專(zhuān)利名稱(chēng)：一種抑制上電大電流的射頻卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種射頻卡，尤其涉及一種抑制上電大電流的射頻卡，屬于通信領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著移動(dòng)通信終端的日益普及，在手機(jī)中嵌入射頻卡，即射頻-用戶(hù)識(shí)別模塊卡，使人們能夠利用手機(jī)中的RF-SIM卡處理購(gòu)物消費(fèi)、小額支付和考勤等日常事務(wù)，已經(jīng)成為移動(dòng)通信業(yè)界的一個(gè)新的研究和發(fā)展方向。目前，RF-SIM卡安裝在手機(jī)內(nèi)，其由實(shí)現(xiàn)射頻通信功能的電路和現(xiàn)有普通SM卡合為一體成為RF-S頂卡。隨著科技的發(fā)展，小小SM卡需要集成的功能會(huì)不斷增加，由于RF-SIM卡片上電路的不斷增加，射頻卡對(duì)手機(jī)的供電要求也在不斷增加，并且由于手機(jī)供電的限制以及射頻卡內(nèi)電路的容性限制，手機(jī)開(kāi)機(jī)供電過(guò)程中極有可能出現(xiàn)檢測(cè)電流過(guò)大，導(dǎo)致手機(jī)無(wú)法正常開(kāi)機(jī)的問(wèn)題出現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種抑制上電大電流的射頻卡，使得在上電過(guò)程中脈沖電流得到抑制，從而保證卡片上電電流在手機(jī)允許的范圍內(nèi)，使手機(jī)正常開(kāi)機(jī)。本發(fā)明的一種抑制上電大電流的射頻卡,包括射頻卡本體和電流緩沖電路,所述射頻卡本體上的各電路通過(guò)電流緩沖電路與手機(jī)的電源相連接，所述電流緩沖電路減緩手機(jī)的電源為射頻卡本體上的各電路供電時(shí)電壓的上電速率和上電電流峰值。本發(fā)明的有益效果是:
采用本發(fā)明技術(shù)方案，有效避免了手機(jī)檢測(cè)電流過(guò)大產(chǎn)生無(wú)法開(kāi)機(jī)的問(wèn)題。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，在不改變?cè)须娐方Y(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，消除了因電路功能增加而導(dǎo)致片上電電流過(guò)大的隱患。進(jìn)一步，所述電流緩沖電路設(shè)置在射頻卡本體上。所述電路的工作原理是這樣的:當(dāng)VCC通電以后，MOS管的柵極電壓與VCC相等，此時(shí)VGS=O,管子不能導(dǎo)通，漏極沒(méi)有電壓輸出；隨著電容的充電(充電時(shí)間由RC決定)，VGS的電壓差在增大，當(dāng)VGS的壓差到達(dá)MOS管的開(kāi)啟電壓VP時(shí)，管子導(dǎo)通，從而漏極輸出電壓，給卡片電路供電。當(dāng)沒(méi)有這個(gè)電容時(shí)，VCC的電壓直接通過(guò)電阻分壓到MOS管的柵極，從而直接形成VGS的壓差，幾乎是瞬時(shí)完成，所以MOS管就直接導(dǎo)通，就沒(méi)有起到延緩電壓上升的作用。進(jìn)一步，所述電流緩沖電路包括PMOS管和用于調(diào)節(jié)輸出電壓上升時(shí)間的控制電路，所述PMOS管的漏極接射頻卡本體上的各電路的輸入端，所述PMOS管的源極接手機(jī)電源，所述控制電路設(shè)于PMOS管的柵極和源極之間，控制PMOS管的電壓上升時(shí)間。進(jìn)一步，所述控制電路包括第一偏置電阻、第二偏置電阻和一個(gè)并聯(lián)電容，其中第一偏置電阻與電容并聯(lián)后與第二偏置電阻串聯(lián)，所述第二偏置電阻的另一端接地，所述并聯(lián)的電容和第一偏置電阻與第二偏置電阻串聯(lián)的一端與PMOS管的柵極相連接，所述并聯(lián)的電容和第一偏置電阻的另一端與PMOS管的源極相連接。
改變所述并聯(lián)的第一偏置電阻和電容其中一個(gè)或兩個(gè)的大小，可調(diào)節(jié)輸出到射頻卡本體上的各電路的電壓的上電速率，在沒(méi)有加電流緩沖電路之前，SIM卡的電壓上升斜率為kl，加入電流緩沖電路之后，輸出電壓的上升速率變?yōu)閗2，kl>k2，如圖3所示，由積分方程可知
i=C*d(v)/d(t)
由此可知:
U=C 木 d(vl)/d(t)=C*kl i2=C*d(v2)/d(t)=C*k2
所以，未加電流緩沖電路12前后的電流峰值il〈i2，如圖4所示，峰值電流得到了有效控制?？梢哉{(diào)節(jié)控制電路中的電阻或者電容值，或連接不同的后端電路，都可控制在手機(jī)的最大負(fù)載電流，保證手機(jī)正常開(kāi)機(jī)。


圖1為本發(fā)明所述的射頻卡的結(jié)構(gòu) 圖2為本發(fā)明所述的射頻 的電流緩沖電路電路 圖3為本發(fā)明實(shí)施例中加入緩沖電路前后的輸出電壓示意 圖4為本發(fā)明實(shí)施例中加入緩沖電路前后的上電電流示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。如圖1所示，本發(fā)明具體實(shí)施例1所述的一種抑制上電大電流的射頻卡，包括射頻卡本體上的各電路3和電流緩沖電路2，所述射頻卡本體上的各電路3通過(guò)電流緩沖電路2與手機(jī)的電源I相連接，所述電流緩沖電路2減緩手機(jī)的電源為射頻卡本體上的各電路3供電時(shí)電壓的上電速率。如圖2所示,所述電流緩沖電路2為電流緩沖電路,所述電流緩沖電路包括PMOS管21和用于調(diào)節(jié)輸出電壓上升時(shí)間的控制電路22，所述PMOS管21的漏極接射頻卡本體上的各電路3，所述所述PMOS管21的源極接手機(jī)電源I，所述控制電路22設(shè)于PMOS管21的柵極和源極之間控制PMOS管21的電壓上升時(shí)間。所述控制電路22包括第一偏置電阻R2、第二偏置電阻Rl和一個(gè)并聯(lián)電容組成，所述第一偏置電阻R2與電容并聯(lián)后與第二偏置電阻Rl串聯(lián)，所述第二偏置電阻Rl的另一端接地，所述并聯(lián)的電容和第一偏置電阻R2與第二偏置電阻Rl串聯(lián)的一端與PMOS管21的柵極相連接，所述并聯(lián)的電容和第一偏置電阻R2的另一端與PMOS管21的源極相連接。改變所述并聯(lián)的第一偏置電阻R2和電容其中一個(gè)或兩個(gè)的大小，可調(diào)節(jié)輸出到射頻卡本體上的各電路3的電壓的上電時(shí)間。
如圖3、4所示，改變所述并聯(lián)的第一偏置電阻R2和電容其中一個(gè)或兩個(gè)的大小，可調(diào)節(jié)輸出到射頻卡本體上的各電路的電壓的上電速率，在沒(méi)有加電流緩沖電路之前，射頻卡的電壓上升斜率為kl，加入電流緩沖電路之后，輸出電壓的上升速率變?yōu)閗2，kl>k2,由積分方程可知
i=C*d(v)/d(t)
由此可知:
U=C*d(vl)/d(t)=C*kl
i2=C*d(y2)/d(t)=enc2
所以，未加電流緩沖電路12前后的電流峰值il〈i2，峰值電流得到了有效控制。以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種抑制上電大電流的射頻卡，包括射頻卡本體，其特征在于，還包括電流緩沖電路，所述射頻卡本體上的各電路通過(guò)電流緩沖電路與手機(jī)的電源相連接，所述電流緩沖電路減緩手機(jī)的電源為射頻卡本體上的各電路供電時(shí)電壓的上電速率和上電電流峰值。
2.按照權(quán)利要求1所述的射頻卡，其特征在于，所述電流緩沖電路設(shè)置在射頻卡本體上。
3.按照權(quán)利要求2所述的射頻卡，其特征在于，所述電流緩沖電路包括PMOS管和用于調(diào)節(jié)輸出電壓上升時(shí)間的控制電路，所述PMOS管的漏極接射頻卡本體上的各電路的輸入端，所述PMOS管的源極接手機(jī)電源電路輸出端，所述控制電路設(shè)于PMOS管的柵極和源極之間控制PMOS管的電壓上升時(shí)間。
4.按照權(quán)利要求3任一項(xiàng)所述的射頻卡，其特征在于，所述控制電路包括第一偏置電阻、第二偏置電阻和一個(gè)并聯(lián)電容，所述第一偏置電阻與電容并聯(lián)后與第二偏置電阻串聯(lián)，所述第二偏置電阻的另一端接地，所述并聯(lián)的電容和第一偏置電阻與第二偏置電阻串聯(lián)的一端與PMOS管的柵極相連接，所述并聯(lián)的電容和第一偏置電阻的另一端與PMOS管的源極相連接。
全文摘要
本發(fā)明所述的一種抑制上電大電流的射頻卡，包括射頻卡本體和電流緩沖電路，所述射頻卡本體上的各電路通過(guò)電流緩沖電路與手機(jī)的電源相連接，所述電流緩沖電路減緩手機(jī)的電源為射頻卡本體上的各電路供電時(shí)電壓的上電速率和上電電流峰值。本發(fā)明的有益效果是采用本發(fā)明技術(shù)方案，有效避免了手機(jī)檢測(cè)電流過(guò)大產(chǎn)生無(wú)法開(kāi)機(jī)的問(wèn)題。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，在不改變?cè)须娐方Y(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，消除了因電路功能增加而導(dǎo)致片上電電流過(guò)大的隱患。
文檔編號(hào)G06K19/07GK103164727SQ201110426640
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2011年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者申秀美 申請(qǐng)人:國(guó)民技術(shù)股份有限公司