專利名稱：一種sim卡及其射頻識(shí)別系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移動(dòng)支付領(lǐng)域，尤其涉及一種SIM卡及其射頻識(shí)別系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和信息技術(shù)的日新月異變化，我國(guó)擁有手機(jī)等可通信的設(shè)備的人數(shù)以達(dá)到7億。在可通信設(shè)備中加入支付功能能夠減少人們隨身攜帶錢包的不便并使得人們享受隨時(shí)隨地支付的便捷，因此，移動(dòng)支付受到越來(lái)越多的重視，并在可預(yù)見的未來(lái)具有廣闊的商業(yè)發(fā)展空間。目前已有的在SIM卡上集成射頻識(shí)別功能以實(shí)現(xiàn)移動(dòng)支付的SIM卡均存在一個(gè)問(wèn)題用于接收和發(fā)射信號(hào)的天線較大，不能適應(yīng)SIM卡小型化的要求。根據(jù)傳統(tǒng)的天線理論，天線的尺寸為所需響應(yīng)電磁波波長(zhǎng)的四分之一，因此根據(jù)傳統(tǒng)理論設(shè)計(jì)的天線，其尺寸 被電磁波波長(zhǎng)限制，不可自由調(diào)節(jié)?，F(xiàn)有技術(shù)中存在一個(gè)解決方案，即將天線設(shè)置于SIM卡模塊之外，例如設(shè)置于手機(jī)外殼上，但此種做法無(wú)疑增加了手機(jī)設(shè)計(jì)時(shí)的成本且設(shè)置于SM卡模塊外的天線也容易損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提出一種集成有尺寸不受電磁波波長(zhǎng)限制且更加小型化的超材料射頻天線的SIM卡及具有該SIM卡的射頻識(shí)別系統(tǒng)。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是，提出一種SIM卡，其包括信號(hào)感應(yīng)和接收模塊、SIM卡主控模塊、射頻收發(fā)模塊，還包括超材料射頻天線，所述SIM卡主控模塊處理所述信號(hào)感應(yīng)和接收模塊接收到的信號(hào)，所述SIM卡主控模塊的指令和數(shù)據(jù)通過(guò)所述射頻收發(fā)模塊轉(zhuǎn)換后通過(guò)所述超材料射頻天線發(fā)送出去，所述射頻收發(fā)模塊還通過(guò)所述超材料射頻天線接收外部設(shè)備的指令和數(shù)據(jù)并交由所述SIM卡主控模塊處理；所述超材料射頻天線包括第一介質(zhì)基板以及覆蓋于所述第一介質(zhì)基板上的第二介質(zhì)基板；所述第一介質(zhì)基板一側(cè)表面上設(shè)置有金屬片以及圍繞所述金屬片設(shè)置的饋線，所述饋線以耦合方式饋入所述金屬片，且所述金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述SM卡還包括卡基板，所述信號(hào)感應(yīng)和接收模塊、所述SM卡主控模塊、所述射頻收發(fā)模塊和所述超材料射頻天線均一體封裝于所述卡基板內(nèi)。進(jìn)一步地，所述微槽結(jié)構(gòu)包括互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)以及通過(guò)前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合、組合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地,所述第一介質(zhì)基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成；或者所述第一介質(zhì)基板材質(zhì)與所述卡基板材質(zhì)相同。進(jìn)一步地,所述第二介質(zhì)基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成。
進(jìn)一步地，所述饋線與所述金屬片之間設(shè)置有可短接點(diǎn)，所述可短接點(diǎn)電連接所述饋線與所述金屬片使得所述饋線以感性耦合方式饋入所述金屬片。進(jìn)一步地，所述微槽結(jié)構(gòu)通過(guò)蝕刻、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻形成于所述金屬片上。進(jìn)一步地，所述SM卡還包括接口模塊，所述接口模塊與所述SM卡主控模塊電連接使得所述SIM卡通過(guò)所述接口模塊與移動(dòng)終端交換數(shù)據(jù)。進(jìn)一步地，所述移動(dòng)終端使用GSM、CDMA.3G或4G通信網(wǎng)絡(luò)的手機(jī)。本發(fā)明還提供一種射頻識(shí)別系統(tǒng)，包括閱讀器以及應(yīng)答器，所述應(yīng)答器為上述任意一項(xiàng)所述的SIM卡。本發(fā)明將超材料射頻天線應(yīng)用于射頻SIM卡中，由于超材料射頻天線尺寸不受限 于電磁波波長(zhǎng)且不需要額外配置阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，使得SM卡上更易集成該天線，且該天線在SIM卡工作頻段依然保持優(yōu)良的性能和小型的尺寸。并且本發(fā)明SIM卡上的超材料射頻天線還在第一介質(zhì)基板上覆蓋第二介質(zhì)基板，兩塊介質(zhì)基板之間形成耦合電容使得超材料射頻天線工作在低頻時(shí)無(wú)需增長(zhǎng)饋線長(zhǎng)度，進(jìn)一步減小了超材料射頻天線的體積。


圖I為本發(fā)明SM卡上超材料射頻天線結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2c所示為開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2d所示為雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2e所示為互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3a為圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其幾何形狀衍生示意圖；圖3b為圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其擴(kuò)展衍生示意圖；圖4a為三個(gè)圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4b為兩個(gè)圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖5b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)的復(fù)合示意圖；圖5為四個(gè)圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明SIM卡的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作進(jìn)一步描述。如圖6所示，圖6為本發(fā)明SM卡的結(jié)構(gòu)框圖。圖6中，SM卡包括信號(hào)感應(yīng)和接收模塊101、SIM卡主控模塊102、射頻收發(fā)模塊103、超材料射頻天線104以及接口模塊105。本實(shí)施例中，上述各模塊均一體封裝于SM卡卡基板100內(nèi)?？梢韵胂蟮?，為使得空間更加緊湊，亦可以將部分模塊設(shè)置于SIM卡卡基板100的相對(duì)表面上，其他模塊設(shè)置于卡基板100內(nèi)部。信號(hào)感應(yīng)和接收模塊101感應(yīng)和接收外部的信號(hào)，通常為磁信號(hào)，并將該信號(hào)傳輸給SM卡主控模塊102，SIM卡主控模塊102根據(jù)接收到的信號(hào)判斷，當(dāng)需要與外部設(shè)備通信時(shí)，SIM卡主控模塊102發(fā)出指令和數(shù)據(jù)給射頻收發(fā)模塊103，射頻收發(fā)模塊103接收到SIM卡主控模塊102發(fā)出的指令和數(shù)據(jù)后將指令和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化后通過(guò)超材料射頻天線104發(fā)送出去。同時(shí)，超材料射頻天線104還可接收外部的電磁信號(hào)并傳輸給射頻收發(fā)模塊103，由射頻收發(fā)模塊103轉(zhuǎn)換后傳輸給SIM卡主控模塊102。本實(shí)施例中，SIM卡還包括接口模塊105，SIM卡主控模塊102通過(guò)接口模塊105與移動(dòng)終端交換數(shù)據(jù)。本發(fā)明的移動(dòng)終端可為使用GSM、CDMA.3G或4G通信網(wǎng)絡(luò)的各種手機(jī)設(shè)備。本實(shí)施例中，信號(hào)感應(yīng)和接收模塊101、SM卡主控模塊102、射頻收發(fā)模塊103以及接口模塊105均可使用常規(guī)的現(xiàn)有技術(shù)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作方式為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，且不是本發(fā)明主要發(fā)明技術(shù)要點(diǎn)，因此在此不做詳細(xì)描述。應(yīng)用于移動(dòng)支付領(lǐng)域的射頻標(biāo)準(zhǔn)一般為低頻頻率，例如13. 56MHZ或2. 4GHZ， 為了使SIM卡能工作于低頻率，天線的作用尤為重要。然而根據(jù)傳統(tǒng)天線設(shè)計(jì)方案，天線的長(zhǎng)短是與波長(zhǎng)成正比的，頻率越低，波長(zhǎng)越長(zhǎng)從而導(dǎo)致天線體積越大。按照傳統(tǒng)天線設(shè)計(jì)方案，工作頻率仍以13. 56MHZ或2. 4GHZ為例，天線的厚度和長(zhǎng)度均較大，很難實(shí)現(xiàn)在SIM卡上的應(yīng)用。且為了保證天線的高性能，傳統(tǒng)天線設(shè)計(jì)方案中一般還需要增加阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。超材料是由具有一定圖案形狀的人造微結(jié)構(gòu)排布于基材上而構(gòu)成，人造微結(jié)構(gòu)不同的圖案形狀和尺寸結(jié)構(gòu)使得超材料具有不同的介電常數(shù)和不同的磁導(dǎo)率從而使得超材料具有不同的電磁響應(yīng)。其中，當(dāng)該人造微結(jié)構(gòu)處于諧振頻段時(shí)，該人造微結(jié)構(gòu)將表現(xiàn)出高度的色散特性，所謂高度的色散特性是指該人造微結(jié)構(gòu)的阻抗、容感性、等效的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率隨著頻率會(huì)發(fā)生劇烈的變化。本發(fā)明利用超材料的上述原理，設(shè)計(jì)一種超材料射頻天線，其將微槽結(jié)構(gòu)形成于金屬片上，該金屬片和饋線的耦合作用使得天線具有豐富的輻射特性從而省去阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)并使得天線的尺寸不受限于所需響應(yīng)電磁波的波長(zhǎng)以實(shí)現(xiàn)天線的小型化。另外，本發(fā)明還在天線結(jié)構(gòu)中加入第二介質(zhì)基板，第二介質(zhì)基板覆蓋于第一介質(zhì)基板上使得天線的分布電容增大。本發(fā)明的核心在于超材料射頻天線，以下詳細(xì)描述本發(fā)明的超材料射頻天線。如圖I所示，圖I為本發(fā)明SIM卡上超材料射頻天線的結(jié)構(gòu)示意圖。為更清楚的表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，圖I采用透視圖畫法。圖I中，超材料射頻天線包括第一介質(zhì)基板I以及覆蓋于該第一介質(zhì)基板I上的第二介質(zhì)基板2 ;該第一介質(zhì)基板一側(cè)表面上設(shè)置有金屬片10以及圍繞該金屬片10設(shè)置的饋線11，該饋線11以耦合方式饋入該金屬片10，且該金屬片上10鏤空有微槽結(jié)構(gòu)12。金屬片10以及在金屬片10上形成的微槽結(jié)構(gòu)12使得金屬片10構(gòu)成一個(gè)等效介電常數(shù)按照洛侖茲材料諧振模型色散的電磁材料從而實(shí)現(xiàn)改變天線輻射特性的目的。圖2a到圖5給出了一系列可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的微槽結(jié)構(gòu)拓?fù)鋱D案。當(dāng)應(yīng)知微槽結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)種類有無(wú)窮多種，并不局限于圖2a到圖5的舉例，但基本都是諧振結(jié)構(gòu)，這里微槽結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)可以根據(jù)金屬片的拓?fù)涮匦?，如衍生與復(fù)合進(jìn)行修改。圖2a為互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)；圖2b為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)；圖2c為開口螺旋結(jié)構(gòu)；圖2d為雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)；圖26為互補(bǔ)式彎折結(jié)構(gòu)。微槽結(jié)構(gòu)還可以是上述圖2a至圖2e結(jié)構(gòu)的衍生、復(fù)合或者組陣。衍生分為兩種，一種是幾何形狀衍生，另一種是擴(kuò)展衍生，此處的幾何形狀衍生是指功能類似、形狀不同的結(jié)構(gòu)衍生，例如由方框類結(jié)構(gòu)衍生到曲線類結(jié)構(gòu)、三角形類結(jié)構(gòu)及其它不同的多邊形類結(jié)構(gòu)；此處的擴(kuò)展衍生即在圖2a至圖2e的基礎(chǔ)上開設(shè)新的槽以形成新的微槽結(jié)構(gòu)；以圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)為例，圖3a為其幾何形狀衍生示意圖，圖3b為其幾何形狀衍生示意圖。此處的復(fù)合是指，圖2a至圖2e的微槽結(jié)構(gòu)多個(gè)疊加形成一個(gè)新的微槽結(jié)構(gòu)，如圖4a所示,為三個(gè)圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖2b所示，為兩個(gè)圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖2b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)共同復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖。此處的組陣是指由多個(gè)圖2a至圖2e所示的微槽結(jié)構(gòu)在同一金屬片上陣列形成一個(gè)整體的微槽結(jié)構(gòu)，如圖5所示，為多個(gè)如圖2a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中以圖2c所示的開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)舉例說(shuō)明。饋線11通過(guò)可短接點(diǎn)50與金屬片10電連接從而與金屬片10形成感性稱合以對(duì)其進(jìn)行饋電?？啥探狱c(diǎn)50的位置可以是任意位置。另外饋線10對(duì)金屬片10饋電的方式還可以是容性耦合饋電方式，即饋線10圍繞金屬片10設(shè)置而不與金屬片10接觸。第二介質(zhì)基板2覆蓋于第一介質(zhì)基板I的方式為多樣的，可采用貼附、吸附或者壓制等方式。由天線射頻原理可知，電長(zhǎng)度是描述電磁波波形變化頻繁程度的物理量，電長(zhǎng)度 =物理長(zhǎng)度/波長(zhǎng)。當(dāng)天線工作于低頻時(shí)，低頻對(duì)應(yīng)的電磁波波長(zhǎng)較長(zhǎng)，在需要保持電長(zhǎng)度不變的前提下，增長(zhǎng)物理長(zhǎng)度就是必要的選擇。然而增大物理長(zhǎng)度必然不能滿足天線小型化的要求。本發(fā)明在第一介質(zhì)基板I上覆蓋設(shè)置有第二介質(zhì)基板2，當(dāng)天線在接收或者發(fā)射電磁波時(shí)，電磁波均需要通過(guò)第二介質(zhì)基板2才能被發(fā)射或者被接收從而使得天線整體的
分布電容增大。根據(jù)公式可知，增大分布電容能有效降低天線工作頻率使得在
不增加物理長(zhǎng)度的前提下就可保持電長(zhǎng)度不變。并且通過(guò)改變第二介質(zhì)基板2與第一介質(zhì)基板I的材質(zhì)即可改變天線整體的分布電容從而針對(duì)不同的頻率均可達(dá)到在不改變物理長(zhǎng)度的前提下改變電長(zhǎng)度的目的，這樣就可以在極小的空間內(nèi)設(shè)計(jì)出工作在極低工作頻率下的射頻天線。本發(fā)明的第一介質(zhì)基板的材質(zhì)可選用陶瓷、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料；其中高分子材料優(yōu)選聚四氟乙烯、F4B或FR4。更加優(yōu)選地，本發(fā)明第一介質(zhì)基板即由SIM卡本身的卡基板100構(gòu)成。本發(fā)明的第二介質(zhì)基板的材質(zhì)可選用陶瓷、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料；其中高分子材料優(yōu)選聚四氟乙烯、F4B或FR4。在本發(fā)明中，關(guān)于天線的加工制造，只要滿足本發(fā)明的設(shè)計(jì)原理，可以采用各種制造方式。最普通的方法是使用各類印刷電路板(PCB)的制造方法，金屬化的通孔，雙面覆銅的PCB制造均可滿足本發(fā)明的加工要求。除此加工方式，還可以根據(jù)實(shí)際的需要引入其它加工手段，比如RFID (RFID是RadioFrequency Identification的縮寫，即射頻識(shí)別技術(shù)，俗稱電子標(biāo)簽)中所使用的導(dǎo)電銀漿油墨加工方式、各類可形變器件的柔性PCB加工、鐵片天線的加工方式以及鐵片與PCB組合的加工方式。其中，鐵片與PCB組合加工方式是指利用PCB的精確加工來(lái)完成芯片微結(jié)構(gòu)部分的加工，用鐵片來(lái)完成其它輔助部分。另外本發(fā)明還提供一種射頻識(shí)別系統(tǒng)，包括閱讀器以及應(yīng)答器，所述應(yīng)答器為上述的SIM卡。上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi) 。
權(quán)利要求
1.一種SIM卡，包括信號(hào)感應(yīng)和接收模塊、SIM卡主控模塊、射頻收發(fā)模塊，其特征在于還包括超材料射頻天線，所述SM卡主控模塊處理所述信號(hào)感應(yīng)和接收模塊接收到的信號(hào)，所述SIM卡主控模塊的指令和數(shù)據(jù)通過(guò)所述射頻收發(fā)模塊轉(zhuǎn)換后通過(guò)所述超材料射頻天線發(fā)送出去，所述射頻收發(fā)模塊還通過(guò)所述超材料射頻天線接收外部設(shè)備的指令和數(shù)據(jù)并交由所述SIM卡主控模塊處理；所述超材料射頻天線包括第一介質(zhì)基板以及覆蓋于所述第一介質(zhì)基板上的第二介質(zhì)基板；所述第一介質(zhì)基板一側(cè)表面上設(shè)置有金屬片以及圍繞所述金屬片設(shè)置的饋線，所述饋線以耦合方式饋入所述金屬片，且所述金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求I所述的SIM卡，其特征在于所述SIM卡還包括卡基板，所述信號(hào)感應(yīng)和接收模塊、所述SIM卡主控模塊、所述射頻收發(fā)模塊和所述超材料射頻天線均一體封裝于所述卡基板內(nèi)。
3.如權(quán)利要求I或2所述的SIM卡，其特征在于所述微槽結(jié)構(gòu)包括互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)以及通過(guò)前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合、組合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2所述的SIM卡，其特征在于所述第一介質(zhì)基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成；或者所述第一介質(zhì)基板材質(zhì)與所述卡基板材質(zhì)相同。
5.如權(quán)利要去I所述的SIM卡，其特征在于所述第二介質(zhì)基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成。
6.如權(quán)利要求I所述的SM卡，其特征在于所述饋線與所述金屬片之間設(shè)置有可短接點(diǎn)，所述可短接點(diǎn)電連接所述饋線與所述金屬片使得所述饋線以感性耦合方式饋入所述金屬片。
7.如權(quán)利要求I所述的SIM卡，其特征在于所述微槽結(jié)構(gòu)通過(guò)蝕刻、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻形成于所述金屬片上。
8.如權(quán)利要求I所述的SIM卡，其特征在于所述SIM卡還包括接口模塊，所述接口模塊與所述SIM卡主控模塊電連接使得所述SIM卡通過(guò)所述接口模塊與移動(dòng)終端交換數(shù)據(jù)。
9.如權(quán)利要去8所述的SM卡，其特征在于所述移動(dòng)終端使用GSM、CDMA、3G或4G通信網(wǎng)絡(luò)的手機(jī)。
10.一種射頻識(shí)別系統(tǒng)，包括閱讀器以及應(yīng)答器，其特征在于所述應(yīng)答器為權(quán)利要求I至9任意一項(xiàng)所述的SIM卡。
全文摘要
本發(fā)明公開一種SIM卡及其射頻識(shí)別系統(tǒng)，包括信號(hào)感應(yīng)和接收模塊、SIM卡主控模塊、射頻收發(fā)模塊，還包括超材料射頻天線；所述超材料射頻天線包括第一介質(zhì)基板以及覆蓋于該第一介質(zhì)基板上的第二介質(zhì)基板；該第一介質(zhì)基板一側(cè)表面上設(shè)置有金屬片以及圍繞該金屬片設(shè)置的饋線，該饋線以耦合方式饋入該金屬片，且該金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將超材料射頻天線應(yīng)用于射頻SIM卡中，由于超材料射頻天線尺寸不受限于電磁波波長(zhǎng)且不需要額外配置阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，使得SIM卡上更易集成該天線，且該天線在SIM卡工作頻段依然保持優(yōu)良的性能和小型的尺寸。
文檔編號(hào)G06K7/00GK102810177SQ20111017271
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月24日
發(fā)明者劉若鵬, 徐冠雄 申請(qǐng)人:深圳光啟高等理工研究院, 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司