專(zhuān)利名稱(chēng)：Mim電容失配模型及其建立方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬-絕緣體-金屬(Metal-Insulator-Metal，MIM)電容失配 (Mismatch)模型及其建立方法。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，為了按照摩爾定律的縮放比例創(chuàng)建單元面積增大的器件，與此同時(shí)確保各種應(yīng)用所需的高水平性能，MIM器件成為一種重要的元件，尤其是 MIM電容更是一種關(guān)鍵的元件。MIM電容通常是一種三明治結(jié)構(gòu)，其上層金屬電極和下層金屬電極之間被一層薄絕緣層隔離。由于MIM電容得到廣泛應(yīng)用，因此MIM電容的失配也顯得額外重要?，F(xiàn)有技術(shù)的MIM電容失配率通過(guò)如下公式(1)、(2)獲得Delta C = 2*(C1_C2)/(C1+C2)*100(單位％ ) (1)Mismatch = STDEV(DeltaC)(單位％ ) (2)現(xiàn)有技術(shù)建立的MIM電容的失配模型所采用的數(shù)據(jù)如表1所示。采用表1所述的數(shù)據(jù)建立的MIM電容的失配模型中，通過(guò)數(shù)據(jù)擬合，獲得的MIM電容的失配率與 1/λ/^(1/、/^也可以表述為l/sqrt(area))之間的函數(shù)關(guān)系為線(xiàn)性關(guān)系，其中area表
示MIM電容的面積，獲得的線(xiàn)性擬合函數(shù)為y = 5. 6798x-0. 0515R2 = 0. 963(3)其中，χ =。請(qǐng)參閱

圖1，圖1是利用式子(3)建立的現(xiàn)有技術(shù)的MIM電容的失配模型。采用現(xiàn)有技術(shù)的MIM電容的失配模型計(jì)算得出的MIM電容失配率與采用上述 (1)、(2)公式計(jì)算得出的實(shí)際MIM電容失配率的對(duì)比曲線(xiàn)如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的MIM電
容的失配模型并不準(zhǔn)確。
權(quán)利要求
1.一種MIM電容失配模型的建立方法，其特征在于，包括如下步驟選取多個(gè)不同面積的MIM電容；生成所述MIM電容的失配率隨I/λ/^變化的指數(shù)擬合函數(shù)，其中area表示所述MIM 電容的面積的取值；根據(jù)所述指數(shù)擬合函數(shù)，建立所述MIM電容的失配模型。
2.如權(quán)利要求1所述的MIM電容失配模型的建立方法，其特征在于，用于建立所述MIM 電容失配模型的MIM電容的面積的取值范圍是625 μ m2到12500 μ m2。
3.如權(quán)利要求2所述的MIM電容失配模型的建立方法，其特征在于，用于建立所述 MIM電容失配模型的MIM電容的面積的取值為625、1250、2500、3750、5000、7500、10000、 U5_m2。
4.如權(quán)利要求1所述的MIM電容失配模型的建立方法，其特征在于，所述MIM電容的失配率與1 / λ/^之間的指數(shù)擬合函數(shù)為y = 74. 6438X1·8693，其中，X = 1 / V^。
5.一種MIM電容失配模型，其特征在于，所述MIM電容失配模型中，所述MIM電容的失配率與I/λ/^之間為指數(shù)函數(shù)關(guān)系，其中area表示所述MIM電容的面積的取值。
6.如權(quán)利要求5所述的MIM電容失配模型，其特征在于，所述MIM電容的失配率與 1 / λ/^之間的指數(shù)擬合函數(shù)為y = 74. 6438X1·8693，其中，X = 1 / V^。
7.如權(quán)利要求5所述的MM電容失配模型，其特征在于，用于建立所述MIM電容失配模型的MIM電容的面積的取值范圍是625 μ m2到12500 μ m2。
8.如權(quán)利要求6所述的MIM電容失配模型，其特征在于，用于建立所述MIM電容失配模型的 MIM 電容的面積的取值為 625、1250、2500、3750、5000、7500、10000、12500μπι2。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種MIM電容失配模型及其建立方法。所述MIM電容失配模型的建立方法，包括如下步驟選取多個(gè)不同面積的MIM電容；生成所述MIM電容的失配率隨變化的指數(shù)擬合函數(shù)，其中area表示所述MIM電容的面積的取值；根據(jù)所述指數(shù)擬合函數(shù)，建立所述MIM電容的失配模型。采用本發(fā)明的方法建立的MIM電容失配模型更加準(zhǔn)確。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102184281SQ20111010828
公開(kāi)日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者朱正鵬 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司