專(zhuān)利名稱(chēng)：一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法。
背景技術(shù)：
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有自身重量輕、抗振動(dòng)、 抗電磁輻射并且成本低廉、容量較大、改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，并逐步占領(lǐng)存儲(chǔ)市場(chǎng)。近年來(lái)固態(tài)硬盤(pán)SSD的推出，更進(jìn)一步提高了 NandFlash在市場(chǎng)上的份額。而NandFlash自身的工藝特點(diǎn)，使得它具有必需以Block為單位的擦除操作和以Page為單位的寫(xiě)操作，因此NandFlash會(huì)有Block Mapping (塊映射)和Page Mapping (頁(yè)映射)兩種邏輯地址與物理地址映射的方法。Block Mapping占用存儲(chǔ)空間小，但會(huì)造成NandFlash的使用浪費(fèi)；Page Mapping可以有效地利用NandFlash的存儲(chǔ)資源，但其 Mapping表會(huì)占用大量的系統(tǒng)內(nèi)存。如何發(fā)揮兩種Mapping的優(yōu)勢(shì)和避免劣勢(shì)，能極大提高 NandFlash的使用價(jià)值，成為當(dāng)今微電子技術(shù)的一大難題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)任務(wù)是針對(duì)在現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法。本發(fā)明的技術(shù)方案是按以下方式實(shí)現(xiàn)的，該一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法，其具體的實(shí)現(xiàn)方法如下
步驟一、首先由系統(tǒng)發(fā)出寫(xiě)操作指令；
步驟二、指令發(fā)出后，系統(tǒng)尋找I^age Mapping表，如果表格空，則系統(tǒng)分配一個(gè)空 Block來(lái)進(jìn)行寫(xiě)操作，并進(jìn)行I^ge Mapping，如果表內(nèi)有信息，則系統(tǒng)根據(jù)信息，按順序?qū)懭霐?shù)據(jù)，并亍 Page Mapping ；
步驟三、在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，如果Block寫(xiě)滿，即數(shù)據(jù)超過(guò)Block大小，系統(tǒng)會(huì)分配一個(gè)空Block來(lái)進(jìn)行寫(xiě)操作，并且將寫(xiě)滿的Block改為Block Mapping,釋放掉原來(lái)的I^age Mapping 10白勺 Page Mapping ； 步驟四、重復(fù)上述操作，直至寫(xiě)操作完成。上述步驟二的按順序?qū)懭霐?shù)據(jù)時(shí)為按I^age順序向下寫(xiě)入數(shù)據(jù)。所述I^age Mapping的數(shù)量隨實(shí)際需求調(diào)整。所述的實(shí)際需求是指以NandFlash為存儲(chǔ)介質(zhì)的設(shè)備的實(shí)際需求。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比所產(chǎn)生的有益效果是
本發(fā)明的一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法能夠?qū)K映射Block Mapping和頁(yè)映射I^age Mapping有效結(jié)合，根據(jù)以NandFlash為存儲(chǔ)介質(zhì)的設(shè)備的實(shí)際需求，而靈活調(diào)整I^age Mapping的多少，從而達(dá)到減少芯片上內(nèi)存或系統(tǒng)內(nèi)存的大小、有效合理的使用NandFlash并且提高NandFlash使用壽命。


附圖1是本發(fā)明所述方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為將塊映射Block Mapping和頁(yè)映射I^age Mapping有效結(jié)合，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所提供的一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法作以下詳細(xì)說(shuō)明。如附圖1所示，現(xiàn)提供一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法，其具體的實(shí)現(xiàn)方法如下
步驟一、首先由系統(tǒng)發(fā)出寫(xiě)操作指令；
步驟二、指令發(fā)出后，系統(tǒng)尋找I^age Mapping表，如果表格空，則系統(tǒng)分配一個(gè)空 Block來(lái)進(jìn)行寫(xiě)操作，并進(jìn)行I^ge Mapping，如果表內(nèi)有信息，則系統(tǒng)根據(jù)信息，按順序?qū)懭霐?shù)據(jù)，并亍 Page Mapping ；
步驟三、在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，如果Block寫(xiě)滿，即數(shù)據(jù)超過(guò)Block大小，系統(tǒng)會(huì)分配一個(gè)空Block來(lái)進(jìn)行寫(xiě)操作，并且將寫(xiě)滿的Block改為Block Mapping,釋放掉原來(lái)的I^age Mapping 10白勺 Page Mapping ； 步驟四、重復(fù)上述操作，直至寫(xiě)操作完成。上述步驟二的按順序?qū)懭霐?shù)據(jù)時(shí)為按I^age順序向下寫(xiě)入數(shù)據(jù)，不能跨I^age寫(xiě)， 因此，將Block Mapping和I^age Mapping相結(jié)合，只有正在執(zhí)行寫(xiě)操作的Block使用I^age Mapping,而寫(xiě)滿的 Block 和空 Block 則為 Block Mapping。所述I^age Mapping的數(shù)量隨實(shí)際需求調(diào)整，比如固態(tài)硬盤(pán)SSD會(huì)采用多通道多片選的結(jié)構(gòu)，則采用I^age Mapping的Block可以根據(jù)通道數(shù)和每個(gè)通道上的片選數(shù)而改變， 如每個(gè)通道的片選均有1個(gè)Block采用I^age Mapping。所述的實(shí)際需求是指以NandFlash為存儲(chǔ)介質(zhì)的設(shè)備的實(shí)際需求。本發(fā)明的一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法能夠?qū)K映射Block Mapping和頁(yè)映射I^age Mapping有效結(jié)合，發(fā)揮兩種Mapping的優(yōu)勢(shì)和避免劣勢(shì)，極大提高 NandFlash的使用價(jià)值，具有很好的推廣使用價(jià)值。
權(quán)利要求
1.一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法，其特征在于其具體的實(shí)現(xiàn)方法如下步驟一、首先由系統(tǒng)發(fā)出寫(xiě)操作指令；步驟二、指令發(fā)出后，系統(tǒng)尋找I^age Mapping表，如果表格空，則系統(tǒng)分配一個(gè)空 Block來(lái)進(jìn)行寫(xiě)操作，并進(jìn)行I^ge Mapping，如果表內(nèi)有信息，則系統(tǒng)根據(jù)信息，按順序?qū)懭霐?shù)據(jù)，并亍 Page Mapping ；步驟三、在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，如果Block寫(xiě)滿，即數(shù)據(jù)超過(guò)Block大小，系統(tǒng)會(huì)分配一個(gè)空Block來(lái)進(jìn)行寫(xiě)操作，并且將寫(xiě)滿的Block改為Block Mapping,釋放掉原來(lái)的I^age Mapping 10白勺 Page Mapping ； 步驟四、重復(fù)上述操作，直至寫(xiě)操作完成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法，其特征在于上述步驟二的按順序?qū)懭霐?shù)據(jù)時(shí)為按I^age順序向下寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法，其特征在于所述I^age Mapping的數(shù)量隨實(shí)際需求調(diào)整。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法，其特征在于所述的實(shí)際需求是指以NandFlash為存儲(chǔ)介質(zhì)的設(shè)備的實(shí)際需求。
全文摘要
本發(fā)明提供一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法，屬于一種微電子技術(shù)，其具體步驟為在系統(tǒng)發(fā)出寫(xiě)操作指令之后，尋找PageMapping表，寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，如果Block寫(xiě)滿后，系統(tǒng)會(huì)分配一個(gè)空Block來(lái)進(jìn)行寫(xiě)操作，寫(xiě)滿的Block改為BlockMapping，釋放掉原來(lái)的PageMapping表，更新為現(xiàn)在的PageMapping，重復(fù)上面的操作直到寫(xiě)操作完成。該一種NandFlash物理地址和邏輯地址映射的方法和現(xiàn)有技術(shù)相比，充分發(fā)揮兩種Mapping的優(yōu)勢(shì)和避免劣勢(shì)，極大提高NandFlash的使用價(jià)值。
文檔編號(hào)G06F12/06GK102364450SQ20111017459
公開(kāi)日2012年2月29日 申請(qǐng)日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者于治樓, 姜?jiǎng)P, 梁智豪 申請(qǐng)人:浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司