件為長(zhǎng)條型金屬薄膜、長(zhǎng)條型銦錫氧化物或長(zhǎng)條型銦鋅氧化物，且實(shí)質(zhì)上朝該第一軸向排列。
12.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于，相鄰的該感測(cè)區(qū)域部分相互重疊。
13.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于，該預(yù)定距離為0.5 I. 5厘米。
14.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于，該第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及該第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)為二維坐標(biāo)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種觸控面板及其多點(diǎn)檢測(cè)方法。觸控面板具有數(shù)個(gè)感測(cè)區(qū)域。觸控面板的多點(diǎn)檢測(cè)方法包括以下步驟。分析一第一感測(cè)區(qū)域的一第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)。分析一第二感測(cè)區(qū)域的一第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)。分析第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)的一相對(duì)距離。若相對(duì)距離小于一預(yù)定距離，則定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)被觸控，或定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)與第二觸控點(diǎn)坐標(biāo)的一中點(diǎn)被觸控。若相對(duì)距離大于或等于預(yù)定距離，則定義觸控面板在第一觸控點(diǎn)坐標(biāo)及第二控點(diǎn)坐標(biāo)同時(shí)被觸控。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102681711SQ20111007212
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2011年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月15日
發(fā)明者施博盛, 鄭建勇, 陳柏仰, 黃俊龍 申請(qǐng)人:奇美電子股份有限公司, 群康科技(深圳)有限公司