專(zhuān)利名稱(chēng)：用于電容感應(yīng)電極相關(guān)應(yīng)用的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及觸摸傳感器領(lǐng)域，更具體地涉及電容性觸摸傳感器陣列中的元件的跡線(xiàn)圖案。
背景技術(shù)：
例如筆記本電腦、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、公用電話(huà)亭和移動(dòng)手持設(shè)備等計(jì)算設(shè)備具有被稱(chēng)為人機(jī)界面設(shè)備的用戶(hù)界面設(shè)備，其。變得更常見(jiàn)的用戶(hù)界面設(shè)備是觸摸傳感器輸入板(通常被稱(chēng)為觸摸板)?；镜墓P記本電腦的觸摸傳感器輸入板模仿個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)鼠標(biāo)的功能。為了固有的便攜性，觸摸傳感器輸入板通常被嵌入到PC筆記本中。觸摸傳感器輸入板通過(guò)使用兩個(gè)限定的軸來(lái)復(fù)制鼠標(biāo)的X/Y移動(dòng)，該兩個(gè)限定的軸包含監(jiān)測(cè)例如手指等一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電對(duì)象的位置的傳感器元件的集合?？梢酝ㄟ^(guò)位于觸摸板附近的兩個(gè)機(jī)械按鈕，通過(guò)在觸摸傳感器輸入板本身上輕擊命令來(lái)復(fù)制鼠標(biāo)右/左按鈕的點(diǎn)擊。觸摸傳感器輸入板提供用于執(zhí)行例如定位指針或在顯示器上選擇條目等功能的用戶(hù)界面設(shè)備。這些觸摸傳感器輸入板可以包括用于監(jiān)測(cè)多個(gè)軸中的運(yùn)動(dòng)的多維傳感器陣列。傳感器陣列可以包括一維傳感器陣列，以檢測(cè)一個(gè)軸上的運(yùn)動(dòng)。傳感器陣列也可以是二維的，以檢測(cè)兩個(gè)軸上的運(yùn)動(dòng)。變得更普通的另一個(gè)用戶(hù)界面設(shè)備是觸摸屏。還被稱(chēng)為觸摸窗口、觸摸面板或觸摸屏面板的觸摸屏是透明的顯示器覆蓋板，其通常是壓力感應(yīng)的(電阻或壓電的)、電子感應(yīng)的(電容)、聲音感應(yīng)的(表面聲波(SAW))或光感應(yīng)的(紅外光)。該種覆蓋板的效果允許顯示器被用作輸入設(shè)備，移除作為與顯示器內(nèi)容交互的主要輸入設(shè)備的鍵盤(pán)和/或鼠標(biāo)。這樣的顯示器可以連接至計(jì)算機(jī)或者作為終端連接至網(wǎng)絡(luò)。觸摸屏經(jīng)常用于零售環(huán)境，位于銷(xiāo)售點(diǎn)系統(tǒng)、ATM、移動(dòng)手持設(shè)備、公用電話(huà)亭、游戲控制臺(tái)和有時(shí)使用輸入筆來(lái)操作圖形用戶(hù)界面(GUI)并且輸入數(shù)據(jù)的TOA。用戶(hù)可以觸摸觸摸屏或觸摸傳感器輸入板以操作數(shù)據(jù)。例如，通過(guò)使用手指來(lái)觸摸觸摸屏的表面，用戶(hù)可以應(yīng)用單個(gè)觸摸以從菜單中選擇條目。


在下面的附圖中，通過(guò)示例的方式而不是通過(guò)限制的方式示出本發(fā)明。圖I是表示處理觸摸傳感器數(shù)據(jù)的電子系統(tǒng)的實(shí)施例的框圖。圖2是表示處理觸摸傳感器數(shù)據(jù)的電子系統(tǒng)的實(shí)施例的框圖。
圖3A表具有鉆石形圖案的電容性傳感器陣列的實(shí)施例。圖3B表示根據(jù)實(shí)施例的具有鉆石形圖案電容性傳感器陣列的一部分。圖4表示根據(jù)實(shí)施例的具有主跡線(xiàn)和初級(jí)子跡線(xiàn)的電容性傳感器陣列的單位晶格。圖5A表示根據(jù)實(shí)施例的具有主跡線(xiàn)和初級(jí)子跡線(xiàn)的電容性傳感器陣列的單位晶格。圖5B表示根據(jù)實(shí)施例的具有主跡線(xiàn)和初級(jí)子跡線(xiàn)的電容性傳感器陣列的單位晶格。圖6表示根據(jù)實(shí)施例的具有虛擬跡線(xiàn)的電容性傳感器陣列的四個(gè)單元晶格。
圖7表示根據(jù)實(shí)施例的兩個(gè)相鄰傳感器元件之間具有初級(jí)子跡線(xiàn)的電容性傳感器陣列的四個(gè)單位晶格。
具體實(shí)施例方式下面的描述闡述了多個(gè)具體細(xì)節(jié)，例如特定系統(tǒng)、組件、方法等的例子，從而提供本發(fā)明的若干實(shí)施例的更好理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的可以在不使用這些細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的至少一些實(shí)施例。在其它例子中，為了避免不必要地模糊本發(fā)明，以簡(jiǎn)單的框圖格式表示沒(méi)有詳細(xì)描述的公知組件或方法。由此，在此的具體細(xì)節(jié)僅用于示例。具體的實(shí)施方式可能不同于這些示例細(xì)節(jié)，并且依然處于本發(fā)明的精神或范圍內(nèi)。電容性傳感器陣列的實(shí)施例可以包括傳感器元件，該傳感器元件被布置使得與傳感器元件之間的交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)的每個(gè)單元晶格可以包括主跡線(xiàn)和從主跡線(xiàn)分叉的一個(gè)或多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器元件還可以包括從初級(jí)子跡線(xiàn)分叉的一個(gè)或多個(gè)次級(jí)子跡線(xiàn)，或者從次級(jí)子跡線(xiàn)分叉的一個(gè)或多個(gè)三級(jí)子跡線(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，具有這樣的圖案的傳感器陣列與例如鉆石形圖案等其它圖案相比已經(jīng)減小了信號(hào)不一致并并降低了制造問(wèn)題。具體地，可以以減小的成本和增加的產(chǎn)率以及改善的光學(xué)質(zhì)量來(lái)制造具有傳感器元件的電容性傳感器陣列，該傳感器元件具有主跡線(xiàn)和從主跡線(xiàn)分叉的子跡線(xiàn)，例如圖騰柱圖案。這樣的電容性傳感器陣列的實(shí)施例可以包括第一和第二多個(gè)傳感器元件，第二多個(gè)傳感器元件中每一個(gè)與第一多個(gè)傳感器元件的每一個(gè)交叉。第二多個(gè)傳感器元件之一和第二多個(gè)傳感器元件之一之間的每個(gè)交叉可以與對(duì)應(yīng)的單元晶格相關(guān)聯(lián)。在一個(gè)實(shí)施例中，與交叉對(duì)應(yīng)的單元晶格可以被理解為包括傳感器陣列的表面上的所有位置的區(qū)域，該位置與傳感器元件之間的任何其它交叉相比更接近于對(duì)應(yīng)的交叉。在電容性傳感器陣列的一個(gè)實(shí)施例中，第二多個(gè)傳感器元件的每一個(gè)包括主跡線(xiàn)，該主跡線(xiàn)穿過(guò)多個(gè)單元晶格中的至少一個(gè)，并且在每個(gè)單元晶格中還包括從主跡線(xiàn)分叉的初級(jí)子跡線(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，初級(jí)子跡線(xiàn)可以是從主跡線(xiàn)的兩個(gè)相對(duì)側(cè)對(duì)稱(chēng)分叉的兩個(gè)或多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)之一，組成“圖騰柱”。可選地，初級(jí)子跡線(xiàn)可以從主跡線(xiàn)不對(duì)稱(chēng)地分叉。圖I表不電子系統(tǒng)100的一個(gè)實(shí)施例的框圖，電子系統(tǒng)100包括處理設(shè)備110,處理設(shè)備110用于從包括如上所述的電容性傳感器陣列的觸摸感應(yīng)表面116測(cè)量電容值。電子系統(tǒng)100包括連接至處理設(shè)備110和主機(jī)150的觸摸感應(yīng)表面116 (例如觸摸屏或觸摸面板)。在一個(gè)實(shí)施例中，觸摸感應(yīng)表面116是二維用戶(hù)界面，其使用傳感器陣列112來(lái)檢測(cè)表面116上的觸摸。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器陣列121包括被布置為二維矩陣(也稱(chēng)為XY矩陣)傳感器元件121 (I)-121 (N)(其中N是正整數(shù))。傳感器陣列121通過(guò)傳輸多個(gè)信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)模擬總線(xiàn)115而連接至處理設(shè)備110的管腳113 (I)-113 (N)。在這個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)傳感器兀件121 (1)-121 (N)被表不為電容器。在一個(gè)實(shí)施例中，電容傳感器101可以包括馳張振蕩器或?qū)㈦娙葜缔D(zhuǎn)換為測(cè)量值 的其它器件。電容傳感器101還可以包括計(jì)數(shù)器或定時(shí)器來(lái)測(cè)量振蕩器輸出。電容傳感器101還可以包括軟件組件以將計(jì)數(shù)值(例如電容值)轉(zhuǎn)換為傳感器元件檢測(cè)結(jié)果(還被稱(chēng)為開(kāi)關(guān)檢測(cè)結(jié)果)或相關(guān)量值。應(yīng)該知道存在用于測(cè)量電容值的不同已知方法，例如電流與電壓相移測(cè)量、電阻-電容充電定時(shí)、電容橋分壓器、電荷轉(zhuǎn)移、逐次逼近法、Σ -Δ調(diào)制器、電荷累積電路、場(chǎng)效應(yīng)、互電容、頻移或其它電容測(cè)量算法。然而，應(yīng)該知道，代替相對(duì)于閾值評(píng)估原始計(jì)數(shù)，電容傳感器101還可以評(píng)估其它測(cè)量以確定用戶(hù)交互。例如，在具有Σ-Δ調(diào)制器的電容傳感器101中，電容傳感器101評(píng)估輸入的脈沖寬度的比率，而不是在某個(gè)閾值之上或之下的原始計(jì)數(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，處理設(shè)備110還包括處理邏輯102。處理邏輯102的操作可以在固件中實(shí)施，可選地，處理邏輯102的操作可以在硬件或軟件中實(shí)施。處理邏輯102可以從電容傳感器101接收信號(hào)，并且確定傳感器陣列121的狀態(tài)，例如，是否在傳感器陣列121上或附近檢測(cè)到對(duì)象(例如手指)(確定對(duì)象的存在)，在傳感器陣列的哪里檢測(cè)到對(duì)象(確定對(duì)象的位置)，追蹤對(duì)象的運(yùn)動(dòng)或者與在觸摸傳感器上檢測(cè)的對(duì)象相關(guān)的其它信肩、O在另一個(gè)實(shí)施例中，替代執(zhí)行處理設(shè)備110中的處理邏輯102的操作，處理設(shè)備110可以將原始數(shù)據(jù)或部分處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到主機(jī)150。如圖I所示，主機(jī)150可以包括執(zhí)行處理邏輯102的一些操作或全部操作的決定邏輯151。決定邏輯151的操作可以在固件、硬件、軟件或其組合中實(shí)現(xiàn)。主機(jī)150可以包括應(yīng)用152中的高級(jí)應(yīng)用編程接口(API)，應(yīng)用152對(duì)于所接收的數(shù)據(jù)執(zhí)行程序，例如補(bǔ)償靈敏度差異、其它補(bǔ)償算法、基準(zhǔn)更新程序、啟動(dòng)和/或初始化程序、內(nèi)插操作或縮放操作。關(guān)于處理邏輯102描述的操作可以在決定邏輯151、應(yīng)用152或處理設(shè)備110外部的其它硬件、軟件和/或固件中實(shí)施。在一些其它實(shí)施例中，處理設(shè)備110是主機(jī)150。在另一個(gè)實(shí)施例中，處理設(shè)備110可以包括非感應(yīng)動(dòng)作塊103。該塊103可以用于處理和/或從主機(jī)150接收數(shù)據(jù)或向主機(jī)150發(fā)送數(shù)據(jù)。例如，額外的部件可以與傳感器陣列121 —起與處理設(shè)備110協(xié)作(例如鍵盤(pán)、鍵區(qū)、鼠標(biāo)、軌跡球、LED、顯示器或其它外圍設(shè)備)。處理設(shè)備110可以駐留在例如集成電路(IC)管芯基板或多芯片模塊基板等普通的載臺(tái)基板上。可選地，處理設(shè)備110的組件可以是一個(gè)或多個(gè)分離的集成電路和/或分立元件。在一個(gè)實(shí)施例中，處理設(shè)備110可以是由位于加州的圣何塞的Cypress半導(dǎo)體公司研制的片上可編程系統(tǒng)(PSoCtm)處理設(shè)備?？蛇x地，處理設(shè)備110可以是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的一個(gè)或多個(gè)處理設(shè)備，例如微處理器或中央處理單元、控制器、專(zhuān)用處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專(zhuān)用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)或其它可編程設(shè)備。在可選實(shí)施例中，例如處理設(shè)備110可以是具有包括核心單元和多個(gè)微引擎的多個(gè)處理器的網(wǎng)絡(luò)處理器。此外，處理設(shè)備110可以包括通用處理設(shè)備和專(zhuān)用處理設(shè)備的任意組
八
口 ο在一個(gè)實(shí)施例中，操作系統(tǒng)100可以在包括作為用戶(hù)界面的觸摸感應(yīng)表面116的設(shè)備中實(shí)現(xiàn)，例如手持電子設(shè)備、便攜式電話(huà)、手機(jī)、筆記本電腦、個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、公用電話(huà)亭、鍵盤(pán)、電話(huà)、遙控器、監(jiān)視器、手持多媒體設(shè)備、手持視頻播放器、游戲設(shè)備、家用或工業(yè)應(yīng)用的控制面板或其它計(jì)算機(jī)外圍或輸入設(shè)備。可選地，電子系統(tǒng)100可以用于任何類(lèi)型的設(shè)備。應(yīng)該知道電子系統(tǒng)100的組件可以包括上述所有組件?？蛇x地，電子系統(tǒng)100可以?xún)H包括上述一些組件，或者包括在此沒(méi)有列出的其它組件。
圖2是表示電容性觸摸傳感器陣列121和將測(cè)量的電容值轉(zhuǎn)換為坐標(biāo)的電容傳感器101的一個(gè)實(shí)施例的框圖。基于測(cè)量到的電容值計(jì)算坐標(biāo)。在一個(gè)實(shí)施例中，在例如電子系統(tǒng)100的系統(tǒng)中實(shí)施傳感器陣列121和電容傳感器101。傳感器陣列220包括NXM個(gè)電極的矩陣225 (N個(gè)接收電極和M個(gè)發(fā)射電極)，其進(jìn)一步包括發(fā)射(TX)電極222和接收(RX)電極223。矩陣225中的每個(gè)電極通過(guò)解復(fù)用器212和復(fù)用器213與電容感應(yīng)電路201連接。電容傳感器101包括復(fù)用器控制器211、解復(fù)用器212和復(fù)用器213、時(shí)鐘發(fā)生器
214、信號(hào)發(fā)生器215、解調(diào)電路216和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADCUnt5ADC 217還與觸摸坐標(biāo)轉(zhuǎn)換器218連接。觸摸坐標(biāo)轉(zhuǎn)換器218將信號(hào)輸出給處理邏輯102。可以布置電極矩陣225中的發(fā)射和接收電極，以使得每個(gè)發(fā)射電極重疊或穿過(guò)每個(gè)接收電極以形成交叉陣列，同時(shí)彼此保持電偶隔離。由此，每個(gè)發(fā)射電極可以被電容耦合至每個(gè)接收電極。例如，在發(fā)射電極222和接收電極223重疊的點(diǎn)處，發(fā)射電極222電容耦合至接收電極223。時(shí)鐘發(fā)生器214將時(shí)鐘信號(hào)提供給信號(hào)發(fā)生器215，信號(hào)發(fā)生器215產(chǎn)生要被提供給觸摸傳感器121的發(fā)射電極的TX信號(hào)224。在一個(gè)實(shí)施例中，信號(hào)發(fā)生器215包括一組開(kāi)關(guān)，其根據(jù)來(lái)自時(shí)鐘發(fā)生器214的時(shí)鐘信號(hào)而進(jìn)行操作。開(kāi)關(guān)可以通過(guò)周期性地將信號(hào)發(fā)生器215的輸出連接至第一電壓并且然后連接至第二電壓來(lái)生成TX信號(hào)224，其中所述第一和第二電壓不同。信號(hào)發(fā)生器215的輸出與解復(fù)用器212連接，這允許TX信號(hào)224被應(yīng)用至觸摸傳感器121的M個(gè)發(fā)射電極中的任一個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，復(fù)用器控制器211控制解復(fù)用器212，使得TX信號(hào)224以受控的順序被應(yīng)用至每個(gè)發(fā)射電極222。解復(fù)用器212還可以被用于接地、浮動(dòng)或?qū)⒖蛇x信號(hào)連接至當(dāng)前沒(méi)有對(duì)其應(yīng)用TX信號(hào)224的其它發(fā)射電極。因?yàn)榘l(fā)射和接收電極之間的電容耦合，所以應(yīng)用至每個(gè)發(fā)射電極的TX信號(hào)224感應(yīng)每個(gè)接收電極內(nèi)部的電容。例如，當(dāng)TX信號(hào)224通過(guò)解復(fù)用器212被應(yīng)用至發(fā)射電極222時(shí)，TX信號(hào)224在矩陣225中的接收電極上感應(yīng)RX信號(hào)227。通過(guò)使用復(fù)用器213順序地測(cè)量每個(gè)接收電極上的RX信號(hào)227，從而將N個(gè)接收電極中的每一個(gè)順序地連接至解調(diào)電路。通過(guò)使用解復(fù)用器212和復(fù)用器213選擇TX電極和RX電極的每個(gè)可用組合可以感應(yīng)與TX電極和RX電極之間的每個(gè)交叉相關(guān)的互電容。為了改善性能，復(fù)用器213也可以被分段以允許在矩陣225中的多于一個(gè)的接收電極被路由到額外的解調(diào)電路216。在優(yōu)化配置中，其中存在解調(diào)電路216與接收電極存在I對(duì)I的對(duì)應(yīng)關(guān)系的情況，系統(tǒng)中可能沒(méi)有復(fù)用器213。當(dāng)例如手指等對(duì)象接近電極矩陣225時(shí)，該對(duì)象引起僅一些電容之間的互電容的降低。例如，如果手指放到發(fā)射電極222和接收電極223的交叉附近，則手指的存在將降低電極222和223之間的互電容。由此，除了識(shí)別在一個(gè)或多個(gè)接收電極上測(cè)量到降低的互電容的時(shí)被應(yīng)用了 TX信號(hào)224的發(fā)射電極之外，通過(guò)識(shí)別具有降低的互電容的一個(gè)或多個(gè)接收電極，也可以確定手指在觸摸板上的位置。通過(guò)確定與矩陣225中的每個(gè)交叉電極相關(guān)的互電容，可以確定一個(gè)或多個(gè)觸摸 接觸的位置。該確定可以是順序的、并行的，或者可以在常使用的電極中更頻繁地發(fā)生該確定。在可選實(shí)施例中，可以使用檢測(cè)手指或?qū)щ妼?duì)象的存在的其它方法，其中手指或?qū)щ妼?duì)象引起了在一個(gè)或多個(gè)電極處電容的增加，該一個(gè)或多個(gè)電極可以被布置為網(wǎng)格或其它圖案。例如，在電容性傳感器的電極附近放置的手指可以引入額外的接地的電容，其增加電極和地之間的總電容。根據(jù)檢測(cè)到增加的電容的一個(gè)或多個(gè)電極的位置可以確定手指的位置。感應(yīng)的電流信號(hào)227由解調(diào)電路216整流。然后由解調(diào)電路216整流的電流輸出可以被濾波并且由ADC 217轉(zhuǎn)換為數(shù)字代碼。觸摸坐標(biāo)轉(zhuǎn)換器218將數(shù)字代碼轉(zhuǎn)換為指示觸摸傳感器陣列121的位置的觸摸坐標(biāo)。觸摸坐標(biāo)作為輸入信號(hào)被發(fā)送到處理邏輯102。在一個(gè)實(shí)施例中，在處理邏輯102的輸入接收輸入信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入可以被配置為接收指示多個(gè)行坐標(biāo)和多個(gè)列坐標(biāo)的電容值測(cè)量?？蛇x地，輸入可以被配置為接收行坐標(biāo)和列坐標(biāo)。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器陣列121可以被配置為檢測(cè)多個(gè)觸摸。用于多觸摸檢測(cè)的一種技術(shù)使用兩個(gè)軸實(shí)現(xiàn)一個(gè)軸支持行以及另一個(gè)軸支持列。使用額外層在表面上實(shí)現(xiàn)的例如對(duì)角線(xiàn)軸等額外的軸可以允許額外的觸摸的精度。圖3A表示包括電容性傳感器陣列320的電容性觸摸感應(yīng)系統(tǒng)300的實(shí)施例。電容性傳感器陣列320包括多個(gè)行傳感器元件331-340以及多個(gè)列傳感器元件341-348。行和列傳感器元件331-348連接至處理設(shè)備310，如圖2所示，該處理設(shè)備310可以包括電容傳感器101的功能。在一個(gè)實(shí)施例中，處理設(shè)備310可以執(zhí)行電容傳感器陣列320的TX-RX掃描，以測(cè)量在傳感器陣列320中的行傳感器元件和列傳感器元件之間的每個(gè)交叉相關(guān)的互電容值。測(cè)量的電容值可以被進(jìn)一步處理以確定一個(gè)或多個(gè)接觸在電容性傳感器陣列320中的質(zhì)心位置。在一個(gè)實(shí)施例中，處理設(shè)備310被連接至主機(jī)150，主機(jī)150可以從處理設(shè)備310接收測(cè)量到的電容值或計(jì)算出的質(zhì)心位置。圖3A所示的傳感器陣列320包括以鉆石形圖案布置的傳感器元件。具體地，傳感器陣列320的傳感器元件331-348可以被布置為單個(gè)實(shí)心鉆石形(SSD)圖案。圖3B表示具有鉆石形圖案的可選實(shí)施例(其為雙實(shí)心鉆石形(DSD)圖案)的電容性傳感器陣列321。電容性傳感器陣列321的每個(gè)傳感器元件包括兩行或列電連接的鉆石形跡線(xiàn)。和SSD圖案相比，因?yàn)樵诒３置總€(gè)傳感器元件和傳感器元件附近的導(dǎo)電對(duì)象之間可能的相同自電容耦合的同時(shí)TX和RX傳感器元件之間的耦合的增加，所以DSD圖案改善了的信號(hào)不一致特性，。然而，DSD圖案還增加用于創(chuàng)建該圖案的橋的數(shù)目，這可能導(dǎo)致減小的產(chǎn)量。如果使用金屬橋，則橋的增加的數(shù)目可能是可見(jiàn)的。圖4表示根據(jù)實(shí)施例用于電容性傳感器陣列的傳感器元件的圖案的一個(gè)單元晶格400。單元晶格400包括部分傳感器元件410和420。傳感器元件420包括從單元晶格的一側(cè)向單元晶格的相對(duì)側(cè)延伸的主跡線(xiàn)401。傳感器元件410包括核心跡線(xiàn)405，其可以進(jìn)一步包括分離的部分405A和405B。在一個(gè)實(shí)施例中，核心跡線(xiàn)405可以穿過(guò)單元晶格的長(zhǎng)度延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，橋402被用于連接在傳感器元件420的主跡線(xiàn)401的兩個(gè)相對(duì)側(cè)上的傳感器元件410的部分。例如，橋402連接核心跡線(xiàn)405A和405B的部分。在一個(gè)實(shí)施例中，橋402由銦錫氧化物(ITO)制成。可選地，橋402可以由金屬或一些其它導(dǎo)電材料制成。在一個(gè)實(shí)施例中，可以在與橋連接的傳感器元件的相同層加工橋。例如，橋402可以被加工為與與傳感器元件410相同的材料層的部分。這可能是傳感器元件410和420處 于不同層的情況?？蛇x地，傳感器元件410和420可能位于同一層，并且橋402可能在分離的層。在可選實(shí)施例中，橋402可以被用于連接傳感器元件420的部分而不是傳感器元件410。在一個(gè)實(shí)施例中，金屬橋可以被用于連接傳感器元件420的部分，以使RX傳感器元件420的電阻值最小化。在單元晶格內(nèi)，初級(jí)子跡線(xiàn)403從主跡線(xiàn)分叉。在一個(gè)實(shí)施例中，僅初級(jí)子跡線(xiàn)403的一端連接至主跡線(xiàn)401。傳感器元件420除了初級(jí)子跡線(xiàn)403之外還包括例如子跡線(xiàn)404等初級(jí)子跡線(xiàn)。這些額外的初級(jí)子跡線(xiàn)也可以從主跡線(xiàn)401分叉，并且可以平行于子跡線(xiàn)403。例如，子跡線(xiàn)404從與子跡線(xiàn)403相同的主跡線(xiàn)401的一側(cè)分叉，并且平行于子跡線(xiàn)403。在一個(gè)實(shí)施例中，初級(jí)子跡線(xiàn)(包括子跡線(xiàn)403)可以關(guān)于通過(guò)主跡線(xiàn)401延伸的軸對(duì)稱(chēng)。在一個(gè)實(shí)施例中，初級(jí)子跡線(xiàn)可以在初級(jí)子跡線(xiàn)和主跡線(xiàn)401之間的節(jié)點(diǎn)處與主跡線(xiàn)401正交。與單個(gè)實(shí)心鉆石形(SSD)圖案相比，圖4所示的傳感器圖案的特征是在傳感器元件410和420之間具有更大的邊界長(zhǎng)度。與SSD相比，該增加的邊界長(zhǎng)度增加了傳感器元件410和420之間的電容耦合，其結(jié)果是減小了信號(hào)不一致。與DSD圖案相比，圖4的傳感器圖案每個(gè)單元晶格具有較少的橋，該結(jié)果是增加了的生產(chǎn)率。每個(gè)DSD圖案的單元晶格內(nèi)，較少的橋比較大數(shù)目的橋具有更小的可見(jiàn)性，特別是在用于清楚的觸摸感應(yīng)重疊應(yīng)用中使用傳感器陣列的應(yīng)用中。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器元件410的形狀與傳感器元件420的形狀周?chē)呢?fù)空間一致。在一個(gè)可選實(shí)施例中，傳感器元件410的形狀可以獨(dú)立于傳感器元件420的形狀，并且不同傳感器元件可以部分重疊。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器元件420的跡線(xiàn)的布局容納傳感器元件410的核心跡線(xiàn)405。在由多個(gè)連接的跡線(xiàn)組成傳感器元件410的實(shí)施例中，核心跡線(xiàn)可以是每個(gè)傳感器元件的最寬的跡線(xiàn)。例如，傳感器元件410包括比傳感器元件410包括的任何其它跡線(xiàn)都要寬的核心跡線(xiàn)405。在一個(gè)實(shí)施例中，核心跡線(xiàn)405的寬度保持低的電阻值以幫助電流通過(guò)傳感器元件410。在一個(gè)實(shí)施例中，例如厚度或材料等核心跡線(xiàn)的其它特性也可以用于保持傳感器元件410的低的電阻值。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖4所示，傳感器元件410可以用作發(fā)射(TX)傳感器元件，而傳感器元件420用作接收(RX)傳感器元件。在可選實(shí)施例中，傳感器元件410和420可以分別替代RX和TX傳感器元件的功能。與例如SSD和DSD圖案的鉆石形圖案相比，具有主跡線(xiàn)和子跡線(xiàn)的圖案允許TX和RX傳感器元件的更靈活的縮放和調(diào)整大小，以及更靈活地調(diào)整TX和RX元件之間的邊界長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)了特定的應(yīng)用和感應(yīng)方法可以?xún)?yōu)化傳感器元件的幾何形狀。例如，為了互電容感應(yīng)，可以使TX和RX傳感器元件之間的邊界長(zhǎng)度最大化，這依賴(lài)于TX和RX傳感器元件之間的邊緣電場(chǎng)。為了自電容感應(yīng)，可以設(shè)計(jì)傳感器元件的圖案以使由特定傳感器元件覆蓋的區(qū)域最大化。在一個(gè)實(shí)施例中，可以增加主跡線(xiàn)401的寬度以減小傳感器元件540的電阻值，或者減小主跡線(xiàn)401的寬度以增加傳感器元件540的電阻值。圖5A表示根據(jù)實(shí)施例的電容性傳感器陣列的單元晶格。單元晶格500包括傳感 器元件510和520的部分。傳感器元件520包括從單元晶格500的一側(cè)向單元晶格500的另一側(cè)延伸的主跡線(xiàn)501。橋502穿過(guò)主跡線(xiàn)501以提供傳感器元件510的部分之間的電連接。例如初級(jí)子跡線(xiàn)503等多個(gè)子跡線(xiàn)從主跡線(xiàn)501分叉。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)可以?xún)H在一端連接至主跡線(xiàn)501，可以關(guān)于通過(guò)至少一部分主跡線(xiàn)501延伸的軸對(duì)稱(chēng)，以及可以與其它初級(jí)子跡線(xiàn)并列。如圖5A所示，與圖4所示的8個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)相比，傳感器元件510可以包括從主跡線(xiàn)501分支的十二個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)。由此，在不同的實(shí)施例之間，每個(gè)單元晶格的子跡線(xiàn)的數(shù)目可能不同以對(duì)于不同感應(yīng)方法最優(yōu)。在一些實(shí)施例中，可以為了不同的優(yōu)化目的改變主跡線(xiàn)501和子跡線(xiàn)的其它尺寸，例如跡線(xiàn)的長(zhǎng)度和厚度。圖5B表不具有傳感器兀件530和540的電容性傳感器陣列的單兀晶格550。傳感器元件540包括穿過(guò)單元晶格550的主跡線(xiàn)511。包括子跡線(xiàn)513和514的多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)從單元晶格550內(nèi)的主跡線(xiàn)511分叉。在一個(gè)實(shí)施例中，一些初級(jí)子跡線(xiàn)可以比其它子跡線(xiàn)更短。例如，初級(jí)子跡線(xiàn)513的長(zhǎng)度比子跡線(xiàn)514的長(zhǎng)度短。在一個(gè)實(shí)施例中，可以調(diào)整子跡線(xiàn)的長(zhǎng)度以構(gòu)建具有特定特性的傳感器。例如，可以增加初級(jí)子跡線(xiàn)513的長(zhǎng)度來(lái)增加傳感器元件530和540之間的邊界長(zhǎng)度，或者減小傳感器元件540和元件530的面積之比。圖6表不電容性傳感器陣列600的四個(gè)單兀晶格,包括與傳感器兀件630和640交叉的傳感器兀件610和620。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器兀件630和640可以是RX傳感器元件，并且傳感器元件610和620可以是TX傳感器元件。在一個(gè)實(shí)施例中，例如橋631等橋或跳線(xiàn)可以用于連接TX傳感器元件610和620的部分。在一個(gè)實(shí)施例中，虛設(shè)跡線(xiàn)可以被用于減小相鄰的傳感器元件之間的寄生耦合。虛設(shè)跡線(xiàn)605可以由例如銦錫氧化物(ITO)等導(dǎo)電材料制成，其與傳感器元件電隔離。在一個(gè)實(shí)施例中，虛設(shè)跡線(xiàn)可以位于相鄰傳感器元件之間。例如，虛設(shè)跡線(xiàn)605位于傳感器兀件610和620之間。在一個(gè)實(shí)施例中，虛設(shè)跡線(xiàn)605可以被布置在傳感器兀件610和620之間的兩行中?？蛇x地，虛設(shè)跡線(xiàn)605可以被布置在多于或少于兩行。例如，可以?xún)H通過(guò)一行虛設(shè)跡線(xiàn)來(lái)分離傳感器元件。在一個(gè)實(shí)施例中，虛設(shè)跡線(xiàn)也可以位于相同傳感器元件的部分之間，從而減小交叉?zhèn)鞲衅髟g的寄生互電容。例如，虛設(shè)跡線(xiàn)604可以位于傳感器元件630和610的部分之間，以減小傳感器元件630和610之間的寄生互電容。在一個(gè)實(shí)施例中，虛設(shè)跡線(xiàn)604可以被定位以使得虛設(shè)跡線(xiàn)604不阻礙通過(guò)一個(gè)或多個(gè)傳感器元件的電流流動(dòng)，并且虛設(shè)跡線(xiàn)604的存在沒(méi)有顯著增加傳感器元件的電阻值。例如，虛設(shè)跡線(xiàn)604可以被定位在從傳感器元件的主跡線(xiàn)分支的兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)602和603之間。由此，虛設(shè)跡線(xiàn)604的存在沒(méi)有顯著地阻礙通過(guò)傳感器元件610的電流流動(dòng)。圖7表示根據(jù)實(shí)施例的電容性傳感器陣列的四個(gè)單位晶格，該電容性傳感器陣列包括位于相鄰傳感器元件之間的初級(jí)子跡線(xiàn)以減小相鄰傳感器元件之間的耦合電容。電容性傳感器陣列700包括傳感器元件710和720，傳感器元件710和720的每一個(gè)與傳感器元件730和740交叉。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器元件710和720是TX傳感器元件，并且傳感 器元件730和740是RX傳感器元件。傳感器元件730和740的每一個(gè)可以包括主跡線(xiàn)和至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)，例如傳感器元件740的主跡線(xiàn)741和初級(jí)子跡線(xiàn)742。與圖6所示的電容性傳感器陣列600相比，傳感器陣列700包括在相鄰行傳感器元件之間的列傳感器元件的初級(jí)子跡線(xiàn)(而不是虛設(shè)跡線(xiàn))。例如，初級(jí)子跡線(xiàn)742可以位于傳感器元件710和720之間。在一個(gè)實(shí)施例中，初級(jí)子跡線(xiàn)可以劃分傳感器元件710和720之間的整個(gè)邊界。可選地，如圖7所示，初級(jí)子跡線(xiàn)可以?xún)H劃分元件710和720之間的部分邊界。在一個(gè)實(shí)施例中，在傳感器元件710和720之間初級(jí)子跡線(xiàn)720的存在減小了傳感器元件710和720之間的電容耦合。除了在觸摸感應(yīng)應(yīng)用中使用之外，因?yàn)榇_定傳感器元件的面積和傳感器元件之間的邊界長(zhǎng)度的大小的靈活性，所以圖4-7所示的傳感器圖案還可以被用于創(chuàng)建對(duì)于特定指紋具有期望的電容密度的結(jié)構(gòu)。例如，傳感器圖案可以被用作硅工藝中的電子測(cè)試模塊，其中面積增強(qiáng)和周長(zhǎng)增強(qiáng)圖案可以被用于提取工藝層疊的與面積電容相對(duì)的側(cè)壁電容。在一個(gè)實(shí)施例中，電容性傳感器陣列圖案可以包括具有多于一個(gè)主跡線(xiàn)的傳感器元件。例如，RX傳感器元件可以包括兩個(gè)或更多主跡線(xiàn)以減小RX電阻值。這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例包括各種操作。這些操作可以由硬件元件、軟件、固件或其組合執(zhí)行。如這里所述，術(shù)語(yǔ)“耦合到”可以表示直接地耦合或者通過(guò)一個(gè)或多個(gè)中間元件間接地耦合。如這里所述在不同總線(xiàn)上提供的任何信號(hào)可以與其它信號(hào)時(shí)間復(fù)用，并且在一個(gè)或多個(gè)公用總線(xiàn)上提供。額外地，電路元件或塊之間的互聯(lián)可以被表示為總線(xiàn)或單個(gè)信號(hào)線(xiàn)?？蛇x地，每個(gè)總線(xiàn)可以是一個(gè)或多個(gè)單信號(hào)線(xiàn)，并且可選地每個(gè)單信號(hào)線(xiàn)可以是總線(xiàn)。某些實(shí)施例可以被實(shí)現(xiàn)為包括在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上存儲(chǔ)的指令的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。這些指令被用于編程通用或?qū)Ｓ锰幚砥饕詧?zhí)行所述操作。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括用于以機(jī)器(例如計(jì)算機(jī))可讀的形式(例如軟件、處理應(yīng)用)存儲(chǔ)或發(fā)射信息的任何結(jié)構(gòu)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括但不局限于磁存儲(chǔ)介質(zhì)(例如軟盤(pán))、光存儲(chǔ)介質(zhì)(例如CD-ROM)、磁-光存儲(chǔ)介質(zhì)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(RAM)、可擦除可編程存儲(chǔ)器(例如EPROM和EEPR0M)、閃存或適于存儲(chǔ)電子指令的另一種類(lèi)型介質(zhì)。此外，可以在分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí)現(xiàn)一些實(shí)施例，其中計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)被存儲(chǔ)在多于一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和/或由多于一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行。此外，在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)之間傳送的信息可以通過(guò)連接計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的傳輸介質(zhì)而推入或拉出。
盡管以特定順序在這里示出和描述了方法的操作，但是也可以改變每個(gè)方法的操作順序，以使得以相反的順序執(zhí)行某些操作，或者某個(gè)操作至少部分地與其它操作同時(shí)執(zhí)行。在另一個(gè)實(shí)施例中，不同的操作的指令或子操作可以處于間斷和/或交替形式。
在前述說(shuō)明書(shū)中，參考其特定示例實(shí)施例描述了本發(fā)明。然而，顯而易見(jiàn)可以對(duì)其進(jìn)行不同修改和改變而不偏離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的更廣的精神和范圍。由此，說(shuō)明書(shū)和附圖用于示例而不是限制。
權(quán)利要求
1.一種電容性傳感器陣列，包括 第一多個(gè)傳感器元件，所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)包括核心跡線(xiàn)，其中，所述核心跡線(xiàn)是所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)的最寬的跡線(xiàn)；以及 第二傳感器元件，所述第二傳感器元件包括主跡線(xiàn)，其中，主跡線(xiàn)與所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)交叉以形成均與單位晶格相關(guān)聯(lián)的多個(gè)交叉，其中，所述多個(gè)單位晶格中的每一個(gè)指定最接近相應(yīng)交叉的一組位置，其中，主跡線(xiàn)的連續(xù)部分穿過(guò)所述多個(gè)單位晶格中的至少一個(gè)，其中，所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)的核心跡線(xiàn)的連續(xù)部分穿過(guò)所述多個(gè)單位晶格中的至少一個(gè)，并且其中，在每個(gè)單位晶格內(nèi)，第二傳感器元件包括從主跡線(xiàn)分叉的至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容性傳感器陣列，其中，所述至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)在所述至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)和主跡線(xiàn)之間的結(jié)點(diǎn)處與主跡線(xiàn)實(shí)質(zhì)上正交。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容性傳感器陣列，其中，所述至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)包括至少兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容性傳感器陣列，其中，所述至少兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的第一初級(jí)子跡線(xiàn)具有與所述至少兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的第二初級(jí)子跡線(xiàn)不同的長(zhǎng)度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容性傳感器陣列，其中，所述至少兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)從主跡線(xiàn)的兩個(gè)相對(duì)側(cè)分叉，并且關(guān)于沿著一部分主跡線(xiàn)對(duì)稱(chēng)延伸的軸對(duì)稱(chēng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容性傳感器陣列，其中，所述至少兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)從主跡線(xiàn)的相同側(cè)分叉并且是平行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容性傳感器陣列，還包括位于所述至少兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)之間的一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)中的每一個(gè)包括導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料與所述第一多個(gè)傳感器元件和第二傳感器元件電隔離。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容性傳感器陣列，還包括所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)之間的一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)包括導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料與所述第一多個(gè)傳感器元件和第二傳感器元件電隔離。
9.一種電容性傳感器陣列，包括 第一多個(gè)傳感器元件，其中，所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)包括核心跡線(xiàn)，其中，所述核心跡線(xiàn)是所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)的最寬的跡線(xiàn)；以及 第二傳感器元件，所述第二傳感器元件電容性地耦合至所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)，其中，所述第二傳感器元件包括 主跡線(xiàn),和 從主跡線(xiàn)分叉的多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)，其中，主跡線(xiàn)與所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)交叉以形成多個(gè)單位晶格，其中，所述多個(gè)單位晶格中的每一個(gè)指定與第二傳感器元件和所述第一多個(gè)傳感器元件中的一個(gè)傳感器元件之間的交叉對(duì)應(yīng)的區(qū)域，其中，主跡線(xiàn)的連續(xù)部分穿過(guò)所述多個(gè)單位晶格的至少一個(gè)，其中，所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)的核心跡線(xiàn)的連續(xù)部分穿過(guò)所述多個(gè)單位晶格中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容性傳感器陣列，其中，對(duì)于所述多個(gè)單位晶格中的每一個(gè)，與第二傳感器元件和所述第一多個(gè)傳感器元件中的一個(gè)傳感器元件之間的任何其它交叉相比，單位晶格內(nèi)的每個(gè)點(diǎn)更接近于與所述單位晶格相對(duì)應(yīng)的交叉，并且其中，主跡線(xiàn)延伸穿過(guò)所述多個(gè)單位晶格中的每一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容性傳感器陣列，其中，所述多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)單位晶格中的一個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容性傳感器陣列，其中，所述多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的第一子跡線(xiàn)具有與所述多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的第二子跡線(xiàn)不同的長(zhǎng)度。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容性傳感器陣列，其中，所述多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的至少一個(gè)平行于從主跡線(xiàn)的相同側(cè)分叉的所述多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的另一個(gè)，并且其中，所述至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)在所述至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)和主跡線(xiàn)之間的結(jié)點(diǎn)處與主跡線(xiàn)實(shí)質(zhì)上正交。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容性傳感器陣列，還包括位于所述多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的第一子跡線(xiàn)和所述多個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的第二子跡線(xiàn)之間的一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)中的每一個(gè)包括導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料與所述第一多個(gè)傳感器元件和第二傳感器元件電隔離。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容性傳感器陣列，還包括至少一個(gè)核心跡線(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)橋結(jié)合部。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容性傳感器陣列，還包括位于所述第一多個(gè)傳感器元件中的至少一個(gè)傳感器元件和第二傳感器元件之間的一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)包括導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料與所述第一多個(gè)傳感器元件和第二傳感器元件電隔離。
17.一種電容性觸摸感應(yīng)系統(tǒng)，包括 電容性傳感器陣列，包括 第一多個(gè)傳感器元件，其中，所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)包括核心跡線(xiàn)，其中，所述核心跡線(xiàn)是所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)的最寬的跡線(xiàn)；以及 第二傳感器元件，所述第二傳感器元件包括主跡線(xiàn)，其中，主跡線(xiàn)與所述第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)交叉以形成多個(gè)單位晶格，其中，所述多個(gè)單位晶格中的每一個(gè)指定與所述第二傳感器元件和所述第一多個(gè)傳感器元件中的一個(gè)傳感器元件之間的交叉對(duì)應(yīng)的區(qū)域，其中，主跡線(xiàn)的連續(xù)部分穿過(guò)所述多個(gè)單位晶格中的至少一個(gè)，并且其中，在每個(gè)單位晶格內(nèi)，第二傳感器元件包括從主跡線(xiàn)分叉的至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)；以及 與所述電容性傳感器陣列耦合的電容傳感器，其中，所述電容傳感器用于測(cè)量所述第二傳感器元件和所述第一多個(gè)傳感器元件中的一個(gè)傳感器元件之間的每個(gè)交叉的互電容值。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容性觸摸感應(yīng)系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)在所述至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)中的每一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)和主跡線(xiàn)之間的結(jié)點(diǎn)處與主跡線(xiàn)實(shí)質(zhì)上正交。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容性觸摸感應(yīng)系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)包括從主跡線(xiàn)的兩個(gè)相對(duì)側(cè)與主跡線(xiàn)分叉的至少兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)，并且其中，所述至少兩個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)關(guān)于沿著部分主跡線(xiàn)對(duì)稱(chēng)延伸的軸是對(duì)稱(chēng)的。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容性觸摸感應(yīng)系統(tǒng)，還包括位于所述第二傳感器元件和所述第一多個(gè)傳感器元件中的至少一個(gè)之間的一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)跡線(xiàn)包括導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料與所述第一多個(gè)傳感器元件和第二傳感器元件電隔離。
全文摘要
電容性傳感器陣列的一個(gè)實(shí)施例可以包括第一多個(gè)傳感器元件和包含主跡線(xiàn)的第二傳感器元件，其中主跡線(xiàn)與第一多個(gè)傳感器元件中的每一個(gè)交叉以形成多個(gè)交叉。單位晶格可以與每個(gè)交叉相關(guān)聯(lián)，并且每個(gè)單位晶格可以指定最接近對(duì)應(yīng)的交叉的一組位置。主跡線(xiàn)的連續(xù)段可以穿過(guò)多個(gè)單位晶格中的至少一個(gè)。在每個(gè)單位晶格內(nèi)，第二傳感器元件可以包括從主跡線(xiàn)分叉的至少一個(gè)初級(jí)子跡線(xiàn)。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102667693SQ201180002808
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2011年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月9日
發(fā)明者派崔克·普倫德賈斯特, 蔡明進(jìn) 申請(qǐng)人:賽普拉斯半導(dǎo)體公司