專利名稱：一種塊存儲保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及塊存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種塊存儲保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
如今，ARM(AdvancedRISC Machines), MIPS (Million Instructions PerSecond), X86等越來越多的嵌入式系統(tǒng)，其內(nèi)部基本都不含只讀存儲器(ROM，Read-OnlyMemory)，需要外加非易失設(shè)備來保存啟動代碼。目前的操作系統(tǒng)越來越復(fù)雜，代碼量越來
越大。與之對應(yīng)，所需的存貯設(shè)備，其容量要求也越來越高。其中，電可擦可編程只讀存儲器(EEPR0M, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片，單純的EEPROM比較難做到大容量，而且寫速度太慢，不適合批量使用。于是非易失閃存FLASH漸漸成為一個主流，NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。但是大容量的NOR FLASH價格昂貴，不適合目前的市場竟?fàn)?；NAND FLASH容量大，價格便宜，并且使用廣泛，但是NAND FLASH有一個缺點(diǎn)，程序易丟失。很多廠家對此深感煩腦。為此NAND FLASH廠商，在制造NAND FLASH時，就預(yù)留了一個PIN腳，寫保護(hù)腳WP (Write Protect)，當(dāng)此PIN腳為低電平時，不可以對NAND FLASH進(jìn)行寫操作，從而保護(hù)內(nèi)部的內(nèi)容不被破壞。為了使NAND FLASH程序不丟失，同時要對NAND FLASH可寫，目前通常都會由中央處理器(CPU, Central Processing Unit)對NAND FLASH的寫保護(hù)腳進(jìn)行控制，以達(dá)到在不希望更改NAND FLASH內(nèi)容時，對其內(nèi)容進(jìn)行保護(hù)，具體使用如圖I :采用如I所示的方案，一般情況下，可以對NAND FLASH進(jìn)行保護(hù)，但是至少有兩種情況，無法保護(hù)NAND FLASH。I、Vccl突然掉電，此時WP引腳上的電壓會由高慢慢變低，在變低的過程中，如果數(shù)據(jù)線上有數(shù)據(jù)，就會造成NAND FLASH數(shù)據(jù)的損壞。2、復(fù)位RESET信號發(fā)生作用時，CPU處于不可控狀態(tài)，此時WP有可能為高電平，數(shù)據(jù)線同樣有可能會造成內(nèi)部數(shù)據(jù)的損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種塊存儲保護(hù)電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，保證了塊存儲器件內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。一種塊存儲保護(hù)電路，包括復(fù)位模塊和電壓檢測模塊；復(fù)位模塊將控制器的復(fù)位引腳與塊存儲器件的寫保護(hù)引腳相連接，用于當(dāng)控制器復(fù)位時，控制塊存儲器件的寫保護(hù)引腳為低電平；電壓檢測模塊連接于控制器的電源引腳與塊存儲器件的寫保護(hù)引腳之間，用于當(dāng)檢測到控制器的電源引腳電壓低于預(yù)設(shè)閥值時，控制塊存儲器件的寫保護(hù)引腳為低電平。從以上技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種塊存儲保護(hù)電路具有以下優(yōu)點(diǎn)在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，控制塊存儲器件的寫保護(hù)引腳一直為低電平，保證了其內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中的一種塊存儲保護(hù)電路； 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種塊存儲保護(hù)電路。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種塊存儲保護(hù)電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，保證了塊存儲器件內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種塊存儲保護(hù)電路，請參見圖2，包括 復(fù)位模塊10和電壓檢測模塊20 ；復(fù)位模塊10將控制器30的復(fù)位引腳與塊存儲器件40的寫保護(hù)引腳相連接，用于當(dāng)控制器30復(fù)位時，控制塊存儲器件40的寫保護(hù)引腳為低電平；電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲器件40的寫保護(hù)引腳之間，用于當(dāng)檢測到控制器30的電源引腳電壓低于預(yù)設(shè)閾值時，控制塊存儲器件40的寫保護(hù)引腳為低電平。具體地說，本實(shí)施例中的塊存儲器件40可以為NAND FLASH塊存儲器件。其中，塊存儲器件NAND FLASH的寫保護(hù)引腳，即WP引腳與控制器30的復(fù)位引腳相連，以組成復(fù)位模塊，用于當(dāng)控制器30復(fù)位時，NAND FLASH也處于寫保護(hù)狀態(tài)，即無法對NAND FLASH進(jìn)行寫操作，保證其內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。復(fù)位模塊10用于避免了當(dāng)復(fù)位RESET信號發(fā)生作用，CPU處于不可控狀態(tài)時，WP引腳有可能是高電平而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線有可能會造成NAND FLASH內(nèi)部數(shù)據(jù)的損壞的問題。另外，電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲器件40的寫保護(hù)引腳之間。在某些實(shí)施方式中，電壓檢測模塊20連接于控制器30的電源引腳與塊存儲器件40的寫保護(hù)引腳之間，如圖2所示，即電壓檢測模塊20連接于電源Vccl與存儲器件40的寫保護(hù)引腳之間。其中，電壓檢測模塊20中可以包括一電壓監(jiān)測芯片，用于監(jiān)控電源Vccl電壓的變化，也可以說是，監(jiān)控WP引腳的電壓，當(dāng)電源Vccl斷電時，由于電壓不會馬上消失，而是一個從有到無的過渡過程。因此當(dāng)電壓低到一定程度時，在本實(shí)施例中，可以說是低于一預(yù)設(shè)閾值時，電壓監(jiān)測芯片輸出低電平，使NAND FLASH處于寫保護(hù)狀態(tài)。電壓檢測模塊20用于避免當(dāng)Vccl突然掉電時，電壓會有一個從有到無變低的過程，即WP引腳上的電壓也是會從高到低，如果數(shù)據(jù)線上有數(shù)據(jù)，就會造成NAND FLASH數(shù)據(jù)損壞的問題。可以理解的是，一般地，控制器對NAND FLASH進(jìn)行正常的讀操作和寫操作，以及其它控制；NAND FLASH是一種塊存儲設(shè)備，用來保存數(shù)據(jù)或代碼，由控制器對其進(jìn)行控制，如對其寫保護(hù)引腳進(jìn)行控制，以達(dá)到在不希望更改NAND FLASH內(nèi)容時，對其內(nèi)容進(jìn)行保護(hù)。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種塊存儲保護(hù)電路，在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，控制塊存儲器件的寫保護(hù)引腳一直為低電平，保證了其內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。以上對本實(shí)用新型所提供的一種塊存儲保護(hù)電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的 一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實(shí)用新型的限制。
權(quán)利要求1.一種塊存儲保護(hù)電路，其特征在于，包括 復(fù)位模塊和電壓檢測模塊； 所述復(fù)位模塊將控制器的復(fù)位引腳與塊存儲器件的寫保護(hù)引腳相連接，用于當(dāng)控制器復(fù)位時，控制所述塊存儲器件的寫保護(hù)引腳為低電平； 所述電壓檢測模塊連接于所述控制器的電源引腳與所述塊存儲器件的寫保護(hù)引腳之間，用于當(dāng)檢測到所述控制器的電源引腳電壓低于預(yù)設(shè)閥值時，控制所述塊存儲器件的寫保護(hù)引腳為低電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述電路，其特征在于 所述塊存儲器件為NAND FLASH塊存儲器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述電路，其特征在于 所述電壓檢測模塊包括電壓監(jiān)測芯片，所述電壓監(jiān)測芯片用于監(jiān)控電源電壓的變化。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種塊存儲保護(hù)電路，用于在突然掉電，或CPU處于不可知狀態(tài)時，保證了塊存儲器件內(nèi)部的內(nèi)容不被損壞。本實(shí)用新型實(shí)施例包括復(fù)位模塊和電壓檢測模塊；復(fù)位模塊將控制器的復(fù)位引腳與塊存儲器件的寫保護(hù)引腳相連接，用于當(dāng)控制器復(fù)位時，控制塊存儲器件的寫保護(hù)引腳為低電平；電壓檢測模塊連接于控制器的電源引腳與塊存儲器件的寫保護(hù)引腳之間，用于當(dāng)檢測到控制器的電源引腳電壓低于預(yù)設(shè)閥值時，控制塊存儲器件的寫保護(hù)引腳為低電平。
文檔編號G06F12/16GK202486769SQ20112057314
公開日2012年10月10日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者蔡曉峰 申請人:深圳市凌啟電子有限公司