專(zhuān)利名稱(chēng)：無(wú)源電子標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種無(wú)源電子標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
目前，電子標(biāo)簽技術(shù)廣泛應(yīng)用于很多領(lǐng)域，比如物流管理領(lǐng)域，醫(yī)療產(chǎn)業(yè)，貨物和危險(xiǎn)品的追蹤管理監(jiān)控，航空工業(yè)，強(qiáng)制性的檢驗(yàn)產(chǎn)品，證件防偽，路橋的不停車(chē)收費(fèi)，電子門(mén)票等方面。按照電子標(biāo)簽供電系統(tǒng)的不同結(jié)構(gòu)，電子標(biāo)簽主要分為有源標(biāo)簽、半有源標(biāo)簽和無(wú)源標(biāo)簽。有源標(biāo)簽和半有源標(biāo)簽具有外置的電池，通過(guò)外置的電池為標(biāo)簽芯片的工作提供能量。無(wú)源標(biāo)簽依靠閱讀器的射頻信號(hào)提供能量使其工作，無(wú)源標(biāo)簽有著成本低和大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)有的無(wú)源電子標(biāo)簽中存在以下結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的缺陷其一在現(xiàn)有技術(shù)中，芯片一般直接暴露在基材表面。因此，電子標(biāo)簽容易受到外界環(huán)境(如濕氣或者高溫等)的影響，并且電子標(biāo)簽在搬運(yùn)或安裝過(guò)程中容易受到磨損。其二 在生產(chǎn)過(guò)程中，電子標(biāo)簽常常會(huì)具有一定的頻率偏移，并且難以進(jìn)行糾正。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種能解決至少一種上述弊端的無(wú)源電子標(biāo)簽。在一個(gè)方案中，無(wú)源電子標(biāo)簽包括輻射面(1)；第二基材(3)，位于所述輻射面 (1)的下方；接地面(11)，位于所述第二基材(3)的下方；其特征在于所述無(wú)源電子標(biāo)簽還包括第一基材O)，位于所述輻射面(1)與所述第二基材( 之間；開(kāi)孔(1 ，穿過(guò)所述輻射面(1)和所述第一基材O)；標(biāo)簽芯片(12)，位于所述第二基材C3)的上表面與所述第一基材O)的下表面之間，且位于所述開(kāi)孔(1 中；第一通孔單元(4)和第二通孔單元(5)， 分別位于所述輻射面(1)、所述第一基材O)、所述第二基材(3)以及所述接地面(11)的兩側(cè)，由多個(gè)第二通孔構(gòu)成，所述多個(gè)第二通孔穿過(guò)所述第一基材( 和所述第二基材(3)電氣連接所述輻射面(1)和所述接地面(11)；第一邦定通孔(7)和第二邦定通孔(8)，穿過(guò)所述標(biāo)簽芯片(12)、所述第一基材O)以及所述輻射面(1)而不穿過(guò)所述接地面(11)；第一饋線(xiàn)(9)與第二饋線(xiàn)(10)，分列在所述標(biāo)簽芯片(12)的兩側(cè)，邦定所述標(biāo)簽芯片(12)，并通過(guò)所述第一邦定通孔(7)和所述第二邦定通孔(8)連接所述輻射面(1)。在另一個(gè)方案中，無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于包括調(diào)諧通孔(6)，位于所述無(wú)源電子標(biāo)簽的表面上，用于調(diào)節(jié)所述無(wú)源電子標(biāo)簽的頻率，所述調(diào)諧通孔(6)由多個(gè)第一通孔構(gòu)成。本實(shí)用新型提高了標(biāo)簽對(duì)芯片數(shù)據(jù)的保護(hù)能力，且對(duì)于因?yàn)樯a(chǎn)誤差造成的頻率偏移進(jìn)行糾正。

圖1是無(wú)源電子標(biāo)簽100的分解透視圖；[0011]圖2是無(wú)源電子標(biāo)簽100的整體示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。在第一實(shí)施例中，參照?qǐng)D1和圖2，本實(shí)用新型公開(kāi)的一種無(wú)源電子標(biāo)簽包括輻射面1，第一基材2，第二基材3，接地面11，標(biāo)簽芯片12，圓形開(kāi)孔13，第一通孔單元4，第二通孔單元5，第一邦定通孔7，第二邦定通孔8，第一饋線(xiàn)9，第二饋線(xiàn)10。此外，無(wú)源電子標(biāo)簽的第一基材2位于輻射面1的下方，第二基材3位于第一基材 2的下方，接地面11位于第二基材3的下方，輻射面1和第一基材2有該圓形開(kāi)孔13，標(biāo)簽芯片12位于該圓形開(kāi)孔13中，也即第二基材3的上表面與第一基材2的下表面之間。第一通孔單元4和第二通孔單元5分別位于輻射面1、第一基材2、第二基材3以及接地面11 的兩側(cè)，由若干個(gè)直徑例如0. 2mm-l. 5mm的第二通孔構(gòu)成，第二通孔穿過(guò)第一基材2和第二基材3電氣連接輻射面1和接地面4。第一邦定通孔7和第二邦定通孔8分別穿過(guò)標(biāo)簽芯片12、第一基材2以及輻射面1，從而第一邦定通孔7可連接第一饋線(xiàn)9，第二邦定通孔8可連接第二饋線(xiàn)10，但是第一邦定通孔7和第二邦定通孔8沒(méi)有連接到接地面11，接地面11 處做鏤空防止連接。第一邦定通孔7和第二邦定通孔8也可穿過(guò)第二基材3，這么做的主要原因是，如果不穿過(guò)第二基材2，加工工藝比較復(fù)雜，制造價(jià)格較高，當(dāng)然也可根據(jù)具體情況選擇不穿過(guò)第二基材3。第一饋線(xiàn)9和第二饋線(xiàn)10位于第二基材3的上表面，分列在標(biāo)簽芯片12兩側(cè)，標(biāo)簽芯片12邦定到第一饋線(xiàn)9和第二饋線(xiàn)10上，第一饋線(xiàn)9和第二饋線(xiàn)10 通過(guò)第一邦定通孔7和第二調(diào)諧通孔邦定通孔8連接輻射面1。此外，標(biāo)簽芯片12優(yōu)選位于圓形開(kāi)孔13中央，然而可以略有偏移。此外，雖然在本實(shí)施例中開(kāi)孔13為圓形，然而本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，開(kāi)孔可以是任何其它形狀，例如正方形、長(zhǎng)方形或多邊形，只要其能容納標(biāo)簽芯片12即可。由于本實(shí)用新型將標(biāo)簽芯片埋入基材的開(kāi)孔當(dāng)中，從而可以有效保護(hù)標(biāo)簽芯片不受外界環(huán)境的影響，并且可以對(duì)常規(guī)磨損有很高的耐受能力，提高了電子標(biāo)簽對(duì)標(biāo)簽芯片數(shù)據(jù)的保護(hù)能力。在第二實(shí)施例中，本實(shí)用新型的無(wú)源電子標(biāo)簽可包括調(diào)諧通孔6。調(diào)諧通孔6位于無(wú)源電子標(biāo)簽的表面上，用于調(diào)節(jié)無(wú)源電子標(biāo)簽的頻率，調(diào)諧通孔6由多個(gè)第一通孔構(gòu)成。本實(shí)用新型的無(wú)源電子標(biāo)簽還包括輻射面1 ；第一基材2，位于輻射面1的下方； 第二基材3，位于第一基材2的下方；接地面11，位于第二基材3的下方；標(biāo)簽芯片12，位于第二基材3的上表面與第一基材2的下表面之間；其中，調(diào)諧通孔6位于輻射面1、第一基材2、第二基材3以及接地面11上，由每邊例如7個(gè)直徑0. 2mm-l. 5mm的第一通孔構(gòu)成，調(diào)諧通孔6穿過(guò)第一基材2和第二基材3電氣連接輻射面1和接地面4。本實(shí)用新型的無(wú)源電子標(biāo)簽還可包括第一通孔單元4，第二通孔單元5，，第一邦定通孔7，第二邦定通孔8，第一饋線(xiàn)9，第二饋線(xiàn)10。第一通孔單元4和第二通孔單元5分別位于輻射面1、第一基材2、第二基材3以及接地面11的兩側(cè)，由若干個(gè)直徑例如0. 2mm 的第二通孔構(gòu)成，第二通孔穿過(guò)第一基材2和第二基材3電氣連接輻射面1和接地面4。第一邦定通孔7和第二邦定通孔8分別穿過(guò)標(biāo)簽芯片12、第一基材2以及輻射面1，從而第一邦定通孔7可連接第一饋線(xiàn)9，第二邦定通孔8可連接第二饋線(xiàn)10，但是第一邦定通孔7和第二邦定通孔8沒(méi)有連接到接地面11，接地面11處做鏤空防止連接。第一邦定通孔7和第二邦定通孔8也可穿過(guò)第二基材3，這么做的主要原因是，如果不穿過(guò)第二基材2，加工工藝比較復(fù)雜，制造價(jià)格較高，當(dāng)然也可根據(jù)具體情況選擇不穿過(guò)第二基材3。第一饋線(xiàn)9和第二饋線(xiàn)10位于第二基材3的上表面，分列在標(biāo)簽芯片12兩側(cè)，標(biāo)簽芯片12邦定到第一饋線(xiàn)9和第二饋線(xiàn)10上，第一饋線(xiàn)9和第二饋線(xiàn)10通過(guò)第一邦定通孔7和第二調(diào)諧通孔邦定通孔8連接輻射面1。此外，調(diào)諧通孔6優(yōu)選位于輻射面1、第一基材2、第二基材3以及接地面11上的與第二通孔單元5垂直且與第二通孔單元5相鄰的兩邊上。然而，調(diào)諧通孔6也可以與第一通孔單元4相鄰，也可以放置在中心線(xiàn)附近。并且，調(diào)諧通孔還可以?xún)H放置在一邊或多邊上(如將附圖1中一邊的調(diào)諧通孔6去除，僅保留一邊)。此外，調(diào)諧通孔6的分布優(yōu)選為等距均勻分布。此外，第一饋線(xiàn)9和第二饋線(xiàn)10為契合的多邊形，二者的距離大于等于芯片12的引腳寬度，優(yōu)選為恰好方便安裝芯片12的引腳寬度。此外，第一基材2厚度大于標(biāo)簽芯片12的厚度并小于3mm。此外，輻射面1、接地面11、第一通孔單元4、第二通孔單元5、調(diào)諧通孔6、第一邦定通孔7，第二邦定通孔8、第一饋線(xiàn)9、第二饋線(xiàn)10的材料均為金屬，例如為銅。此外，第一基材2和第二基材3由介電常數(shù)為2 150的介電材料構(gòu)成。由于采用通孔配合調(diào)諧通孔的設(shè)計(jì)，從而可以對(duì)于因?yàn)樯a(chǎn)誤差造成的頻率偏移進(jìn)行糾正。在本實(shí)用新型中，調(diào)諧通孔的調(diào)諧原理為使用專(zhuān)用工具，通過(guò)破壞調(diào)諧通孔中的金屬層，使得調(diào)諧通孔不再能夠連接輻射面和接地面，它將使得標(biāo)簽諧振頻率下降。調(diào)試(前文“破壞”)調(diào)諧通孔的順序的一個(gè)例子為從遠(yuǎn)離第二通孔單元的調(diào)諧通孔開(kāi)始，不斷增加調(diào)試，左右調(diào)諧通孔對(duì)稱(chēng)同步調(diào)試，諧振頻率不斷下降。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，在設(shè)計(jì)之初，讓目標(biāo)頻率在處于調(diào)試到中部的幾個(gè)調(diào)諧通孔的位置，即所述多個(gè)第一通孔的中部的第一通孔。因?yàn)樵趯?shí)際生產(chǎn)中，會(huì)存在很大參數(shù)上的原因，使得實(shí)際頻率和目標(biāo)頻率不一致，所以使用這種方法就可以使得標(biāo)簽諧振于目標(biāo)頻率。此外，本發(fā)明還包括將第一實(shí)施例和第二實(shí)施例結(jié)合的技術(shù)方案。本實(shí)用新型中的無(wú)源電子標(biāo)簽較佳適用于航空工業(yè)，尤其可采用對(duì)質(zhì)量要求嚴(yán)格的用于航空零部件制訂的SAE AS5678標(biāo)準(zhǔn)，因此不但符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，還實(shí)現(xiàn)了適應(yīng)各種環(huán)境條件、適應(yīng)金屬表面及防火等性能。另外，由于可以支持各個(gè)國(guó)家規(guī)定的不同頻段，所以在世界各國(guó)均可使用。在本實(shí)用新型中，標(biāo)簽的進(jìn)步性在于，采用開(kāi)孔將芯片埋入基材當(dāng)中，可以有效保護(hù)芯片不受外界環(huán)境的影響，并且可以對(duì)常規(guī)磨損有很高的耐受能力，提高了標(biāo)簽對(duì)芯片數(shù)據(jù)的保護(hù)能力。進(jìn)一步而言，本實(shí)用新型還采用通孔配合調(diào)諧通孔的設(shè)計(jì)，可以對(duì)于因?yàn)樯a(chǎn)誤差造成的頻率偏移進(jìn)行糾正。上面以實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了說(shuō)明，但需要說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而并非是對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制。盡管參照以上優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了盡可能詳盡的說(shuō)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，仍然屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。只要對(duì)本實(shí)用新型所做的任何改進(jìn)或變型，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求主張保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種無(wú)源電子標(biāo)簽，包括輻射面⑴；第二基材(3)，位于所述輻射面(1)的下方；接地面(11)，位于所述第二基材(3)的下方；其特征在于所述無(wú)源電子標(biāo)簽還包括第一基材O)，位于所述輻射面(1)與所述第二基材C3)之間；開(kāi)孔(13)，穿過(guò)所述輻射面(1)和所述第一基材O)；標(biāo)簽芯片(12)，位于所述第二基材C3)的上表面與所述第一基材( 的下表面之間，且位于所述開(kāi)孔(13)中；第一通孔單元(4)和第二通孔單元(5)，分別位于所述輻射面(1)、所述第一基材O)、 所述第二基材(3)以及所述接地面(11)的兩側(cè)，由多個(gè)第二通孔構(gòu)成，所述多個(gè)第二通孔穿過(guò)所述第一基材⑵和所述第二基材⑶電氣連接所述輻射面⑴和所述接地面(11)；第一邦定通孔(7)和第二邦定通孔(8)，穿過(guò)所述標(biāo)簽芯片(12)、所述第一基材O)以及所述輻射面(1)而不穿過(guò)所述接地面(11)；第一饋線(xiàn)(9)與第二饋線(xiàn)(10)，分列在所述標(biāo)簽芯片(12)的兩側(cè)，邦定所述標(biāo)簽芯片 (12)，并通過(guò)所述第一邦定通孔(7)和所述第二邦定通孔⑶連接所述輻射面(1)。
2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于，還包括調(diào)諧通孔(6)，位于所述輻射面(1)、所述第一基材O)、所述第二基材(3)以及所述接地面(11)上，用于調(diào)節(jié)所述無(wú)源電子標(biāo)簽的頻率，所述調(diào)諧通孔(6)由多個(gè)第一通孔構(gòu)成， 所述多個(gè)第一通孔穿過(guò)所述第一基材( 和所述第二基材(3)電氣連接所述輻射面(1)和所述接地面(11)。
3.如權(quán)利要求2所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于，所述調(diào)諧通孔(6)位于所述輻射面 (1)、所述第一基材O)、所述第二基材(3)以及所述接地面(11)上的與所述第二通孔單元 (5)垂直且與所述第二通孔單元( 相鄰的兩邊上。
4.如權(quán)利要求1所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述開(kāi)孔(13)是圓形、正方形、長(zhǎng)方形或多邊形。
5.如權(quán)利要求2所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述無(wú)源電子標(biāo)簽的目標(biāo)頻率是由所述多個(gè)第一通孔的中部的第一通孔來(lái)調(diào)試得到的。
6.如權(quán)利要求3所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述第二通孔的直徑為 0. 2mm-1. 5mm。
7.如權(quán)利要求3所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述第一通孔在所述兩邊上每邊7 個(gè)，直徑為 0. 2mm-1. 5mm。
8.如權(quán)利要求3所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述第一饋線(xiàn)(9)和所述第二饋線(xiàn) (10)為契合的多邊形，所述第一饋線(xiàn)(9)和所述第二饋線(xiàn)(10)的距離大于等于所述標(biāo)簽芯片(12)的引腳寬度。
9.如權(quán)利要求1所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述第一基材(2)厚度大于所述標(biāo)簽芯片(12)的厚度并小于3mm。
10.如權(quán)利要求3所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述輻射面(1)、第一通孔單元 (4)、第二通孔單元( 、調(diào)諧通孔(6)、第一邦定通孔(7)，第二邦定通孔(8)、所述第一饋線(xiàn) (9)、所述第二饋線(xiàn)(10)、所述接地面(11)的材料均為銅、鋁或者銀。
11.如權(quán)利要求1所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述第一基材( 和所述第二基材(3)由介電常數(shù)為2 150的介電材料構(gòu)成。
12.一種無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于包括調(diào)諧通孔(6)，位于所述無(wú)源電子標(biāo)簽的表面上，用于調(diào)節(jié)所述無(wú)源電子標(biāo)簽的頻率， 所述調(diào)諧通孔(6)由多個(gè)第一通孔構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求12所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于，還包括 輻射面⑴；第一基材O)，位于所述輻射面(1)的下方； 第二基材(3)，位于所述第一基材O)的下方； 接地面(11)，位于所述第二基材(3)的下方；標(biāo)簽芯片(12)，位于所述第二基材(3)的上表面與所述第一基材O)的下表面之間， 其中，所述調(diào)諧通孔(6)位于所述輻射面(1)、所述第一基材O)、所述第二基材(3)以及所述接地面(11)上，所述多個(gè)第一通孔穿過(guò)所述第一基材( 和所述第二基材(3)電氣連接所述輻射面(1)和所述接地面(11)。
14.如權(quán)利要求13所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于，還包括第一通孔單元(4)和第二通孔單元(5)，分別位于所述輻射面(1)、所述第一基材O)、 所述第二基材(3)以及所述接地面(11)的兩側(cè)，由多個(gè)第二通孔構(gòu)成，所述多個(gè)第二通孔穿過(guò)所述第一基材⑵和所述第二基材⑶電氣連接所述輻射面⑴和所述接地面(11)； 第一邦定通孔(7)和第二邦定通孔(8)，穿過(guò)所述標(biāo)簽芯片(12)、所述第一基材O)以及所述輻射面(1)而不穿過(guò)所述接地面(11)；第一饋線(xiàn)(9)與第二饋線(xiàn)(10)，分列在所述標(biāo)簽芯片(12)的兩側(cè)，邦定所述標(biāo)簽芯片 (12)，并通過(guò)所述第一邦定通孔(7)和所述第二邦定通孔(8)連接所述輻射面(1)，其中，所述調(diào)諧通孔(6)位于所述輻射面(1)、所述第一基材O)、所述第二基材(3)以及所述接地面(11)上的與所述第二通孔單元( 垂直且與所述第二通孔單元( 相鄰的兩邊上。
15.如權(quán)利要求12所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述無(wú)源電子標(biāo)簽的目標(biāo)頻率是由所述多個(gè)第一通孔的中部的第一通孔來(lái)調(diào)試得到的。
16.如權(quán)利要求14所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述第二通孔的直徑為 0. 2mm-1. 5mm。
17.如權(quán)利要求14所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述第一通孔在所述兩邊上每邊 7 個(gè)，直徑為 0. 2mm-1. 5mm。
18.如權(quán)利要求14所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述第一饋線(xiàn)(9)和所述第二饋線(xiàn)(10)為契合的多邊形，所述第一饋線(xiàn)(9)和所述第二饋線(xiàn)(10)的距離大于等于所述標(biāo)簽芯片(12)的引腳寬度。
19.如權(quán)利要求14所述的無(wú)源電子標(biāo)簽，其特征在于所述輻射面(1)、第一通孔單元(4)、第二通孔單元( 、調(diào)諧通孔(6)、第一邦定通孔(7)，第二邦定通孔(8)、所述第一饋線(xiàn) (9)、所述第二饋線(xiàn)(10)、所述接地面(11)的材料均為銅、鋁或者銀。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種無(wú)源電子標(biāo)簽，包括輻射面、位于輻射面下方的第二基材；位于第二基材下方的接地面；位于輻射面與第二基材之間的第一基材；開(kāi)孔，穿過(guò)輻射面和第一基材；標(biāo)簽芯片，位于第二基材的上表面與第一基材的下表面之間且位于開(kāi)孔中；第一和第二通孔單元，分別位于輻射面、第一基材、第二基材以及接地面兩側(cè)，由多個(gè)第二通孔構(gòu)成，第二通孔穿過(guò)第一和第二基材電氣連接輻射面和接地面；第一和第二邦定通孔，穿過(guò)標(biāo)簽芯片、第一基材以及輻射面而不穿過(guò)接地面；第一與第二饋線(xiàn)，分列在標(biāo)簽芯片兩側(cè)，邦定標(biāo)簽芯片并通過(guò)第一和第二邦定通孔連接輻射面。本實(shí)用新型提高標(biāo)簽對(duì)芯片數(shù)據(jù)的保護(hù)能力，且對(duì)因生產(chǎn)誤差造成的頻率偏移進(jìn)行糾正。
文檔編號(hào)G06K19/077GK202084069SQ20112018798
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月3日
發(fā)明者劉智佳 申請(qǐng)人:劉智佳