專利名稱：控制緩存映射的方法及緩存系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及緩存系統(tǒng)的緩存映射技術(shù)，特別涉及一種閃存介質(zhì)作為緩存時控制緩存映射的方法及一種緩存系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
閃存(Flash Memory)介質(zhì)是一種長壽命的非易失性存儲器，其在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息?，F(xiàn)有技術(shù)中常利用閃存介質(zhì)作為底層存儲介質(zhì)如硬盤、硬盤陣列等傳統(tǒng)磁盤存儲系統(tǒng)的緩存，以緩解受底層存儲介質(zhì)輸入輸出性能不佳所帶來的性能約
束ο通常，利用閃存介質(zhì)作為緩存時，在緩存和底層存儲介質(zhì)之間采用的映射策略是組相聯(lián)映射。在組相聯(lián)映射中，按照作為映射目標(biāo)的緩存的大小，將作為映射源的底層存儲介質(zhì)劃分成多個組，其中每個組的容量大小等于緩存的大小。根據(jù)緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目及大小，將底層存儲介質(zhì)的每個組劃分成相同數(shù)目的區(qū)域(即數(shù)據(jù)塊)，每個區(qū)域的大小與緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的大小一致。在底層存儲介質(zhì)的一個組中，不同的數(shù)據(jù)塊與緩存中的不同的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊相對應(yīng)。在底層存儲介質(zhì)的不同組中，對應(yīng)位置的數(shù)據(jù)塊映射到緩存中相同的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。圖1示出了組相聯(lián)映射的一個示例。該例中，作為緩存的閃存介質(zhì)劃分成從目標(biāo)數(shù)據(jù)塊O到目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3的4個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，作為映射源的硬盤包括兩個組，每個組劃分成與緩存的4個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊相對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊，并且硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊的大小與閃存介質(zhì)中的每一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的大小一致。該例中，硬盤與緩存的組相聯(lián)映射關(guān)系為硬盤的第一組(包括數(shù)據(jù)塊0-數(shù)據(jù)塊幻中的數(shù)據(jù)塊0與第二組(包括數(shù)據(jù)塊4-數(shù)據(jù)塊7)中的數(shù)據(jù)塊4映射到閃存介質(zhì)中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0，硬盤的第一組中的數(shù)據(jù)塊1與第二組中的數(shù)據(jù)塊5 映射到閃存介質(zhì)中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，硬盤的第一組中的數(shù)據(jù)塊2與第二組中的數(shù)據(jù)塊6映射到閃存介質(zhì)中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，硬盤的第一組中的數(shù)據(jù)塊3與第二組中的數(shù)據(jù)塊7映射到閃存介質(zhì)中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3。按照該映射關(guān)系，數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊4中的數(shù)據(jù)緩存到目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中，數(shù)據(jù)塊1和數(shù)據(jù)塊5中的數(shù)據(jù)緩存到目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1中，數(shù)據(jù)塊2與數(shù)據(jù)塊6中的數(shù)據(jù)緩存到目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中，數(shù)據(jù)塊3與數(shù)據(jù)塊7中的數(shù)據(jù)緩存到目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3中。但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，緩存與底層存儲介質(zhì)之間的映射關(guān)系通常是靜態(tài)的。在系統(tǒng)工作的整個過程中，底層存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)塊所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊通常是不變的。這樣，當(dāng)閃存介質(zhì)作為緩存時，對于系統(tǒng)中局部區(qū)域數(shù)據(jù)訪問異常頻繁的應(yīng)用場景，系統(tǒng)中頻繁訪問的數(shù)據(jù)所映射到的閃存介質(zhì)的介質(zhì)區(qū)域的擦寫次數(shù)將過于頻繁。由于閃存介質(zhì)的擦寫次數(shù)是有限的，這樣將導(dǎo)致頻繁訪問的數(shù)據(jù)所映射到的閃存介質(zhì)的介質(zhì)區(qū)域?qū)⒈绕渌膮^(qū)域更快地達到擦寫次數(shù)的極限，進而導(dǎo)致整個閃存介質(zhì)不可用。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本發(fā)明的實施例提出一種控制緩存映射的方法及一種緩存系統(tǒng)，在緩存與底層存儲介質(zhì)之間采取動態(tài)映射策略以使得系統(tǒng)中頻繁訪問的數(shù)據(jù)并不是靜態(tài)地映射到緩存上的某一目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，從而可以優(yōu)化作為緩存的閃存介質(zhì)的壽命。本發(fā)明實施例提供一種控制緩存映射的方法，其中，以預(yù)定的時間周期更換底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到所述底層存儲介質(zhì)的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，其中，所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所述底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊本發(fā)明實施例提供一種控制緩存映射的方法，其中，所述方法包括監(jiān)控底層存儲介質(zhì)的緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)，其中，所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所述底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)；當(dāng)所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值時，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；以及繼續(xù)監(jiān)控所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在進行所述更換后所產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。本發(fā)明實施例提供一種緩存系統(tǒng)，包括底層存儲介質(zhì)；閃存介質(zhì)，耦合至所述底層存儲介質(zhì)，用于作為所述底層存儲介質(zhì)的緩存，其中所述底層存儲介質(zhì)中的一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；處理器，被配置成以預(yù)定的時間周期更換底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到所述底層存儲介質(zhì)的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。本發(fā)明實施例提供一種緩存系統(tǒng)，包括底層存儲介質(zhì)；閃存介質(zhì)，耦合至所述底層存儲介質(zhì)，用于作為所述底層存儲介質(zhì)的緩存，其中所述底層存儲介質(zhì)中的一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；處理器，被配置成監(jiān)控所述緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)；當(dāng)所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值時，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；以及繼續(xù)監(jiān)控所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在進行所述更換后所產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。本發(fā)明實施例的方法和裝置，通過更換底層存儲介質(zhì)中包括與當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊所對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊在內(nèi)的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，實現(xiàn)了對充當(dāng)緩存的閃存介質(zhì)的使用壽命的優(yōu)化。


本發(fā)明的目的、特點、特征和優(yōu)點通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述將變得顯而易見。 其中圖1示出了組相聯(lián)映射的一個示例；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例一的控制緩存映射的方法的流程示意圖3-圖5示出了在利用本發(fā)明實施例一的方法控制緩存映射的一個實例中，不同切換周期中的映射關(guān)系示意圖；圖6-圖11示出了在利用本發(fā)明實施例一的方法控制緩存映射的另一個實例中， 不同切換周期中的映射關(guān)系示意圖；圖12示出了根據(jù)本發(fā)明實施例二的控制緩存映射的方法的流程示意圖；以及圖13-圖14示出了在利用本發(fā)明實施例二的方法控制緩存映射的一個實例中的映射關(guān)系示意圖；圖15示出了按照本發(fā)明實施例的緩存系統(tǒng)。
具體實施例方式本發(fā)明的實施例提供一種控制緩存映射的方法及一種緩存系統(tǒng)，其中，所述方法包括以預(yù)定的時間周期更換底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到所述底層存儲介質(zhì)的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，其中，所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所述底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。下面將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的各個實施例。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例一的控制緩存映射的方法的流程示意圖。本實施例中，閃存介質(zhì)作為緩存，底層存儲介質(zhì)示例性地為硬盤，底層存儲介質(zhì)中的一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。其中，閃存介質(zhì)包括固態(tài)磁盤即SSD(solid state disk)磁盤。如圖2所示出的，該實施例一的控制緩存映射的方法包括如下步驟在步驟S201，根據(jù)預(yù)先設(shè)置的切換周期T，觸發(fā)計時器開始計時。在步驟S202，在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換硬盤中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，以使得在一個切換循環(huán)后，緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)相接近，其中，一個切換循環(huán)所包括的切換周期的數(shù)目不小于緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。圖1、圖3-圖5示出了利用本發(fā)明實施例一的方法控制緩存映射的一個具體實例。 該實例中在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，使得硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊在一個切換循環(huán)的不同切換周期內(nèi)映射到緩存中的不同目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，其中，一個切換循環(huán)包括的切換周期的數(shù)目等于緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。在該實例中，示例性但不作為限制地，緩存具有4個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，硬盤包括兩個組，每個組劃分成與緩存的4個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊相對應(yīng)的4個數(shù)據(jù)塊，并且硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊的大小與閃存介質(zhì)中的每一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的大小一致。如圖1、圖3-圖5所示出的，本實例采用周期性輪轉(zhuǎn)動態(tài)切換策略，一個切換循環(huán)中包含的切換周期的數(shù)目等于緩存中所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N，N為大于0的整數(shù)。該例中N = 4。在本實例中，每經(jīng)過一個切換周期，切換硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊所對應(yīng)的映射目標(biāo)。硬盤中的各數(shù)據(jù)塊在不同的切換周期內(nèi)所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊不同。具體地，該實例在初始時采用圖1所示出的映射關(guān)系。如圖1所示出的，在該例中， 在初始時，硬盤與緩存之間的映射關(guān)系為硬盤的數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊4映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0，硬盤的數(shù)據(jù)塊1和數(shù)據(jù)塊5映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，硬盤的數(shù)據(jù)塊2和數(shù)據(jù)塊 6映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，硬盤的數(shù)據(jù)塊3和數(shù)據(jù)塊7映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3。上述數(shù)字為對數(shù)據(jù)塊或目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的編號。在第一切換周期(簡稱第一周期)到達時，分別將閃存介質(zhì)中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中所緩存的數(shù)據(jù)遷移至其它的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中。該例中，示例性地，將閃存介質(zhì)中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊 3中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0。在緩存中的數(shù)據(jù)遷移后，根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移，相應(yīng)地更換硬盤中每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。經(jīng)過該次遷移后，修改得到的映射關(guān)系如圖3所示出的。在第二周期到達時，同樣將閃存介質(zhì)中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊ι，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊ι中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0。經(jīng)過該次遷移后，根據(jù)該次遷移修改緩存與硬盤的映射關(guān)系，修改后的映射關(guān)系如圖4所示出的。在第三周期到達時，同樣將閃存介質(zhì)中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0。經(jīng)過該次遷移后，根據(jù)該次遷移修改緩存與硬盤的映射關(guān)系，修改后的映射關(guān)系，修改得到的映射關(guān)系如圖5所示出的。在第四周期到達時，同樣進行上述的遷移后，相應(yīng)地修改映射關(guān)系，修改得到的映射關(guān)系如圖1所示出的，即回到了在第一周期期間的映射關(guān)系。這樣一個切換循環(huán)結(jié)束。然后，可以繼續(xù)下一個切換循環(huán)的切換過程。在本實施例中，在進行目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存數(shù)據(jù)的遷移后，可以通過更新存儲在閃存介質(zhì)和/或內(nèi)存中的緩存元數(shù)據(jù)來進行所映射的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的更換。在硬盤中局部區(qū)域如某一數(shù)據(jù)塊訪問頻繁的場景下，在一個切換循環(huán)的各切換周期中，硬盤中訪問頻繁的數(shù)據(jù)塊分別映射到閃存介質(zhì)中不同的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，從而使得硬盤中訪問頻繁的局域不會靜態(tài)地一直只映射到某一固定的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，從而可以延長及優(yōu)化閃存介質(zhì)的壽命。并且，在經(jīng)過一個如上文所述的輪轉(zhuǎn)切換循環(huán)后，閃存介質(zhì)中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦除次數(shù)接近，并且接近于平均值，各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦除次數(shù)分布比較均勻，從而可以使得閃存介質(zhì)的壽命最優(yōu)化。本實施例中，在進行映射關(guān)系的動態(tài)切換時，按照緩存中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的編號順序， 以輪轉(zhuǎn)的方式將所述緩存中每一目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)分別遷移至編號與其相鄰的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中。上述例子只是示例性地，其它的輪轉(zhuǎn)方式也適用。舉例說明，在到達切換周期時，可以按照目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中當(dāng)前緩存的數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3，目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3中當(dāng)前緩存的數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中當(dāng)前緩存的數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1中當(dāng)前緩存的數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0的順序來實現(xiàn)在切換周期到達時，對緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)的遷移，然后相應(yīng)地更換底層存儲介質(zhì)如硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，硬盤和緩存之間的映射關(guān)系相應(yīng)更換。當(dāng)然，除了上文所述的輪轉(zhuǎn)方式外，其它的更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的方式也適用，只要能使得在一個切換循環(huán)后，所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)相接近就可以了。所述的接近可以是各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)均接近平均值，具體地，可以是各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)的差異小于預(yù)定的擦寫次數(shù)差異閾值。該差異閾值可以根據(jù)需要或具體的應(yīng)用場景來設(shè)置。采用周期性輪轉(zhuǎn)動態(tài)切換策略時，用戶可根據(jù)應(yīng)用場景靈活設(shè)置切換周期，其切換循環(huán)較短，但是，每次切換映射目標(biāo)時，緩存中的所有有效數(shù)據(jù)都會遷移，因而周期性輪轉(zhuǎn)動態(tài)切換策略更適用于小容量的緩存。圖6-圖11示出了利用根據(jù)本發(fā)明實施例一的方法控制緩存映射的另一實例。在該例中，采樣周期性排列動態(tài)切換映射的策略來更換硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，以使得在一個切換循環(huán)后，緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)相接近。 在該例中，一個切換循環(huán)中包含的切換周期的數(shù)目等于N乘以(N-I)，其中N為緩存中所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目，N為大于0的整數(shù)。示例性地，該例中N = 3，所以該例中一個切換循環(huán)包括6個切換周期。該例中，閃存介質(zhì)作為緩存，底層存儲介質(zhì)示例性地為硬盤，示例性但不作為限制地，緩存具有3個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，硬盤包括兩個組，每個組劃分成與緩存的3個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊相對應(yīng)的3個數(shù)據(jù)塊，并且硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊的大小與閃存介質(zhì)中的每一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的大小一致。在該例中，在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，將緩存中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)與所述緩存中除該具有最大擦寫次數(shù)之外的其它目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中、在當(dāng)前的切換循環(huán)中其內(nèi)數(shù)據(jù)進行過最少次數(shù)的交換、并且與在當(dāng)前的切換循環(huán)中上一個切換周期中與該當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊進行交換的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊不同的任一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)相交換，即數(shù)據(jù)相互遷移，并且根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存數(shù)據(jù)的遷移，相應(yīng)地更換所對應(yīng)的硬盤中的數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。其中，緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊都有N-I次機會成為具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，也就是說在一個切換循環(huán)中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在不同的N-I個周期內(nèi)為最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊即與訪問最頻繁的數(shù)據(jù)塊相對應(yīng)。示例性地，假定在該切換循環(huán)開始時，閃存介質(zhì)中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0具有最大的擦寫次數(shù)，這表明硬盤中當(dāng)前映射到目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0的數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊3的訪問最頻繁。除了目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊是目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1和目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2。如圖6所示出的，該例中， 在第一周期到達之前硬盤與緩存之間的映射關(guān)系為硬盤的數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊3映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0，硬盤的數(shù)據(jù)塊1和數(shù)據(jù)塊4映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，硬盤的數(shù)據(jù)塊 2和數(shù)據(jù)塊5映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2。該例中，示例性地，在第一周期到達時，將閃存介質(zhì)中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0。在緩存中的數(shù)據(jù)遷移后，根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移，相應(yīng)地更換硬盤中數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊3所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊以及數(shù)據(jù)塊1和數(shù)據(jù)塊4所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。經(jīng)過該次遷移后，修改得到的映射關(guān)系如圖7所示出的，此時訪問最頻繁的數(shù)據(jù)塊0 和數(shù)據(jù)塊3映射到目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1。在第二周期到達時，將閃存介質(zhì)中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1中緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，在緩存中的數(shù)據(jù)遷移后，根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移，相應(yīng)地更換硬盤中數(shù)據(jù)塊0 和數(shù)據(jù)塊3以及數(shù)據(jù)塊2和數(shù)據(jù)塊5所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。經(jīng)過該次遷移后， 修改得到的映射關(guān)系如圖8所示出的。此時，硬盤中訪問最頻繁的數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊3映射到了目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2。在第三周期到達時，將閃存介質(zhì)中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，在緩存中的數(shù)據(jù)遷移后，根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移。經(jīng)過該次遷移后，修改得到的映射關(guān)系如圖9所示出的。此時，硬盤中訪問最頻繁的數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊3映射到了目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0。在第四周期到達時，將閃存介質(zhì)中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0，在緩存中的數(shù)據(jù)遷移后，根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移。經(jīng)過該次遷移后，修改得到的映射關(guān)系如圖10所示出的。此時，硬盤中訪問最頻繁的數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊3映射到了目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1。在第五周期到達時，將閃存介質(zhì)中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1中緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，在緩存中的數(shù)據(jù)遷移后，根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移。經(jīng)過該次遷移后，修改得到的映射關(guān)系如圖11所示出的。此時，硬盤中訪問最頻繁的數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊3映射到了目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2。在第六周期到達時，將閃存介質(zhì)中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2中緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0，將目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0中當(dāng)前緩存的有效數(shù)據(jù)遷移至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，在緩存中的數(shù)據(jù)遷移后，根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移。經(jīng)過該次遷移后，修改得到的映射關(guān)系回到如圖6所示出的。此時，一次切換循環(huán)結(jié)束，從圖6開始，按照圖6-圖11的切換順序繼續(xù)進行下一個切換循環(huán)。該例中，在到達每一個周期時，當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊即當(dāng)前訪問最頻繁的數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊是按照目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的編號的順序來選擇切換目標(biāo)的。在其它實施例中，當(dāng)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目超過3個時可以按照也可以不按照目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的編號的順序來選擇切換目標(biāo)，只需該切換目標(biāo)是在當(dāng)前的切換循環(huán)中其內(nèi)數(shù)據(jù)與其它目標(biāo)數(shù)據(jù)塊進行過最少次數(shù)的交換、并且與在當(dāng)前切換循環(huán)的上一次切換周期中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊剛進行切換的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊不同的任一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。在本實施例中，在進行目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存數(shù)據(jù)的遷移后，可以通過更新存儲在閃存介質(zhì)和/或內(nèi)存中的緩存元數(shù)據(jù)來進行所映射的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的更換。在硬盤中局部區(qū)域如某一數(shù)據(jù)塊訪問頻繁的場景下，在一個切換循環(huán)的各切換周期中，硬盤中訪問頻繁的數(shù)據(jù)塊分別映射到閃存介質(zhì)中不同的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，從而使得硬盤中訪問頻繁的局域不會一直只映射到某一固定的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，從而可以延長及優(yōu)化閃存介質(zhì)的壽命。并且，在經(jīng)過一個如上文所述的周期性排列切換循環(huán)后，閃存介質(zhì)中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦除次數(shù)接近，并且接近于平均值，各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦除次數(shù)分布比較均勻，從而可以使得閃存介質(zhì)的壽命最優(yōu)化。并且，采用本實施例的周期性排列動態(tài)切換映射策略，每次切換映射目標(biāo)時，僅僅遷移緩存中的兩個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中的有效數(shù)據(jù)，不會對性能產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，可以適用于各種尺寸的緩存。上文所示出的底層存儲介質(zhì)與緩存之間的各周期性動態(tài)映射切換方法，適用于業(yè)務(wù)呈現(xiàn)周期性規(guī)律的應(yīng)用場景，尤其適用于業(yè)務(wù)呈現(xiàn)周期性規(guī)律且系統(tǒng)訪問最為頻繁的數(shù)據(jù)在硬盤上存儲位置固定的場景。本發(fā)明的實施例還提供一種控制緩存映射的方案，該方案包括監(jiān)控底層存儲介質(zhì)的緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)，其中，所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所述底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)；當(dāng)所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值時，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；以及繼續(xù)監(jiān)控所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在進行所述更換后所產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。圖12示出了根據(jù)本發(fā)明實施例二的控制緩存映射的方法的流程示意圖。本實施例中，閃存介質(zhì)作為緩存，底層存儲介質(zhì)示例性地為硬盤，示例性但不作為限制地，緩存具有4個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，硬盤包括兩個組，每個組劃分成與緩存的4個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊相對應(yīng)的4 個數(shù)據(jù)塊，并且硬盤中的每一個數(shù)據(jù)塊的大小與閃存介質(zhì)中的每一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的大小一致。如圖12所示出的，本實施例的控制緩存映射的方法包括在步驟S1201中，監(jiān)控緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)，并記錄。在步驟S1202中，當(dāng)緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值時，將具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間緩存的數(shù)據(jù)進行交換。在步驟S1203中，根據(jù)對目標(biāo)數(shù)據(jù)塊所做的交換，相應(yīng)地更換底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊和當(dāng)前映射至具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊所映射到的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。具體地，即將底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至當(dāng)前具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，而將底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。具體地，可以通過更改緩存元數(shù)據(jù)來改變硬盤中的數(shù)據(jù)塊和緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的映射關(guān)系。在步驟S1204中，在對硬盤與緩存之間的映射進行上述改變后，將所記錄的所述緩存的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)清零。然后回到步驟S1201，繼續(xù)監(jiān)控并記錄在經(jīng)過上述映射改變之后所產(chǎn)生的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)，并在滿足條件時執(zhí)行步驟S1203-S1204。 示例性地，可以利用計數(shù)器來記錄各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)。在每次映射改變后，將計數(shù)器清零，然后重寫計數(shù)，記錄映射改變后的產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。圖1、圖13-圖14示出了利用本發(fā)明實施例二的方法來控制緩存映射的一個具體實例。在該例中，假定在初始時硬盤與緩存之間采用圖1所示的映射關(guān)系。如圖1所示出的，在初始時，硬盤與緩存的映射關(guān)系為硬盤的數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊4映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0，硬盤的數(shù)據(jù)塊1和數(shù)據(jù)塊5映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1，硬盤的數(shù)據(jù)塊2和數(shù)據(jù)塊6映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2，硬盤的數(shù)據(jù)塊3和數(shù)據(jù)塊7映射到緩存的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3。監(jiān)控緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)。假定當(dāng)前目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0具有最大的擦寫次數(shù)，目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1具有最小的擦寫次數(shù)。 隨著數(shù)據(jù)緩存的進行，監(jiān)控并記錄各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)。當(dāng)確定出目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0與目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1的擦寫次數(shù)之差達到擦寫閾值S時，將具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1之間緩存的數(shù)據(jù)進行交換，并相應(yīng)地將硬盤中當(dāng)前映射至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊ο的所有數(shù)據(jù)塊(該例中為數(shù)據(jù)塊0和數(shù)據(jù)塊4)更換為映射至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1， 而將當(dāng)前映射至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊1的所有數(shù)據(jù)塊(該例中為數(shù)據(jù)塊1和數(shù)據(jù)塊幻更換為映射至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊0。改變后的映射關(guān)系如圖13中所示出的。然后將緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)清零，并繼續(xù)監(jiān)控緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在進行映射改變后所產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。在該例中在進行上次交換后，隨著數(shù)據(jù)緩存的進行，假定目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3的擦寫次數(shù)變成最小，目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2的擦寫次數(shù)變成最大，當(dāng)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2的擦寫次數(shù)與目標(biāo)數(shù)據(jù)塊 3的擦寫次數(shù)之差達到擦寫閾值S時，將具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊2與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3之間緩存的數(shù)據(jù)進行交換，并相應(yīng)地將硬盤中當(dāng)前映射至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊 2的所有數(shù)據(jù)塊(該例中為數(shù)據(jù)塊2和數(shù)據(jù)塊6)更換為映射至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3，而將當(dāng)前映射至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊3的所有數(shù)據(jù)塊(該例中為數(shù)據(jù)塊3和數(shù)據(jù)塊7)更換為映射至目標(biāo)數(shù)據(jù)塊 2。改變后的映射關(guān)系如圖14所示。然后，將緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)清零，并繼續(xù)監(jiān)控緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在映射改變后產(chǎn)生的擦寫次數(shù)，并在具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值S 時，對硬盤與緩存之間的映射作出上文所示出的類似的更換。利用本實施例可以保證閃存介質(zhì)中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊及擦除塊的最大擦寫次數(shù)和最小擦寫次數(shù)的差距可控，使得各個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)接近平均值。并且通過設(shè)置擦寫閾值S可以控制閃存介質(zhì)中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊擦寫次數(shù)的方差。本實施例尤其適用于業(yè)務(wù)不呈現(xiàn)周期性現(xiàn)象或周期性現(xiàn)象不明顯的應(yīng)用場景。在本發(fā)明實施例的實現(xiàn)中，可以利用替換次數(shù)來代替擦寫次數(shù)，通過監(jiān)控并記錄目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的替換次數(shù)來進行動態(tài)映射切換。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的，在緩存中，把數(shù)據(jù)換出并重新寫入其它數(shù)據(jù)的操作叫做緩存的替換。在具體應(yīng)用中，用戶可以根據(jù)實際的應(yīng)用場景，選擇啟用上文所示出的各動態(tài)映射策略，并在不需要的時候關(guān)閉動態(tài)映射策略。進而，在選擇動態(tài)映射策略后，用戶還可根據(jù)實際的需要通過相應(yīng)的接口模塊設(shè)置相應(yīng)的參數(shù)，如切換周期、切換循環(huán)和/或擦寫閾值等。在未選擇動態(tài)切換策略時，用戶可以使用默認(rèn)的映射策略，如可以是直接映射、全相聯(lián)映射、組相聯(lián)映射等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，除了上文所示出的切換方法外，還可以有利用其它的切換順序的映射切換方法，只要該切換方法能使得底層存儲介質(zhì)中訪問頻繁的數(shù)據(jù)塊中的數(shù)據(jù)不是一直只對應(yīng)某一個固定的緩存目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，就可以使得作為緩存的閃存介質(zhì)的某一目標(biāo)數(shù)據(jù)塊不是很快地達到使用極限，從而可以延長閃存介質(zhì)的壽命。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)切換方法使得緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)相接近如趨于平均時，可以最大化閃存介質(zhì)的壽命?，F(xiàn)在參考圖15，其示出了按照本發(fā)明實施例的緩存系統(tǒng)。
如圖15所示，本發(fā)明實施例的緩存系統(tǒng)1500包括底層存儲介質(zhì)1510 ；閃存介質(zhì)1520，耦合至所述底層存儲介質(zhì)，用于作為所述底層存儲介質(zhì)的緩存，其中所述底層存儲介質(zhì)中的一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；處理器1530，被配置成以預(yù)定的時間周期更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。其中，緩存系統(tǒng)中所述處理器還可以進一步被配置成在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，以使得在一個切換循環(huán)后，所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)相接近，其中，一個切換循環(huán)所包括的切換周期的數(shù)目不小于所述緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。其中，緩存系統(tǒng)中所述處理器還可以進一步被配置成在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，使得所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊在一個切換循環(huán)的不同切換周期內(nèi)映射到所述緩存中的不同目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；其中，一個切換循環(huán)包括的切換周期的數(shù)目等于所述緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目。其中，緩存系統(tǒng)中所述處理器還可以進一步被配置成在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，按照所述緩存中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的編號順序，以輪轉(zhuǎn)的方式將所述緩存中每一目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)分別遷移至編號與其相鄰的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中，并根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移，相應(yīng)地更換所述底層存儲介質(zhì)中每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。其中，緩存系統(tǒng)中所述處理器還可以進一步被配置成在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，將所述緩存中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)與所述緩存中除該具有最大擦寫次數(shù)之外的其它目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中、在當(dāng)前的切換循環(huán)中其內(nèi)數(shù)據(jù)進行過最少次數(shù)的交換、并且與在當(dāng)前的切換循環(huán)的上一個切換周期中與該當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊進行交換的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊不同的任一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)相交換，并且相應(yīng)地更換所對應(yīng)的所述底層存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；其中，所述一個切換循環(huán)包含N乘以(N-I)個切換周期，在所述一個切換循環(huán)中，所述緩存的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在不同的N-I個切換周期內(nèi)為所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。本發(fā)明實施例還提供了一種緩存系統(tǒng)，該存儲系統(tǒng)包括底層存儲介質(zhì)；閃存介質(zhì)，耦合至所述底層存儲介質(zhì)，用于作為所述底層存儲介質(zhì)的緩存，其中所述底層存儲介質(zhì)中的一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；處理器，被配置成監(jiān)控所述緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)；當(dāng)所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值時，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；以及繼續(xù)監(jiān)控所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在進行所述更換后所產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。其中，緩存系統(tǒng)中所述處理器還可以進一步被配置成將所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間緩存的數(shù)據(jù)進行交換，并相應(yīng)地將所述底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至所述具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，而將所述底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至所述具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以利用軟件、硬件或者軟硬件結(jié)合的方式來實現(xiàn)裝置1500中處理器的功能。本發(fā)明實施例還提供機器可讀存儲介質(zhì)，其存儲有機器可執(zhí)行指令，當(dāng)該機器可執(zhí)行指令被執(zhí)行時使得機器實施以預(yù)定的時間周期更換底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到所述底層存儲介質(zhì)的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，其中，所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所述底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。其中，該方法還可以包括以下步驟在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，以使得在一個切換循環(huán)后，所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)相接近，其中，一個切換循環(huán)所包括的切換周期的數(shù)目不小于所述緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。其中，該方法還可以包括以下步驟在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，使得所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊在一個切換循環(huán)的不同切換周期內(nèi)映射到所述緩存中的不同目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；其中，一個切換循環(huán)包括的切換周期的數(shù)目等于所述緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。其中，上面所描述的發(fā)送步驟還可以進一步包括以下步驟在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，按照所述緩存中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的編號順序，以輪轉(zhuǎn)的方式將所述緩存中每一目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)分別遷移至編號與其相鄰的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中，并根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移，相應(yīng)地更換所述底層存儲介質(zhì)中每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。其中，上面所描述的檢測步驟還可以進一步包括以下步驟在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，將所述緩存中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)與所述緩存中除該具有最大擦寫次數(shù)之外的其它目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中、在當(dāng)前的切換循環(huán)中其內(nèi)數(shù)據(jù)進行過最少次數(shù)的交換、并且與在當(dāng)前的切換循環(huán)的上一個切換周期中與該當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊進行交換的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊不同的任一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)相交換，并且相應(yīng)地更換所對應(yīng)的所述底層存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；其中， 所述一個切換循環(huán)包含N乘以(N-I)個切換周期，在一個切換循環(huán)中所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在不同的N-I個切換周期內(nèi)為所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。本發(fā)明實施例還提供機器可讀存儲介質(zhì)，其存儲有機器可執(zhí)行指令，其中，當(dāng)該機器可執(zhí)行指令被執(zhí)行時使得機器實施監(jiān)控底層存儲介質(zhì)的緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)，其中，所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊， 所述底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)；當(dāng)所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值時，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；以及繼續(xù)監(jiān)控所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在進行所述更換后所產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。
其中，該方法還可以包括以下步驟將所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間緩存的數(shù)據(jù)進行交換，并相應(yīng)地將所述底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至所述具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，而將所述底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至所述具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的各個實施例所公開的方法和裝置，可以在不偏離發(fā)明實質(zhì)的情況下做出各種變形和改變，這些變形和改變都應(yīng)當(dāng)落入在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍由所附的權(quán)利要求書來定義。
權(quán)利要求
1.一種控制緩存映射的方法，其特征在于，所述方法包括以預(yù)定的時間周期更換底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到所述底層存儲介質(zhì)的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，其中，所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所述底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述以預(yù)定的時間周期更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的步驟包括在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，以使得在一個切換循環(huán)后，所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)相接近，其中，一個切換循環(huán)所包括的切換周期的數(shù)目不小于所述緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述以預(yù)定的時間周期更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的步驟包括在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，使得所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊在一個切換循環(huán)的不同切換周期內(nèi)映射到所述緩存中的不同目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；其中，一個切換循環(huán)包括的切換周期的數(shù)目等于所述緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的步驟包括在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，按照所述緩存中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的編號順序，以輪轉(zhuǎn)的方式將所述緩存中每一目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)分別遷移至編號與其相鄰的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中， 并根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移，相應(yīng)地更換所述底層存儲介質(zhì)中每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述以預(yù)定的時間周期更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的步驟包括在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，將所述緩存中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)與所述緩存中除該具有最大擦寫次數(shù)之外的其它目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中、在當(dāng)前的切換循環(huán)中其內(nèi)數(shù)據(jù)進行過最少次數(shù)的交換、并且與在當(dāng)前的切換循環(huán)的上一個切換周期中與該當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊進行交換的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊不同的任一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)相交換，并且相應(yīng)地更換所對應(yīng)的所述底層存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；其中，所述一個切換循環(huán)包含N乘以(N-I)個切換周期，在所述一個切換循環(huán)中，所述緩存的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在不同的N-I個切換周期內(nèi)為所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。
6.一種控制緩存映射的方法，其特征在于，所述方法包括監(jiān)控底層存儲介質(zhì)的緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)，其中，所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所述底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)；當(dāng)所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值時，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；以及繼續(xù)監(jiān)控所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在進行所述更換后所產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的步驟包括將所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間緩存的數(shù)據(jù)進行交換，并相應(yīng)地將所述底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至所述具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，而將所述底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至所述具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。
8.一種緩存系統(tǒng)，其特征在于，包括底層存儲介質(zhì)；閃存介質(zhì)，耦合至所述底層存儲介質(zhì)，用于作為所述底層存儲介質(zhì)的緩存，其中所述底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；處理器，被配置成以預(yù)定的時間周期更換底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到所述底層存儲介質(zhì)的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的緩存系統(tǒng)，其特征在于，所述處理器進一步被配置成在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，以使得在一個切換循環(huán)后，所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)相接近，其中，一個切換循環(huán)所包括的切換周期的數(shù)目不小于所述緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的緩存系統(tǒng)，其特征在于，所述處理器進一步被配置成在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，更換所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，使得所述底層存儲介質(zhì)中的每一個數(shù)據(jù)塊在一個切換循環(huán)的不同切換周期內(nèi)映射到所述緩存中的不同目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；其中，一個切換循環(huán)包括的切換周期的數(shù)目等于所述緩存所包含的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)目N。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的緩存系統(tǒng)，其特征在于，所述處理器進一步被配置成在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，按照所述緩存中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的編號順序，以輪轉(zhuǎn)的方式將所述緩存中每一目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)分別遷移至編號與其相鄰的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中， 并根據(jù)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的遷移，相應(yīng)地更換所述底層存儲介質(zhì)中每一個數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的緩存系統(tǒng)，其特征在于，所述處理器進一步配置成在一個切換循環(huán)的每一個切換周期內(nèi)，將所述緩存中當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)與所述緩存中除該具有最大擦寫次數(shù)之外的其它目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中、在當(dāng)前的切換循環(huán)中其內(nèi)數(shù)據(jù)進行過最少次數(shù)的交換、并且與在當(dāng)前的切換循環(huán)的上一個切換周期中與該當(dāng)前具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊進行交換的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊不同的任一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中緩存的數(shù)據(jù)相交換，并且相應(yīng)地更換所對應(yīng)的所述底層存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)塊所映射到的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；其中，所述一個切換循環(huán)包含N乘以(N-I)個切換周期，在所述一個切換循環(huán)中，所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊中各自在N-I個切換周期內(nèi)為所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。
13.一種緩存系統(tǒng)，其特征在于，包括底層存儲介質(zhì)；閃存介質(zhì)，耦合至所述底層存儲介質(zhì)，用于作為所述底層存儲介質(zhì)的緩存，其中所述底層存儲介質(zhì)中的一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到所述緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；處理器，被配置成監(jiān)控所述緩存中各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的擦寫次數(shù)；當(dāng)所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間的擦寫次數(shù)之差達到預(yù)先設(shè)定的擦寫閾值時，更換所述底層存儲介質(zhì)中的至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，所更換的所述緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前所述緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊；以及繼續(xù)監(jiān)控所述緩存中的各目標(biāo)數(shù)據(jù)塊在進行所述更換后所產(chǎn)生的擦寫次數(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的緩存系統(tǒng)，其特征在于，所述處理器進一步被配置成將所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊與具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊之間緩存的數(shù)據(jù)進行交換，并相應(yīng)地將所述底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至所述具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，而將所述底層存儲介質(zhì)中當(dāng)前映射至所述具有最小擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊的所有數(shù)據(jù)塊更換為映射至所述具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。
15.—種機器可讀存儲介質(zhì)，其存儲機器可執(zhí)行指令，當(dāng)所述機器可執(zhí)行指令被執(zhí)行時使得機器執(zhí)行權(quán)利要求1-7的任何一個權(quán)利要求中的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及控制緩存映射的方法及緩存系統(tǒng)，其中，該方法包括以預(yù)定的時間周期更換底層存儲介質(zhì)中至少一個數(shù)據(jù)塊所映射到底層存儲介質(zhì)的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，其中，底層存儲介質(zhì)中一個或多個數(shù)據(jù)塊只映射到緩存中的一個目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，底層存儲介質(zhì)的緩存包括閃存介質(zhì)，所更換的緩存中的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊包括當(dāng)前緩存中具有最大擦寫次數(shù)的目標(biāo)數(shù)據(jù)塊。利用該技術(shù)方案可以優(yōu)化閃存介質(zhì)的使用壽命。
文檔編號G06F12/08GK102439572SQ201180002426
公開日2012年5月2日 申請日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者王子毅, 王朱珍 申請人:華為技術(shù)有限公司