專利名稱：一種sim卡及其射頻識別系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移動支付領(lǐng)域，尤其涉及ー種SIM卡及其射頻識別系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著經(jīng)濟的發(fā)展和信息技術(shù)的日新月異變化，我國擁有手機等可通信的設(shè)備的人數(shù)以達到7億。在可通信設(shè)備中加入支付功能能夠減少人們隨身攜帶錢包的不便并使得人們享受隨時隨地支付的便捷，因此，移動支付受到越來越多的重視，并在可預(yù)見的未來具有廣闊的商業(yè)發(fā)展空間。目前已有的在SIM卡上集成射頻識別功能以實現(xiàn)移動支付的SIM卡均存在ー個問題用于接收和發(fā)射信號的天線較大，不能適應(yīng)SIM卡小型化的要求。根據(jù)傳統(tǒng)的天線理論，天線的尺寸為所需響應(yīng)電磁波波長的四分之一，因此根據(jù)傳統(tǒng)理論設(shè)計的天線，其尺寸被電磁波波長限制，不可自由調(diào)節(jié)。現(xiàn)有技術(shù)中存在一個解決方案，即將天線設(shè)置于SIM卡模塊之外，例如設(shè)置于手機外売上，但此種做法無疑增加了手機設(shè)計時的成本且設(shè)置于SM·卡模塊外的天線也容易損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在干，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提出ー種集成有尺寸不受電磁波波長限制、更加小型化且易于實現(xiàn)多模的超材料射頻天線的SIM卡及具有該SIM卡的射頻識別系統(tǒng)。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是，提出ー種SIM卡，其包括信號感應(yīng)和接收模塊、SIM卡主控模塊、射頻收發(fā)模塊，還包括超材料射頻天線，所述SM卡主控模塊處理所述信號感應(yīng)和接收模塊接收到的信號，所述SM卡主控模塊的指令和數(shù)據(jù)通過所述射頻收發(fā)模塊轉(zhuǎn)換后通過所述超材料射頻天線發(fā)送出去，所述射頻收發(fā)模塊還通過所述超材料射頻天線接收外部設(shè)備的指令和數(shù)據(jù)并交由所述SIM卡主控模塊處理；所述超材料射頻天線包括饋線與金屬片，所述饋線通過耦合方式饋入所述金屬片，所述金屬片上至少鏤刻有非対稱的第一微槽結(jié)構(gòu)和第二微槽結(jié)構(gòu)，使得所述天線具有至少兩個不同的諧振頻段。進ー步地，所述SM卡還包括卡基板，所述信號感應(yīng)和接收模塊、所述SM卡主控模塊、所述射頻收發(fā)模塊和所述超材料射頻天線均一體封裝于所述卡基板內(nèi)。進ー步地，所述SM卡還包括卡基板，所述超材料射頻天線設(shè)置于所述卡基板表面上。進ー步地，所述第一微槽結(jié)構(gòu)包括互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補式螺旋線結(jié)構(gòu)、開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、互補式彎折線結(jié)構(gòu)以及通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合、組合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。5、如權(quán)利要求I或2或3所述的SM卡，其特征在于所述第二微槽結(jié)構(gòu)包括互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補式螺旋線結(jié)構(gòu)、開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、互補式彎折線結(jié)構(gòu)以及通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合、組合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。進ー步地，所述饋線與所述金屬片之間設(shè)置有可短接點，所述可短接點電連接所述饋線與所述金屬片使得所述饋線以感性耦合方式饋入所述金屬片。進ー步地，所述第一微槽結(jié)構(gòu)和所述第二微槽結(jié)構(gòu)通過蝕刻、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻形成于所述金屬片上。進ー步地，所述SM卡還包括接ロ模塊，所述接ロ模塊與所述SM卡主控模塊電連接使得所述SIM卡通過所述接ロ模塊與移動終端交換數(shù)據(jù)。進ー步地，所述移動終端使用GSM、CDMA.3G或4G通信網(wǎng)絡(luò)的手機。本發(fā)明還提供ー種射頻識別系統(tǒng)，包括閱讀器以及應(yīng)答器，所述應(yīng)答器為上述任意一項所述的SIM卡。 本發(fā)明將超材料射頻天線應(yīng)用于射頻SIM卡中，由于超材料射頻天線尺寸不受限于電磁波波長且不需要額外配置阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，使得SM卡上更易集成該天線，且該天線在SM卡工作頻段依然保持優(yōu)良的性能和小型的尺寸。同時，本發(fā)明SIM卡上的超材料射頻天線的金屬片上至少鏤刻有非対稱的第一微槽結(jié)構(gòu)和第二微槽結(jié)構(gòu)，使得所述超材料射頻天線具有至少兩個不同的諧振頻段，且諧振頻段不易抵消，使得SIM卡能工作于多個諧振頻段。。


圖I為本發(fā)明SM卡上超材料射頻天線結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明SIM卡上超材料射頻天線第一較佳實施方式正視圖；圖3為本發(fā)明SIM卡上超材料射頻天線第二較佳實施方式正視圖；圖4為本發(fā)明SIM卡上超材料射頻天線第三較佳實施方式正視圖；圖5a為互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5b所示為互補式螺旋線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5c所示為開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5d所示為雙開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5e所示為互補式彎折線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖6a為圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其幾何形狀衍生示意圖；圖6b為圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其擴展衍生示意圖；圖7a為三個圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7b為兩個圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖5b所示為互補式螺旋線結(jié)構(gòu)的復(fù)合示意圖；圖8為四個圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明SIM卡的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明技術(shù)方案作進ー步描述。如圖9所示，圖9為本發(fā)明SM卡的結(jié)構(gòu)框圖。圖9中，SM卡包括信號感應(yīng)和接收模塊101、SIM卡主控模塊102、射頻收發(fā)模塊103、超材料射頻天線104以及接ロ模塊105。本實施例中，上述各模塊均一體封裝于SM卡卡基板100內(nèi)。可以想象地，為使得空間更加緊湊，亦可以將部分模塊設(shè)置于SIM卡卡基板100的相對表面上，其他模塊設(shè)置于卡基板100內(nèi)部。信號感應(yīng)和接收模塊101感應(yīng)和接收外部的信號，通常為磁信號，并將該信號傳輸給SM卡主控模塊102，SIM卡主控模塊102根據(jù)接收到的信號判斷，當(dāng)需要與外部設(shè)備通信吋，SIM卡主控模塊102發(fā)出指令和數(shù)據(jù)給射頻收發(fā)模塊103，射頻收發(fā)模塊103接收到SIM卡主控模塊102發(fā)出的指令和數(shù)據(jù)后將指令和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化后通過超材料射頻天線104發(fā)送出去。同時，超材料射頻天線104還可接收外部的電磁信號并傳輸給射頻收發(fā)模塊103，由射頻收發(fā)模塊103轉(zhuǎn)換后傳輸給SIM卡主控模塊102。本實施例中，SIM卡還包括接ロ模塊105，SIM卡主控模塊102通過接ロ模塊105與移動終端交換數(shù)據(jù)。本發(fā)明的移動終端可為使用GSM、CDMA.3G或4G通信網(wǎng)絡(luò)的各種手機設(shè)備。本實施例中，信號感應(yīng)和接收模塊101、SM卡主控模塊102、射頻收發(fā)模塊103以及接ロ模塊105均可使用常規(guī)的現(xiàn)有技術(shù)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作方式為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，且不是本發(fā)明主要發(fā)明技術(shù)要點，因此在此不做詳細描述。 應(yīng)用于移動支付領(lǐng)域的射頻標(biāo)準(zhǔn)一般為低頻頻率，例如13. 56MHZ或2. 4GHZ，為了使SIM卡能工作于低頻率，天線的作用尤為重要。然而根據(jù)傳統(tǒng)天線設(shè)計方案，天線的長短是與波長成正比的，頻率越低，波長越長從而導(dǎo)致天線體積越大。按照傳統(tǒng)天線設(shè)計方案，工作頻率仍以13. 56MHZ或2. 4GHZ為例，天線的厚度和長度均較大，很難實現(xiàn)在SIM卡上的應(yīng)用。且為了保證天線的高性能，傳統(tǒng)天線設(shè)計方案中一般還需要増加阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。同吋，由于現(xiàn)有移動支付領(lǐng)域頻率標(biāo)準(zhǔn)并不統(tǒng)一，因此使得天線能夠在多頻段工作也是需要解決的問題。超材料是由具有一定圖案形狀的人造微結(jié)構(gòu)排布于基材上而構(gòu)成，人造微結(jié)構(gòu)不同的圖案形狀和尺寸結(jié)構(gòu)使得超材料具有不同的介電常數(shù)和不同的磁導(dǎo)率從而使得超材料具有不同的電磁響應(yīng)。其中，當(dāng)該人造微結(jié)構(gòu)處于諧振頻段時，該人造微結(jié)構(gòu)將表現(xiàn)出高度的色散特性，所謂高度的色散特性是指該人造微結(jié)構(gòu)的阻抗、容感性、等效的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率隨著頻率會發(fā)生劇烈的變化。本發(fā)明利用超材料的上述原理，設(shè)計ー種超材料射頻天線，其將兩個非対稱的微槽結(jié)構(gòu)形成于金屬片上，該金屬片和饋線的耦合作用使得天線具有豐富的輻射特性從而省去阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計并使得天線的尺寸不受限于所需響應(yīng)電磁波的波長以實現(xiàn)天線的小型化，并由于兩個非対稱微槽結(jié)構(gòu)的設(shè)計使得天線易于多頻點諧振以實現(xiàn)天線的多頻段工作的功能。本發(fā)明的核心在于超材料射頻天線，以下詳細描述本發(fā)明的超材料射頻天線。如圖I所示，本發(fā)明的所述超材料射頻天線包括饋線I、金屬片2。金屬片2上至少鏤刻有非対稱的第一微槽結(jié)構(gòu)100以及第ニ微槽結(jié)構(gòu)200，使得非対稱天線具有至少兩個不同的諧振頻率。此處的非對稱是指第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200的圖案、尺寸和/或空間位置不同，該些不同導(dǎo)致第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200的諧振頻段不同。饋線I部分圍繞金屬片2設(shè)置以對金屬片2耦合饋電。饋線I對金屬片2耦合饋電的方式可通過設(shè)置一可短接點連接饋線I與金屬片2而形成的感性耦合饋電方式，也為饋線I不與金屬片2連接而是二者相対的部分構(gòu)成容性耦合而形成的容性耦合饋電方式。本發(fā)明的第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200可以是圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、圖5b所示的互補式螺旋線結(jié)構(gòu)、圖5c所示的開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、圖5d所示的雙開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、圖5e所示的互補式彎折線結(jié)構(gòu)中的一種或者是通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。衍生分為兩種，一種是幾何形狀衍生，另ー種是擴展衍生，此處的幾何形狀衍生是指功能類似、形狀不同的結(jié)構(gòu)衍生，例如由方框類結(jié)構(gòu)衍生到曲線類結(jié)構(gòu)、三角形類結(jié)構(gòu)及其它不同的多邊形類結(jié)構(gòu)；此處的擴展衍生即在圖5a至圖5e的基礎(chǔ)上開設(shè)新的槽以形成新的微槽結(jié)構(gòu)；以圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)為例，圖6a為其幾何形狀衍生示意圖，圖6b為其幾何形狀衍生示意圖。此處的復(fù)合是指，圖5a至圖5e的微槽結(jié)構(gòu)多個疊加形成ー個新的微槽結(jié)構(gòu)，如圖7a所示，為三個圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖7b所示，為兩個圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖5b所示為互補式螺旋線結(jié)構(gòu)共同復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖。此處的組陣是指由多個圖5a至圖5e所示的微槽結(jié)構(gòu)在同一金屬片上陣列形成ー個整體的微槽結(jié)構(gòu)，如圖8所示，為多個如圖5a所示的互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。但是本發(fā)明第一微槽結(jié)構(gòu)100 與第二微槽結(jié)構(gòu)200是非対稱的，具體非対稱方式在下面實施方式中詳細說明。在金屬片2上形成第一微槽結(jié)構(gòu)100和第二微槽結(jié)構(gòu)200的方式可為蝕刻、鉆刻、光刻、電子刻、離子刻等エ藝，其中蝕刻為優(yōu)選エ藝，其主要步驟是在設(shè)計好合適的微槽結(jié)構(gòu)后，然后通過蝕刻設(shè)備，利用溶劑與金屬的化學(xué)反應(yīng)去除掉預(yù)設(shè)微槽結(jié)構(gòu)的箔片部分即可得到形成有上述第一微槽結(jié)構(gòu)100和第二微槽結(jié)構(gòu)200的金屬片2。上述金屬箔片的材質(zhì)可以是銅、銀等金屬。本發(fā)明若在金屬片2上采用對稱的第一微槽結(jié)構(gòu)和第二微槽結(jié)構(gòu)，即第一微槽結(jié)構(gòu)和第二微槽結(jié)構(gòu)的諧振頻率相同，在二者相互耦合之后將會導(dǎo)致天線Q值增大，相應(yīng)的帶寬BW變小，不利于多模諧振的實現(xiàn)。而若采用至少非對稱的第一微槽結(jié)構(gòu)和第二微槽結(jié)構(gòu)，由于二者響應(yīng)電磁波所產(chǎn)生的電容值和電感值會有所不同，從而產(chǎn)生多個不同的諧振點，且該多個不同的諧振點不易抵消，有利于實現(xiàn)天線豐富的多?；?。本發(fā)明的第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200的結(jié)構(gòu)形式可以ー樣，也可以不一祥。并且第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200的不對稱程度可以根據(jù)需要調(diào)節(jié)。從而實現(xiàn)豐富的可調(diào)節(jié)的多模諧振。并且根據(jù)需要，本發(fā)明亦可在同一金屬片上設(shè)置個數(shù)多于兩個的微槽結(jié)構(gòu)以使得天線具有三個以上的不同的諧振頻段。下面詳細論述三種本發(fā)明金屬片2上形成的非対稱微槽結(jié)構(gòu)。如圖2所示，圖2為本發(fā)明的第一較佳實施方式的正視圖，圖2中，第一微槽結(jié)構(gòu)100及第ニ微槽結(jié)構(gòu)200為非對稱結(jié)構(gòu)，其中，第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200連接在一起，由于圖案的不同導(dǎo)致其結(jié)構(gòu)的不對稱，使得第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200各自區(qū)域的諧振頻率不同。本實施方式中以圖5b所示的互補式螺旋線結(jié)構(gòu)與互補式螺旋線結(jié)構(gòu)的衍生結(jié)構(gòu)為例說明，二者相互連接。如圖3所示，圖3為本發(fā)明的第二較佳實施方式的正視圖，圖3中，第一微槽結(jié)構(gòu)100及第ニ微槽結(jié)構(gòu)200為圖案不同的非対稱結(jié)構(gòu)，其中，第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200是各自獨立的，由于圖案的不同導(dǎo)致其結(jié)構(gòu)的不對稱，使得第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200各自區(qū)域的諧振頻率不同。本實施方式中第一微槽結(jié)構(gòu)100以圖5c所示開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)為例說明，第二微槽結(jié)構(gòu)200以圖5b所示互補式螺旋線結(jié)構(gòu)為例說明。如圖4所示，為本發(fā)明的第三較佳實施方式的正視圖，圖4中，第一微槽結(jié)構(gòu)100及第ニ微槽結(jié)構(gòu)200為非對稱結(jié)構(gòu)，其中，第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200是各自獨立的，其圖案相同，但是其尺寸的不同導(dǎo)致其結(jié)構(gòu)的不對稱，使得第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200各自區(qū)域的諧振頻率不同。本實施方式中，第一微槽結(jié)構(gòu)100與第二微槽結(jié)構(gòu)200均以圖5c所示的互補式螺旋線結(jié)構(gòu)為例說明。另外本發(fā)明還提供ー種射頻識別系統(tǒng)，包括閱讀器以及應(yīng)答器，所述應(yīng)答器為上述的SIM卡。上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實施方式
，上述的具體實施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗g和權(quán)利要求所保護的范圍情況下，還可做出很多 形式，這些均屬于本發(fā)明的保護之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種SIM卡，包括信號感應(yīng)和接收模塊、SIM卡主控模塊、射頻收發(fā)模塊，其特征在于還包括超材料射頻天線，所述SM卡主控模塊處理所述信號感應(yīng)和接收模塊接收到的信號，所述SIM卡主控模塊的指令和數(shù)據(jù)通過所述射頻收發(fā)模塊轉(zhuǎn)換后通過所述超材料射頻天線發(fā)送出去，所述射頻收發(fā)模塊還通過所述超材料射頻天線接收外部設(shè)備的指令和數(shù)據(jù)并交由所述SM卡主控模塊處理；所述超材料射頻天線包括饋線與金屬片，所述饋線通過耦合方式饋入所述金屬片，所述金屬片上至少鏤刻有非対稱的第一微槽結(jié)構(gòu)和第二微槽結(jié)構(gòu)，使得所述天線具有至少兩個不同的諧振頻段。
2.如權(quán)利要求I所述的SIM卡，其特征在于所述SIM卡還包括卡基板，所述信號感應(yīng)和接收模塊、所述SIM卡主控模塊、所述射頻收發(fā)模塊和所述超材料射頻天線均一體封裝于所述卡基板內(nèi)。
3.如權(quán)利要求I所述的SIM卡，其特征在于所述SIM卡還包括卡基板，所述超材料射頻天線設(shè)置于所述卡基板表面上。
4.如權(quán)利要求I或2或3所述的SIM卡，其特征在于所述第一微槽結(jié)構(gòu)包括互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補式螺旋線結(jié)構(gòu)、開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、互補式彎折線結(jié)構(gòu)以及通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合、組合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求I或2或3所述的SIM卡，其特征在于所述第二微槽結(jié)構(gòu)包括互補式開ロ諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補式螺旋線結(jié)構(gòu)、開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開ロ螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、互補式彎折線結(jié)構(gòu)以及通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合、組合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求I所述的SM卡，其特征在于所述饋線與所述金屬片之間設(shè)置有可短接點，所述可短接點電連接所述饋線與所述金屬片使得所述饋線以感性耦合方式饋入所述金屬片。
7.如權(quán)利要求I所述的SIM卡，其特征在于所述第一微槽結(jié)構(gòu)和所述第二微槽結(jié)構(gòu)通過蝕刻、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻形成于所述金屬片上。
8.如權(quán)利要求I所述的SIM卡，其特征在于所述SIM卡還包括接ロ模塊，所述接ロ模塊與所述SM卡主控模塊電連接使得所述SM卡通過所述接ロ模塊與移動終端交換數(shù)據(jù)。
9.如權(quán)利要去8所述的SM卡，其特征在于所述移動終端使用GSM、CDMA、3G或4G通信網(wǎng)絡(luò)的手機。
10.ー種射頻識別系統(tǒng)，包括閱讀器以及應(yīng)答器，其特征在于所述應(yīng)答器為權(quán)利要求 I至9任意一項所述的SIM卡。
全文摘要
本發(fā)明公開一種SIM卡及其射頻識別系統(tǒng)，包括信號感應(yīng)和接收模塊、SIM卡主控模塊、射頻收發(fā)模塊，還包括超材料射頻天線；所述超材料射頻天線包括饋線、金屬片，所述饋線通過耦合方式饋入所述金屬片；所述金屬片上至少鏤刻有非對稱的第一微槽結(jié)構(gòu)和第二微槽結(jié)構(gòu)，使得所述天線具有至少兩個不同的諧振頻段。本發(fā)明將超材料射頻天線應(yīng)用于射頻SIM卡中，由于超材料射頻天線尺寸不受限于電磁波波長且不需要額外配置阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，使得SIM卡上更易集成該天線，且該天線在SIM卡工作頻段依然保持優(yōu)良的性能和小型的尺寸；且本發(fā)明超材料射頻天線很容易產(chǎn)生多個諧振點，且諧振點不易抵消，使得SIM卡能工作于多個諧振頻段。
文檔編號G06K7/00GK102799928SQ20111017269
公開日2012年11月28日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月24日
發(fā)明者劉若鵬, 徐冠雄 申請人:深圳光啟高等理工研究院, 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司