專利名稱：單層ito的布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ITO的布線結(jié)構(gòu)，尤其是指單層ITO的布線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
所謂ITO (銦錫氧化物)是一種用于生產(chǎn)液晶顯示器的關(guān)鍵材料，目前，其在儀器儀表、計算機(jī)、電子表、游戲機(jī)和家用電器等領(lǐng)域都有了極為廣泛的應(yīng)用。近年來市場上大熱的電容式觸摸屏也是利用ITO來完成偵測觸摸的動作，而電容觸摸屏上ITO的布線一般是雙層，其主要原理是利用人體電場，當(dāng)使用者觸摸時，表面行或列的交叉處感應(yīng)單元的互電容(也稱耦合電容)會有變化，根據(jù)上述變化最終可檢測出觸摸點的具體位置。常見的雙層ITO的結(jié)構(gòu)是菱形結(jié)構(gòu)，其雙層ITO分別布設(shè)在玻璃基板的同側(cè)面上， 為了避免電極之間的相互導(dǎo)通，所以需要在玻璃基板上設(shè)置橋接點，這樣就可將雙層ITO 布設(shè)在玻璃基板的同一側(cè)面上。雖然上述方法實現(xiàn)了偵測觸摸的動作，但是這種采用雙層 ITO的觸摸屏結(jié)構(gòu)，不但工藝復(fù)雜，而且橋接處容易損壞，產(chǎn)品良率低，導(dǎo)致成本升高。為了克服上述缺點，部分廠商將ITO的結(jié)構(gòu)設(shè)置成矩形，然后雙面設(shè)置在玻璃基板的兩層，如此以來，工藝的確的簡單了很多，而且提高了產(chǎn)品良率，但是仍舊采用的是雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，ITO本身成本就較高，再加上雙層的結(jié)構(gòu)，使由此形成觸摸屏的厚度也就增加了。如果能夠克服雙層ITO布圖結(jié)構(gòu)帶來的局限性，所以無論是從成本上還是觸摸屏的結(jié)構(gòu)上考慮， 單層ITO均具有更多優(yōu)勢。因此需要為廣大用戶提供一種更加簡便的ITO的布線結(jié)構(gòu)來解決以上問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實際所要解決的技術(shù)問題是如何提供一種工藝簡單，成本低廉的單層ITO 的布線結(jié)構(gòu)。為了實現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了一種單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，由多個正、 負(fù)觸控電極組成，所述正負(fù)觸控電極相向排列，且一個方向上的電極分別布設(shè)于另一個方向電極之間的空隙區(qū)域。本發(fā)明所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，相對雙層ITO的布線而言，制造工藝更加簡單，所以成本低廉，再者，由單層ITO組成的觸摸屏厚度較薄，功能上相互匹配性能好。


圖1是根據(jù)本發(fā)明所述單層ITO布線的第一種實施例； 圖2是根據(jù)本發(fā)明所述單層ITO布線的第二種實施例；
圖3是根據(jù)本發(fā)明所述單層ITO布線的第三種實施例。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
請參考圖1所示，本發(fā)明涉及單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，所述ITO層1由多個觸控電極 10組成，所述觸控電極10具有兩個觸控電極11和12，其中，所述兩個觸控電極11和12 — 個是正極，一個是負(fù)極。所述觸控電極11與所述觸控電極12相向排列，且一個方向上的電極分別布設(shè)于另一個方向電極之間的空隙區(qū)域。所述正、負(fù)觸控電極11和12的面積呈遞變趨勢，若一個觸控電極呈遞增趨勢，那么另一個觸控電極則呈遞減趨勢。所述多個觸控電極11和12被分為兩組，第一組包括多個正觸控電極11，第二組包括多個負(fù)觸控電極12，上述兩組電極經(jīng)導(dǎo)線分別連接到觸控芯片2的相應(yīng)引腳上。所述圖1中涉及的ITO層1中的正觸控電極11和負(fù)觸控電極12均由雙三角形組成，呈鋸齒狀，所述正觸控電極11與所述負(fù)觸控電極12交錯排列，且面積相等，即所述ITO 層1中第一組的多個觸控電極11與第二組的多個觸控電極12相互交錯排列。所述兩組電極中的各個觸控電極11和12最終通過導(dǎo)線連接到觸控芯片2的相應(yīng)引腳上。所述圖2中涉及的ITO層1中的正、負(fù)觸控電極11和12也呈鋸齒狀，但是均由三個三角形組成，且所述正觸控電極11與所述負(fù)觸控電極12仍舊交錯排列，且面積相等，即所述ITO層1中第一組的多個觸控電極11與第二組的多個觸控電極12相互交錯排列。所述圖3中涉及的ITO層1中的正、負(fù)觸控電極11和12也呈鋸齒狀，其中，位于所述ITO層1中的上、下部分的電極111和121是由雙三角形組成，中間部分的電極112和 122是由三個三角形組成，且所述正觸控電極11與所述負(fù)觸控電極12交錯排列，此時第一組的觸控電極由具有雙三角形的正電極111和具有三個三角形的正電極112組成，第二組的觸控電極由具有雙三角形的負(fù)電極121和具有三個三角形的負(fù)電極122組成。所述ITO 層1中第一組的多個觸控電極11與第二組的多個觸控電極12相互交錯排列，所述電極經(jīng)導(dǎo)線對應(yīng)連接到觸控芯片2的相應(yīng)引腳上。上述結(jié)構(gòu)將單層ITO分為上、中、下三個部分， 中間部分的布局較緊，采用由三個三角形組成的電極，而上、下兩部分的布局較松，采用由兩個三角形組成的電極，如此以來，就有利用解決邊緣處理的問題，而且功能上相互匹配性能好；再者，采用上述結(jié)構(gòu)的單層ΙΤ0，由于將一整塊布局分為上、中、下三個部分，所以得出的數(shù)據(jù)較多，易于處理，對于形成的觸摸屏有較好的線性度。上述詳細(xì)論述了雙三角形、三個三角形以及由兩者結(jié)合組成的觸控電極的布線結(jié)構(gòu)，布線結(jié)構(gòu)類似，所以這種大于兩個三角形的布線均可以布設(shè)在單層ITO上，另外，與本發(fā)明類似的其它形狀，比如梯形、弧形等，只要兩個電極呈遞變趨勢，且相互交錯排列均應(yīng)列入本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，由多個正、負(fù)觸控電極組成，其特征在于所述正負(fù)觸控電極相向排列，且一個方向上的電極分別布設(shè)于另一個方向電極之間的空隙區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)觸控電極的面積均呈遞變趨勢。
3.如權(quán)利要求2所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)電極的面積一個呈遞增趨勢， 另一個則呈遞減趨勢。
4.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)觸控電極均由雙三角形組成， 呈鋸齒狀。
5.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)觸控電極均由三個三角形組成，呈鋸齒狀。
6.如權(quán)利要求4或5所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)觸控電極的面積相等。
7.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述單ITO層的上、下部分的電極由雙三角形組成，中間部分的電極由三個三角形組成。
8.如權(quán)利要求7所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述由雙三角形和三個三角形組成的正電極組與由雙三角形和三個三角形組成的負(fù)電極組相互交錯排列。
9.如權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正觸控電極與負(fù)觸控電極均通過導(dǎo)線連接到觸控芯片的相應(yīng)引腳上。
10.如權(quán)利要求1述的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正負(fù)觸控電極也可由梯形或弧形組成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，由多個正、負(fù)觸控電極組成，所述正負(fù)觸控電極相向排列，且一個方向上的電極分別布設(shè)于另一個方向電極之間的空隙區(qū)域。本發(fā)明所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu)，相對雙層ITO的布線而言，制造工藝更加簡單，所以成本低廉，再者，由單層ITO組成的觸摸屏厚度較薄，功能上相互匹配性能好。
文檔編號G06F3/041GK102331876SQ20111017143
公開日2012年1月25日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月24日
發(fā)明者李海, 蔡立達(dá), 金莉, 陳奇 申請人:蘇州瀚瑞微電子有限公司