專利名稱：觸控裝置結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及觸控技術(shù)，特別是ー種觸控裝置結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電子裝置包括輸出與輸入裝置介面，以提供人與電子裝置的互動。在輸入裝置介面方面，因為電子材料的快速發(fā)展，觸控式輸入裝置介面已成為目前的主流。傳統(tǒng)的按鍵式輸入裝置，在未來都可能被觸控式輸入裝置所取代。用以達(dá)到觸控輸入功能的觸控裝置可以分為電阻式與電容式、電感式、聲波式、光學(xué)式等。然，前述不同的觸控裝置在使用時，均容易受到外界的信號干擾而產(chǎn)生誤操作。請參照圖1，為傳統(tǒng)的觸控電路的平面透視圖。如圖I所示，傳統(tǒng)的觸控裝置I主要包括感測電極結(jié)構(gòu)12與周邊連接線13。感測電極結(jié)構(gòu)12所涵蓋的區(qū)域定義為觸控區(qū)域，用以感測使用者的觸控操作。周邊連接線13電性連接感測電極結(jié)構(gòu)12，且周邊連接線·[0004]當(dāng)人手(或其他導(dǎo)電體)碰到觸控裝置I時，觸控裝置的感測電極結(jié)構(gòu)12由于人手的觸碰產(chǎn)生電容變化并經(jīng)由周邊連接線13而將感測電極結(jié)構(gòu)12所產(chǎn)生的電容變化傳遞至外部的檢測電路。檢測電路可以檢測到該電容變化而計算出人手所碰到的座標(biāo)。然而，該電容變化也很容易受到外部的訊號干擾等因素，而導(dǎo)致所述電容變化發(fā)生不正常改變，從而造成觸控裝置的誤動作。特別是當(dāng)人手因持握或誤碰觸控裝置I的周邊連接線13所在的區(qū)域時，周邊連接線13本身亦會產(chǎn)生干擾電容變化而干擾到周邊連接線13從感測電極結(jié)構(gòu)12所接收的電容變化，該干擾電容變化將與感測電極結(jié)構(gòu)12上產(chǎn)生的電容變化一并輸出至外部的檢測電路，因此，外部的檢測電路將不能準(zhǔn)確地檢測出感測電極結(jié)構(gòu)12上產(chǎn)生的電容變化以及產(chǎn)生電容變化的位置。如圖2所示，當(dāng)人手碰到A點的位置時，有可能因為上述或其他干擾，而使得上述傳統(tǒng)的觸控裝置I之檢測電路可能誤判被人手所碰到的位置為B點。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，利用設(shè)置于復(fù)數(shù)個周邊連接線處的屏蔽層，配合接地接觸線，可以屏蔽訊號的干擾等因素所造成的誤動作，并借此提高觸控裝置結(jié)構(gòu)的靈敏度與準(zhǔn)確性。根據(jù)上述的目的，本實用新型提供一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，其包括感測電極結(jié)構(gòu)、屏蔽層、復(fù)數(shù)個周邊連接線與接地接觸線。屏蔽層包圍感測電極結(jié)構(gòu)之周邊。復(fù)數(shù)個周邊連接線位于所述屏蔽層下方，且電性連接感測電極結(jié)構(gòu)。接地接觸線電性連接屏蔽層。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述感測電極結(jié)構(gòu)位于一基板之下表面。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一絕緣層，位于所述基板之下表面，且夾設(shè)于所述基板與所述屏蔽層之間。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第一絕緣圖形，設(shè)置于所述屏蔽層與所述周邊連接線之間，用以絕緣所述屏蔽層與所述周邊連接線。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括ー絕緣保護(hù)層，覆蓋于所述感測電極結(jié)構(gòu)、所述周邊連接線與所述接地接觸線之表面。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接地接觸線環(huán)繞于所述周邊連接線之周邊。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述感測電極結(jié)構(gòu)更包括一導(dǎo)電圖形、一第二絕緣圖形以及復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線，且所述第二絕緣圖形設(shè)置于所述導(dǎo)電圖形與所述導(dǎo)電跨線之間。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu) ，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形包含復(fù)數(shù)個彼此獨立的第一軸向?qū)щ妴卧偷诙S向?qū)щ妴卧宜龅诙S向?qū)щ妴卧厮鲚S向相互連接，所述第一軸向?qū)щ妴卧伤鰧?dǎo)電跨線連接。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述感測電極結(jié)構(gòu)更包括一第一軸向?qū)щ妶D形、一第二絕緣圖形以及ー第二軸向?qū)щ妶D形。所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二絕緣圖形夾設(shè)于第一軸向?qū)щ妶D形與第二軸向?qū)щ妶D形之間。綜上所述，本實用新型所提供的觸控裝置結(jié)構(gòu)可以屏蔽訊號干擾，避免誤操作的產(chǎn)生，藉此提升觸控電路運作的可靠性。

下面結(jié)合具體實施方式
及附圖，對本實用新型作進(jìn)ー步詳細(xì)說明。圖I為傳統(tǒng)的觸控電路的平面透視圖。圖2為傳統(tǒng)的觸控電路之誤動作的示意圖。圖3為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖4為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的另ー實施例的剖面圖。圖5為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之絕緣層的示意圖。圖6為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖7A為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之導(dǎo)電圖形與屏蔽層的示意圖。圖7B為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之第一絕緣圖形與第二絕緣圖形的示意圖。圖7C為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線、復(fù)數(shù)個周邊連接線與接地接觸線的示意圖。圖7D為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的平面透視圖。圖8A為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖SB為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之第一軸向?qū)щ妶D形與屏蔽層的示意圖。圖SC為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之第一絕緣圖形與第二絕緣圖形的示意圖。圖8D為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之第二軸向?qū)щ妶D形、復(fù)數(shù)個周邊連接線與接地接觸線的示意圖。圖8E為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的平面透視圖。圖9為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。圖10為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。圖11為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。
具體實施方式
為使熟習(xí)本實用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域之一般技藝者能更進(jìn)一歩了解本實用新型，下文特列舉本實用新型之?dāng)?shù)個較佳實施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說明本實用新型的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成之功效?！灿|控裝置結(jié)構(gòu)的實施例〕為使能更進(jìn)步了解本實用新型之特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本實用新型之詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅系用來說明本實用新型，而非對本實用新型的權(quán)利范圍作任何的限制。請參照圖3，為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。觸控裝置結(jié)構(gòu)3主要包括基板30、感測電極結(jié)構(gòu)32、屏蔽層33、復(fù)數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36。其中，感測電極結(jié)構(gòu)32位于基板30的下表面，且被感測電極結(jié)構(gòu)32覆蓋的區(qū)域定義為觸控 區(qū)域，未為被其覆蓋的區(qū)域為周邊區(qū)域。屏蔽層33也覆蓋于基板30的下表面，包圍感測電極結(jié)構(gòu)32之復(fù)數(shù)側(cè)，且位于周邊區(qū)域。復(fù)數(shù)個周邊連接線35位于屏蔽層33下方，且電性連接于感測電極結(jié)構(gòu)32。接地接觸線36位于屏蔽層33下方，且電性連接屏蔽層33。接地接觸線36環(huán)繞于復(fù)數(shù)個周邊連接線35周邊。另，于屏蔽層33與周邊連接線35之間設(shè)置一第一絕緣圖形34，以使屏蔽層33與周邊連接線35之間相互絕緣。請參照圖4，為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的另ー實施例之剖面圖。在基板30下表面的周邊區(qū)域設(shè)置絕緣層31，使絕緣層31夾設(shè)于基板30與屏蔽層33之間。另，于感測電極結(jié)構(gòu)32、周邊連接線35與接地接觸線36表面覆蓋絕緣保護(hù)層37，以防止其在后續(xù)組裝過程中的受到損傷。請參照圖5，為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之絕緣層31的示意圖。絕緣層31通常為黑色遮蔽層(Black Mask layer，即BM layer)，用以防止漏光，同時遮蔽周邊連接線35和接地接觸線36。本實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)3可以是透明的或非透明的，當(dāng)觸控裝置結(jié)構(gòu)3為透明時，觸控裝置結(jié)構(gòu)3更可以與顯示裝置結(jié)合。例如顯示裝置(未圖示)可貼合于觸控裝置結(jié)構(gòu)3的絕緣保護(hù)層37的表面，此時觸控區(qū)域也同時是觸控式顯示器的顯示區(qū)域。復(fù)參照圖4，屏蔽層33位于絕緣層31下，且用以包圍感測電極結(jié)構(gòu)32之復(fù)數(shù)側(cè)。屏蔽層33為導(dǎo)電性良好之材料,例如金屬、銦錫氧化物(Indium TinOxide, ΙΤ0)等。而屏蔽層33與感測電極結(jié)構(gòu)32的間距可以是O. I厘米至O. 5厘米之間。但本實用新型不因此限定。屏蔽層33與感測電極結(jié)構(gòu)32的間距可以根據(jù)感測電極結(jié)構(gòu)32的尺寸或結(jié)構(gòu)而調(diào)整。在本實施例中，屏蔽層33的形狀與絕緣層31相同，但本實用新型并不因此限定。周邊連接線35電性連接感測電極結(jié)構(gòu)32。周邊連接線35與接地接觸線36通常為導(dǎo)電性良好的材料所制成。例如金屬、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)等。屏蔽層33可將感測電極結(jié)構(gòu)32之復(fù)數(shù)側(cè)所可能接收到的干擾透過接地接觸線36傳送至接地端(未圖示)，藉此避免感測電極結(jié)構(gòu)32誤動作。另外，第一絕緣圖形34將屏蔽層33與復(fù)數(shù)個周邊連接線35隔離，使得復(fù)數(shù)個周邊連接線35上所傳遞的訊號不會受到屏蔽層33上的電荷或電流所影響。換句話說，第一絕緣圖形34使得復(fù)數(shù)個周邊連接線35上所傳遞的訊號受到屏蔽層33以外的干擾是可以被忽略或是在可接受的范圍內(nèi)。第一絕緣圖形34將屏蔽層33與復(fù)數(shù)個周邊連接線35隔離的距離可以是O. I厘米至O. 5厘米之間，但本實用新型并不因此限定。第一絕緣圖形34將屏蔽層33與復(fù)數(shù)個周邊連接線35隔離的距離可以依據(jù)觸控裝置3的調(diào)整。依據(jù)不同的感測電極結(jié)構(gòu)32，觸控裝置3的迭層方式與制造方式可以不相同。在本說明書中，列舉三種感測電極結(jié)構(gòu)32及其制造方法用以幫助說明，但本實用新型并不因此限定。第一種感測電極結(jié)構(gòu)32的迭層方式可透過以下對圖6至圖10的說明來了解。請同時參照圖6與圖7A，圖6為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖7A為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之導(dǎo)電圖形321與屏蔽層33的示意圖。觸控裝置結(jié)構(gòu)3的感測電極結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電圖形321、第二絕緣圖形322與復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323。導(dǎo)電圖形321可以是導(dǎo)電良好的金屬或銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)。在本實施例中的導(dǎo)電圖形321包含兩個軸向的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(X軸與Y軸)，即復(fù)數(shù)個彼此獨立的第一軸向(X軸)導(dǎo)電單
元和第二軸向(Y軸)導(dǎo)電單元，其中僅有第二軸向(Y軸)的導(dǎo)電單元沿該軸向(Y軸)相互連接。請同時參照圖6、圖7Α與圖7Β，圖7Β為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之第一絕緣圖形34與第二絕緣圖形322的示意圖。第二絕緣圖形322部分覆蓋導(dǎo)電圖形321。第一絕緣圖形34位于屏蔽層33下。請同時參照圖6、圖7Β與圖7C，圖7C為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)之復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線、復(fù)數(shù)個周邊連接線與接地接觸線的示意圖。復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323部分覆蓋第ニ絕緣圖形322，且復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323可連接導(dǎo)電圖形321的第一軸向(X軸)導(dǎo)電單元。復(fù)數(shù)個周邊連接線35位于第一絕緣圖形34下。接地接觸線36位于屏蔽層33下，且接地接觸線36電性連接屏蔽層33。在本實施例中，復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323是非透明的金屬，例如金、銀、銅等，但本實用新型并不因此限定。請同時參照圖5至圖7D，圖7D為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的平面透視圖。圖6的觸控裝置結(jié)構(gòu)3為將圖5、圖7Α至圖7C所繪示的結(jié)構(gòu)迭合而成，如圖7D所示。導(dǎo)電圖形321、第二絕緣圖形322與導(dǎo)電跨線323形成感測電極結(jié)構(gòu)32。且由圖7D可看出，本實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)3的感測電極結(jié)構(gòu)32為具有兩個軸向(X軸與Y軸)的感測電極結(jié)構(gòu)。復(fù)參照圖4，在實際應(yīng)用時，觸控裝置結(jié)構(gòu)3可能更具有保護(hù)層37以利后續(xù)的制造與組裝。絕緣保護(hù)層37可以用黃光制程、磁控濺鍍、印刷或噴涂方式制作，并使絕緣保護(hù)層37覆蓋復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323、復(fù)數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36。第二種感測電極結(jié)構(gòu)的迭層方式是將感測電極結(jié)構(gòu)32的復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323由不透明的金屬改為其他透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(ITO)。導(dǎo)電圖形321、第二絕圖形322與導(dǎo)電跨線323可以使用透明的材料，使得感測電極結(jié)構(gòu)32為透明。第三種感測電極結(jié)構(gòu)的迭層方式是將X軸向與Y軸向的電極分別制作在不同層。請參照圖8Α，圖8Α為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖8Α所示，觸控裝置結(jié)構(gòu)7的感測電極結(jié)構(gòu)72包括第一軸向?qū)щ妶D形721、第二絕緣圖形722與第二軸向?qū)щ妶D形723。請同時參照圖8Α至與圖8Ε，本實施例的觸控裝置結(jié)構(gòu)7與圖6的觸控裝置結(jié)構(gòu)3大致相同，其差異僅在于感測電極結(jié)構(gòu)。感測電極結(jié)構(gòu)72包括第一軸向?qū)щ妶D形721、第二絕緣圖形722與第二軸向?qū)щ妶D形723。如圖8B所示，感測電極結(jié)構(gòu)72的第一軸向?qū)щ妶D形721為Y軸向電極。如圖8D所示，第二軸向?qū)щ妶D形723為X軸向電極。第一軸向?qū)щ妶D形721與第二軸向?qū)щ妶D形723的結(jié)合即為先前實施例在圖7A中所敘述的導(dǎo)電圖形321。此外，感測電極結(jié)構(gòu)72的第二絕緣圖形722為完整ー層的絕緣圖形，夾設(shè)于第一軸向?qū)щ妶D形721與第二軸向?qū)щ妶D形723之間，以使第一軸向?qū)щ妶D形721與第二軸向?qū)щ妶D形723彼此絕緣。需要注意的是，依據(jù)上述，第一軸向?qū)щ妶D形721與復(fù)數(shù)個周邊連接線35之間被第二絕緣圖形722隔離。為了使第一軸向?qū)щ妶D形721與復(fù)數(shù)個周邊連接線35電性連接，可以在第二絕緣圖形722的適當(dāng)位置產(chǎn)生復(fù)數(shù)個通孔(viaholes)，且使復(fù)數(shù)個通孔具有導(dǎo)電性。藉此，圖SB 8D所繪示的結(jié)構(gòu)迭合時，第一軸向?qū)щ妶D形721與復(fù)數(shù)個周邊連接線35可以電性連接，本領(lǐng)域具有通常知識者應(yīng)可推之實施方式，不再贅述。另外，觸控裝置結(jié)構(gòu)7的其他部分請參照本實施例先前的說明，在此不再贅述?！灿|控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法〕觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法通常是在圖3的基板30之表面上逐步形成觸控裝置結(jié)構(gòu)，再將所形成的觸控裝置結(jié)構(gòu)上下顛倒置放即成為圖3所示的觸控裝置結(jié)構(gòu)3。請同時參照圖4、圖5與圖9，圖9為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。此制造方法包括以下步驟。首先，在步驟S81中，形成絕緣層31于基板30的下表面上?；?0可以是裸玻璃，且可以經(jīng)由化學(xué)或物理方法強化裸玻璃的強度。絕緣層31通常為黑色遮蔽層(Black Mask layer, BMlayer)，用以防止漏光。在步驟S81中，絕緣層31可以使用黃光制程或印刷制程來完成。然后，在步驟S82中，形成感測電極結(jié)構(gòu)32于基板30的下表面上。接著，在步驟S83中，形成屏蔽層33，并使屏蔽層33包圍感測電極結(jié)構(gòu)32的復(fù)數(shù)側(cè)。再來，在步驟S84中，形成第一絕緣圖形34于屏蔽層33上。然后，在步驟S85中，形成復(fù)數(shù)個周邊連接線35在第一絕緣圖形34上，且復(fù)數(shù)個周邊連接線35電性連接感測電極結(jié)構(gòu)32。由步驟S84與步驟S85可知，第一絕緣圖形34位于屏蔽層33與周邊連接線之間，第一絕緣圖形34用以將屏蔽層33與周邊連接線35隔離，使得復(fù)數(shù)個周邊連接線35上所傳遞的訊號不會受到屏蔽層33上的電荷或電流所影響。然后，在步驟S86中，形成接地接觸線36在屏蔽層33上，并使接地接觸線36電性連接屏蔽層33。須要注意的是，當(dāng)復(fù)數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36為相同的導(dǎo)電材料時，步驟S85與步驟S86也可以在同一個制程步驟中完成。另外，實際應(yīng)用時，觸控裝置結(jié)構(gòu)可能更具有保護(hù)層以利后續(xù)的制造與組裝。所以，在步驟S86完成后，可以進(jìn)行步驟S87，形成絕緣保護(hù)層37覆蓋感測電極結(jié)構(gòu)32、復(fù)數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36。絕緣保護(hù)層37可以使用黃光制程、磁控濺鍍、印刷或噴涂方式完成。請同時參照圖6、圖7A至7D與圖10，圖10為本實用新型實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。依據(jù)圖6的感測電極結(jié)構(gòu)32，當(dāng)復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323為金屬時，觸控裝置結(jié)構(gòu)3的制造方法可以包括以下步驟。首先，在步驟S91中，形成絕緣層31于基板30的下表面上。步驟S91可以與圖9中的步驟S81相同，不再贅述。然后，在步驟S92中，形成導(dǎo)電圖形321于基板30的下表面上，且形成屏蔽層33于絕緣層31上。導(dǎo)電圖形321與屏蔽層33可以使用相同的導(dǎo)電良好的材料以方便同時形成。導(dǎo)電圖形321是感測電極結(jié)構(gòu)32的其中一部份。例如導(dǎo)電圖形321與屏蔽層33可以是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ΙΤ0)ο在步驟S92中，形成導(dǎo)電圖形321與屏蔽層33的方法使用黃光制程或印刷制層。另外，屏蔽層33的形狀可以與絕緣層31相同，如圖5所示，但本實用新型并不因此限定。再來，在步驟S93中，形成第一絕緣圖形34與第二絕緣圖形322，第一絕緣圖形34部分覆蓋屏蔽層33，第二絕緣圖形322部分覆蓋導(dǎo)電圖形321。第二絕緣圖形322是感測電極結(jié)構(gòu)32的其中一部份。在步驟S93中，形成第一絕緣圖形34與第二絕緣圖形322的方法可以是黃光制程或印刷制程。然后，在步驟S94中，形成復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323、復(fù)數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36，且接地接觸線36電性連接屏蔽層33。復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323、復(fù)數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36可以由相同的導(dǎo)電材料制成，使得復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323、復(fù)數(shù)個周邊連接線 35與接地接觸線36可以在同一個制程步驟完成，以減少制造成本。步驟S94的實施方式可以是先使用磁控濺鍍形成金屬導(dǎo)電層，再使用黃光制程或印刷制程形成復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線323、復(fù)數(shù)個周邊連接線35以及復(fù)數(shù)個接地接觸線36。然后，在步驟S95中，形成絕緣保護(hù)層37覆蓋感測電極結(jié)構(gòu)32、周邊連接線35與接地接觸線36。步驟S95可以與圖9中的步驟S87相同，不再贅述。請同時參照圖8Α與圖11，圖11為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。在圖8Α中的觸控裝置結(jié)構(gòu)7的制造方法可以如圖11所示。此制造方法包括以下步驟，首先，在步驟SlOl中，形成絕緣層31于基板30的下表面上。步驟SlOl可以與圖9中的步驟S81相同，不再贅述。然后，在步驟S102中，形成第一軸向?qū)щ妶D形721于基板30的下表面上，且形成屏蔽層33于絕緣層31上。步驟S102中的第一軸向?qū)щ妶D形721與屏蔽層33可以使用相同的導(dǎo)電材料，以使第一軸向?qū)щ妶D形721與屏蔽層33可以在同一個制程步驟中完成。接著，在步驟S103中，形成第二絕緣圖形722與第一絕緣圖形34分別位于第一軸向?qū)щ妶D形721與屏蔽層33上。第二絕緣圖形722與第一絕緣圖形34可以是相同的絕緣材料，以使第二絕緣圖形722與第一絕緣圖形34可以在同一個制程步驟中完成。再來，在步驟S104中，同時形成第二軸向?qū)щ妶D形723、復(fù)數(shù)個周邊連接線35、接地接觸線36，其中第二軸向?qū)щ妶D形723位于第二絕緣圖形722上，復(fù)數(shù)個周邊連接線35位于第一絕緣圖形34上，接地接觸線36位于屏蔽層33上，并使接地接觸線36電性連接屏蔽層33。第二軸向?qū)щ妶D形723、復(fù)數(shù)個周邊連接線35、接地接觸線36可以是相同的導(dǎo)電材料，以使第二軸向?qū)щ妶D形723、復(fù)數(shù)個周邊連接線35、接地接觸線36可以在同一個制程步驟中完成。然后，在步驟S105中，形成絕緣保護(hù)層37，并使絕緣保護(hù)層37覆蓋感測電極結(jié)構(gòu)72、周邊連接線35與接地接觸線36?！矊嵤├目赡芄πА掣鶕?jù)本實用新型實施例，上述的觸控裝置結(jié)構(gòu)及其制造方法可以屏蔽掉訊號干擾，藉此提升觸控裝置結(jié)構(gòu)的感測電極結(jié)構(gòu)運作的可靠性。另外，觸控裝置結(jié)構(gòu)的周邊連接線可以屏蔽或消除訊號干擾，特別是人手碰到觸控裝置周圍的連接導(dǎo)線而導(dǎo)致的微小電流變化。據(jù)此，觸控裝置結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)品質(zhì)和良率可以提升，生產(chǎn)成本也可以降低。以上所述，僅為本實用新型較佳實施例而已，故不能以此限定本實用新型的范圍，即依本實用新型申請專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實用新型 專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，包括 ー感測電極結(jié)構(gòu)； 一屏蔽層，包圍所述感測電極結(jié)構(gòu)之周邊； 復(fù)數(shù)個周邊連接線，位于所述屏蔽層下方，且電性連接所述感測電極結(jié)構(gòu)； 以及 一接地接觸線，電性連接所述屏蔽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述感測電極結(jié)構(gòu)位于一基板之下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一絕緣層，位于所述基板之下表面，且夾設(shè)于所述基板與所述屏蔽層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第一絕緣圖形，設(shè)置于所述屏蔽層與所述周邊連接線之間，用以絕緣所述屏蔽層與所述周邊連接線。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括ー絕緣保護(hù)層，覆蓋于所述感測電極結(jié)構(gòu)、所述周邊連接線與所述接地接觸線之表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接地接觸線環(huán)繞于所述周邊連接線之周邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述感測電極結(jié)構(gòu)更包括ー導(dǎo)電圖形、一第二絕緣圖形以及復(fù)數(shù)個導(dǎo)電跨線，且所述第二絕緣圖形設(shè)置于所述導(dǎo)電圖形與所述導(dǎo)電跨線之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形包含復(fù)數(shù)個彼此獨立的第一軸向?qū)щ妴卧偷诙S向?qū)щ妴卧?，且所述第二軸向?qū)щ妴卧厮鲚S向相互連接，所述第一軸向?qū)щ妴卧伤鰧?dǎo)電跨線連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述感測電極結(jié)構(gòu)更包括一第ー軸向?qū)щ妶D形、一第二絕緣圖形以及ー第二軸向?qū)щ妶D形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二絕緣圖形夾設(shè)于第一軸向?qū)щ妶D形與第二軸向?qū)щ妶D形之間。
專利摘要本實用新型提供一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，其包括感測電極結(jié)構(gòu)、屏蔽層、復(fù)數(shù)個周邊連接線與接地接觸線。屏蔽層包圍感測電極結(jié)構(gòu)之周邊。復(fù)數(shù)個周邊連接線位于所述屏蔽層下方，且電性連接感測電極結(jié)構(gòu)。接地接觸線電性連接屏蔽層。據(jù)此，所述觸控裝置結(jié)構(gòu)可以屏蔽掉外部的干擾，藉此提升觸控電路運作的可靠性。
文檔編號G06F3/041GK202472596SQ20112039561
公開日2012年10月3日 申請日期2011年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者吳佳, 江耀誠, 蔡志雄, 黃萍萍 申請人:宸鴻科技(廈門)有限公司