專利名稱：位置檢測(cè)裝置、顯示裝置及便攜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種位置檢測(cè)裝置，和位置指示器一起使用，檢測(cè)位置指示器的指示位置。此外，本發(fā)明涉及具有位置檢測(cè)裝置的顯示裝置及具有位置檢測(cè)裝置的便攜設(shè)備。
背景技術(shù)：
周知有檢測(cè)由手指或筆等位置指示器指示的位置的位置檢測(cè)裝置。作為該位置檢測(cè)裝置所采用的位置檢測(cè)方式，有電阻膜方式、電磁感應(yīng)方式、靜電電容方式等 各種方式。其中電磁感應(yīng)方式的位置檢測(cè)裝置的例子記載于例如專利文獻(xiàn)I (日本特開2009-3796號(hào)公報(bào))。S卩，如圖10所示，該專利文獻(xiàn)I所記載的位置檢測(cè)裝置在上側(cè)殼體I與下側(cè)殼體2之間配置有傳感器基板3和磁路板4。傳感器基板3具有X軸方向環(huán)狀線圈組(未圖示)和Y軸方向環(huán)狀線圈組配置于傳感器基板3的各面的線圈5。該位置檢測(cè)裝置和位置指示器6 —起使用。位置指示器6具有由線圈6L和電容器6C構(gòu)成的共振電路。在該位置檢測(cè)裝置中，線圈5的X軸方向環(huán)狀線圈組及Y軸方向環(huán)狀線圈組的各環(huán)狀線圈由選擇電路(未圖示)按預(yù)定的順序來選擇。對(duì)于由選擇電路選擇的環(huán)狀線圏，在預(yù)定時(shí)間供給預(yù)定的交變信號(hào)。并且，若經(jīng)過上述預(yù)定時(shí)間，則停止向所選擇的環(huán)狀線圈供給交變信號(hào)，該環(huán)狀線圈被切換為信號(hào)接收狀態(tài)。在向環(huán)狀線圈供給交變信號(hào)的預(yù)定時(shí)間中，從該環(huán)狀線圈產(chǎn)生電磁波(交變磁場(chǎng))，該交變磁場(chǎng)供給到位置指示器6的共振電路，在共振電路上存儲(chǔ)能量。接著，若停止向所選擇的環(huán)狀線圈供給交變信號(hào)而切換為信號(hào)接收狀態(tài)，則通過位置指示器6的共振電路上所存儲(chǔ)的能量，從位置指示器6向線圈5發(fā)送電磁波。因此，在位置檢測(cè)裝置中，通過監(jiān)視來自線圈5中被選擇的環(huán)狀線圈的信號(hào)，能夠檢測(cè)對(duì)于來自位置指示器6的電磁波的接收。這樣，在傳感器基板3的線圈5與位置指示器6之間進(jìn)行電磁波的發(fā)送接收。并且，通過選擇電路按預(yù)定的順序選擇環(huán)狀線圈，并且進(jìn)行與位置指示器6之間的電磁波的發(fā)送接收，從而確定位置指示器6指示的位置。對(duì)于這樣發(fā)送接收的電磁波，磁路板4形成對(duì)由線圈5所生成的交變磁場(chǎng)的磁路，從而防止所產(chǎn)生的磁通發(fā)散，由此提高作為位置檢測(cè)裝置的對(duì)位置指示器6的檢測(cè)靈敏度。此外，磁路板4發(fā)揮防止向位置檢測(cè)裝置的外部放射的交變磁場(chǎng)的作用，并且用于防止來自位置檢測(cè)裝置的外部的電磁波作為噪聲混入到如上所述發(fā)送接收的電磁波中。S卩，該磁路板4是為了對(duì)交變磁場(chǎng)有效地形成磁路而設(shè)置的。為此，以往使用非晶金屬等磁導(dǎo)率高的材料。圖11表示作為磁路板4使用非晶金屬作為磁導(dǎo)率高的材料的情況下所形成的磁路。在圖11中，磁路板4由非晶金屬等高磁導(dǎo)率的磁性體構(gòu)成。該磁路板4由例如磁導(dǎo)率為10000 (H/m)這樣非常大的非晶金屬構(gòu)成，因此供給到線圈5的交變信號(hào)所產(chǎn)生的磁通(交變磁通)在該磁路板4上有效地形成磁路4a。然而，非晶金屬的電阻極低，因此產(chǎn)生與磁路板4上所施加的磁通對(duì)應(yīng)的渦電流。該渦電流有消去所施加的磁場(chǎng)的作用。但是，即使考慮到有引起渦電流的缺點(diǎn)，但具有高磁導(dǎo)率的非晶金屬由于整體上發(fā)揮作為磁路板的較高的性能，因此以往作為用于位置檢測(cè)裝置的磁路板使用非晶金屬。專利文獻(xiàn)I :日本特開2009-3796號(hào)公報(bào)上述現(xiàn)有的位置檢測(cè)裝置設(shè)置于家庭，作為用家庭用電源驅(qū)動(dòng)的形式的坐標(biāo)輸入裝置而得到普及。因此，要求磁路板具有用于提高位置檢測(cè)裝置與位置指示器之間的電磁耦合的程度的功能。另ー方面，近年來位置檢測(cè)裝置還內(nèi)置于便攜終端等便攜設(shè)備而用作指示輸入裝置。但是，在最近的移動(dòng)電話終端等便攜終端中，內(nèi)置有地磁傳感器，能夠檢測(cè)
方位。地磁傳感器例如在便攜終端的顯示畫面上顯示地圖而進(jìn)行路徑引導(dǎo)等的情況下，檢測(cè)本終端的當(dāng)前位置的方位，控制地圖在顯示畫面上所顯示的方向，從而用于使地圖引導(dǎo)變得容易等。然而，若在這種內(nèi)置有地磁傳感器的便攜終端中采用使用了上述現(xiàn)有的磁路板的電磁感應(yīng)方式的位置檢測(cè)裝置作為使用者的指示輸入裝置，則存在無法準(zhǔn)確地檢測(cè)方位的可能性。即，地磁傳感器由檢測(cè)與從N極側(cè)朝向S極側(cè)的地磁弓I起的直流磁場(chǎng)的方向?qū)?yīng)的輸出電壓的元件例如霍爾元件構(gòu)成。然而，若在地磁傳感器的附近存在高磁導(dǎo)率的磁路板4，則地磁的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通將該磁路板4作為磁路來通過，其方向發(fā)生偏置，或靠向磁路板4而通過，其方向發(fā)生偏置。因此，地磁向地磁傳感器入射的方向改變,存在地磁傳感器無法準(zhǔn)確地檢測(cè)方位的可能性。使用圖12更詳細(xì)地說明上述不良情況。圖12表示應(yīng)由地磁傳感器8檢測(cè)的地磁由于磁路板4而受到影響的狀況。由例如霍爾元件構(gòu)成的地磁傳感器8在位置檢測(cè)裝置中所容納的具有線圈5的傳感器基板3的與由位置指示器6指示位置的面一側(cè)相對(duì)的面ー側(cè)以?shī)A持高磁導(dǎo)率的磁路板4的狀態(tài)配置。在圖12中假設(shè)地磁引起的直流磁通為從左朝向右的方向的情況。該地磁引起的直流磁通在具有高磁導(dǎo)率的磁路板4不在其附近時(shí)，如虛線箭頭9所示不彎曲地入射到地磁傳感器8，從而地磁傳感器8能夠準(zhǔn)確地檢測(cè)地磁的方向。但是，若高磁導(dǎo)率的磁路板4在其附近，則地磁引起的磁通如曲線9a所示被向高磁導(dǎo)率的磁路板4 ー側(cè)吸引而偏置。因此，地磁引起的直流磁通向地磁傳感器8入射的路徑相對(duì)于本來的入射路徑發(fā)生偏置，地磁傳感器8無法準(zhǔn)確地檢測(cè)地磁的方位。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明考慮到以上情況，其目的在于提供ー種電磁感應(yīng)方式的位置檢測(cè)裝置，對(duì)于交變磁場(chǎng)適當(dāng)?shù)匦纬纱怕范谖恢脵z測(cè)裝置與位置指示器之間確保適當(dāng)?shù)碾姶篷詈详P(guān)系，而對(duì)于直流磁場(chǎng)引起的直流磁通具有透過性且防止該磁通偏置，從而防止影響為了檢測(cè)地磁等直流磁場(chǎng)而設(shè)置的磁傳感器。另外，在此透過性是指，即使在直流磁場(chǎng)中配置有磁路材料，由直流磁場(chǎng)形成的直流磁通也不會(huì)因磁路材料而紊亂的性質(zhì)。
為了解決上述課題，本發(fā)明的ー種位置檢測(cè)裝置，和位置指示器一起使用，具有線圈基板，該線圈基板配置有用于生成用干與上述位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈，上述位置檢測(cè)裝置的特征在于，在上述線圈基板的與上述位置指示器相対的第I面所相對(duì)的第2面ー側(cè)，磁路材料和屏蔽材料被配置為上述磁路材料配置于上述第2面與上述屏蔽材料之間的關(guān)系，上述磁路材料由以下材料構(gòu)成具有形成用于上述線圈所生成的交變磁場(chǎng)的磁路且對(duì)于地磁等直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生影響的預(yù)定的磁導(dǎo)率、并且為了補(bǔ)償對(duì)上述直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生影響地設(shè)定的上述預(yù)定的磁導(dǎo)率所造成的磁路的性能劣化而具有使得電流難以流通以減小渦電流引起的損失的預(yù)定的電阻，上述屏蔽材料和上述磁路材料組合而使用，是對(duì)上述直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生影響的非磁性體，并且具有導(dǎo)電性，以對(duì)上述交變磁場(chǎng)產(chǎn)生渦電流。在現(xiàn)有的位置檢測(cè)裝置中使用不僅對(duì)交變磁通產(chǎn)生作用而對(duì)直流磁通也產(chǎn)生作用的高磁導(dǎo)率的磁路板。而在本發(fā)明中，線圈基板的與上述位置指示器相対的第I面所相対的第2面ー側(cè) 所設(shè)置的磁路材料，由具有對(duì)地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生影響的預(yù)定的磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成。換言之，該磁路材料所具有的磁導(dǎo)率被設(shè)定為，即使在其附近配置有用于檢測(cè)地磁等直流磁場(chǎng)的磁傳感器，其檢測(cè)誤差也難以成為不允許的值。因此，地磁等直流磁場(chǎng)即使存在磁路材料，也能夠防止其磁通的方向發(fā)生偏置，SP使在構(gòu)成位置檢測(cè)裝置的磁路材料的附近配置地磁傳感器，地磁傳感器也能夠檢測(cè)準(zhǔn)確的方位。另ー方面，具有不便地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生彎曲的透過性，即磁導(dǎo)率被設(shè)定為對(duì)地磁這樣的直流磁場(chǎng)不產(chǎn)生不良影響的磁路材料，對(duì)用于生成用干與位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈所生成的交變磁場(chǎng)產(chǎn)生如下問題。即，磁路材料的磁導(dǎo)率被設(shè)定為對(duì)地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生影響的程度的情況下，該磁導(dǎo)率采用與非晶金屬等的磁導(dǎo)率相比小例如兩個(gè)數(shù)量級(jí)程度的值。具有這樣小的值的磁導(dǎo)率的磁路材料的情況下，若磁路材料的電阻小，則無法忽略由于交變磁場(chǎng)而在磁路材料上廣生的潤(rùn)電流的影響。S卩，若磁路材料的電阻小，則產(chǎn)生大的渦電流，由于該渦電流，交變磁場(chǎng)引起的磁通難以通過磁路材料。因此，經(jīng)由磁路材料上所形成的磁路而與位置指示器電磁耦合的交變磁通被抑制，隨著采用低磁導(dǎo)率，位置檢測(cè)裝置與位置指示器之間的電磁耦合關(guān)系減弱，存在造成位置檢測(cè)裝置的傳感器靈敏度下降的可能性。因此，在本發(fā)明中，使得電流在磁路材料中難以流動(dòng)，即提高電阻，從而抑制產(chǎn)生渦電流，用于生成用干與位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈所生成的交變磁場(chǎng)能夠經(jīng)由磁路材料上所形成的磁路而與位置指示器充分地電磁耦合。這樣，通過抑制由于交變磁場(chǎng)而在磁路材料上產(chǎn)生的渦電流，補(bǔ)償由于采用低磁導(dǎo)率的磁路材料而劣化的位置檢測(cè)裝置的傳感器靈敏度，由此能夠確保對(duì)地磁等直流磁場(chǎng)的透過性，即使采用低磁導(dǎo)率的磁路材料，也能夠確保所期望的傳感器靈敏度。然而，若如上所述使用具有預(yù)定的磁導(dǎo)率及預(yù)定的電阻的材料作為磁路材料，以確保用于生成用干與位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈所生成的交變磁場(chǎng)的足夠的磁路，并且對(duì)地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生不良影響，則存在用于生成用于與位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈所生成的交變磁場(chǎng)向位置檢測(cè)裝置的外部泄漏的可能性?？紤]到該問題，在本發(fā)明中，將對(duì)地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生影響即為對(duì)直流磁場(chǎng)引起的直流磁通具有透過性的非磁性體、且具有對(duì)交變磁場(chǎng)產(chǎn)生渦電流的導(dǎo)電性的屏蔽材料與上述的磁路材料組合而配置。即，從磁路材料向外部泄漏的交變磁場(chǎng)在屏蔽材料上產(chǎn)生渦電流，所產(chǎn)生的渦電流有消去從磁路材料向外部泄漏的交變磁場(chǎng)的作用。因此，對(duì)于地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通能夠確保透過性，并且能夠屏蔽用于生成用干與位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈所生成的交變磁場(chǎng)從位置檢測(cè)裝置向外部泄漏。此外，對(duì)于要從位置檢測(cè)裝置的外部進(jìn)入的作為外部噪聲的交變磁場(chǎng)，也能夠通過由于外部噪聲的交變磁場(chǎng)而在屏蔽材料上產(chǎn)生的渦電流而阻止其進(jìn)入。根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生影響，SP確保透過性，并且對(duì)于用于生成用干與位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈所生成的交變磁場(chǎng)提高磁路的電阻而能夠確保有效的磁路。由此，能夠提供ー種電磁感應(yīng)方式的位置檢測(cè)裝置，能夠確保作為位置檢測(cè)裝置的所期望的傳感器靈敏度，并且即使用于檢測(cè)地磁 等直流磁場(chǎng)的磁傳感器配置于附近，應(yīng)由磁傳感器檢測(cè)的直流磁通的方向也不會(huì)發(fā)生偏置。


圖I是用于說明具有本發(fā)明的位置檢測(cè)裝置的第I實(shí)施方式的便攜設(shè)備的實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)例的分解結(jié)構(gòu)圖。圖2是圖I的例子的便攜設(shè)備的剖視圖。圖3是用于說明圖I的例子的便攜設(shè)備所使用的位置檢測(cè)用的傳感器的例子的圖。圖4是用于說明圖I的例子的便攜設(shè)備所使用的位置檢測(cè)用的傳感器的例子的圖。圖5是用于比較說明第I實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置所使用的磁路材料與專利文獻(xiàn)I的磁路板的圖。圖6是用于說明第2實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置的剖視圖。圖7是用于說明第3實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置的剖視圖。圖8是用于說明配置有第4實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置的便攜設(shè)備的例子的圖。圖9是用于說明與第4實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置一起使用的位置指示器的結(jié)構(gòu)例的電路圖。圖10是用于說明現(xiàn)有的位置檢測(cè)裝置的例子的圖。圖11是用于說明現(xiàn)有的位置檢測(cè)裝置的例子的圖。圖12是用于說明使用現(xiàn)有的位置檢測(cè)裝置的例子時(shí)的課題的圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明位置檢測(cè)裝置、顯示裝置及便攜設(shè)備的實(shí)施方式。[第I實(shí)施方式]
圖I表示具有本發(fā)明的位置檢測(cè)裝置的第I實(shí)施方式的便攜設(shè)備的實(shí)施方式，例如表示適用于便攜終端時(shí)的分解結(jié)構(gòu)圖。該實(shí)施方式的便攜終端構(gòu)成本發(fā)明的顯示裝置的實(shí)施方式。此外，圖2是組裝了該實(shí)施方式的便攜設(shè)備時(shí)的剖視圖。如圖I所示，該實(shí)施方式的便攜終端10由模塊化或單元化的位置檢測(cè)裝置20、印刷布線基板(母板)30及框體40構(gòu)成。位置檢測(cè)裝置20由第I傳感器基板21、作為顯示設(shè)備的例子的IXD(LiquidCrystal Display :液晶顯示器)基板22、第2傳感器基板23、磁路材料24及屏蔽材料25構(gòu)成。第I傳感器基板21在該例中為靜電電容方式的傳感器的結(jié) 構(gòu)，如圖2所示，在兼作位置檢測(cè)裝置20的保護(hù)板的透明基板211的背面設(shè)置，由例如ITO(Indium Tin Oxide)膜構(gòu)成的透明電極組212而構(gòu)成。透明基板211例如由玻璃基板構(gòu)成。圖3表示第I傳感器基板21為交叉點(diǎn)靜電耦合方式的傳感器部的結(jié)構(gòu)時(shí)的透明電極組的概略結(jié)構(gòu)。S卩，在該例的第I傳感器基板21中，如圖3所示，透明電極組212中，多個(gè)上部透明電極Ex和多個(gè)下部透明電極Ey在構(gòu)成指示輸入面的透明基板(圖3中省略圖示)的背面配置在例如X軸方向(橫向)及Y軸方向(縱向)上而彼此正交，并且在上部透明電極Ex和下部透明電極Ey的交叉點(diǎn)的區(qū)域，上部透明電極Ex與下部透明電極Ey之間配置絕緣材料而彼此電絕緣。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在上部透明電極Ex和下部透明電極Ey之間的重疊部分(交叉點(diǎn))形成預(yù)定的靜電電容Co (固定電容)。并且，如圖3所示，在使用者所把持的用于位置指示的筆或使用者的手指等位置指示器50與指示輸入面接近或接觸的位置，在該位置的透明電極Ex、Ey與位置指示器50之間形成靜電電容Cf。并且，位置指示器50通過人體經(jīng)由預(yù)定的靜電電容Cg與地面連接。其結(jié)果，由于該靜電電容Cf及Cg，位置指示器50所指示的位置的上部透明電極Ex與下部透明電極Ey之間的電荷的移動(dòng)量發(fā)生變化。在交叉點(diǎn)靜電耦合方式的位置檢測(cè)裝置中，通過在各交叉點(diǎn)檢測(cè)該電荷的移動(dòng)量的變化，能夠同時(shí)確定指示輸入面上由位置指示器50指示的多個(gè)位置。此外，雖然未圖示，第I傳感器基板21與印刷布線基板30電連接。另外，如圖I所示，作為用于指示輸入的檢測(cè)區(qū)域的設(shè)置有透明電極組212的區(qū)域?yàn)楸韧该骰?11的整個(gè)面積狹小的區(qū)域。因此，在透明基板211上，在設(shè)置有透明電極組212的區(qū)域的周圍具有框部213，該框部213如后文所述為向框體40中容納位置檢測(cè)裝置20時(shí)的粘接用的凸緣部。IXD基板22設(shè)置于構(gòu)成第I傳感器基板21的透明基板211的背面?zhèn)?下側(cè))。IXD基板22具有未圖示的IXD部和顯示驅(qū)動(dòng)電路部。并且，在IXD基板22上，如圖I所示形成有用于連接顯示驅(qū)動(dòng)電路部和外部電路(印刷布線基板30)的引線部22し第2傳感器基板23設(shè)置于LCD基板22的下側(cè)。該例的第2傳感器基板23為電磁感應(yīng)方式的傳感器的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D4說明該第2傳感器基板23的結(jié)構(gòu)。另外，如圖4所示，與構(gòu)成該第2傳感器基板23的電磁感應(yīng)式的傳感器部一起使用的作為位置指示器的筆51內(nèi)置有由線圈51L和與該線圈51L并聯(lián)連接的電容器51C構(gòu)成的共振電路。在該第2傳感器基板23中，在布線基板231上，如圖4所示，X軸方向環(huán)狀線圈組23X和Y軸方向環(huán)狀線圈組23Y配置在布線基板231的各面上，并且各環(huán)狀線圈彼此重疊配置。因此，第2傳感器基板23構(gòu)成線圈基板。另外，各環(huán)狀線圈組23X、23Y分別包括多根矩形的環(huán)狀線圏。在該例中，在X軸方向上配置有η根環(huán)狀線圈，在Y軸方向上配置有m根環(huán)狀線圏。構(gòu)成環(huán)狀線圈組23X的各環(huán)狀線圈在用于檢測(cè)筆51的檢測(cè)區(qū)域的橫向(X軸方向)上被配置為以等間隔排列而依次重合。此外，構(gòu)成環(huán)狀線圈組23Y的各環(huán)狀線圈也在檢測(cè)區(qū)域的縱向(Y軸方向)上被配置為以等間隔排列而依次重合。此外，在第2傳感器基板23上設(shè)置有傳感器電路部。該傳感器電路部具有選擇電路101、振蕩器102、電流驅(qū)動(dòng)器103、發(fā)送/接收切換電路104、接收放大器105、檢波電路106、低通濾波器107、采樣保持電路108、A/D (Analog to Digital :模擬-數(shù)字)轉(zhuǎn)換電路109及處理控制部110。X軸方向環(huán)狀線圈組23X及Y軸方向環(huán)狀線圈組23Y與選擇電路101連接。該選擇電路101根據(jù)來自處理控制部110的控制指示依次選擇兩個(gè)環(huán)狀線圈組23X、23Y中的一個(gè)環(huán)狀線圈。
振蕩器102產(chǎn)生頻率f0的交流信號(hào)。該交流信號(hào)被供給到電流驅(qū)動(dòng)器103而被轉(zhuǎn)換為電流之后，向發(fā)送/接收切換電路104送出。發(fā)送/接收切換電路104根據(jù)處理控制部110的控制，每隔預(yù)定時(shí)間切換由選擇電路101選擇的環(huán)狀線圈所連接的連接目標(biāo)(發(fā)送側(cè)端子T、接收側(cè)端子R)。在發(fā)送側(cè)端子T上連接電流驅(qū)動(dòng)器103，在接收側(cè)端子R上連接接收放大器105。因此，在發(fā)送信號(hào)吋，經(jīng)由發(fā)送/接收切換電路104的發(fā)送側(cè)端子T，來自電流驅(qū)動(dòng)器103的交流信號(hào)供給到由選擇電路101選擇的環(huán)狀線圏。此外，在接收信號(hào)吋，由選擇電路101選擇的環(huán)狀線圈上產(chǎn)生的感應(yīng)電壓經(jīng)由選擇電路101及發(fā)送/接收切換電路104的接收側(cè)端子R供給到接收放大器105而被放大，向檢波電路106送出。由檢波電路106檢波的信號(hào)經(jīng)由低通濾波器107及采樣保持電路108供給到A/D轉(zhuǎn)換電路109。在A/D轉(zhuǎn)換電路109中，將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，并供給到處理控制部110。處理控制部110進(jìn)行用于位置檢測(cè)的控制。S卩，處理控制部110控制選擇電路101中的環(huán)狀線圈的選擇、發(fā)送/接收切換電路104中的信號(hào)切換控制及采樣保持電路108的定時(shí)等。處理控制部110將發(fā)送/接收切換電路104切換為與發(fā)送側(cè)端子T連接，從而通電控制X軸方向環(huán)狀線圈組23X或Y軸方向環(huán)狀線圈組23Y中由選擇電路101選擇的環(huán)狀線圈而發(fā)送電磁波。作為位置指示器的筆51的共振電路接收從該環(huán)狀線圈送出的電磁波，
儲(chǔ)蓄能量。接著，處理控制部110將發(fā)送/接收切換電路104切換為與接收側(cè)端子R連接。這樣，在X軸方向環(huán)狀線圈組23X及Y軸方向環(huán)狀線圈組23Y的各環(huán)狀線圈上，由于從位置指示器即筆51發(fā)送的電磁波而產(chǎn)生感應(yīng)電壓。處理控制部110根據(jù)該各環(huán)狀線圈上產(chǎn)生的感應(yīng)電壓的電壓值的電平，計(jì)算出第2傳感器基板23的筆操作檢測(cè)區(qū)域中的X軸方向及Y軸方向的指示位置的坐標(biāo)值。如圖I所示，在第2傳感器基板23上形成有用于連接上述傳感器電路部和外部電路(印刷布線基板30)的引線部23し另外，在圖I中，雖然省略了圖示，但在第I傳感器基板21上也設(shè)置有傳感器電路部，形成有如上所述用于連接該傳感器電路部和外部電路(印刷布線基板30)的引線部。在第2傳感器基板23的下側(cè)設(shè)置有磁路材料24。該磁路材料24具有對(duì)地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通沒有影響即對(duì)直流磁場(chǎng)引起的直流磁通具有透過性的預(yù)定的磁導(dǎo)率，此外，形成用于由第2傳感器基板23的線圈生成的交變磁場(chǎng)的磁路。此外，磁路材料24為了防止作為磁路的性能由于交變磁場(chǎng)所產(chǎn)生的渦電流而劣化，換言之為了提高作為磁路的性能，由具有預(yù)定的值的電阻的材料構(gòu)成，以使得電流在磁路內(nèi)難以流動(dòng)。在該例中，該磁路材料24由將高磁導(dǎo)率的非晶金屬的粉末與非磁性及非導(dǎo)電性的高分子材料混合，在該例中與樹脂混合而固化的材料構(gòu)成。另外，作為構(gòu)成磁路材料24的材料，也可以代替非晶金屬的粉末，使用坡莫合金或鐵素體(氧化鉄)的粉末。此外，作為高分子材料，不限于樹脂，也可以是有機(jī)高分子材料、無機(jī)高分子材料的任ー種。例如，作為有機(jī)高分子材料，可以使用蛋白質(zhì)、核酸、多糖類(維生素、淀粉等)、天然橡膠等天然高分子材料，此外可以使用合成樹脂、硅樹脂、合成纖維、合成橡膠等合成高分子材料。此外，作為無機(jī)高分子材料，可以使用ニ氧化硅(水晶、石 英)、云母、長(zhǎng)石、石棉等天然高分子材料，此外可以使用玻璃、合成紅寶石等合成高分子材料。如上所述構(gòu)成的磁路材料24在例如非晶金屬等高磁導(dǎo)率的材料的粉末中混合有非磁性及非導(dǎo)電性的高分子材料，因此與僅由非晶金屬等高磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成的情況相比，具有低磁導(dǎo)率，并且具有高電阻。另外，通過調(diào)整非晶金屬等高磁導(dǎo)率的材料的粉末與高分子材料的混合比，能夠比較容易地制作具有對(duì)地磁等直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性影響的所期望的磁導(dǎo)率、和為了補(bǔ)償由于確保對(duì)地磁等直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性影響的所期望的磁導(dǎo)率而劣化的作為磁路的性能而使得電流在磁路材料24中難以流動(dòng)的所期望的電阻的磁路材料24。圖5比較前面所述的專利文獻(xiàn)I的磁路板4與該實(shí)施方式的磁路材料24的特性。如該圖5所示，專利文獻(xiàn)I的磁路板4的磁導(dǎo)率非常高，為10000 [H/m]，作為對(duì)交流磁場(chǎng)的磁路的性能高，因此能夠判明存在對(duì)直流磁場(chǎng)引起的直流磁通也產(chǎn)生偏置的可能性。而實(shí)施方式的磁路材料24的磁導(dǎo)率為100 [H/m]左右，磁導(dǎo)率低，因此地磁等直流磁場(chǎng)引起的直流磁通實(shí)質(zhì)上不會(huì)受到該磁路材料24的影響，因此不需要擔(dān)心該磁通的偏置。因此，即使地磁傳感器位于位置檢測(cè)裝置20的外部附近，由于地磁的磁通從本來的正確的方向向地磁傳感器入射，因此地磁傳感器能夠準(zhǔn)確地檢測(cè)地磁的方位。并且，該實(shí)施方式的磁路材料24的電阻明顯大于非晶金屬的電阻(O. I Ω左右)，具有例如IOOkQ的值，因此由于交變磁場(chǎng)產(chǎn)生的渦電流被大幅抑制。因此，交變磁通能夠避免由于渦電流引起的影響。因此，磁路材料24即使其磁導(dǎo)率為低的值，也能夠形成良好的磁路。因此，磁路材料24作為對(duì)第2傳感器基板23的線圈23X、23Y上產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)、及從位置指示器51接收的交變磁場(chǎng)的磁通路具有足夠的性能，由此能夠良好地維持位置檢測(cè)裝置20的傳感器靈敏度。但是，該實(shí)施方式的磁路材料24由于使用低磁導(dǎo)率的材料，因此存在第2傳感器基板23的線圈23Χ、23Υ上所產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)、或從位置指示器51接收的交變磁場(chǎng)中的一部分透過(貫通)磁路材料24而向與第2傳感器基板23側(cè)相反的一側(cè)泄漏的可能性。在該實(shí)施方式中，通過在磁路材料24的與第2傳感器基板23側(cè)相反的ー側(cè)(磁路材料24的下側(cè))配置屏蔽材料25并與磁路材料24組合來屏蔽上述交變磁通的泄漏。屏蔽材料25由對(duì)于地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通具有透過性即直流磁場(chǎng)引起的直流磁通通過的非磁性體、且對(duì)于交變磁場(chǎng)為了產(chǎn)生渦電流而電阻大致為零的具有高導(dǎo)電性的材料構(gòu)成，在該例中由鋁構(gòu)成。即，允許交變磁通從磁路材料24泄漏，通過在具有導(dǎo)電性的屏蔽材料25上產(chǎn)生渦電流，防止泄漏的交變磁場(chǎng)從屏蔽材料25向外部泄漏。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即使存在經(jīng)由磁路材料24泄漏的交變磁場(chǎng)，也能夠防止向屏蔽材料25的與磁路材料24相反的ー側(cè)泄漏。因此，通過本發(fā)明的磁路材料24和屏蔽材料25組合而成的結(jié)構(gòu)，防止向位置檢測(cè)裝置的外部泄漏第2傳感器基板23的線圈23X、23Y上所產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)、或從位置指示器51接收的交變磁場(chǎng)引起的交變磁通。此外，通過該屏蔽材料25上所產(chǎn)生的渦電流來防止來自位置檢測(cè)裝置20外部的電磁噪聲的進(jìn)入。另外，屏蔽材料25的材料不限于鋁，例如還可以使用鎂合金、不銹鋼 (SUS)、銅及其合金(黃銅等)。接著，屏蔽材料25在該實(shí)施方式中構(gòu)成為還兼具有位置檢測(cè)裝置20的上述各部件的容納容器的功能。因此，屏蔽材料25形成為以磁路材料24的下側(cè)的部分為底部25a、具有從該底部25a的周端緣例如垂直豎立的壁部(側(cè)壁部)25b的箱型容器形狀。并且，如圖2所示，在屏蔽材料25的由壁部25b圍成的凹部空間25c內(nèi)以重合狀態(tài)容納構(gòu)成第I傳感器基板21的透明基板211的背面上所設(shè)置的透明電極組212、IXD基板22、第2傳感器基板23及磁路材料24。即，在作為線圈基板的第2傳感器基板23的與位置指示器51相対的第I面23a所相対的第2面23b —側(cè)，磁路材料24和屏蔽材料25被配置為磁路材料24配置于第2傳感器基板23的第2面23b與屏蔽材料25之間的關(guān)系。此外，在屏蔽材料25的壁部25b的與底部25a相反側(cè)的端部，形成有沿著第2傳感器基板23的第I面23a向外方突出的突出部25d。該突出部25d形成為與構(gòu)成第I傳感器基板21的透明基板211的上述框部213相対。此外，突出部25d也可以根據(jù)需要形成為向內(nèi)方突出。此外，在突出部25d上根據(jù)需要設(shè)置有預(yù)定數(shù)量的切ロ部25f，以容納第I傳感器基板21的周邊部上所配置的電路。在屏蔽材料25的凹部空間25c內(nèi)容納有第I傳感器基板21的透明電極組212、LCD基板22、第2傳感器基板23及磁路材料24的狀態(tài)下，成為構(gòu)成第I傳感器基板21的透明基板211的框部213與屏蔽材料25的突出部25d抵接的狀態(tài)。并且，在該實(shí)施方式中，構(gòu)成第I傳感器基板21的透明基板211的框部213與屏蔽材料25的突出部25d經(jīng)由粘接材料26接合。由此，屏蔽材料25的開ロ部通過構(gòu)成第I傳感器基板21的透明基板211閉塞。另外，構(gòu)成第I傳感器基板21的透明基板211的框部213及屏蔽材料25的突出部25d的面積具有通過粘接材料26固定位置所需的足夠的預(yù)定的抵接面積。這樣，位置檢測(cè)裝置20形成為如下結(jié)構(gòu)，即在屏蔽材料25的凹部空間25c內(nèi)容納構(gòu)成第I傳感器基板21的透明電極組212、LCD基板22、第2傳感器基板23及磁路材料24，由構(gòu)成第I傳感器基板21的透明基板211在屏蔽材料25的凹部空間25c上形成蓋。SP，位置檢測(cè)裝置20在該例中具有模塊化的結(jié)構(gòu)。并且，在該實(shí)施方式中，在圖I及圖2所示的屏蔽材料25的底部25a上設(shè)置有用于穿過將LCD基板22和第2傳感器基板23分別電連接的帯狀電纜的多個(gè)開ロ部(狹縫，未圖示)。在圖I及圖2所示的例子中，連接器27a與后述的印刷布線基板30上所設(shè)置的連接器31a連接，并且經(jīng)由貫通屏蔽材料25的底部25a上所設(shè)置的狹縫的帶狀電纜與IXD基板22的引線部22L連接。同樣，連接器27b與印刷布線基板30上所設(shè)置的連接器31b連接，并且經(jīng)由貫通屏蔽材料25的底部25a上所設(shè)置的其他狹縫的帶狀電纜與第2傳感器基板23的引線部23L連接。此外，雖然省略了圖示，但在第I傳感器基板21上也形成有與上述的電連接方式同樣地用干與印刷布線基板30上所設(shè)置的預(yù)定的連接器電連接的引線部。在印刷布線基板30上，除了上述的多個(gè)連接器31a、31b、……之外，還設(shè)置有便攜終端用的IC(Integrated Circuit :集成電路)32、地磁傳感器33、其他電子部件及銅箔布線圖案?？蝮w40由例如合成樹脂構(gòu)成。在該框體40上形成有用于容納位置檢測(cè)裝置20 及印刷布線基板30的凹部41及臺(tái)階部42。如圖2所示，凹部41具有在其底部25a容納印刷布線基板30、并且容納位置檢測(cè)裝置20的與屏蔽材料25的凹部空間25c對(duì)應(yīng)的部分的深度及形狀。臺(tái)階部42具有用于容納位置檢測(cè)裝置20中通過粘接材料26粘接的第I傳感器基板21的框部213和屏蔽材料25的突部25d所形成的凸緣部(flange部)的深度及形狀。在組裝便攜終端10時(shí)，印刷布線基板30以形成有其連接器31a、31b、……的ー側(cè)為露出側(cè)容納在框體40的凹部41內(nèi)，通過粘接或螺紋固定等固定于框體40的凹部41的底部。接著，以屏蔽材料25的底部25a側(cè)與印刷布線基板30相対的狀態(tài)，將單元化的位置檢測(cè)裝置20容納到框體40的凹部41內(nèi)，分別連接印刷布線基板30上所設(shè)置的連接器31a、31b、……與位置檢測(cè)裝置20上所設(shè)置的連接器27a、27b、……。此時(shí)，屏蔽材料25的突出部25d與框體40的臺(tái)階部42的底部通過例如粘接材料28彼此粘接，從而位置檢測(cè)裝置20固定于框體40。如圖2所示，在框體40中容納有位置檢測(cè)裝置20及印刷布線基板30的狀態(tài)下，位置檢測(cè)裝置20的最上表面與框體40的上表面43為大致同一面。此時(shí)，印刷布線基板30上所配置的IC32的上表面如圖2所示與屏蔽材料25的底部25a的表面接觸。構(gòu)成該實(shí)施方式的屏蔽材料25的鋁的導(dǎo)熱性良好。因此，在該實(shí)施方式中，屏蔽材料25還作為IC32的散熱材料發(fā)揮作用。此外，為了使屏蔽材料25的表面與IC32的上表面接觸，也可以將屏蔽材料25的底部25a的表面的與IC32相対的部分形成為凸?fàn)?。此外，也可以在屏蔽材?5的底面25a的表面形成與IC32的形狀對(duì)應(yīng)的凹部，從而彼此良好地接觸。在如上所述構(gòu)成的便攜終端10中，容納組合采用磁路材料24和屏蔽材料25而成的位置檢測(cè)裝置，上述磁路材料24采用與非晶金屬相比低磁導(dǎo)率的材料且用于抑制產(chǎn)生渦電流的電阻高的材料，從而作為對(duì)交流磁場(chǎng)的磁路確保所期望的性能，并且對(duì)地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生影響，即對(duì)直流磁場(chǎng)引起的直流磁通確保透過性，上述屏蔽材料25由確保對(duì)地磁這樣的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通的透過性并且有效產(chǎn)生渦電流的高導(dǎo)電性的材料構(gòu)成。因此，即使存在磁路材料24，也能夠防止地磁等直流磁場(chǎng)引起的直流磁通的方向偏置，因此即使與便攜終端10的印刷布線基板30上所設(shè)置的地磁傳感器33相鄰地容納具有磁路材料24的位置檢測(cè)裝置，地磁傳感器也能夠檢測(cè)準(zhǔn)確的方位。此外，由第2傳感器基板23的線圈所產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)及第2傳感器基板23的線圈所接收的來自位置指示器51的交變磁場(chǎng)如上所述通過磁路材料24和屏蔽材料25的組合結(jié)構(gòu)來屏蔽，以防止向位置檢測(cè)裝置20的外部泄漏。此外，根據(jù)位置檢測(cè)裝置20的結(jié)構(gòu)，還能夠防止向其內(nèi)部進(jìn)入印刷布線基板30所產(chǎn)生的電磁波噪聲及從便攜終端的外部進(jìn)入的電磁波噪聲。此外，在上述實(shí)施方式中，屏蔽材料25還發(fā)揮用于容納位置檢測(cè)裝置20的各構(gòu)成要素的容納容器的功能，因此能夠簡(jiǎn)化位置檢測(cè)裝置20的結(jié)構(gòu)。此外，如上所述，利用屏蔽材料25的導(dǎo)熱性，作為印刷布線基板上所配置的IC等電子部件的散熱部件，能夠兼用屏蔽 材料25，能夠獲得便攜設(shè)備等高密度安裝的設(shè)備的散熱效果。[第2實(shí)施方式]在上述第I實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置20中，由第2傳感器基板23構(gòu)成電磁感應(yīng)式的傳感器對(duì)各環(huán)狀線圈分時(shí)切換發(fā)送時(shí)(勵(lì)磁吋)和接收時(shí)(檢測(cè)來自位置指示器51的感應(yīng)磁場(chǎng))，從而檢測(cè)位置指示器51的指示位置。而在該第2實(shí)施方式中，彼此分離用于向位置指示器51發(fā)送磁場(chǎng)的(勵(lì)磁用)線圈和用于檢測(cè)來自位置指示器51的感應(yīng)磁場(chǎng)的(接收用)線圈。圖6是用于說明第2實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置60的結(jié)構(gòu)的圖，與圖2所示的第I實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置20的剖視圖對(duì)應(yīng)。在該圖6中，對(duì)與第I實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置20相同結(jié)構(gòu)的部分標(biāo)以同一標(biāo)號(hào)，省略其詳細(xì)說明。S卩，在該第2實(shí)施方式中，代替靜電電容方式的位置檢測(cè)傳感器的結(jié)構(gòu)即第I傳感器基板21，設(shè)置有用于在電磁感應(yīng)方式下接收從位置指示器發(fā)送的信號(hào)的接收用線圈基板23R。在該接收用線圈基板23R上，透明基板232上以矩陣狀形成有由ITO膜等構(gòu)成的接收用環(huán)狀線圈組234，并且在其周部設(shè)置有接收用電路部。在該接收用線圈基板23R的下側(cè)設(shè)置有IXD基板22。并且，在該IXD基板22的下側(cè)設(shè)置有用于對(duì)電磁感應(yīng)方式的位置指示器進(jìn)行基于電磁耦合的供電的勵(lì)磁用線圈基板23T。該勵(lì)磁用線圈基板23T在基板233上形成由金屬的細(xì)線狀導(dǎo)體構(gòu)成的勵(lì)磁用環(huán)狀線圈組(未圖示)，并且設(shè)置勵(lì)磁用電路部。此外，在該例中，勵(lì)磁用線圈基板23T上還設(shè)置有控制接收用電路部和勵(lì)磁用電路部從而來控制位置指示器51所指示的位置的檢測(cè)動(dòng)作的控制電路部。另外，該控制電路部也可以設(shè)置在接收用線圈基板23R上。在該第2實(shí)施方式中，磁路材料24設(shè)置于勵(lì)磁用線圈基板23T的下側(cè)。并且，在第2實(shí)施方式中，也與第I實(shí)施方式同樣地，在兼作為容納容器的屏蔽材料25的容納空間25c內(nèi)，如圖6所示以依次重疊的狀態(tài)容納有在透明基板232的背面具有用于在電磁感應(yīng)方式下檢測(cè)位置的接收用環(huán)狀線圈組234的接收用線圈基板23R、IXD基板22、用于向位置指示器供電的勵(lì)磁用線圈基板23T及磁路材料24。并且，與第I實(shí)施方式同樣地，構(gòu)成接收用線圈基板23R的透明基板232的框部213'與屏蔽材料25的突出部25d通過粘接材料26粘接，屏蔽材料25的開ロ部被構(gòu)成接收用線圈基板23R的透明基板232閉塞。由此，形成模塊化的第2實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置60。另外，如上所述，在屏蔽材料25的突出部25d上，根據(jù)需要設(shè)置有用于容納接收用線圈基板23R的周邊所配置的電路的預(yù)定數(shù)量的切ロ部25f。另外，在圖6中，從屏蔽材料25的底部25a向外部突出設(shè)置的連接器27a如第I實(shí)施方式中所說明的那樣與IXD基板22的引線部22L連接。此外，連接器27b'以相同的連接方式與勵(lì)磁用線圈基板23T的引線部連接。此外，連接器部27c也同樣地與接收用線圈基板23R的引線部連接。在該第2實(shí)施方式中，也與第I實(shí)施方式同樣地，磁路材料24及屏蔽材料25對(duì)地磁等直流磁場(chǎng)引起的直流磁通不產(chǎn)生影響，因此不妨礙地磁傳感器的方位測(cè)定。此外，在該第2實(shí)施方式中也能夠獲得與第I實(shí)施方式相同的效果。[第3實(shí)施方式]在上述第I實(shí)施方式及第2實(shí)施方式中，將磁路材料24設(shè)置為僅覆蓋兼用作容納 容器的屏蔽材料25的底部25a。但是，通過在屏蔽材料25的壁部25b也設(shè)置磁路材料24，能夠更有效地確保對(duì)從第2傳感器基板23或勵(lì)磁用線圈基板23T產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)及第2傳感器基板23或接收用線圈基板23R從位置指示器51接收的交變磁場(chǎng)的磁路。第3實(shí)施方式具有進(jìn)ー步提高作為磁路的特性的結(jié)構(gòu)。在上述實(shí)施方式中，磁路材料24使用非晶金屬、坡莫合金等高磁導(dǎo)率的磁性體的粉末中添加樹脂而固化的材料。但是，作為磁路材料24，除了這樣固化的材料之外，也可以在上述高磁導(dǎo)率的粉末中混合高分子材料而以涂料的形態(tài)使用。在該第3實(shí)施方式中，磁路材料不使用固化的材料，而已涂料的形態(tài)使用。圖7是用于說明第3實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置70的結(jié)構(gòu)的圖，與圖2所示的第I實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置20的剖視圖對(duì)應(yīng)。在該圖7中，對(duì)與第I實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置20相同結(jié)構(gòu)的部分標(biāo)以同一標(biāo)號(hào)，省略其詳細(xì)說明。首先，該第3實(shí)施方式中的磁路材料28例如非晶金屬、坡莫合金等粉末中混合樹脂粉末等高分子材料，成為涂料的形態(tài)，從而能夠進(jìn)行涂布。并且，如圖7所示，將生成為涂料的形態(tài)的磁路材料28不僅涂布于屏蔽材料25的底部25a，也涂布于包含內(nèi)壁部的內(nèi)表面整體。除此之外，與第I實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置20相同。根據(jù)該第3實(shí)施方式，將磁路材料28以涂料的形態(tài)涂布于屏蔽材料25的內(nèi)表面整體，即對(duì)屏蔽材料25的壁部25b也進(jìn)行涂布，從而作為磁路材料能夠獲得更好的性能。[第4實(shí)施方式]在上述第I 第3實(shí)施方式中，使用電磁感應(yīng)方式的位置檢測(cè)裝置。即是通過電磁耦合向位置指示器供電并且使用電磁耦合求出位置指示器所指示的位置的方式。但是，本發(fā)明不限于通過電磁耦合發(fā)送來自位置指示器的信號(hào)的方式，可以適用于能夠通過電磁耦合對(duì)預(yù)定的線圈或包含該線圈的預(yù)定的共振電路供電的電子設(shè)備。第4實(shí)施方式是在這樣的位置檢測(cè)裝置中適用了本發(fā)明的情況。圖8是用于說明具有該第4實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置的便攜設(shè)備90和與其一起使用的位置指示器500的結(jié)構(gòu)的概要的圖。該第4實(shí)施方式的便攜設(shè)備90中所內(nèi)置的位置檢測(cè)裝置的傳感器基板92和位置指示器500通過靜電電容方式進(jìn)行指示位置的檢測(cè)。S卩，在便攜設(shè)備90的由位置指示器500指示位置的表面部的背面具有傳感器基板92，該傳感器基板92例如圖3所示在其中央?yún)^(qū)域以X方向及Y方向彼此正交地配置有多個(gè)線狀的透明電極91X、91Y，并且在其周邊區(qū)域，作為與本發(fā)明的線圈基板相當(dāng)?shù)牟考渲糜须姤┙o用線圈95。此外，在傳感器基板92的下方具有LCD基板22。此外，在LCD基板22的下方，作為電カ供給用線圈95的磁路并且為了電磁屏蔽，設(shè)置有磁路材料24和屏蔽材料25。具有用于檢測(cè)基干與位置指示器500之間的靜電耦合的信號(hào)的傳感器基板92的位置檢測(cè)裝置93容納于便攜設(shè)備90的框體94內(nèi)。與上述實(shí)施方式同樣，該第4實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置93具有磁路材料24及屏蔽材料25組合而成的結(jié)構(gòu)。磁路材料24與LCD基板22 —起容納于兼用作容納容器的屏蔽材料25內(nèi)。另外，具有在圖8中配置為矩陣狀的透明電極的傳感器基板92配置在IXD基板22所具有的IXD的顯示畫面93D上，這一點(diǎn)與上述實(shí)施方式相同。位置指示器500具有后述的信號(hào)產(chǎn)生單元，并且具有從殼體501的前端突出的導(dǎo)體芯502和與該導(dǎo)體芯502電絕緣的前端部導(dǎo)體503。并且，在位置指示器500中，從后述的信號(hào)產(chǎn)生單元向?qū)w芯502與前端部導(dǎo)體503之間施加非平衡信號(hào)電壓。
若使位置指示器500的導(dǎo)體芯502向便攜設(shè)備90的位置檢測(cè)裝置93的輸入面接近或接觸，則傳感器基板92的電極9IX、9IY與導(dǎo)體芯502經(jīng)由靜電電容Cs靜電耦合。靜電電容Cs使電極9IX與9IY之間的靜電電容發(fā)生變化，因此在電極9IX與9IY之間產(chǎn)生電位差。因此，根據(jù)該傳感器基板92的多個(gè)電極91Χ、91Υ之間所產(chǎn)生的電位差，能夠檢測(cè)由位置指示器500的導(dǎo)體芯502指示的位置。如上所述，與該第4實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置93 —起使用的位置指示器500具有發(fā)送來自信號(hào)產(chǎn)生單元的信號(hào)的功能，需要用于該功能的電源。作為該電源，通常在位置指示器500中具有電池作為驅(qū)動(dòng)電源。但是，在該情況下，消耗完電池的情況下，必須進(jìn)行更換，比較麻煩。此外，若內(nèi)置電池，則位置指示器的重量増大，存在操作性受損的可能性。在第4實(shí)施方式中，通過電磁感應(yīng)耦合從便攜設(shè)備90的位置檢測(cè)裝置93向位置指示器500供給電カ，從而解決涉及電源的上述問題。在該第4實(shí)施方式中，在便攜設(shè)備90所具有的位置檢測(cè)裝置93的傳感器基板92上，如圖8所示，例如傳感器基板的傳感器區(qū)域的周邊部形成有電カ供給用線圈95作為本發(fā)明的線圈基板。該電カ供給用線圈95是沿著與便攜設(shè)備90的顯示畫面93D平行的面卷繞的環(huán)狀線圈，例如通過具有多個(gè)層的印刷布線基板等安裝。雖然省略了圖示，但向該電カ供給用線圈95供給有交流信號(hào)，從而在與平行于顯示畫面93D的面垂直的方向上產(chǎn)生交變磁場(chǎng)。用于此的電路部與傳感器電路部一起形成于傳感器基板92。另ー方面，如后文所述，在位置指示器500上設(shè)置有接收來自電カ供給用線圈95的交變磁場(chǎng)的能量的電磁耦合電路504，并且設(shè)置有具有電容器的蓄電電路。因此，在向電カ供給用線圈95供給有交流信號(hào)的狀態(tài)下，若向便攜設(shè)備90的顯示畫面93D接近位置指示器500，則由于由電カ供給用線圈95產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)，在位置指示器500的電磁耦合電路504上激發(fā)感應(yīng)電流。并且，由于該感應(yīng)電流，如后文所述對(duì)蓄電電路的電容器充電而蓄電。位置指示器500將該蓄電的電カ用作驅(qū)動(dòng)電源。圖9表示該第4實(shí)施方式的位置指示器500的內(nèi)部處理電路510的例子。該內(nèi)部處理電路510包括上述電磁耦合電路504、蓄電電路511、穩(wěn)定化電源電路512及控制器513。控制器513由例如微處理器構(gòu)成，具有電壓控制功能，并且具有基于由晶體振蕩器514生成的時(shí)鐘的發(fā)送信號(hào)的生成及送出功能。
電磁稱合電路504由包括線圈5041和電容器5042的共振電路構(gòu)成。該電磁I禹合電路504的共振頻率為與向便攜設(shè)備90的位置檢測(cè)裝置93的電カ供給用線圈95供給的交流信號(hào)的頻率相同的頻率。并且，位置指示器500中的電磁耦合電路504的位置為如圖8所示該位置指示器500接近便攜設(shè)備90時(shí)能夠接受來自電カ供給用線圈95的交變磁場(chǎng)的位置。蓄電電路511通過整流ニ極管5111和例如由雙電層電容器構(gòu)成的電容器5112構(gòu)成。穩(wěn)定化電源電路512通過由PWM (Pulse Width Modulation :脈寬調(diào)制)控制用的FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的開關(guān)5121、穩(wěn)定化電容器5122、電壓檢測(cè)電路5123及控制器513構(gòu)成。電磁耦合電路504接收來自電カ供給用線圈95的交變磁場(chǎng)而共振，產(chǎn)生感應(yīng)電流。該感應(yīng)電流由蓄電電路511的ニ極管5111整流，通過該整流信號(hào)，電容器5112被充電。 這樣，在該第4實(shí)施方式中，若位置指示器500接近便攜設(shè)備90，則向電容器5112充電，在蓄電電路511中蓄電。并且，由該電容器5112保持的電壓被供給到穩(wěn)定化電源電路 512。在穩(wěn)定化電源電路512中，由蓄電電路511的電容器5112保持的電壓根據(jù)開關(guān)5121接通/斷開而轉(zhuǎn)送到電壓穩(wěn)定化電容器5122?？刂破?13向開關(guān)5121供給其占空比被控制為如后文所述的一定周期的矩形波信號(hào)SC作為開關(guān)信號(hào)。開關(guān)5121根據(jù)該矩形波信號(hào)SC接通/斷開，將由電容器5112保持的電壓通過PWM控制將作為該P(yáng)WM控制結(jié)果的電壓保存在電壓穩(wěn)定化電容器5122上。并且，向控制器513供給由該穩(wěn)定化電容器5122保持的電壓作為其驅(qū)動(dòng)電源電壓。電壓檢測(cè)電路5123檢測(cè)由電壓穩(wěn)定化電容器5122保持的電壓的值，將該檢測(cè)結(jié)果供給到控制器513?？刂破?13與該電壓檢測(cè)電路5123的檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)地控制向開關(guān)5121供給的矩形波信號(hào)SC的占空比，以達(dá)到預(yù)先設(shè)定的電源電壓+Vcc。這樣，向控制器513供給通過穩(wěn)定化電源電路512穩(wěn)定化的電源電壓+Vcc。并且，控制器513將使用基于水晶振動(dòng)子514的時(shí)鐘而生成的預(yù)定頻率的發(fā)送信號(hào)So經(jīng)由電容器515供給到位置指示器500的導(dǎo)體芯502。由此，向位置指示器500的導(dǎo)體芯502與前端部導(dǎo)體503之間供給的非平衡信號(hào)電壓作用于位置檢測(cè)裝置93的傳感器基板92的電極91X與91Y之間。在位置檢測(cè)裝置93中，如上所述，根據(jù)基于所施加的非平衡信號(hào)電壓在傳感器基板92的多個(gè)電極91X與91Y之間所產(chǎn)生的電位差，檢測(cè)由位置指示器500的導(dǎo)體芯502指示的位置。在該第4實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置93中，由磁路材料24有效地形成對(duì)來自電カ供給用線圈95的交變磁場(chǎng)的磁路，該電カ供給用線圈95用于通過與位置指示器500中所設(shè)置的電磁I禹合電路504電磁I禹合而向位置指不器500供給電力。此夕卜，由屏蔽部件25防止該交變磁場(chǎng)向便攜設(shè)備90中所容納的位置檢測(cè)裝置93的外部泄漏。并且，根據(jù)該第4實(shí)施方式的位置檢測(cè)裝置93，能夠防止應(yīng)由便攜設(shè)備90中所設(shè)置的地磁傳感器檢測(cè)的地磁的方向由于磁路材料24而偏置，因此能夠通過地磁傳感器準(zhǔn)確地檢測(cè)方位。
[其他實(shí)施方式或變形例]以上說明的位置檢測(cè)裝置的傳感器部的結(jié)構(gòu)為一例，當(dāng)然不限于上述結(jié)構(gòu)。此外，在上述實(shí)施方式中，顯示設(shè)備使用了 LCD，但只要是平面型顯示設(shè)備，則不限于IXD，也可以使用例如有機(jī)EL顯示設(shè)備等。此外，在上述實(shí)施方式中，便攜設(shè)備所具有的位置檢測(cè)裝置均為具有顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)，但顯示設(shè)備不是必須的，即使是不具備顯示設(shè)備的位置檢測(cè)裝置，也能夠適用本發(fā)明。此外，在上述實(shí)施方式中，屏蔽材料兼用作容納線圈基板等的容納容器，但這不是必須的，屏蔽材料也可以是以平板狀和線圈基板等一起另行容納于容納容器的結(jié)構(gòu)。
此外，便攜設(shè)備不限于便攜終端，只要是位置檢測(cè)裝置具有生成用于電磁耦合的磁通的功能，并且具有例如用于檢測(cè)地磁的磁傳感器的電子設(shè)備，就能夠適用本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種位置檢測(cè)裝置，和位置指示器一起使用，具有線圈基板，該線圈基板配置有用于生成用于與上述位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈，上述位置檢測(cè)裝置的特征在于， 在上述線圈基板的與上述位置指示器相對(duì)的第I面所相對(duì)的第2面一側(cè)，磁路材料和屏蔽材料被配置為上述磁路材料配置于上述第2面與上述屏蔽材料之間的關(guān)系， 上述磁路材料由以下材料構(gòu)成具有不會(huì)使直流磁場(chǎng)引起的直流磁通紊亂的磁導(dǎo)率、并且對(duì)于由上述線圈生成的交變磁場(chǎng)形成與上述磁導(dǎo)率對(duì)應(yīng)的磁路且為了提高作為上述磁路的特性而具有使得由上述線圈生成的交變磁場(chǎng)所產(chǎn)生的渦電流難以流動(dòng)的預(yù)定的電阻， 上述屏蔽材料是不會(huì)使上述直流磁場(chǎng)引起的直流磁通紊亂的非磁性體，并且具有用于對(duì)上述交變磁場(chǎng)產(chǎn)生渦電流的導(dǎo)電性。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述磁路材料是在具有高磁導(dǎo)率的材料中混合有用于使上述高磁導(dǎo)率達(dá)到預(yù)定值的高分子材料的混合材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述高分子材料為樹脂、橡膠或纖維。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述磁路材料被涂布在上述屏蔽材料上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 具有上述高磁導(dǎo)率的材料為非晶金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 在上述屏蔽材料上形成有用于容納上述線圈基板和上述磁路材料的壁部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 在上述屏蔽材料的壁部也配置有上述磁路材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 在上述線圈基板的上述第I面一側(cè)配置有顯示設(shè)備，并且上述顯示設(shè)備容納于形成有上述壁部的上述屏蔽材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述位置指示器具有用于與上述線圈基板之間進(jìn)行電磁耦合的線圈， 在上述線圈基板上配置有用于接收從上述位置指示器所具有的上述線圈放出的信號(hào)的線圈。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述線圈基板上所配置的線圈通過分時(shí)處理而共用于生成上述交變磁場(chǎng)和接收從上述位置指示器所具有的上述線圈放出的信號(hào)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述位置指示器具有用于與上述線圈基板之間進(jìn)行電磁耦合的線圈， 在上述顯示設(shè)備的顯示面一側(cè)配置有用于接收從上述位置指示器所具有的上述線圈放出的信號(hào)的包括透明性的傳感器電極的傳感器圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 在上述顯示設(shè)備的顯示面一側(cè)配置有用于將位置指示體所指示的位置作為靜電電容的變化來檢測(cè)的包括透明性的傳感器電極的傳感器圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述位置指示體具有筆形狀，并且包括信號(hào)生成電路，以預(yù)定的電壓驅(qū)動(dòng)，用于生成引起上述靜電電容的變化的信號(hào)；線圈，用于與上述線圈基板之間進(jìn)行電磁耦合；以及電源電路，根據(jù)用于與上述線圈基板之間進(jìn)行電磁耦合的上述線圈上所感應(yīng)產(chǎn)生的電壓來生成用于驅(qū)動(dòng)上述信號(hào)生成電路的驅(qū)動(dòng)電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 在上述屏蔽材料上所形成的上述壁部的端部，設(shè)置有用于將容納有上述線圈基板和上述磁路材料的上述屏蔽材料安裝于預(yù)定的位置的突出部。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的位置檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述屏蔽材料上所設(shè)置的上述突出部具有用于在沿著上述位置指示器所相對(duì)的上述線圈基板的第I面的方向上通過粘接材料固定位置的預(yù)定的面積。
16.一種顯示裝置，和位置指示器一起使用，具有線圈基板，該線圈基板配置有用于生成用于與上述位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈，上述顯示裝置的特征在于， 在上述線圈基板的與上述位置指示器相對(duì)的第I面所相對(duì)的第2面一側(cè)，磁路材料和屏蔽材料被配置為上述磁路材料配置于上述第2面與上述屏蔽材料之間的關(guān)系， 在上述線圈基板的上述第I面一側(cè)配置有顯示設(shè)備， 上述磁路材料由以下材料構(gòu)成具有不會(huì)使直流磁場(chǎng)引起的直流磁通紊亂的磁導(dǎo)率、并且對(duì)于由上述線圈生成的交變磁場(chǎng)形成與上述磁導(dǎo)率對(duì)應(yīng)的磁路且為了提高作為上述磁路的特性而具有使得由上述線圈生成的交變磁場(chǎng)所產(chǎn)生的渦電流難以流動(dòng)的預(yù)定的電阻， 上述屏蔽材料是不會(huì)使上述直流磁場(chǎng)引起的直流磁通紊亂的非磁性體，并且具有用于對(duì)上述交變磁場(chǎng)產(chǎn)生渦電流的導(dǎo)電性，在上述屏蔽材料上設(shè)置有用于容納上述線圈基板、上述磁路材料及上述顯示設(shè)備的壁部。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于， 上述磁路材料在上述線圈基板與上述屏蔽材料之間被配置為板狀，或固定于上述屏蔽材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于， 上述磁路材料是在具有高磁導(dǎo)率的材料中混合有用于使上述高磁導(dǎo)率達(dá)到預(yù)定值的高分子材料的混合材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于， 在上述屏蔽材料上所設(shè)置的壁部設(shè)置有用于將上述屏蔽材料安裝于預(yù)定的位置的突出部。
20.一種便攜設(shè)備，和位置指示器一起使用，具有地磁傳感器；和線圈基板，配置有用于生成用于與上述位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈，上述便攜設(shè)備的特征在于， 在上述線圈基板的與上述位置指示器相對(duì)的第I面所相對(duì)的第2面一側(cè)，磁路材料和屏蔽材料被配置為上述磁路材料配置于上述第2面與上述屏蔽材料之間的關(guān)系， 在上述線圈基板的上述第I面一側(cè)配置有顯示設(shè)備， 上述磁路材料由以下材料構(gòu)成具有不會(huì)使應(yīng)由上述地磁傳感器檢測(cè)的直流磁場(chǎng)引起的直流磁通紊亂的磁導(dǎo)率、并且對(duì)于由上述線圈生成的交變磁場(chǎng)形成與上述磁導(dǎo)率對(duì)應(yīng)的磁路且為了提高作為上述磁路的特性而具有使得由上述線圈生成的交變磁場(chǎng)所產(chǎn)生的渦電流難以流動(dòng)的預(yù)定的電阻， 上述屏蔽材料是不會(huì)使應(yīng)由上述地磁傳感器檢測(cè)的上述直流磁場(chǎng)引起的直流磁通紊亂的非磁性體，并且具有用于對(duì)上述交變磁場(chǎng)產(chǎn)生渦電流的導(dǎo)電性，在上述屏蔽材料上設(shè)置有用于容納上述線圈基板、上述磁路材料及上述顯示設(shè)備的壁部。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的便攜設(shè)備，其特征在于， 在上述便攜設(shè)備上，配置有用于進(jìn)行預(yù)定的信號(hào)處理的信號(hào)處理用半導(dǎo)體的電路基板與上述屏蔽材料相對(duì)地配置， 上述屏蔽材料還是導(dǎo)熱性高的材料，并且上述屏蔽材料與上述信號(hào)處理用半導(dǎo)體熱結(jié)合，從而上述屏蔽材料還進(jìn)行上述信號(hào)處理用半導(dǎo)體的散熱。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的便攜設(shè)備，其特征在于， 在上述壁部的端部設(shè)置有用于將容納有上述顯示設(shè)備、上述線圈基板及上述磁路材料的上述屏蔽材料安裝于上述便攜設(shè)備的框體的突出部，并且上述突出部具有用于在沿著上述位置指示器所相對(duì)的上述線圈基板的第I面的方向上通過粘接材料在上述便攜設(shè)備的框體上固定位置的預(yù)定的面積。
全文摘要
一種位置檢測(cè)裝置、顯示裝置及便攜設(shè)備，對(duì)于交變磁場(chǎng)形成排除了渦電流影響的磁路，對(duì)于直流磁場(chǎng)的磁通不會(huì)使其方向偏置。位置檢測(cè)裝置具有線圈基板(23)，配置有用于生成用于與位置指示器電磁耦合的交變磁場(chǎng)的線圈。在線圈基板的與位置指示器相對(duì)的第1面(23a)所相對(duì)的第2面(23b)一側(cè)，磁路材料(24)和屏蔽材料(25)被配置為磁路材料位于第2面與屏蔽材料之間的關(guān)系。磁路材料由以下材料構(gòu)成具有不使直流磁場(chǎng)的直流磁通紊亂的磁導(dǎo)率、并且具有使得由線圈生成的交變磁場(chǎng)所產(chǎn)生的渦電流難以流動(dòng)的預(yù)定的電阻。屏蔽材料是不使直流磁場(chǎng)的直流磁通紊亂的非磁性體，并且具有對(duì)交變磁場(chǎng)產(chǎn)生渦電流的導(dǎo)電性。
文檔編號(hào)G06F3/046GK102819376SQ20121002984
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月6日
發(fā)明者堀江利彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社和冠