專利名稱：一種易碎防偽rfid蝕刻電子標簽及其制造工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)RFID領域，更具體的說涉及一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽及其制造工藝，其適用于各種需要防偽、防拆的RFID應用場合，尤其成為車輛管理、酒類、藥品、化妝品等高檔產(chǎn)品溯源及防偽的理想選擇。
背景技術：
普通易碎標簽是以易碎印刷材料為面料，背面涂有特種強力膠粘劑，其面料斷裂強度遠低于膠粘劑粘合能力；當易碎標簽被貼上基材后再揭起時，材料無規(guī)則斷裂，顯示產(chǎn)品包裝已被拆開過，且無法復原。但是普通易碎標簽主要是由打印出來的條碼構(gòu)成，其信息儲存量很少，并且需要掃描槍讀取。
RFID標簽具有體積小、容量大、壽命長以及可重復使用等特點，其可支持快速讀寫、非可視識別、移動識別、多目標識別、定位及長期跟蹤管理；RFID技術與互聯(lián)網(wǎng)、通訊等技術相結(jié)合，可實現(xiàn)全球范圍內(nèi)物品跟蹤與信息共享。近年來，隨著大規(guī)模集成電路、網(wǎng)絡通信和信息安全等技術的發(fā)展，RFID技術進入了商業(yè)化應用階段。由于具有高速移動物體識別、多目標識別和非接觸識別等特點，RFID技術顯示出巨大的發(fā)展?jié)摿εc應用空間，被認為是21世紀最有發(fā)展前途的信息技術之一。目前隨著國家對財產(chǎn)安全、食品安全、藥品安全等越來越重視，易碎防偽RFID電子標簽在溯源與防偽上面越來越重要，在越來越多的領域取代普通易碎標簽。但是，市場上的易碎防偽RFID標簽其至少存在如下缺陷
一、現(xiàn)有易碎防偽RFID標簽通常采用的技術方案，是將導電油墨或金屬顆粒通過絲網(wǎng)印刷在易碎紙質(zhì)材料及PET基材上面，形成印刷RFID天線，但由于印刷天線精度低、導電物質(zhì)電阻阻抗不一致，故始終無法制成高質(zhì)量的RFID電子標簽，適用范圍比較窄；
二、現(xiàn)有易碎防偽標簽往往僅是部分損壞該標簽，即不是從根本上損壞該標簽，從而具有損壞程度不夠，進而具有防偽性差的缺點。有鑒于此，本發(fā)明人針對現(xiàn)有易碎防偽RFID電子標簽的上述缺陷深入研究，遂有
本案產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽，以解決現(xiàn)有技術中電子標簽在撕毀時損壞程度不夠而具有防偽性差的缺陷。為了達成上述目的，本發(fā)明的解決方案是
一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽，其中，包括承載基材、第一膠層、蝕刻層、RFID芯片、第二膠層以及易碎紙層；該第一膠層位于承載基材和蝕刻層之間，該蝕刻層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該承載基材、第一膠層、蝕刻層與RFID芯片構(gòu)成芯料組件，該易碎紙層通過第二膠層而粘結(jié)在蝕刻層上，該第二膠層的粘性要強于第一膠層的粘性。進一步，該蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距^ O. 12mm。進一步，該承載基材選自PI膜或PET膜。進一步，該第二膠層選自聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種；該第一膠層選自聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種。本發(fā)明的第二目的在于提供一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽的制造工藝，其中，包括如下步驟
①、選擇鋁箔或銅箔，并在其上涂布第一膠層后與承載基材進行復合，而形成復合基
材；
②、在復合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復合材料；
③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復合材料上面；
④、將曝光好并貼有感光型復合材料的復合基材進行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點最小間距< O. 12mm蝕刻天線；
⑤、將蝕刻天線與RFID芯片組裝在一起，而制成芯料組件；
⑥、取易碎紙層，并在其一面上涂布粘性強于第一膠層的第二膠層；將易碎紙層上第二膠層所在的表面與芯料組件上蝕刻天線所在表面復合而形成易碎防偽RFID蝕刻電子標簽。進一步，該鋁箔或銅箔的厚度選擇9 38um，該承載基材的厚度則選擇為12 200um,該易碎紙層則選擇為30 lOOum。進一步，該感光型復合材料為感光型干膜材料、感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料。進一步，該承載基材選自PI膜或PET膜。進一步，該第二膠層選自聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種；該第一膠層選自聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種。進一步,該步驟②中感光型復合材料與招箔或銅箔之間的成型采用卷對卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機進行曝光。進一步，該步驟④的蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液，其中鹽酸和雙氧水的體積比為3:1。采用上述結(jié)構(gòu)后，本發(fā)明涉及的一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽及其制造工藝，其至少具有如下有益效果
一、由于該蝕刻層一側(cè)通過第一膠層而與承載基材(在蝕刻電子標簽投入使用時則被標識物所替代)相粘結(jié)，另一側(cè)通過第二膠層而與易碎紙相粘結(jié)；另外基于第二膠層的粘性大于第一膠層，故當人們非法撕揭電子標簽時，該易碎紙層會和蝕刻層一起被撕揭，即讓蝕刻層完全變形，如此使得整個電子標簽被完全損毀；
二、由于其在制造成型過程中采用了承載基材、第一膠層以及鋁箔或銅箔，從而確保了蝕刻工藝的實施條件；同時由于采用了形成感光型復合材料以及曝光的方式而實現(xiàn)線路轉(zhuǎn)移，接著再通過蝕刻的工藝，如此使得形成在承載基材和第一膠層上的蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距彡O. 12mm。由此使本發(fā)明上線路精度大大提高，從而提高了整個蝕刻電子標簽的整體性能。


圖I為本發(fā)明涉及的一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽的剖視 圖2為本發(fā)明涉及的一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽中蝕刻天線一種具體實施例的示意圖。圖中
蝕刻電子標簽100
承載基材I第一膠層2
蝕刻層3第二膠層4
易碎紙層5。
具體實施例方式為了進一步解釋本發(fā)明的技術方案，下面通過具體實施例來對本發(fā)明進行詳細闡述。如圖I所示,本發(fā)明涉及的一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽100,包括承載基材
I、第一膠層2、蝕刻層3、RFID芯片(圖中未示出)、第二膠層4以及易碎紙層5，該第一膠層2位于承載基材I和蝕刻層3之間，具體的，該第一膠層2選自自聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種，從而一方面起到將承載基材I與蝕刻層3粘結(jié)在一起的功效，另一方面還起到讓蝕刻層與不同的表面物體能實現(xiàn)很好的粘結(jié)作用。該蝕刻層3為鋁箔或銅箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，并且該蝕刻層3上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距彡O. 12mm。優(yōu)選地，該承載基材I可以選自PI膜或PET膜。如圖2所示，其為該蝕刻電子標簽100中蝕刻層3 —種實施例的示意圖。該承載基材I、第一膠層2、蝕刻層3與RFID芯片構(gòu)成芯料組件，該易碎紙層5通過第二膠層4而粘結(jié)在蝕刻層3上，該第二膠層4的粘性要強于第一膠層2的粘性。優(yōu)選地，該第二膠層4則可以選自聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種。由此，由于該蝕刻層3 —側(cè)通過第一膠層2而與承載基材I (在蝕刻電子標簽100投入使用時則被標識物所替代)相粘結(jié)，另一側(cè)通過第二膠層4而與易碎紙相粘結(jié)；另外基于第二膠層4的粘性大于第一膠層2，故當人們非法撕揭電子標簽時，該易碎紙層5會和蝕刻層3 —起被撕揭，即讓蝕刻層3完全變形，如此使得整個電子標簽被完全損毀；
為了讓本發(fā)明涉及的一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽100能被充分公開，本發(fā)明還提供其制造工藝，下面先對其第一較佳實施方案進行詳細闡述
實施例一
該制造工藝，包括如下步驟
①、選擇厚度為9 38um的鋁箔，并在其上涂布第一膠層后與厚度為12 200um的承載基材進行復合，而形成復合基材；②、在復合基材的鋁箔上面形成感光型復合材料；在本實施例中，該感光型復合材料采用感光型干膜材料，當然其還可以被感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料所替代；
③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復合材料上面；
④、將曝光好并貼有感光型復合材料的復合基材進行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點最小間距彡O. 12mm蝕刻天線。優(yōu)選的，該蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液,其中鹽酸和雙氧水的體積比為3 :1，從而為較佳的蝕刻精度提供保障；
⑤、將蝕刻天線與RFID芯片組裝在一起，而制成芯料組件，即INLAY;優(yōu)選地，該蝕刻天線與RFID芯片采用倒裝焊接的方式相連；
⑥、取厚度為30 IOOum的易碎紙層，并在其一面上涂布第二膠層；將易碎紙層上第二膠層所在的表面與芯料組件上蝕刻天線所在表面復合而形成易碎防偽RFID蝕刻電子標 簽。需要說明的是，在本實施例中，該承載基材可以選自PI膜或PET膜；該第二膠層則可以選用聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種，從而確保具有足夠的粘結(jié)強度。實施例二
在本實施例中，其與第一實施例的步驟基本相同，其不同之處在于將鋁箔用銅箔來替代。實施例三
在本實施例中，其可以采用第一實施例和第二實施例的全部方案，但是其為了達到提高生產(chǎn)效率的目的，其對前述步驟②和前述步驟③均進行了改進，具體的，該步驟②中感光型復合材料與鋁箔或銅箔之間的成型采用卷對卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機進行曝光。由上可知，本發(fā)明涉及的一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽的制造工藝，由于其在制造成型過程中采用了承載基材、第一膠層以及鋁箔或銅箔，從而確保了蝕刻工藝的實施條件；同時由于采用了形成感光型復合材料以及曝光的方式而實現(xiàn)線路轉(zhuǎn)移，接著再通過蝕刻的工藝，如此使得形成在承載基材和第一膠層上的蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距彡O. 12mm。由此本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，其還具有線路精度大大提高，并且提高了整個蝕刻電子標簽的整體性能。上述實施例和圖式并非限定本發(fā)明的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬技術領域的普通技術人員對其所做的適當變化或修飾，皆應視為不脫離本發(fā)明的專利范疇。
權(quán)利要求
1.一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽,其特征在于,包括承載基材、第一膠層、蝕刻層、RFID芯片、第二膠層以及易碎紙層；該第一膠層位于承載基材和蝕刻層之間，該蝕刻層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該承載基材、第一膠層、蝕刻層與RFID芯片構(gòu)成芯料組件，該易碎紙層通過第二膠層而粘結(jié)在蝕刻層上，該第二膠層的粘性要強于第一膠層的粘性。
2.如權(quán)利要求I所述的一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽，其特征在于，該蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距彡O. 12mm。
3.如權(quán)利要求I所述的一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽，其特征在于，該承載基材選自PI膜或PET膜；該第二膠層選自聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種；該第一膠層選自聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種。
4.一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽的制造工藝，其特征在于，包括如下步驟 ①、選擇鋁箔或銅箔，并在其上涂布第一膠層后與承載基材進行復合，而形成復合基材； ②、在復合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復合材料； ③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復合材料上面； ④、將曝光好并貼有感光型復合材料的復合基材進行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點最小間距< O. 12mm蝕刻天線； ⑤、將蝕刻天線與RFID芯片組裝在一起，而制成芯料組件； ⑥、取易碎紙層，并在其一面上涂布粘性強于第一膠層的第二膠層；將易碎紙層上第二膠層所在的表面與芯料組件上蝕刻天線所在表面復合而形成易碎防偽RFID蝕刻電子標簽。
5.如權(quán)利要求4所述的制造工藝,其特征在于,該招箔或銅箔的厚度選擇9 38um,該承載基材的厚度則選擇為12 200um，該易碎紙層則選擇為30 lOOum。
6.如權(quán)利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該感光型復合材料為感光型干膜材料、感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料。
7.如權(quán)利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該承載基材選自PI膜或PET膜。
8.如權(quán)利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該第二膠層選自聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種；該第一膠層選自聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種。
9.如權(quán)利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該步驟②中感光型復合材料與鋁箔或銅箔之間的成型采用卷對卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機進行曝光。
10.如權(quán)利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該步驟④的蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液,其中鹽酸和雙氧水的體積比為3 :1。
全文摘要
本發(fā)明公開一種易碎防偽RFID蝕刻電子標簽及其制造工藝，包括承載基材、第一膠層、蝕刻層、RFID芯片、第二膠層及易碎紙層；第一膠層位于承載基材和蝕刻層之間，蝕刻層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該承載基材、第一膠層、蝕刻層與RFID芯片構(gòu)成芯料組件，易碎紙層通過第二膠層而粘結(jié)在蝕刻層上，第二膠層的粘性要強于第一膠層的粘性。制造工藝包括以下步驟形成蝕刻精度公差在±0.02mm和/或端點最小間距≤0.12mm蝕刻天線的步驟；將蝕刻天線與RFID芯片組裝在一起而制成芯料組件；取易碎紙層并在其一面上涂布第二膠層；將易碎紙層上第二膠層與芯料組件上蝕刻天線復合而形成易碎防偽RFID蝕刻電子標簽。本發(fā)明涉及電子標簽具有被撕揭時損毀程度大及性能高的特點。
文檔編號G06K19/077GK102955976SQ20121000795
公開日2013年3月6日 申請日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者李金華 申請人:廈門英諾爾電子科技股份有限公司