專利名稱：具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型系關(guān)于一種觸控面板及其制造方法，特別系關(guān)于一種具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
觸控面板通常包括一基板與在該基板上沿第一軸向間斷分布的感測墊和沿第二軸向分布的感測陣列，其中沿第一軸向間斷分布的感測墊是由一導(dǎo)電橋電性連接且與沿第二軸向分布的感測陣列電性絕緣。由于導(dǎo)電橋為高反射不透光之材料(如鑰鋁鑰等金屬)，于操控觸控螢?zāi)粫r，導(dǎo)電橋會反射光線形成亮點區(qū)域，亦即，在觸控螢?zāi)簧蠒尸F(xiàn)出導(dǎo)電橋區(qū)域和無導(dǎo)電橋區(qū)域的視覺差異問題，造成使用者視覺上的不舒服。

實用新型內(nèi)容鑒于上述習(xí)知觸控面板之缺點，本實用新型之目的系提供一種具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其在導(dǎo)電橋上形成一層具有層迭構(gòu)造的抗反射層，而使導(dǎo)電橋在觸控面板上不可見，進而消除視覺差異的問題。本實用新型提供一種具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，該導(dǎo)電橋上設(shè)有一抗反射層。上述本實用新型之具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板中，該抗反射層包括一第一折射率層，覆蓋該導(dǎo)電橋；以及一第二折射率層，位于該第一折射率層上；其中，所述第一折射率層的折射率低于所述導(dǎo)電橋的折射率，所述第二折射率層的折射率高于所述第一折射率層的折射率。該抗反射層還可包含一第三折射率層，位于該第二折射率層上，且該第三折射率層的折射率低于該第二折射率層的折射率。該導(dǎo)電橋架構(gòu)還包含一保護層，覆蓋該第三折射率層。該第一折射率層具有19-23奈米之厚度，該第二折射率層具有9-13奈米之厚度， 該第三折射率層則具有22-28奈米之厚度。該第一折射率層和該第三折射率層系透明導(dǎo)電材料，該第二折射率層系導(dǎo)電金屬材料。較佳地，該透明導(dǎo)電材料系選自由氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化鋅招 (aluminum zinc oxide, AZO)和氧化鋪錫(antimony tin oxide, ΑΤΟ)組成之群組，而該導(dǎo)電金屬材料系選自由鋁(Al)、鉻(Cr)、鑰(Mo)和銅(Cu)組成之群組。本實用新型另提供一種具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板之制造方法，包含以下步驟 形成一抗反射層，覆蓋于該導(dǎo)電橋之上。該形成抗反射層的步驟包括形成一第一折射率層，覆蓋該導(dǎo)電橋；以及形成一第二折射率層，位于該第一折射率層上；其中，所述第一折射率層的折射率低于所述導(dǎo)電橋的折射率，所述第二折射率層的折射率高于所述第一折射率層的折射率。該形成抗反射層的步驟還包括形成第三折射率層，覆蓋于該第二折射率層之上，且該第三折射率層的折射率低于該第二折射率層的折射率。該形成抗反射層的步驟更包括形成一保護層覆蓋該抗反射層。該導(dǎo)電橋、該抗反射層系由同一圖案化制程形成。本實用新型之觸控面板于導(dǎo)電橋架構(gòu)上形成一層抗反射層，經(jīng)由調(diào)整該抗反射層中不同折射率層的折射率，可降低抗反射層的反射率，而使導(dǎo)電橋在觸控面板上不可見，進而消除視覺差異的問題。本實用新型的其他目的和優(yōu)點可以從本實用新型所揭露的技術(shù)特征中得到進一步的了解。

圖IA為觸控面板之電極結(jié)構(gòu)示意圖。[0016]圖IB是圖IA中沿剖面線1-1’所繪示的剖面示意圖。[0017]圖2為本實用新型之具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板中由2層材料構(gòu)成抗反射層的示意圖。[0018]圖3為本實用新型之具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板中由3層材料構(gòu)成抗反射層的示意圖。[0019]圖4為本實用新型之具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板中由η層材料構(gòu)成抗反射層的示意圖。[0020]主要元件符號說明[0021]10觸控面板[0022]11基板[0023]12第一感測墊[0024]13第二感測墊[0025]14導(dǎo)線[0026]16金屬導(dǎo)線[0027]20絕緣層[0028]30導(dǎo)電橋[0029]40保護層[0030]50抗反射層[0031]501第一折射率層[0032]502第二折射率層[0033]50η第η折射率層具體實施方式
[0034]以下將參照圖式，詳細說明本實用新型之較佳實施例。[0035]參考圖IA和圖1Β，圖IA為觸控面板之電極結(jié)構(gòu)示意圖，觸控面板10通常包括一
基板11與在該基板11上沿第一軸向分布的第一感測墊12和沿第二軸向分布的第二感測墊13。兩相鄰第一感測墊12之間以導(dǎo)線14連接。兩相鄰第二感測墊13分別置于導(dǎo)線14 的兩側(cè)邊，而以橫跨導(dǎo)線14的導(dǎo)電橋30連接彼此，并以絕緣層20等方式保持導(dǎo)電橋30與導(dǎo)線14之間的電性絕緣。另有復(fù)數(shù)條金屬導(dǎo)線16設(shè)置在該等電極周側(cè)，以將感測到之訊
4號傳到外部。由于導(dǎo)電橋30或可為一種高反射不透光之材料(如鑰鋁鑰等金屬)所制成， 因此于操控觸控面板時，導(dǎo)電橋30會反射光線形成亮點區(qū)域，因此在該導(dǎo)電橋30上設(shè)有一抗反射層(將于后續(xù)詳細描述之)可解決亮點問題，進而使導(dǎo)電橋在觸控面板上不可見，進而消除視覺差異的問題。以上的觸控面板結(jié)構(gòu)僅為本實用新型之實施例之一，但本實用新型并不以此為限，如在其他結(jié)構(gòu)的觸控面板中出現(xiàn)會導(dǎo)致亮點的元件，則皆可適用本案的抗反射層。圖1B為圖1A中沿剖面線1-1’所繪示的剖面示意圖。絕緣層20覆蓋導(dǎo)線14，導(dǎo)電橋30橫跨絕緣層20連接相鄰的第二感測墊13，保護層40覆蓋導(dǎo)電橋30。。該抗反射層既可為單層結(jié)構(gòu)，其材料可為反射率低于導(dǎo)電橋的材料，如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅鋁(AZO) 和氧化銻錫(ATO)等透明導(dǎo)電材料，亦可為多層結(jié)構(gòu)(如后續(xù)圖2-圖4所示)，其中優(yōu)選多
層結(jié)構(gòu)。圖2為本實用新型之具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板中由2層材料構(gòu)成抗反射層的示意圖。圖2中，元件符號20表示絕緣層，元件符號30表示導(dǎo)電橋，在導(dǎo)電橋30上依序形成(如涂布)一做為第一折射率層的透明導(dǎo)電材料層501、一做為第二折射率層的導(dǎo)電金屬材料層502、一用于圖案化之光阻層(圖未示)，其中，該透明導(dǎo)電材料層501的折射率低于導(dǎo)電橋30的折射率，該導(dǎo)電金屬材料層502的折射率高于該透明導(dǎo)電材料層501的折射率。該透明導(dǎo)電材料系選自由氧化銦錫(indium tin oxide ;簡稱ΙΤ0)、氧化鋅招(aluminum zinc oxide ;簡稱AZO)和氧化鋪錫(antimony tin oxide簡稱ΑΤΟ)組成之群組,該導(dǎo)電金屬材料系選自由鋁(Al)、鉻(Cr)、鑰(Mo)和銅(Cu)組成之群組。于曝光后使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，而形成一層具有層迭構(gòu)造的抗反射層50，之后再于該抗反射層50上鍍上一層保護層40。如圖3所示，可在該導(dǎo)電金屬材料層502上涂布另一透明導(dǎo)電材料層503做為第三折射率層，以調(diào)整該抗反射層50的折射率。該透明導(dǎo)電材料層503的折射率低于該導(dǎo)電金屬材料層502的折射率。該透明導(dǎo)電材料系選自由氧化銦錫、氧化鋅鋁和氧化銻錫組成之群組。視需要而定，該抗反射層50之迭層構(gòu)造可涂布三層以上，以進一步調(diào)整該抗反射層50的折射率，如圖4中第一折射率層501...第η折射率層50η所示。(實施例1)在導(dǎo)電橋30上依序涂布具有ΙΤ0、Cr、ITO三個折射率層的抗反射層50以及一用于圖案化之光阻層，于曝光后使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導(dǎo)電橋30連同抗反射層50 具有如下結(jié)構(gòu)導(dǎo)電橋30/ΙΤ0(厚度21奈米)/Cr (厚度12奈米)/ITO(厚度25奈米)。(實施例2)在導(dǎo)電橋30上依序涂布具有ΙΤ0、Al、ITO三個折射率層的抗反射層50以及一用于圖案化之光阻層，于曝光后使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導(dǎo)電橋連同抗反射層50具有如下結(jié)構(gòu)導(dǎo)電橋/ITO(厚度21奈米)/Α1 (厚度10奈米)/ΙΤ0(厚度25奈米)。(實施例3)在導(dǎo)電橋30上依序涂布具有ΑΖ0、Al、AZO三個折射率層的抗反射層50以及一用于圖案化之光阻層，于曝光后使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導(dǎo)電橋連同抗反射層50具有如下結(jié)構(gòu)導(dǎo)電橋/AZO(厚度20奈米)/Α1 (厚度11奈米)/ΑΖ0(厚度23奈米)。(實施例4)[0046]在導(dǎo)電橋30上依序涂布具有ΑΤ0、Mo、ATO三個折射率層的抗反射層50以及一用于圖案化之光阻層，于曝光后使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導(dǎo)電橋連同抗反射層50具有如下結(jié)構(gòu)導(dǎo)電橋/ATO(厚度22奈米)/Μο(厚度12奈米)/ΑΤ0(厚度27奈米)。(實施例5)在導(dǎo)電橋30上依序涂布具有ΑΖ0、Cr、AZO三個折射率層的抗反射層50以及一用于圖案化之光阻層，于曝光后使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導(dǎo)電橋連同抗反射層50具有如下結(jié)構(gòu)導(dǎo)電橋/AZO(厚度20奈米)/Cr (厚度10奈米)/ΑΖ0(厚度28奈米)。通過調(diào)整抗反射層之迭層所使用的材料和涂布厚度，可降低抗反射層的折射率， 從而使抗反射層底下的導(dǎo)電橋不可見。上述各具體實施例中，構(gòu)成抗反射層之第一、第二、 第三層折射率層的厚度分別在19-23奈米、9-13奈米、22-28奈米之范圍內(nèi)，可獲得較佳效果O本實用新型已參照較佳具體例及例示性附圖敘述如上，惟其不應(yīng)被視為限制性者。熟悉相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域之人士對其形態(tài)及具體例之內(nèi)容所做之任何修改、省略及變化，均不離開本實用新型權(quán)利要求所主張之范圍。
權(quán)利要求1.一種具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其特征在于在導(dǎo)電橋上設(shè)有一抗反射層。
2.如權(quán)利要求I所述的具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其特征在于，該抗反射層包括一第一折射率層，覆蓋該導(dǎo)電橋；以及一第二折射率層，位于該第一折射率層上；其特征在于，所述第一折射率層的折射率低于所述導(dǎo)電橋的折射率，所述第二折射率層的折射率高于所述第一折射率層的折射率。
3.如權(quán)利要求2所述的具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其特征在于，該抗反射層還包含第三折射率層，位于該第二折射率層上，且該第三折射率層的折射率低于該第二折射率層的折射率。
4.如權(quán)利要求3所述的具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其特征在于，還包含一保護層，覆蓋該第三折射率層。
5.如權(quán)利要求3所述的具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其特征在于，該第一折射率層具有19-23奈米之厚度，該第二折射率層具有9-13奈米之厚度，該第三折射率層則具有22-28 奈米之厚度。
6.如權(quán)利要求3所述的具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其特征在于，該第一折射率層和該第三折射率層系透明導(dǎo)電材料，該第二折射率層系導(dǎo)電金屬材料。
7.如權(quán)利要求6所述的具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其特征在于，該透明導(dǎo)電材料系選自由氧化銦錫、氧化鋅鋁和氧化銻錫組成之群組。
8.如權(quán)利要求6所述的具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板，其特征在于，該導(dǎo)電金屬材料系選自由鋁、鉻、鑰和銅組成之群組。
專利摘要本實用新型涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板及其制造方法，其特征在于在導(dǎo)電橋上設(shè)有一抗反射層。根據(jù)本實用新型之具有導(dǎo)電橋架構(gòu)的觸控面板及其制造方法，可消除觸控螢?zāi)坏囊曈X差異問題，并減少制程步驟。
文檔編號G06F3/041GK202351834SQ201120446690
公開日2012年7月25日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者葉恵林, 楊立春, 洪明淵, 陳聰明 申請人:宸鴻科技(廈門)有限公司