專(zhuān)利名稱(chēng)：存儲(chǔ)器裝置從自刷新?tīng)顟B(tài)的快速退出的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器裝置，更具體來(lái)說(shuō)，涉及指示存儲(chǔ)器裝置從自刷新?tīng)顟B(tài)退出。版權(quán)聲明/許可本專(zhuān)利文獻(xiàn)的公開(kāi)的部分可能包含受到版權(quán)保護(hù)的素材。版權(quán)擁有者不反對(duì)任何人復(fù)制出現(xiàn)在專(zhuān)利商標(biāo)局專(zhuān)利檔案或記錄中的本專(zhuān)利文獻(xiàn)或?qū)＠_(kāi)，但是無(wú)論如何卻保留所有版權(quán)權(quán)利。該版權(quán)聲明適用于下文描述和附圖中的所有數(shù)據(jù)、以及下文描述的任何
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背景技術(shù)：
存儲(chǔ)器裝置在計(jì)算裝置中的使用無(wú)處不在。通常使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM) 作為計(jì)算裝置中的工作存儲(chǔ)器。工作存儲(chǔ)器通常是易失性的(如果對(duì)系統(tǒng)中斷功率，它便丟失狀態(tài))，并且提供對(duì)將由系統(tǒng)處理器訪問(wèn)和執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序(代碼)的臨時(shí)存儲(chǔ)。DRAM有多種類(lèi)型和變型(一個(gè)實(shí)例是同步DRAM (SDRAM))。由于具動(dòng)態(tài)性，所以 DRAM需要連續(xù)或有規(guī)律地刷新存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置中的數(shù)據(jù)位。刷新一般由存儲(chǔ)器控制器控制，存儲(chǔ)器控制器周期性地訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置中的數(shù)據(jù)位。DRAM通常還具有自刷新模式，由此減少存儲(chǔ)器裝置的功率消耗。在自刷新中，通常關(guān)閉存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的所有內(nèi)部時(shí)鐘以及除了 CKE (時(shí)鐘啟用)以外的輸入通道，其中CKE在傳統(tǒng)上是供存儲(chǔ)器控制器用于觸發(fā)自刷新的單向信號(hào)。盡管存儲(chǔ)器控制器利用CKE來(lái)觸發(fā)自刷新，但是通常在存儲(chǔ)器裝置內(nèi)部控制自刷新，這意味著存儲(chǔ)器控制器看不到自刷新實(shí)際上何時(shí)開(kāi)始和結(jié)束。因此，如果存儲(chǔ)器控制器訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置并且沒(méi)有得到任何響應(yīng)，那么存儲(chǔ)器控制器在傳統(tǒng)上必定會(huì)假設(shè)存儲(chǔ)器裝置處于自刷新，并且在發(fā)送命令之前等待刷新循環(huán)時(shí)間(tRFC)加上額外的防護(hù)頻帶時(shí)間 (例如，10ns)。對(duì)于4(ibit裝置，預(yù)期tRFC在300ns范圍內(nèi)；但是裝置密度加倍時(shí)，tRFC也近乎加倍。因此，存儲(chǔ)器控制器發(fā)送命令的延遲不斷增加，并且可能產(chǎn)生不太理想的性能。圖1是具有自刷新模式的現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)的實(shí)施例的時(shí)序圖。圖100表示已知系統(tǒng)中存在的各種信號(hào)。圖100表示存儲(chǔ)器裝置、具體來(lái)說(shuō)是具有自刷新模式的存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的信號(hào)。圖中示出時(shí)鐘信號(hào)(CK)，其中在時(shí)鐘的上升邊沿處示出各種時(shí)序點(diǎn)(TO、Tl、 T2...)。時(shí)鐘啟用(CKE)是由存儲(chǔ)器控制器觸發(fā)以指示存儲(chǔ)器裝置進(jìn)入自刷新的單向信號(hào)。自刷新的進(jìn)入和退出由存儲(chǔ)器裝置本身控制；因此，存儲(chǔ)器控制器看不到存儲(chǔ)器裝置何時(shí)進(jìn)入自刷新以及在自刷新多久時(shí)間的實(shí)際時(shí)序。如圖所示，命令信號(hào)(CMD)在TO時(shí)示出nop (無(wú)操作)，并且假設(shè)在近似Tl時(shí)發(fā)出自刷新啟用(SRE)命令。發(fā)出另一個(gè)nop，并且存儲(chǔ)器裝置在自刷新啟用時(shí)鐘計(jì)數(shù)(tCKSRE) 內(nèi)進(jìn)入自刷新。在會(huì)造成存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)的延遲之前，存儲(chǔ)器裝置將存儲(chǔ)器裝置帶出自刷新。生成自刷新退出(SRX)命令的時(shí)間量在自刷新退出時(shí)鐘計(jì)數(shù)(tCKSRX)內(nèi)。 SRX的時(shí)序可與存儲(chǔ)器控制器密切吻合，以便通過(guò)切換CKE來(lái)再啟用時(shí)鐘。
在SRX(Tcl)之后的第一個(gè)命令是nop (TdO)。在時(shí)間周期tXS (在TeO示出)之后，可發(fā)出有效命令，前提條件是該命令不需要鎖定的DLL。tXS的值是(tRFC+防護(hù)頻帶)。 可在自刷新退出之后發(fā)出的第一個(gè)有效命令在時(shí)間周期tXSDLL(在TfO示出)之后。從時(shí)間間斷可了解，并且一般來(lái)說(shuō)，圖100不一定按比例繪制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種方法，包括存儲(chǔ)器裝置從自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，其中所述自刷新?tīng)顟B(tài)禁用所述存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的時(shí)鐘以便臨時(shí)暫停對(duì)所述存儲(chǔ)器裝置的訪問(wèn)操作；以及響應(yīng)從所述自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)樗鰳?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，觸發(fā)所述存儲(chǔ)器裝置的自刷新?tīng)顟B(tài)指示符。本發(fā)明涉及一種設(shè)備，包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器資源；用于接收時(shí)鐘信號(hào)的輸入控制線；以及耦合到所述存儲(chǔ)器資源的存儲(chǔ)器資源控制邏輯，所述控制邏輯用于從自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，其中所述自刷新?tīng)顟B(tài)禁用所述存儲(chǔ)器資源內(nèi)的時(shí)鐘以便臨時(shí)暫停對(duì)所述存儲(chǔ)器資源的訪問(wèn)操作；以及響應(yīng)從所述自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)樗鰳?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，切換自刷新?tīng)顟B(tài)指示符。本發(fā)明涉及一種方法，包括檢查動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的自刷新?tīng)顟B(tài)指示符；通過(guò)確定所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符是否指示所述DRAM處于自刷新來(lái)確定是否訪問(wèn)所述DRAM，其中自刷新禁用所述存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的時(shí)鐘以便臨時(shí)暫停對(duì)所述DRAM的訪問(wèn)操作；如果所述DRAM處于自刷新，那么選擇自刷新等待時(shí)間；否則選擇防護(hù)頻帶等待時(shí)間；其中所述自刷新等待時(shí)間指示在再次檢查所述自刷新指示符之前存儲(chǔ)器控制器應(yīng)當(dāng)?shù)却臅r(shí)間量，并且所述防護(hù)頻帶等待時(shí)間指示在從存儲(chǔ)器控制器發(fā)送給所述DRAM 的命令之間的最少時(shí)間；以及在所述防護(hù)頻帶等待時(shí)間結(jié)束時(shí)發(fā)送命令。本發(fā)明涉及一種系統(tǒng)，包括存儲(chǔ)器裝置，具有用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)器資源；用于接收時(shí)鐘信號(hào)的輸入控制線；以及耦合到所述存儲(chǔ)器資源的存儲(chǔ)器資源控制邏輯，所述控制邏輯用于從自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，其中所述自刷新?tīng)顟B(tài)禁用所述存儲(chǔ)器資源內(nèi)的時(shí)鐘以便臨時(shí)暫停對(duì)所述存儲(chǔ)器資源的訪問(wèn)操作；并響應(yīng)從所述自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)樗鰳?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)而切換自刷新?tīng)顟B(tài)指示符；以及 用于管理對(duì)存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器裝置上的數(shù)據(jù)的訪問(wèn)的存儲(chǔ)器控制器，所述存儲(chǔ)器控制器用于
通過(guò)確定所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符是否指示所述存儲(chǔ)器裝置處于自刷新?tīng)顟B(tài)來(lái)確定是否訪問(wèn)所述存儲(chǔ)器裝置；如果所述存儲(chǔ)器裝置處于所述自刷新?tīng)顟B(tài)，那么選擇自刷新等待時(shí)間；否則，選擇防護(hù)頻帶等待時(shí)間；其中所述自刷新等待時(shí)間指示在再次確定所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符是否指示所述存儲(chǔ)器裝置處于自刷新?tīng)顟B(tài)之前存儲(chǔ)器控制器應(yīng)當(dāng)?shù)却臅r(shí)間量，并且所述防護(hù)頻帶等待時(shí)間指示在從存儲(chǔ)器控制器發(fā)送給所述存儲(chǔ)器裝置的命令之間的最少時(shí)間；以及在所述防護(hù)頻帶等待時(shí)間結(jié)束時(shí)發(fā)送命令。


以下描述包括對(duì)各圖的論述，這些圖具有舉例給出的對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)的圖示。應(yīng)當(dāng)將這些圖理解為是舉例而非限制性地。如本文所使用，提到一個(gè)或多個(gè)“實(shí)施例”時(shí)應(yīng)理解為是描述在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)中所包含的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。因此， 在本文出現(xiàn)的諸如“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在備選實(shí)施例中”的短語(yǔ)描述本發(fā)明的各種實(shí)施例和實(shí)現(xiàn)，并且不一定都指相同的實(shí)施例。但是，它們也不一定相互排斥。圖1是具有自刷新模式的現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)的實(shí)施例的時(shí)序圖。圖2是包括自刷新?tīng)顟B(tài)指示符的具有自刷新模式的系統(tǒng)的實(shí)施例的時(shí)序圖。圖3是具有帶自刷新?tīng)顟B(tài)指示符的存儲(chǔ)器裝置的系統(tǒng)的實(shí)施例的框圖。圖4是響應(yīng)自刷新模式狀態(tài)改變觸發(fā)自刷新?tīng)顟B(tài)指示符的過(guò)程的實(shí)施例的流程圖。圖5是基于自刷新?tīng)顟B(tài)指示符確定是否訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置的過(guò)程的實(shí)施例的流程圖。接下來(lái)是對(duì)某些細(xì)節(jié)和實(shí)現(xiàn)的描述，包括對(duì)可描繪以下描述的一些或所有實(shí)施例的各圖的描述，并且論述本文介紹的發(fā)明概念的其它可能實(shí)施例或?qū)崿F(xiàn)。下文提供本發(fā)明的實(shí)施例的概述，然后參考附圖提供更詳細(xì)的描述。
具體實(shí)施例方式如本文所描述，一種系統(tǒng)允許提供指示自刷新?tīng)顟B(tài)改變的自刷新指示符信號(hào)。另外，通過(guò)使用該信號(hào)，可改善存儲(chǔ)器裝置從自刷新退出的時(shí)間。自刷新指示符信號(hào)是由存儲(chǔ)器裝置本身產(chǎn)生的信號(hào)，并且提供對(duì)應(yīng)于自刷新?tīng)顟B(tài)改變的指示。因此，控制自刷新?tīng)顟B(tài)改變的存儲(chǔ)器裝置產(chǎn)生可由存儲(chǔ)器控制器檢測(cè)的自刷新?tīng)顟B(tài)指示符。存儲(chǔ)器裝置的自刷新或低功率操作禁用存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的時(shí)鐘信號(hào)以便臨時(shí)暫停存儲(chǔ)器裝置的操作。存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器訪問(wèn)操作在自刷新模式中臨時(shí)暫停，并且當(dāng)存儲(chǔ)器裝置從自刷新退出到標(biāo)準(zhǔn)刷新模式(這是存儲(chǔ)器裝置的正常或標(biāo)準(zhǔn)操作)時(shí)恢復(fù)。在一個(gè)實(shí)施例中，可響應(yīng)存儲(chǔ)器裝置退出或進(jìn)入自刷新而觸發(fā)自刷新?tīng)顟B(tài)改變指示符信號(hào)，或者可在存儲(chǔ)器裝置進(jìn)入或退出自刷新之前或基本上同時(shí)地觸發(fā)指示符信號(hào)。 實(shí)際來(lái)看，存儲(chǔ)器控制器知道存儲(chǔ)器裝置何時(shí)進(jìn)入自刷新，因?yàn)榇鎯?chǔ)器控制器觸發(fā)存儲(chǔ)器裝置中的自刷新；因此，一般預(yù)期自刷新退出的指示是比進(jìn)入自刷新的指示更有價(jià)值的信息。如本文所使用，觸發(fā)、切換、設(shè)置、生成信號(hào)、或指示由存儲(chǔ)器裝置產(chǎn)生自刷新信號(hào)的其它短語(yǔ)是指在一個(gè)基本上響應(yīng)另一個(gè)而出現(xiàn)時(shí)“響應(yīng)”退出自刷新。存儲(chǔ)器控制器可訪問(wèn)或接收指示符信號(hào)以確定存儲(chǔ)器裝置是否處于自刷新。因此，與存儲(chǔ)器控制器不知道存儲(chǔ)器裝置處于什么樣的狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的延遲可顯著減少。如果存儲(chǔ)器控制器確定存儲(chǔ)器裝置未處于自刷新，那么存儲(chǔ)器控制器選擇僅等于防護(hù)頻帶或存儲(chǔ)器裝置的命令之間的其它最少所需時(shí)間的等待時(shí)間。如果存儲(chǔ)器控制器確定存儲(chǔ)器裝置處于自刷新，那么存儲(chǔ)器控制器可根據(jù)各種不同的配置來(lái)選擇等待時(shí)間，然后再次檢查自刷新?tīng)顟B(tài)。例如，類(lèi)似于傳統(tǒng)的做法，存儲(chǔ)器控制器可等待整個(gè)刷新循環(huán)時(shí)間 (tRFC)。又如，存儲(chǔ)器控制器可以按小于tRFC的周期(tPollCycle < tRFC)周期性地連續(xù)輪詢(xún)自刷新信號(hào)。在一段時(shí)間之后，或者基本上連續(xù)地，存儲(chǔ)器控制器可檢查或監(jiān)視自刷新信號(hào)以便確定何時(shí)嘗試訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置(即，存儲(chǔ)器裝置何時(shí)退出自刷新)。一旦存儲(chǔ)器控制器確定存儲(chǔ)器裝置已經(jīng)退出自刷新，它便可等待防護(hù)頻帶時(shí)間并發(fā)出命令。因此，如本文所使用，提供“快速”自刷新退出。圖2是包括自刷新?tīng)顟B(tài)指示符的具有自刷新模式的系統(tǒng)的實(shí)施例的時(shí)序圖。圖 200示出具有自刷新模式的存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的各種信號(hào)的時(shí)序。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置是與DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)標(biāo)準(zhǔn)(例如，DDR3或DDR4)兼容的DRAM。如圖2所述，利用向相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器控制器指示自刷新?tīng)顟B(tài)的報(bào)警信號(hào)來(lái)改善從自刷新或DRAM低功率狀態(tài)退出的時(shí)間。關(guān)于存儲(chǔ)器裝置的相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器控制器或?qū)?yīng)的存儲(chǔ)器控制器是控制對(duì)存儲(chǔ)器裝置的訪問(wèn)的存儲(chǔ)器控制器。如上所述，自刷新由存儲(chǔ)器裝置本身在內(nèi)部進(jìn)行管理，由此妨礙存儲(chǔ)器控制器看到何時(shí)退出自刷新。然而，在傳統(tǒng)上，如果存儲(chǔ)器控制器確定相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器裝置處于自刷新，那么在向存儲(chǔ)器裝置發(fā)出命令之前，存儲(chǔ)器控制器必須等待tRFC+防護(hù)頻帶(例如， 10ns)，在一個(gè)實(shí)施例中，如果自刷新得到確認(rèn)，那么存儲(chǔ)器控制器只等待這個(gè)最大時(shí)間。在其它實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器可具有用于甚至減少控制器必須等待最大時(shí)間的次數(shù)的其它邏輯。將了解，tRFC和防護(hù)頻帶時(shí)間是基于體系結(jié)構(gòu)和制造對(duì)于特定存儲(chǔ)器裝置特有的裝置特性。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)使用ALERT#來(lái)改善從自刷新退出的時(shí)間，ALERT#表示由存儲(chǔ)器裝置產(chǎn)生的反信號(hào)。在如圖所示的一個(gè)實(shí)施例中，觸發(fā)ALERT#以響應(yīng)退出自刷新而轉(zhuǎn)變。在生成自刷新退出命令(SRX)與ALERT#&邊沿轉(zhuǎn)變之間存在一定時(shí)間tl。時(shí)間tl 是存儲(chǔ)器裝置的最大時(shí)序規(guī)范。該信號(hào)在一定時(shí)間周期t2內(nèi)可保持低，其中tXS_fast是 (tl+t2)。在一個(gè)實(shí)施例中，ALERT#可在自刷新進(jìn)入和自刷新退出時(shí)類(lèi)似地轉(zhuǎn)變，或者關(guān)于進(jìn)入和退出可具有反向邏輯。因此，盡管在圖200中示為保持高直到自刷新退出，但也可在自刷新進(jìn)入和自刷新退出時(shí)觸發(fā)ALERT#?；蛘?，在一個(gè)實(shí)施例中，ALERT#可簡(jiǎn)單地在每次退出自刷新時(shí)在高與低之間轉(zhuǎn)變。因此，存儲(chǔ)器控制器可將自刷新信號(hào)的之前存儲(chǔ)的邏輯狀態(tài)與當(dāng)前的信號(hào)狀態(tài)進(jìn)行比較。將了解，這種實(shí)現(xiàn)會(huì)需要存儲(chǔ)器控制器中的額外邏輯。在一個(gè)實(shí)施例中，tXS_fast的時(shí)間是在發(fā)出有效命令之前的時(shí)間，這是不大于傳統(tǒng)系統(tǒng)的txs的時(shí)間(例如在圖100中示出)。在大多數(shù)情況下，tXS_fast將小于txs。較新的存儲(chǔ)器裝置(例如，那些與DDR4兼容的存儲(chǔ)器裝置)可具有DLL旁路的定義模式，這些模式允許在DLL在背景中鎖定時(shí)對(duì)存儲(chǔ)器裝置的異步操作。這種DLL旁路允許在tXSDLL 延遲之前對(duì)存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行操作(包括讀)。如圖200中所示，tXS_fast是允許在tXS之前發(fā)出第一個(gè)有效命令的減少的自刷新退出時(shí)間。如果在存儲(chǔ)器裝置核中正在進(jìn)行刷新，那么存儲(chǔ)器裝置在延遲tl之后斷言 ALERT#信號(hào)。在刷新結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)器裝置解除對(duì)ALERT#信號(hào)的斷言。tXS_fast的最小值是tl，并且最大值總是小于txs。在一個(gè)實(shí)施例中，在存儲(chǔ)器裝置中啟用或禁用快速退出模式。例如，可定義配置位以啟用快速退出模式。如果禁用該位，那么存儲(chǔ)器控制器可如同傳統(tǒng)系統(tǒng)中那樣使用txs 時(shí)序(例如，根據(jù)圖100的DDR3時(shí)序)。當(dāng)禁用快速退出時(shí)，存儲(chǔ)器裝置不使用ALERT# (或等效)信號(hào)來(lái)指示自刷新?tīng)顟B(tài)。當(dāng)啟用配置位時(shí)，如果在接收到自刷新命令之后正在進(jìn)行自刷新，那么存儲(chǔ)器裝置可將信號(hào)提供給存儲(chǔ)器控制器。盡管特定參考圖2描述了某些細(xì)節(jié)，但將了解，這些細(xì)節(jié)可提供非限制性實(shí)例。一般來(lái)說(shuō)，具有自刷新模式的存儲(chǔ)器裝置(例如，各種DRAM裝置中的任一裝置)斷言自刷新指示符信號(hào)以指示自刷新退出、自刷新進(jìn)入或兩者。如上所述，存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行檢查以確定自刷新指示符是否指示存儲(chǔ)器裝置處于自刷新。該確定可在存儲(chǔ)器控制器對(duì)存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行訪問(wèn)之前執(zhí)行?？墒褂酶鞣N配置，例如但不限于存儲(chǔ)器控制器首先嘗試訪問(wèn)，然后如果訪問(wèn)不成功，那么檢查自刷新信號(hào)；在任何嘗試訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置之前檢查自刷新信號(hào)；在一次嘗試訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置之前檢查自刷新信號(hào)，但是如果發(fā)現(xiàn)存儲(chǔ)器裝置處于自刷新，那么不再檢查；或者其它組合。在正常操作中，存儲(chǔ)器控制器可嘗試訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置，但沒(méi)有像預(yù)期的那樣接收到響應(yīng)。在這種情形中，將存儲(chǔ)器控制器編程或配置為假設(shè)存儲(chǔ)器裝置處于自刷新，并且延遲完整的預(yù)期刷新循環(huán)加上退出時(shí)間。一些確定實(shí)際上是“假肯定”，其中存儲(chǔ)器裝置實(shí)際上不處于自刷新。但是，在傳統(tǒng)上，存儲(chǔ)器控制器無(wú)法知道失敗的訪問(wèn)是假肯定還是存儲(chǔ)器裝置的實(shí)際自刷新?tīng)顩r。利用本文論述的自刷新指示符，存儲(chǔ)器控制器可通過(guò)由存儲(chǔ)器裝置生成的實(shí)際信號(hào)來(lái)確定存儲(chǔ)器裝置是否處于自刷新，這應(yīng)當(dāng)會(huì)起作用以減少這些假肯定。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器等待自刷新信號(hào)的變化邊沿上的中斷觸發(fā)。自刷新信號(hào)可以是簡(jiǎn)單的二進(jìn)制信號(hào)，它具有指示自刷新的邏輯高和指示存儲(chǔ)器裝置的標(biāo)準(zhǔn)刷新模式的邏輯低。將了解，“邏輯”高和“邏輯”低可以或者可以不對(duì)應(yīng)于信號(hào)上的電壓高和低，而是可以相反。也可以采用更復(fù)雜的通信，例如存儲(chǔ)器裝置在每次狀態(tài)改變時(shí)觸發(fā)脈沖信號(hào)或者在信號(hào)變?yōu)槟硞€(gè)電壓值一段時(shí)間之前觸發(fā)特定邊沿(例如，下降或上升)。將了解，不同的等待時(shí)間和不同的通信模式將需要利用不同的邏輯來(lái)編程或配置存儲(chǔ)器控制器和/或存儲(chǔ)器裝置，其中一些邏輯可能比其它邏輯更加復(fù)雜。因此，熟練閱讀者將了解邏輯的復(fù)雜度與向存儲(chǔ)器控制器指示自刷新?tīng)顟B(tài)改變的時(shí)序以使得存儲(chǔ)器控制器能夠確定是否向存儲(chǔ)器裝置發(fā)送命令之間的可能折衷方案。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置可在進(jìn)入自刷新時(shí)啟動(dòng)自刷新定時(shí)器。該定時(shí)器可進(jìn)行操作以指示自刷新的長(zhǎng)度。因此，存儲(chǔ)器裝置可響應(yīng)定時(shí)器退出自刷新。在一個(gè)實(shí)施例中，CKE是雙向通道，其中一般由存儲(chǔ)器控制器控制該信號(hào)，并由存儲(chǔ)器裝置驅(qū)動(dòng)該信號(hào)以指示自刷新?tīng)顟B(tài)轉(zhuǎn)變。在這樣的實(shí)現(xiàn)中，可使用自刷新定時(shí)器來(lái)指示存儲(chǔ)器裝置應(yīng)當(dāng)何時(shí)驅(qū)動(dòng)CKE。如上所述，由存儲(chǔ)器裝置本身來(lái)驅(qū)動(dòng)自刷新?tīng)顟B(tài)指示符。觸發(fā)自刷新?tīng)顟B(tài)指示符可通過(guò)設(shè)置存儲(chǔ)器裝置的引腳或?qū)⒆运⑿聽(tīng)顟B(tài)消息發(fā)送給存儲(chǔ)器控制器來(lái)執(zhí)行。該消息可通過(guò)DDR3或之前的標(biāo)準(zhǔn)中不存在的通道來(lái)發(fā)送。類(lèi)似地，在其上觸發(fā)ALERT信號(hào)的引腳可與之前的標(biāo)準(zhǔn)不同?；蛘?，如上所述，可使CKE或存儲(chǔ)器裝置上的另一個(gè)信號(hào)引腳為雙向而不是單向，并提供存儲(chǔ)器裝置指示自刷新?tīng)顟B(tài)的機(jī)制。如下文將更詳細(xì)地描述的，在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置可由多個(gè)存儲(chǔ)器資源組成，每個(gè)存儲(chǔ)器資源能夠單獨(dú)地執(zhí)行自刷新，并指示每個(gè)單獨(dú)資源的狀態(tài)。當(dāng)系統(tǒng)資源大于提供期望的性能所需時(shí)，這些實(shí)現(xiàn)是可取的，或者可作為功率節(jié)省方案的一部分，其中臨時(shí)切斷對(duì)某些存儲(chǔ)器資源的訪問(wèn)，從而用性能換得功率節(jié)省。因此，本文提到存儲(chǔ)器裝置執(zhí)行與自刷新有關(guān)的任何操作時(shí)也可理解為由單獨(dú)的存儲(chǔ)器資源執(zhí)行該操作。這種實(shí)現(xiàn)將需要存儲(chǔ)器控制器中的額外邏輯、和/或用于這些不同資源的單獨(dú)的存儲(chǔ)器控制器。圖3是具有帶自刷新?tīng)顟B(tài)指示符的存儲(chǔ)器裝置的系統(tǒng)的實(shí)施例的框圖。系統(tǒng)300 表示可包括具有自刷新模式的存儲(chǔ)器裝置的多種計(jì)算裝置中的任一計(jì)算裝置。這些計(jì)算裝置可包括服務(wù)器、桌面型計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、移動(dòng)裝置、智能電話、游戲裝置等。系統(tǒng)300 包括存儲(chǔ)器310，存儲(chǔ)器310是根據(jù)本文描述的任何實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置，并且包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器資源312-314。存儲(chǔ)器資源312-314表示存儲(chǔ)器310的用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的資源。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器資源是單獨(dú)的存儲(chǔ)器通道、存儲(chǔ)器庫(kù)、存儲(chǔ)器組或其它類(lèi)似分隔。在許多實(shí)際實(shí)現(xiàn)中， 實(shí)現(xiàn)超過(guò)存儲(chǔ)器通道分隔的任何分隔所需的邏輯可防止大于單獨(dú)通道的任何間隔。存儲(chǔ)器 310還包括自刷新控件(SR CTRL) 320，它表示存儲(chǔ)器310內(nèi)用于實(shí)現(xiàn)自刷新的硬件和/或軟件邏輯。如上所述，在存儲(chǔ)器裝置本身內(nèi)掌管自刷新，存儲(chǔ)器裝置包括用于實(shí)現(xiàn)狀態(tài)改變和觸發(fā)自刷新?tīng)顟B(tài)指示符的SR控件320。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器310包括引腳322，引腳322受到SR控件320的控制以指示自刷新?tīng)顟B(tài)改變。盡管系統(tǒng)300中沒(méi)有特別示出，但將了解，存儲(chǔ)器控制器330連接到引腳322以經(jīng)由引腳確定存儲(chǔ)器310是否處于自刷新。存儲(chǔ)器控制器330包括用于如現(xiàn)有技術(shù)中所了解的那樣控制對(duì)存儲(chǔ)器310的訪問(wèn)的標(biāo)準(zhǔn)邏輯(硬件和/或軟件)。另外，存儲(chǔ)器控制器330包括用于讀取由存儲(chǔ)器310生成的自刷新指示符并對(duì)此做出反應(yīng)的邏輯。存儲(chǔ)器控制器330與存儲(chǔ)器310相關(guān)聯(lián)，因?yàn)樗刂茖?duì)存儲(chǔ)器310的訪問(wèn)。存儲(chǔ)器控制器330示為經(jīng)由通道352連接到存儲(chǔ)器310，通道 352可以是單線通道或多線通道(例如，總線)或組合。在一個(gè)實(shí)施例中，引腳322可視為包含在通道352的連接內(nèi)。通道352使得存儲(chǔ)器控制器330能夠訪問(wèn)存儲(chǔ)器310并向存儲(chǔ)器310提供CKE。處理器340表示系統(tǒng)300的處理資源。盡管用單數(shù)示出，但將了解，處理器340可包括一個(gè)或多個(gè)處理器裝置，例如或包括多核裝置。處理器340通過(guò)總線3M訪問(wèn)存儲(chǔ)器 310以執(zhí)行讀和寫(xiě)操作。在一個(gè)實(shí)施例中，總線邪4可在物理上布線經(jīng)過(guò)存儲(chǔ)器控制器330， 但是在邏輯上示為獨(dú)立以表示這樣一個(gè)事實(shí)，即，來(lái)自處理器340的對(duì)存儲(chǔ)器310的訪問(wèn)可不包含存儲(chǔ)器控制器330中所存在的某些功能(例如，自刷新指示符檢查)。圖4是響應(yīng)自刷新模式狀態(tài)改變觸發(fā)自刷新?tīng)顟B(tài)指示符的過(guò)程的實(shí)施例的流程圖。本文所示的流程圖提供各種過(guò)程動(dòng)作的序列的實(shí)例，這些過(guò)程動(dòng)作可由處理邏輯來(lái)執(zhí)行，處理邏輯可包括硬件、軟件或組合。盡管按照特定序列或順序示出，但除非另外指出，否則這些動(dòng)作的順序可修改。因此，應(yīng)將所示實(shí)現(xiàn)理解為只是實(shí)例，可以按不同的順序執(zhí)行該過(guò)程，并且一些動(dòng)作可并行執(zhí)行。另外，在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)操作可省略； 因此，不是在每個(gè)實(shí)現(xiàn)中都需要所有動(dòng)作。其它過(guò)程流也是可能的。下文參考DRAM，將DRAM理解為是根據(jù)本文描述的任何實(shí)施例的具有自刷新模式的存儲(chǔ)器裝置。與DRAM相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器控制器啟動(dòng)DRMA中的自刷新模式002)，或啟動(dòng)自刷新的進(jìn)入。DRAM執(zhí)行自刷新“進(jìn)入”命令以關(guān)閉DRAM內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)時(shí)鐘并暫停DRAM 的操作004)。在暫停存儲(chǔ)器裝置的同時(shí)，暫停對(duì)存儲(chǔ)在DRAM中的數(shù)據(jù)的訪問(wèn)。在一個(gè)實(shí)施例中，DRAM觸發(fā)自刷新?tīng)顟B(tài)指示符以指示自刷新?tīng)顟B(tài)改變或指示進(jìn)入自刷新006)。如之前所論述，存在可供DRAM用于指示自刷新?tīng)顟B(tài)改變的許多機(jī)制。DRAM處于自刷新時(shí)忽略命令008)。DRAM在自刷新結(jié)束時(shí)執(zhí)行自刷新“退出”命令(410)。在一個(gè)實(shí)施例中，DRAM延遲由硬件指定的時(shí)間量、或遵守DRAM的硬件規(guī)范所需的時(shí)間量G12)。該時(shí)間量是與定義DRAM在某些狀況中如何表現(xiàn)的時(shí)序規(guī)范有關(guān)的時(shí)間量。在一個(gè)實(shí)施例中，DRAM在該延遲之后觸發(fā)自刷新指示符以指示自刷新?tīng)顟B(tài)改變(退出自刷新M414)。在縮短的自刷新退出時(shí)間之后，DRAM可用于有效命令016)。圖5是基于自刷新?tīng)顟B(tài)指示符確定是否訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置的過(guò)程的實(shí)施例的流程圖。存儲(chǔ)器控制器訪問(wèn)DRAM，最初，當(dāng)控制器嘗試訪問(wèn)DRAM時(shí)并不知道DRAM的狀態(tài)(502)。 出于上文論述的原因，即，自刷新的操作受DRAM管理，并且對(duì)于控制器不可見(jiàn)，所以不知道 DRAM狀態(tài)?？刂破鳈z查DRAM的自刷新?tīng)顟B(tài)指示符以確定DRAM的自刷新?tīng)顟B(tài)(504)。在一個(gè)實(shí)施例中，不實(shí)時(shí)地(on-the-fly)進(jìn)行檢查DRAM自刷新指示符的狀態(tài)。而是，例如，如果之前接收到自刷新?tīng)顟B(tài)指示符，那么可由控制器保存寄存器或緩沖器或其它臨時(shí)值以指示最新知道的狀態(tài)。從可對(duì)狀態(tài)進(jìn)行緩沖的意義來(lái)說(shuō)，最初可能“不知道”DRAM的狀態(tài)，因?yàn)檫€沒(méi)有檢查狀態(tài)指示符。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，檢查狀態(tài)指示符可指檢查存儲(chǔ)在內(nèi)部的關(guān)于狀態(tài)指示符的值?？刂破鹘?jīng)由檢查指示符確定指示符是否指示DRAM處于自刷新(506)。如果DRAM 未處于自刷新(508)，那么控制器延遲防護(hù)頻帶等待周期(512)，然后發(fā)出命令(514)。如果 DRAM處于自刷新(508)，那么控制器確定對(duì)于特定DRAM的等待周期，并延遲向DRAM發(fā)出命令(510)。對(duì)于特定存儲(chǔ)器裝置，等待時(shí)間可改變。等待時(shí)間受到諸如裝置密度的裝置特性的影響。一般將等待周期配置到相關(guān)聯(lián)的控制器中。在一個(gè)實(shí)施例中，等待時(shí)間取決于為該系統(tǒng)選擇的實(shí)現(xiàn)。例如，控制器可等待最大時(shí)間以確保在嘗試向DRAM發(fā)送命令之前DRAM 退出自刷新，或者控制器可周期性地輪詢(xún)存儲(chǔ)器裝置以確定它何時(shí)變成可用。控制器延遲確定的等待周期，然后再次檢查自刷新?tīng)顟B(tài)指示符(504)。在控制器確定DRAM未處于自刷新之后，它延遲防護(hù)頻帶并向DRAM發(fā)出命令(512，514)。就本文描述各種操作或功能來(lái)說(shuō)，可將它們描述或定義為軟件代碼、指令、配置和 /或數(shù)據(jù)。內(nèi)容可以是可直接執(zhí)行(“對(duì)象”或“可執(zhí)行”形式)的源代碼或差異代碼(“增量”或“補(bǔ)丁”代碼)。本文描述的實(shí)施例的軟件內(nèi)容可經(jīng)由其上存儲(chǔ)有內(nèi)容的制品、或經(jīng)由操作通信接口以通過(guò)該通信接口發(fā)送數(shù)據(jù)的方法來(lái)提供。機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可使機(jī)器執(zhí)行所描述的功能或操作，并且包括存儲(chǔ)以可供機(jī)器(例如，計(jì)算裝置、電子系統(tǒng)等)訪問(wèn)的形式的信息的任何機(jī)構(gòu)，例如可刻錄/不可刻錄介質(zhì)(例如，只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、磁盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)、光存儲(chǔ)介質(zhì)、閃速存儲(chǔ)器裝置等)。通信接口包括對(duì)接到硬接線、無(wú)線、光等介質(zhì)中的任何介質(zhì)以與另一個(gè)裝置通信的任何機(jī)構(gòu)，例如存儲(chǔ)器總線接口、處理器總線接口、互聯(lián)網(wǎng)連接、盤(pán)控制器等。通信接口可通過(guò)提供配置參數(shù)和/或發(fā)送信號(hào)以使通信接口準(zhǔn)備好提供描述軟件內(nèi)容的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)進(jìn)行配置。可經(jīng)由發(fā)送給通信接口的一個(gè)或多個(gè)命令或信號(hào)來(lái)訪問(wèn)通信接口。本文描述的各種組件可以是用于執(zhí)行所描述的操作或功能的部件。本文描述的每個(gè)組件包括軟件、硬件或其組合。這些組件可作為軟件模塊、硬件模塊、特殊用途硬件(例如，專(zhuān)用硬件、專(zhuān)用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)等)、嵌入式控制器、硬接線電路等來(lái)實(shí)現(xiàn)。除了本文所描述的之外，在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下，可對(duì)所公開(kāi)的本發(fā)明的實(shí)施例和實(shí)現(xiàn)做出各種修改。因此，本文的說(shuō)明和實(shí)例應(yīng)理解為具說(shuō)明性而非限制性含義。本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)僅僅通過(guò)參考隨附權(quán)利要求來(lái)度量。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括存儲(chǔ)器裝置從自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，其中所述自刷新?tīng)顟B(tài)禁用所述存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的時(shí)鐘以便臨時(shí)暫停對(duì)所述存儲(chǔ)器裝置的訪問(wèn)操作；以及響應(yīng)從所述自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)樗鰳?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，觸發(fā)所述存儲(chǔ)器裝置的自刷新?tīng)顟B(tài)指示符。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中從所述自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)樗鰳?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)包括 響應(yīng)自刷新定時(shí)器而改變狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中觸發(fā)所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符包括 設(shè)置所述存儲(chǔ)器裝置的引腳。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中觸發(fā)所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符包括 將自刷新?tīng)顟B(tài)消息發(fā)送給存儲(chǔ)器控制器。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中觸發(fā)所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符包括 在時(shí)鐘啟用(CKE)通道上生成自刷新?tīng)顟B(tài)改變指示符。
6.一種設(shè)備，包括 用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器資源；用于接收時(shí)鐘信號(hào)的輸入控制線；以及耦合到所述存儲(chǔ)器資源的存儲(chǔ)器資源控制邏輯，所述控制邏輯用于 從自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，其中所述自刷新?tīng)顟B(tài)禁用所述存儲(chǔ)器資源內(nèi)的時(shí)鐘以便臨時(shí)暫停對(duì)所述存儲(chǔ)器資源的訪問(wèn)操作；以及響應(yīng)從所述自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)樗鰳?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，切換自刷新?tīng)顟B(tài)指示符。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器資源包括存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)器庫(kù)的存儲(chǔ)器資源。
8.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述控制邏輯切換所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符包括 將所述設(shè)備的引腳設(shè)置為對(duì)應(yīng)于所述標(biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)的邏輯狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述控制邏輯切換所述自刷新指示符包括 將自刷新?tīng)顟B(tài)消息發(fā)送給存儲(chǔ)器控制器。
10.一種方法，包括檢查動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的自刷新?tīng)顟B(tài)指示符；通過(guò)確定所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符是否指示所述DRAM處于自刷新來(lái)確定是否訪問(wèn)所述 DRAM，其中自刷新禁用所述存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的時(shí)鐘以便臨時(shí)暫停對(duì)所述DRAM的訪問(wèn)操作； 如果所述DRAM處于自刷新，那么選擇自刷新等待時(shí)間；否則選擇防護(hù)頻帶等待時(shí)間；其中所述自刷新等待時(shí)間指示在再次檢查所述自刷新指示符之前存儲(chǔ)器控制器應(yīng)當(dāng)?shù)却臅r(shí)間量，并且所述防護(hù)頻帶等待時(shí)間指示在從存儲(chǔ)器控制器發(fā)送給所述DRAM的命令之間的最少時(shí)間；以及在所述防護(hù)頻帶等待時(shí)間結(jié)束時(shí)發(fā)送命令。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述自刷新等待時(shí)間包括所述DRAM的刷新循環(huán)時(shí)間(tRFC)。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中確定所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符是否指示所述DRAM處于自刷新還包括所述存儲(chǔ)器控制器從所述DRAM接收自刷新指示符信號(hào)。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中選擇所述自刷新等待時(shí)間還包括 選擇在確定是否訪問(wèn)所述DRAM的輪詢(xún)嘗試之間的等待時(shí)間。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中選擇所述自刷新等待時(shí)間還包括 一直等待直到從所述DRAM接收到自刷新退出中斷。
15.一種系統(tǒng)，包括 存儲(chǔ)器裝置，具有用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)器資源； 用于接收時(shí)鐘信號(hào)的輸入控制線；以及耦合到所述存儲(chǔ)器資源的存儲(chǔ)器資源控制邏輯，所述控制邏輯用于從自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)，其中所述自刷新?tīng)顟B(tài)禁用所述存儲(chǔ)器資源內(nèi)的時(shí)鐘以便臨時(shí)暫停對(duì)所述存儲(chǔ)器資源的訪問(wèn)操作；并響應(yīng)從所述自刷新?tīng)顟B(tài)變?yōu)樗鰳?biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)而切換自刷新?tīng)顟B(tài)指示符；以及用于管理對(duì)存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器裝置上的數(shù)據(jù)的訪問(wèn)的存儲(chǔ)器控制器，所述存儲(chǔ)器控制器用于通過(guò)確定所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符是否指示所述存儲(chǔ)器裝置處于自刷新?tīng)顟B(tài)來(lái)確定是否訪問(wèn)所述存儲(chǔ)器裝置；如果所述存儲(chǔ)器裝置處于所述自刷新?tīng)顟B(tài)，那么選擇自刷新等待時(shí)間；否則，選擇防護(hù)頻帶等待時(shí)間；其中所述自刷新等待時(shí)間指示在再次確定所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符是否指示所述存儲(chǔ)器裝置處于自刷新?tīng)顟B(tài)之前存儲(chǔ)器控制器應(yīng)當(dāng)?shù)却臅r(shí)間量，并且所述防護(hù)頻帶等待時(shí)間指示在從存儲(chǔ)器控制器發(fā)送給所述存儲(chǔ)器裝置的命令之間的最少時(shí)間；以及在所述防護(hù)頻帶等待時(shí)間結(jié)束時(shí)發(fā)送命令。
16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述控制邏輯切換所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符包括 將所述裝置的引腳設(shè)置為對(duì)應(yīng)于所述標(biāo)準(zhǔn)刷新?tīng)顟B(tài)的邏輯狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中所述引腳包括雙向時(shí)鐘啟用(CKE)通道，其中所述存儲(chǔ)器裝置驅(qū)動(dòng)所述通道以指示從自刷新退出，并且其中否則由所述存儲(chǔ)器控制器驅(qū)動(dòng)所述通道。
18.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)器控制器選擇所述自刷新等待時(shí)間包括選擇在用于確定是否訪問(wèn)所述存儲(chǔ)器裝置的對(duì)所述自刷新?tīng)顟B(tài)指示符的輪詢(xún)嘗試之間的等待時(shí)間。
全文摘要
一種系統(tǒng)提供指示存儲(chǔ)器裝置何時(shí)從自刷新退出的信號(hào)。因此，與存儲(chǔ)器裝置退出自刷新基本上同時(shí)地(在此之前或之后)，可觸發(fā)指示符信號(hào)以指示存儲(chǔ)器裝置的正常操作或標(biāo)準(zhǔn)刷新操作和正常存儲(chǔ)器訪問(wèn)。存儲(chǔ)器控制器可訪問(wèn)該指示符信號(hào)以確定存儲(chǔ)器裝置是否處于自刷新。因此，存儲(chǔ)器控制器可更小心地管理將命令發(fā)送給存儲(chǔ)器裝置的時(shí)序，同時(shí)減少通常與檢測(cè)自刷新?tīng)顩r相關(guān)聯(lián)的延遲時(shí)間。
文檔編號(hào)G06F13/16GK102214152SQ20111009611
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月1日
發(fā)明者K·S·拜因斯 申請(qǐng)人:英特爾公司