專利名稱：具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容觸摸屏及其制造方法，尤其涉及一種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著信息技術(shù)、無線行動(dòng)通訊和信息家電的快速發(fā)展與應(yīng)用，人們對電子產(chǎn)品的依賴性與日俱增。為了達(dá)到更便利，體積更輕巧化以及更人性化的目的，許多電子產(chǎn)品已由傳統(tǒng)的鍵盤或鼠標(biāo)作為輸入裝置，轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂迷O(shè)置在顯示屏幕前的觸摸屏作為輸入裝置?，F(xiàn)有的觸摸屏大致可分為電容式、電阻式、感光式等類型。其中，電容觸摸屏已經(jīng)廣泛應(yīng)用到各類電子產(chǎn)品，例如手機(jī)、平板電腦中。電容觸摸屏的特點(diǎn)是透過率高且觸摸施壓不必用力，可以抵御惡劣的外界環(huán)境，例如水，溫度變化，潮濕，故使用壽命長，工作時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)觸摸點(diǎn)的同時(shí)探測，操作使用更為人性化。電容觸摸屏一般設(shè)計(jì)為內(nèi)基板和外基板的貼合體，其中內(nèi)基板表面設(shè)置有感測電極層及相應(yīng)的電路，起到感應(yīng)觸摸的作用，而外基板則用于保護(hù)感測電極層，以及，常常在外基板上設(shè)置有遮掩層、圖案層，起到美觀的作用。隨著電子產(chǎn)品的輕薄化發(fā)展，其要求所裝配的電容觸摸屏越來越輕薄，由于上述電容觸摸屏至少包含有兩層基板，厚度較大，難以滿足要求，因此，有人提出了單片式的電容觸摸屏。單片式電容觸摸屏將感測電極層設(shè)置在外基板的背面，因此只需采用一片基板， 其厚度可以進(jìn)一步降低，滿足信息產(chǎn)品的輕薄化發(fā)展。感測電極層包括多個(gè)沿著第一方向延伸的第一感測電極以及多個(gè)沿著第二方向延伸的第二感測電極，第一感測電極與第二感測電極相互交錯(cuò)形成感應(yīng)陣列；各個(gè)第一感測電極之間互相電性不連接，各個(gè)第二感測電極之間互相電性不連接，第一感測電極與第二感測電極之間電性不連接。當(dāng)操作者以手指接觸觸控屏?xí)r，接觸點(diǎn)處的第一、第二感測電極的電容發(fā)生變化，通過電路檢測，就可以判斷觸摸的發(fā)生以及接觸點(diǎn)的坐標(biāo)。為了將電容觸摸屏設(shè)計(jì)為透明的，上述第一、第二感測電極往往采用透明導(dǎo)電膜，如氧化銦錫(ITO) 制作而成。對于單片式電容觸摸屏來說，需要將第一感測電極、第二感測電極設(shè)置在基板的背面，其中一種常用的設(shè)計(jì)方法為采用同一層透明導(dǎo)電膜形成第一感測電極、第二感測電極，使得第一、第二感測電極具有光學(xué)一致性，由于第一感測電極、第二感測電極之間存在交叉，因此在交叉處還設(shè)計(jì)有跳線結(jié)構(gòu)，使得第一感測電極、第二感測電極可以在各自的方向上導(dǎo)通，并且相互之間不會(huì)發(fā)生短路。跳線結(jié)構(gòu)一般包含由絕緣層(絕緣墊塊)隔開的底部連接和頂部連接，其分別用于連接被交叉點(diǎn)分開的第一感測電極和第二感測電極。底部連接和頂部連接的其中一個(gè)可以由透明導(dǎo)電膜形成，另外一個(gè)則采用金屬膜形成，我們將這種金屬膜形成的連接稱為金屬連接橋，其一般設(shè)計(jì)為一定寬度的直條形。金屬膜可以為單質(zhì)金屬或合金構(gòu)成的單層或多層膜，一般還用于形成觸摸屏周邊的低電阻線路。
在上述單片式電容觸摸屏中，由于金屬膜的反射率比較高，金屬連接橋的反射光往往容易被操作者所覺察，影響到操作者對透過電容觸摸屏的顯示畫面的觀看。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏及其制造方法，這種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏能夠降低金屬連接橋的反射光，使得操作者能夠更清晰地觀看透過電容觸摸屏的顯示畫面，視覺效果良好。采用的技術(shù)方案如下一種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏，包括一基板和設(shè)置在基板內(nèi)側(cè)的感測電極層，感測電極層包括一圖形化透明導(dǎo)電膜，以及與圖形化透明導(dǎo)電膜相結(jié)合的跳線結(jié)構(gòu)，其特征是所述圖形化透明導(dǎo)電膜包括多個(gè)第一電極隊(duì)列，每個(gè)第一電極隊(duì)列由多個(gè)第一電極塊按第一方向排列而成； 在每兩個(gè)相鄰的第一電極隊(duì)列之間定義出的第二電極隊(duì)列配置區(qū)；多個(gè)第二電極隊(duì)列，每個(gè)第二電極隊(duì)列由多個(gè)設(shè)置在第二電極隊(duì)列配置區(qū)的第二電極塊按不同于第一方向的第二方向排列而成；所述跳線結(jié)構(gòu)包括底部連接、絕緣墊塊和跳線連接；底部連接附著在所述基板上；絕緣墊塊設(shè)于底部連接的內(nèi)側(cè)；跳線連接跨過絕緣墊塊，并與底部連接交叉設(shè)置；跳線結(jié)構(gòu)設(shè)置在每個(gè)第一電極隊(duì)列與第二電極隊(duì)列的交錯(cuò)位置；同一第一電極隊(duì)列的相鄰兩個(gè)第一電極塊通過底部連接相互連接；相應(yīng)的第二電極隊(duì)列的相鄰兩個(gè)第二電極塊通過跳線連接相互連接；底部連接或跳線連接的其中一個(gè)由透明導(dǎo)電膜形成，另外一個(gè)則是由金屬膜形成的金屬連接橋；還包括低反射率膜層，低反射率膜層設(shè)置在金屬連接橋上靠近所述基板的一側(cè)。由于是單片式電容觸摸屏，不另外設(shè)置外基板，所以將感測電極層設(shè)于基板的內(nèi)側(cè)?？拷僮髡叩囊粋?cè)為外側(cè)，遠(yuǎn)離操作者的一側(cè)為內(nèi)側(cè)。上述低反射率膜層的反射率在80%以下，其為采用低反射率材料鍍膜形成的薄膜層。低反射率材料包括含有石墨態(tài)的碳、以及氮化物、氧化物、氮氧化物、碳化物、硅化物、硼化物的其中一種構(gòu)成的單層膜或多種構(gòu)成的多層膜。進(jìn)一步優(yōu)選所述氮化物包括鉬、鉻、 鈦、鋯、的氮化物，所述的氧化物包括鉬、鉻、鈦、鋯的氧化物，所述的碳化物包括硅的碳化物；所述的硅化物包括鉬的硅化物、所述的硼化物包括鈦、鋯的硼化物。上述各種化合物的組分，可以是符合化學(xué)配比的，也可以是偏離化學(xué)配比的，例如，氮化鉻可以為符合化學(xué)配比的CrN，也可以為偏離化學(xué)配比的CrNa8 ；通過調(diào)節(jié)化學(xué)配比，可以調(diào)節(jié)該化合物的反射率與導(dǎo)電性。上述各種化合物，還可以是摻雜的，譬如，在鉬的氮化物中摻雜了鈮等雜質(zhì)。本發(fā)明通過在跳線結(jié)構(gòu)中的金屬連接橋(底部連接或跳線連接)上靠近基板的一側(cè)設(shè)置一層低反射率膜層，即是在金屬連接橋的外側(cè)設(shè)置一層低反射率膜層，降低金屬連接橋的反射光，使得操作者能夠更清晰地觀看透過電容觸摸屏的顯示畫面，視覺效果良好。
作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，其特征是所述低反射率膜層具有與金屬連接橋重合的圖案。也就是說，金屬連接橋與低反射率膜層的大小、形狀、位置均相同，因此保證低反射率膜層具有最小的面積，降低了其被操作者覺察的可能性，并可以防止其遮掩了過多面積的顯示畫面。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，其特征是所述低反射率膜層的厚度為50 500nm。低反射率膜層所采用的材料，除了具有低反射性能以及某些必要的導(dǎo)電性能之外，還可以保證基板與金屬膜之間，或透明導(dǎo)電膜、絕緣墊塊與金屬膜之間的膜層結(jié)合力。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，其特征是還包括周邊線路、遮掩層和圖案層；周邊線路設(shè)置在第一電極隊(duì)列和第二電極隊(duì)列的周邊，周邊線路由形成金屬連接橋的金屬膜形成； 遮掩層、圖案層設(shè)置在周邊線路的外側(cè)。優(yōu)選低反射率膜層向外延伸覆蓋在周邊線路上，使得金屬膜(包括金屬連接橋和周邊線路)與低反射率膜層具有相同的形狀，使得制造工藝更加簡化。作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是所述金屬連接橋?yàn)榈撞窟B接，所述低反射率膜層夾置于金屬膜與基板之間。作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是所述金屬連接橋?yàn)樘€連接；在金屬連接橋的兩端，所述低反射率膜層夾置于金屬膜與透明導(dǎo)電膜之間，在金屬連接橋的中間， 所述低反射率膜層夾置于金屬膜與絕緣墊塊之間。作為本發(fā)明更進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是所述金屬連接橋采用導(dǎo)電性能良好的材料。在金屬連接橋?yàn)樘€連接的情況下，優(yōu)選低反射率膜層為導(dǎo)電性能良好的上述材料，因此，低反射率膜層被夾置于金屬膜與透明導(dǎo)電膜之間時(shí)，不會(huì)導(dǎo)致金屬膜與透明導(dǎo)電膜之間導(dǎo)電性的變差。為了使得低反射率膜層具有良好的導(dǎo)電性能，優(yōu)選該膜層為含有石墨態(tài)的碳膜、摻雜的硅膜、氮化鉬、氮化鈦、碳化硅、二硅化鉬、硼化鈦、硼化鋯的其中一種或多種構(gòu)成的多層膜。由于低反射率膜層，大多為化合物，可能會(huì)吸收環(huán)境的水分、氧氣等物質(zhì)，因此，一般還在單片式電容觸摸屏的最內(nèi)側(cè)(背面)覆蓋多一層保護(hù)膜，保護(hù)膜可以為無機(jī)材料的鍍膜，如金剛石薄膜、Si02薄膜，也可以為有機(jī)材料的涂布膜，還可以為貼附的塑料保護(hù)膜。一種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步驟步驟一、在基板內(nèi)側(cè)依次沉積低反射率膜層和金屬膜；步驟二、對金屬膜和低反射率膜層進(jìn)行圖形化，金屬膜形成金屬連接橋(即底部連接)和周邊線路，并且使得低反射率膜層的圖案與金屬連接橋和周邊線路的圖案相重疊；步驟三、在金屬膜的內(nèi)側(cè)涂布絕緣層，并且對絕緣層進(jìn)行圖形化，形成每個(gè)跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊；步驟四、沉積透明導(dǎo)電膜，并對透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，形成第一電極隊(duì)列和、第二電極隊(duì)列和跳線連接。上述具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏的制造方法對應(yīng)于金屬連接橋?yàn)榈撞窟B接的單片式電容觸摸屏。另一種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步驟步驟一、在基板內(nèi)側(cè)沉積透明導(dǎo)電膜，并對透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，形成第一電極隊(duì)列和、第二電極隊(duì)列和底部連接。步驟二、在透明導(dǎo)電膜的內(nèi)側(cè)涂布絕緣層，并且對絕緣層進(jìn)行圖形化，形成每個(gè)跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊；步驟三、在基板內(nèi)側(cè)依次沉積低反射率膜層和金屬膜；步驟四、對金屬膜和低反射率膜層進(jìn)行圖形化，金屬膜形成金屬連接橋和周邊線路，并且使得低反射率膜層的圖案與金屬連接橋和周邊線路的圖案相重疊。上述具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏的制造方法對應(yīng)于金屬連接橋?yàn)樘€連接的單片式電容觸摸屏。其中，低反射率膜層可以采用真空濺射鍍膜法，如射頻濺射、反應(yīng)濺射制作而成。優(yōu)選上述基板為玻璃、鋼化薄膜或有機(jī)材料制作的硬質(zhì)基板。本發(fā)明在金屬連接橋外側(cè)夾設(shè)了黑色或暗色的低反射膜層，以降低金屬連接橋的光線反射，進(jìn)而降低了操作者覺察金屬連接橋的機(jī)會(huì)，從而改善了操作者對透過電容觸摸屏的顯示畫面的觀看受到反射光影響的問題。


圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例一的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例一中跳線結(jié)構(gòu)的示意圖，即是圖1中3所指部分的局部放大圖；圖3是圖2沿A-A的剖視圖；圖4是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例二的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例二中跳線結(jié)構(gòu)的示意圖，即是圖4中15所指部分的局部放大圖；圖6是圖5沿B-B的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式做進(jìn)一步的說明。實(shí)施例一如圖1、圖2和圖3所示，這種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏，包括一基板1和設(shè)置在基板1內(nèi)側(cè)的感測電極層，感測電極層包括一圖形化透明導(dǎo)電膜2，以及與圖形化透明導(dǎo)電膜2相結(jié)合的跳線結(jié)構(gòu)3。上述圖形化透明導(dǎo)電膜2包括多個(gè)第一電極隊(duì)列，每個(gè)第一電極隊(duì)列由多個(gè)第一電極塊4按第一方向排列而成；在每兩個(gè)相鄰的第一電極隊(duì)列之間定義出的第二電極隊(duì)列配置區(qū)；多個(gè)第二電極隊(duì)列，每個(gè)第二電極隊(duì)列由多個(gè)設(shè)置在第二電極隊(duì)列配置區(qū)的第二電極塊5按不同于第一方向的第二方向排列而成。上述跳線結(jié)構(gòu)3包括底部連接6、絕緣墊塊7和跳線連接8 ；底部連接6附著在所述基板1上；絕緣墊塊7設(shè)于底部連接6的內(nèi)側(cè)；跳線連接8跨過絕緣墊塊7，并與底部連接6交叉設(shè)置。跳線結(jié)構(gòu)3設(shè)置在每個(gè)第一電極隊(duì)列與第二電極隊(duì)列的交錯(cuò)位置；同一第一電極隊(duì)列的相鄰兩個(gè)第一電極塊4通過底部連接6相互連接；相應(yīng)的第二電極隊(duì)列的相鄰兩個(gè)第二電極塊5通過跳線連接8相互連接。底部連接6為由金屬膜形成的金屬連接橋9，跳線連接8則由透明導(dǎo)電膜2直接形成。還包括低反射率膜層10，低反射率膜層10夾置于金屬膜(即底部連接6，或者說金屬連接橋9)與基板1之間，即是低反射率膜層10附著在基板1的內(nèi)側(cè)面上；低反射率膜層10具有與金屬連接橋9重合的圖案，低反射率膜層10的厚度為50 500nm。這種單片式電容觸摸屏還包括周邊線路11、遮掩層12和圖案層13 ；周邊線路11 設(shè)置在第一電極隊(duì)列和第二電極隊(duì)列的周邊，周邊線路11由形成金屬連接橋9的金屬膜形成；遮掩層12和圖案層13依次設(shè)置在周邊線路的外側(cè)。在單片式電容觸摸屏的最內(nèi)側(cè)(背面)還覆蓋一層保護(hù)膜14，保護(hù)膜14可以為無機(jī)材料的鍍膜，如金剛石薄膜、Si02薄膜，也可以為有機(jī)材料的涂布膜，還可以為貼附的塑料保護(hù)膜。上述單片式電容觸摸屏通過在金屬連接橋9的外側(cè)設(shè)置一層低反射率膜層10，降低金屬連接橋9的反射光，使得操作者能夠更清晰地觀看透過電容觸摸屏的顯示畫面，視覺效果良好。如圖1和圖3所示，上述單片式電容觸摸屏的制造方法包括如下步驟步驟一、在基板1內(nèi)側(cè)依次沉積低反射率膜層10和金屬膜；步驟二、對金屬膜和低反射率膜層10進(jìn)行圖形化，金屬膜形成金屬連接橋9和周邊線路11，并且使得低反射率膜層10的圖案與金屬連接橋9和周邊線路11的圖案相重疊；步驟三、在金屬膜的內(nèi)側(cè)涂布絕緣層，并且對絕緣層進(jìn)行圖形化，形成每個(gè)跳線結(jié)構(gòu)3的絕緣墊塊7 ；步驟四、沉積透明導(dǎo)電膜2，并對透明導(dǎo)電膜2進(jìn)行圖形化，形成第一電極隊(duì)列、第二電極隊(duì)列和跳線連接8 ；步驟五、在透明導(dǎo)電膜2的內(nèi)側(cè)涂布一層保護(hù)膜14 ；實(shí)施例二如圖4、圖5和圖6所示，在其它情況均與實(shí)施例一相同的情況下，其區(qū)別在于在本實(shí)施例中，跳線結(jié)構(gòu)15中的底部連接16由透明導(dǎo)電膜17直接形成，而跳線連接18為由金屬膜形成的金屬連接橋19，并且金屬膜采用導(dǎo)電性能良好的材料；在金屬連接橋19的兩端，低反射率膜層20夾置于金屬膜與透明導(dǎo)電膜17之間，在金屬連接橋19的中間，低反射率膜層20夾置于金屬膜與絕緣墊塊21之間。如圖4和圖6所示，上述單片式電容觸摸屏的制造方法包括如下步驟步驟一、在基板22內(nèi)側(cè)沉積透明導(dǎo)電膜17，并對透明導(dǎo)電膜17進(jìn)行圖形化，形成第一電極隊(duì)列、第二電極隊(duì)列和底部連接16。步驟二、在透明導(dǎo)電膜17的內(nèi)側(cè)涂布絕緣層，并且對絕緣層進(jìn)行圖形化，形成每個(gè)跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊21 ；步驟三、在透明導(dǎo)電膜17內(nèi)側(cè)依次沉積低反射率膜層20和金屬膜；
步驟四、對金屬膜和低反射率膜層20進(jìn)行圖形化，金屬膜形成金屬連接橋19和周邊線路23，并且使得低反射率膜層20的圖案與金屬連接橋19和周邊線路23的圖案相重疊。步驟五、在整個(gè)單片式電容觸摸屏的最內(nèi)側(cè)(背面)涂布一層保護(hù)膜24。
權(quán)利要求
1.一種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏，包括一基板和設(shè)置在基板內(nèi)側(cè)的感測電極層，感測電極層包括一圖形化透明導(dǎo)電膜，以及與圖形化透明導(dǎo)電膜相結(jié)合的跳線結(jié)構(gòu)，其特征是所述圖形化透明導(dǎo)電膜包括多個(gè)第一電極隊(duì)列，每個(gè)第一電極隊(duì)列由多個(gè)第一電極塊按第一方向排列而成；在每兩個(gè)相鄰的第一電極隊(duì)列之間定義出的第二電極隊(duì)列配置區(qū)；多個(gè)第二電極隊(duì)列，每個(gè)第二電極隊(duì)列由多個(gè)設(shè)置在第二電極隊(duì)列配置區(qū)的第二電極塊按不同于第一方向的第二方向排列而成；所述跳線結(jié)構(gòu)包括底部連接、絕緣墊塊和跳線連接；底部連接附著在所述基板上；絕緣墊塊設(shè)于底部連接的內(nèi)側(cè)；跳線連接跨過絕緣墊塊，并與底部連接交叉設(shè)置；跳線結(jié)構(gòu)設(shè)置在每個(gè)第一電極隊(duì)列與第二電極隊(duì)列的交錯(cuò)位置；同一第一電極隊(duì)列的相鄰兩個(gè)第一電極塊通過底部連接相互連接；相應(yīng)的第二電極隊(duì)列的相鄰兩個(gè)第二電極塊通過跳線連接相互連接；底部連接或跳線連接的其中一個(gè)由透明導(dǎo)電膜形成，另外一個(gè)則是由金屬膜形成的金屬連接橋；還包括低反射率膜層，低反射率膜層設(shè)置在金屬連接橋上靠近所述基板的一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏，其特征是所述低反射率膜層具有與金屬連接橋重合的圖案。
3.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏，其特征是所述低反射率膜層的厚度為50 500nmo
4.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏，其特征是還包括周邊線路、遮掩層和圖案層；周邊線路設(shè)置在第一電極隊(duì)列和第二電極隊(duì)列的周邊，周邊線路由形成金屬連接橋的金屬膜形成；遮掩層、圖案層設(shè)置在周邊線路的外側(cè)。
5.如權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的電容觸摸屏，其特征是所述金屬連接橋?yàn)榈撞窟B接，所述低反射率膜層夾置于金屬膜與基板之間。
6.如權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的電容觸摸屏，其特征是所述金屬連接橋?yàn)樘€連接；在金屬連接橋的兩端，所述低反射率膜層夾置于金屬膜與透明導(dǎo)電膜之間，在金屬連接橋的中間，所述低反射率膜層夾置于金屬膜與絕緣墊塊之間。
7.如權(quán)利要求6所述的電容觸摸屏，其特征是所述金屬連接橋采用導(dǎo)電性能良好的材料。
8.如權(quán)利要求5所述的具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步驟步驟一、在基板內(nèi)側(cè)依次沉積低反射率膜層和金屬膜；步驟二、對金屬膜和低反射率膜層進(jìn)行圖形化，金屬膜形成金屬連接橋和周邊線路，并且使得低反射率膜層的圖案與金屬連接橋和周邊線路的圖案相重疊；步驟三、在金屬膜的內(nèi)側(cè)涂布絕緣層，并且對絕緣層進(jìn)行圖形化，形成每個(gè)跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊；步驟四、沉積透明導(dǎo)電膜，并對透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，形成第一電極隊(duì)列、第二電極隊(duì)列和跳線連接。
9.如權(quán)利要求6所述的具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步驟步驟一、在基板內(nèi)側(cè)沉積透明導(dǎo)電膜，并對透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，形成第一電極隊(duì)列、第二電極隊(duì)列和底部連接。步驟二、在透明導(dǎo)電膜的內(nèi)側(cè)涂布絕緣層，并且對絕緣層進(jìn)行圖形化，形成每個(gè)跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊；步驟三、在基板內(nèi)側(cè)依次沉積低反射率膜層和金屬膜；步驟四、對金屬膜和低反射率膜層進(jìn)行圖形化，金屬膜形成金屬連接橋和周邊線路，并且使得低反射率膜層的圖案與金屬連接橋和周邊線路的圖案相重疊。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏及其制造方法，這種具有低反射率連接橋的單片式電容觸摸屏，由于在其跳線結(jié)構(gòu)中，金屬連接橋(底部連接或跳線連接)上靠近基板的一側(cè)設(shè)置一層低反射率膜層，即是在金屬連接橋的外側(cè)設(shè)置一層低反射率膜層，降低金屬連接橋的反射光，使得操作者能夠更清晰地觀看透過電容觸摸屏的顯示畫面，視覺效果良好。
文檔編號G06F3/044GK102270078SQ20111024318
公開日2011年12月7日 申請日期2011年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月23日
發(fā)明者呂岳敏, 吳錫淳, 孫楹煌, 朱世健, 林德志, 林鋼, 林鏗, 黃貴松 申請人:汕頭超聲顯示器有限公司