硬質(zhì)基板、觸控面板及硬質(zhì)基板的處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種硬質(zhì)基板、觸控面板及硬質(zhì)基板的處理方法，其中觸控面板包括此硬質(zhì)基板。硬質(zhì)基板包括一離子強化表面層，其完整地包覆于全表面，且硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中離子強化表面層在蝕刻壁的平均深度與其在蝕刻壁以外的表面的平均深度實質(zhì)上相同。
【專利說明】硬質(zhì)基板、觸控面板及硬質(zhì)基板的處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種基板、觸控面板及基板的處理方法，且特別是有關(guān)于一種硬質(zhì)基板、包括此硬質(zhì)基板的觸控面板以及硬質(zhì)基板的處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著使用者直接接觸面板裝置的機率大幅提升，面板裝置因機械強度不足而損壞的可能亦隨之升高。所以，面板裝置的機械強度成為電子產(chǎn)品是否耐用的重要因素。目前，已采用強化過的基板(例如強化過的玻璃板，或是業(yè)界所稱的覆蓋板)來制作面板裝置以提高其機械強度。也就是說，觸控或顯示等作用的電子元件可以制作于強化過的基板上以提高整體面板裝置的機械強度。
[0003]然而，強化過的基板為了符合產(chǎn)品的尺寸設(shè)計一般都經(jīng)過切削成型的處理，切削成型的過程會在切削過的邊緣產(chǎn)生大小不一的裂隙，而這些大小不一的裂隙往往成為應(yīng)力的集中區(qū)。因此，這樣的基板對于面板裝置的機械強度的提升仍有其限制，特別是，基板往往由這些切削過的邊緣開始破裂。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種硬質(zhì)基板，具有空隙均勻的蝕刻壁而可提供理想的機械強度。
[0005]本發(fā)明提供一種觸控面板，以機械強度理想的硬質(zhì)基板提供承載而具有良好的品質(zhì)及耐用性。
[0006]本發(fā)明提供一種硬質(zhì)基板的處理方法，可有效地改善硬質(zhì)基板經(jīng)切削之后壁的應(yīng)力集中的現(xiàn)象。
[0007]本發(fā)明提供一種硬質(zhì)基板，包括一離子強化表面層，其完整地包覆于硬質(zhì)基板的全表面，且硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中離子強化表面層在蝕刻壁的平均深度與其在蝕刻壁以外的表面的平均深度實質(zhì)上相同。
[0008]本發(fā)明另提供一種觸控面板，包括一硬質(zhì)基板以及一觸控元件。硬質(zhì)基板包括一離子強化表面層，其完整地包覆于硬質(zhì)基板的全表面，且硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中離子強化表面層在蝕刻壁的平均深度與其在蝕刻壁以外的表面的平均深度實質(zhì)上相同。觸控元件配置于硬質(zhì)基板上。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述蝕刻壁的平均表面粗糙度由0.03um至0.8um。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述蝕刻壁包括多個裂隙，且裂隙的孔徑大小由3微米至15微米。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述蝕刻壁包括多個裂隙，且離子強化表面層的平均深度實質(zhì)上大于裂隙的平均深度。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述觸控面板還包括一裝飾圖案層，配置于硬質(zhì)基板上，且裝飾圖案層實質(zhì)上位于觸控元件周邊。
[0013]本發(fā)明另提供一種硬質(zhì)基板的處理方法。對一硬質(zhì)母板進(jìn)行一機械加工或材料移除處理以形成至少一硬質(zhì)基板，使硬質(zhì)基板具有一切割壁。對切割壁進(jìn)行一蝕刻處理而使切割壁成為一蝕刻壁。對硬質(zhì)基板進(jìn)行一離子強化處理使硬質(zhì)基板的全表面完整地包括一離子強化表面層，其中該離子強化表面層在該蝕刻壁的平均深度實質(zhì)上相同于在該蝕刻壁以外的表面的平均深度。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述對切割壁進(jìn)行蝕刻處理的步驟包括貼附一抗蝕層于硬質(zhì)基板上并使抗蝕層暴露出切割壁；以及將暴露出來的蝕刻壁接觸一蝕刻液。具體而言，硬質(zhì)基板的材質(zhì)為玻璃而蝕刻液為氫氟酸。另外，進(jìn)行離子強化處理之前例如將抗蝕層移除。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述切割壁的平均表面粗糙度由1.0um至3um，而蝕刻壁的的平均表面粗糙度由0.03um至0.8um。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述進(jìn)行離子強化處理的步驟包括將硬質(zhì)基板整體地接觸于一離子強化液中。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述機械加工或材料移除處理包括切割、磨邊、鑿孔、導(dǎo)角、圖案化蝕刻以及拋光工序的至少其中之一。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述蝕刻處理是使用一干蝕刻媒介或一濕蝕刻媒介而進(jìn)行，且該干蝕刻媒介包括含氟氣體或等離子體，而該濕蝕刻媒介包括至少含氫氟酸或含氟的溶劑。
[0019]基于上述，本發(fā)明提供一種處理方法以對硬質(zhì)基板經(jīng)機械加工或材料移除處理過的切割壁進(jìn)行蝕刻而形成蝕刻壁。蝕刻壁具有的裂隙大小大于經(jīng)機械加工或材料移除處理而未蝕刻前的切割壁，且蝕刻壁具有的平均表面粗糙度小于經(jīng)切削而未蝕刻的切割壁。所以，蝕刻壁相對于切割壁而言較不容易在特定區(qū)域產(chǎn)生應(yīng)力集中的現(xiàn)象。如此一來，經(jīng)離子強化處理的蝕刻壁可以有效提升硬質(zhì)基板的機械強度也隨之使具有此硬質(zhì)基板的觸控面板具有理想的品質(zhì)及耐用性。
[0020]進(jìn)一步而言，因為前段機械加工或材料移除處理加工的品質(zhì)不一，這樣的前段加工所造成的裂隙深度將會不一致，這會影響離子強化之后所能夠達(dá)到的效果。不過，本發(fā)明實施例通過將前段加工之后的硬質(zhì)基板先進(jìn)行蝕刻后再全面施行化學(xué)強化，這可以更確保裂隙可以實質(zhì)上被離子強化表面層所涵蓋。此時，離子強化表面層可以衍生出一對應(yīng)的壓應(yīng)力分布層，而壓應(yīng)力層可約束玻璃表層的裂隙成長而提高玻璃受破壞的強度，因此可使得成品強度更穩(wěn)固。
[0021]除上述之外，從另一角度來看，由于裂隙深度已預(yù)先經(jīng)由蝕刻被減低；因此，后續(xù)的全面化學(xué)強化，其處理條件就不需這么嚴(yán)苛即可使離子強化表面層涵蓋裂隙，例如:處理時間可相對較短等等。
[0022]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1至圖4為本發(fā)明一實施例的硬質(zhì)基板的處理方法的流程圖；
[0024]圖5及圖6分別為切割壁100A與蝕刻壁102A在顯微鏡下放大50倍時的態(tài)樣圖；
[0025]圖7為本發(fā)明實施例的基板的切割壁100A與蝕刻壁102A的剖面結(jié)構(gòu)圖；[0026]圖8為本發(fā)明一實施例的觸控面板圖；
[0027]圖9至圖11為本發(fā)明的多個實施例的觸控元件的設(shè)計圖；
[0028]圖12為本發(fā)明另一實施例中經(jīng)由機械加工或材料移除處理的硬質(zhì)基板初坯的剖面示意圖。
[0029]附圖標(biāo)記說明:
[0030]10:硬質(zhì)母板；
[0031]20:抗蝕膜；
[0032]20A:孔洞；
[0033]100、100’:硬質(zhì)基板初坯；
[0034]102:硬質(zhì)基板；
[0035]100AU00A’:切割壁；
[0036]100B ’:上表面；
[0037]100C，:下表面；
[0038]102A:蝕刻壁；
[0039]200:觸控面板；
[0040]210:觸控元件；
[0041]220:裝飾圖案層；
[0042]B:裂隙；
[0043]dl、d2:深度；
[0044]O、T:裂隙末端；
[0045]R:導(dǎo)角；
[0046]S1:第一感測串列；
[0047]S2:第二感測串列；
[0048]S3:條狀電極；
[0049]S4:矩形電極；
[0050]TH:穿孔；
[0051]W1、W2:尺寸。
【具體實施方式】
[0052]要說明的是，本發(fā)明實施例中所謂的玻璃的離子強化表面層的深度是指鉀離子從玻璃表面擴(kuò)散進(jìn)入玻璃內(nèi)部的平均深度，而較佳的定義是指在玻璃全表面劃分出多個區(qū)域時，鉀離子在這些區(qū)域中的最大擴(kuò)散深度的平均值。離子強化表面層的深度一般可以通過儀器檢測鉀離子是否存在而得知。由于即使在同一處理過程下，離子擴(kuò)散深度仍會有深淺不一的情形存在，因此本文中將采取擴(kuò)散深度的平均值作為判定離子強化表面層的深度的標(biāo)準(zhǔn)。
[0053]也就是說，在一實施例中，離子強化表面層的深度可定義為在多個量測點上由玻璃表面朝內(nèi)部量測鉀離子(K+)的濃度以取得對應(yīng)的深度，并將這些點所量測得的深度求取平均值所獲得的值。通常，鉀離子分布情形為表層部位最高，然后漸次向玻璃內(nèi)部遞減至零或是背景值。因此，每一量測點量測的深度實質(zhì)上為玻璃表面到鉀離子分布遞減至零或是背景值的位置兩者的距離，其中背景值是指玻璃制造時所含有的原料部分。
[0054]例如，玻璃原本的成分中即含有鉀離子時，其原料中鉀離子的濃度即可定義為背景值。換句話說，由于離子強化表面層是交換離子(例如鉀離子)通過交換/擴(kuò)散等機制進(jìn)入玻璃的深度所界定而來的。交換離子的濃度分布會由玻璃基板表面往中心慢慢降低至零或是背景值，因此離子強化表面層是否存在可以通過儀器檢測交換離子的存在而得知。另夕卜，這里所謂的平均深度可以是離子強化表面層在多個量測點的深度的平均值。較佳地，平均深度是交換離子在玻璃內(nèi)每個量測區(qū)域中的最大擴(kuò)散深度的平均值所定義。
[0055]實際上，同一道離子強化處理過程可能形成深度些許不同的離子強化表面層，因此在此可以通過檢測幾個不同位置的離子強化表面層的深度，再取其平均值。例如，選取強化后的玻璃基板上5個不同位置點，用儀器檢測鉀離子的擴(kuò)散深度，再加以將量測的五個數(shù)值求取平均，并以此平均數(shù)值代表整個離子強化表面層的平均深度T或d。另外，前述鉀離子置換鈉離子的離子交換行為僅為例示性說明而不用以限定本發(fā)明，其它能產(chǎn)生提高強度的效果的離子交換行為，均能應(yīng)用于本發(fā)明的各個實施例。再者，上述的玻璃材質(zhì)并不特別地限定，其例如包括鈉鈣硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等材質(zhì)均可。
[0056]圖1至圖4為本發(fā)明一實施例的硬質(zhì)基板的處理方法的流程圖。請先參照圖1，提供一硬質(zhì)母板10。具體而言，硬質(zhì)母板10的材質(zhì)為玻璃,其例如有鈉玻璃(soda-limeglass)、硼玻璃(boro-silicate glass)、招娃酸玻璃(alumo-silicate glass)等。不過，本發(fā)明不特別地局限硬質(zhì)母板10的材質(zhì)，而凡是可以在面板裝置中作為承載用的玻璃板材都可以應(yīng)用以下所揭示的處理方法進(jìn)行處理。
[0057]接著，進(jìn)行一機械加工或材料移除處理以將圖1的硬質(zhì)母板10圖案化成至少一個具有所需外型的硬質(zhì)基板初坯100，如圖2所示。在一實施例中，硬質(zhì)母板10可以被切削成I個、2個、3個、4個，或是多于4個硬質(zhì)基板初坯100。也就是說，此處不特別地限定切削過程使硬質(zhì)母板10所切削出來的硬質(zhì)基板初坯100的數(shù)量。因此，圖2僅示出一個硬質(zhì)基板初坯100以便于說明。
[0058]另外，此處所記載的機械加工或材料移除處理可以包括切割步驟、磨邊步驟、鑿孔步驟、導(dǎo)角步驟、圖案化蝕刻步驟及拋光步驟等至少其中一種工序。因此，切割后的硬質(zhì)基板初坯100除了具備所設(shè)定的尺寸外還可以具有研磨過的導(dǎo)角R，這有利于硬質(zhì)基板初坯100應(yīng)用于產(chǎn)品時提升產(chǎn)品的美觀并且避免產(chǎn)品的尖角刮傷使用者。另外，切割后的硬質(zhì)基板初坯100還可以隨著設(shè)計需求而通過鑿孔形成穿孔TH，其可以作為實際電子產(chǎn)品中的耳音孔、麥克風(fēng)孔、或是裝飾孔等。
[0059]當(dāng)然，上述結(jié)構(gòu)僅是舉例說明之用，并非用以限定本發(fā)明。在其他的實施例中，硬質(zhì)基板初坯100可選擇性地具有尖銳的轉(zhuǎn)角。甚至，在另一實施例中，如圖12所示出的本發(fā)明另一實施例的經(jīng)機械加工或材料移除處理過的硬質(zhì)基板初坯的剖面示意圖，硬質(zhì)基板初坯100’可以具有圓弧狀的切割壁100A’。此時，硬質(zhì)基板初坯100’具有實質(zhì)上平坦的上表面100B,與下表面100CT且圓弧狀的切割壁100A’連接于上表面100B’與下表面100C’之間。當(dāng)然，這樣的設(shè)計僅是舉例說明之用，在其他的實施例中，上表面100B’也可以具有圓弧狀外型。
[0060]值得一提的是，在切割步驟、磨邊步驟、鑿孔步驟、導(dǎo)角步驟、圖案化蝕刻步驟及拋光步驟等機械加工或材料移除處理的過程中，硬質(zhì)基板初坯100的切割壁100A會數(shù)次地受到撞擊(刀具的撞擊、研磨粒子的撞擊、蝕刻劑的侵蝕或是拋光粒子的撞擊等)，所以切割壁IOOA實際上會具有多個大小不一且規(guī)則性不佳的裂隙。這些裂隙由受到?jīng)_擊的表面向內(nèi)部延伸而往往在后續(xù)的制作程序或是使用過程中構(gòu)成應(yīng)力的集中區(qū)域。特別是，這些裂隙的規(guī)則性越差則應(yīng)力越容易集中在特定的局部區(qū)域。所以，切削加工之后的硬質(zhì)基板初坯100雖然已經(jīng)具備所需外型卻無法具有理想的機械強度。
[0061 ] 因此，本實施例進(jìn)一步對硬質(zhì)基板進(jìn)行其他的處理程序。舉例而言，請參照圖3，本實施例的處理方法進(jìn)一步將一抗蝕膜20貼附于硬質(zhì)基板初坯100上，且讓抗蝕膜20暴露出切割壁100A甚至鄰近于切割壁100A的一部分。另外，由于穿孔TH也是經(jīng)由前述的機械加工或材料移除處理而制作的且定義出穿孔TH的壁面也是所謂的切割壁100A，所以，抗蝕膜20還設(shè)有暴露出穿孔TH的孔洞20A。接著，對抗蝕膜20暴露出來的切割壁100A以及定義出穿孔TH的壁面進(jìn)行一蝕刻處理。
[0062]在一實施例中，蝕刻處理可以是讓硬質(zhì)基板初坯100接觸一干蝕刻媒介或一濕蝕刻媒介，且其中干蝕刻媒介包括含氟氣體或等離子體，而濕蝕刻媒介包括至少含氫氟酸或含氟的溶劑。在此，硬質(zhì)基板初坯100的材質(zhì)為玻璃，所以所選用的蝕刻媒介可以是氫氟酸或是可以對玻璃侵蝕的材質(zhì)。
[0063]在蝕刻處理的進(jìn)行下，硬質(zhì)基板初坯100接觸于蝕刻媒介的局部表面會侵蝕，因而切割壁100A上的裂隙會發(fā)生改變。舉例而言，切割壁100A上分布及尺寸皆不均勻的裂隙可以經(jīng)蝕刻媒介的作用而轉(zhuǎn)變?yōu)榉植技俺叽缃暂^為均勻的狀態(tài)。因此，經(jīng)由蝕刻處理后，移除抗蝕膜20并且對整個硬質(zhì)基板初坯100進(jìn)行離子強化處理即可以獲得如圖4所示出的具有理想機械強度的硬質(zhì)基板102。此處的離子強化處理可以是已知的應(yīng)用于強化玻璃板的離子強化過程，其例如是將表面沒有貼附其他膜層的硬質(zhì)基板初坯100完整地接觸離子強化液。亦即，將表面沒有貼附其他膜層的硬質(zhì)基板初坯100整個浸沒于離子強化液中。
[0064]另外，請參照圖4，硬質(zhì)基板102具有蝕刻壁102A，并且圖4中雖未特別地示出，不過硬質(zhì)基板102整個全表面上實質(zhì)上完整地包覆著離子強化表面層。并且，離子強化表面層在蝕刻壁102A的平均深度實質(zhì)上相同于在蝕刻壁102A以外的表面的平均深度。在一實施例中，蝕刻壁102A可以包括多個裂隙(如圖7所示)，而離子強化表面層的平均深度實質(zhì)上大于裂隙的平均深度。在此，離子強化表面層的深度的定義與量測方式已記載于上文中，不另贅述。
[0065]值得一提的是，此處的蝕刻壁102A不同于圖3的切割壁100A之處包括有:切割壁100A的平均表面粗糙度由1.0um至3um，而蝕刻壁102A的的平均表面粗糙度由0.03um至0.8um。另外，圖5及圖6分別為切割壁100A與蝕刻壁102A在顯微鏡下放大50倍時的態(tài)樣圖。同時參照圖5與圖6可以清楚知道，切割壁100A的表面均勻性相對較差(裂隙分布較不均勻)而蝕刻壁102A的表面均勻性相對較好(裂隙分布較均勻)。此外，如圖6所示，蝕刻壁102A包括多個裂隙B，且這些裂隙B的孔徑大小由3微米至15微米。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，具有蝕刻壁102A的硬質(zhì)基板102相對于具有切割壁100A的硬質(zhì)基板初坯100而言，較不容易發(fā)生應(yīng)力集中的現(xiàn)象。
[0066]舉例而言，圖7為本發(fā)明實施例的硬質(zhì)基板的切割壁100A與蝕刻壁102A的剖面結(jié)構(gòu)圖。請參照圖7，在機械加工或材料移除處理的過程當(dāng)中，切割壁100A的表面會直接受到刀具、研磨粒子等物質(zhì)的撞擊，所以切割壁100A的剖面結(jié)構(gòu)會呈現(xiàn)出許多大小不一且尖銳的裂隙。然而，在經(jīng)過蝕刻液的作用之后，蝕刻壁102A的表面會相對于切割壁IOOA的表面內(nèi)縮，因此，除了裂隙深度d2降低(相較于裂隙深度dl)之外，原本尖銳的裂隙末端T還可以變得相對地圓滑(如裂隙末端O)并且原來裂隙的尺寸Wl也相對地增大(如裂隙尺寸W2)。
[0067]根據(jù)Griffith’ s理論，裂隙末端T、O的曲率半徑越大(越圓滑)則應(yīng)力集中效應(yīng)越小。因此，本實施例在切削過程后進(jìn)行一蝕刻處理使得均勻性相對較差的切割壁100A變成均勻性相對較好的蝕刻壁102A，這有助于降低硬質(zhì)基板102發(fā)生應(yīng)力集中而破損的幾率。另外，本實施例的處理方法在蝕刻壁102A形成后再進(jìn)行離子強化步驟，可以更進(jìn)一步提升硬質(zhì)基板102的機械強度。
[0068]整體而言，無論切削過程的處理條件是否受到嚴(yán)謹(jǐn)?shù)乜刂贫苊饬严兜漠a(chǎn)生，在切削過程后使用蝕刻液接觸切割壁100A都有助于讓原本在切割壁100A上的裂隙深度降低，以及使得裂隙變的更為平緩而形成均勻度較高的蝕刻壁102A。如此一來，經(jīng)過處理的硬質(zhì)基板102在機械強度上可以優(yōu)于硬質(zhì)基板初坯100。因此，上述的處理步驟中，除了離子強化過程外，蝕刻液的蝕刻作用也可以使得切削過的硬質(zhì)基板初坯100的強度進(jìn)一步地被強化，這有助于提升硬質(zhì)基板102的良率。舉例而言，在通過破壞性試驗以量測硬質(zhì)基板102的機械強度時，硬質(zhì)基板102的通過率可以較硬質(zhì)基板初坯100更為提升。
[0069]圖8為本發(fā)明一實施例的觸控面板圖。請參照圖8，本實施例可以直接將觸控元件210制作在經(jīng)由上述步驟處理之后的硬質(zhì)基板102上以構(gòu)成觸控面板200。另外，硬質(zhì)基板102上還可以設(shè)置有裝飾圖案層220，且裝飾圖案層220可以位于觸控元件210周邊。裝飾圖案層220可選擇性地如圖8所示般位于觸控元件210所在位置的一側(cè)。不過，在其他的實施例中，觸控元件210與裝飾圖案層220可以分別地位于硬質(zhì)基板102的相對兩側(cè)。裝飾圖案層220的材質(zhì)可以是油墨、類鉆碳或陶瓷材料等。
[0070]值得一提的是，上述圖1至圖4所記載的步驟中，硬質(zhì)基板102已經(jīng)被切割成設(shè)計所需的尺寸大小。因此，制作觸控面板200的方法可以是直接在硬質(zhì)基板102上制作觸控元件210。并且制作觸控元件210之后不需進(jìn)一步進(jìn)行分割，這有利于避免額外的分割步驟造成觸控面板200的強度下降。另外，為了量產(chǎn)所需或是為了減少設(shè)備成本，還可以選擇地將多個硬質(zhì)基板102貼附于輔助載板(未示出)上，并且利用輔助載板的承載，同時在多個硬質(zhì)基板102上制作對應(yīng)的觸控元件210。如此一來，僅需一次的制作程序就可以完成多個觸控面板200的制作。
[0071]由于硬質(zhì)基板102具備理想的機械強度，則觸控面板200可以不需額外的保護(hù)蓋保護(hù)即可以具備良好的品質(zhì)。因此，觸控面板200可以作為電子裝置中最外側(cè)的元件而不需以其他構(gòu)件保護(hù)。
[0072]此外，觸控元件210可以由單層感測電極層或是多層感測電極層所構(gòu)成，并且觸控元件210可由多種設(shè)計來實現(xiàn)。舉例而言，觸控元件210可以由圖9所示出的多個第一感測串列SI與多個第二感測串列S2所構(gòu)成?；蚴?，觸控元件210可以由圖10所示出的多個條狀電極S3所構(gòu)成，其中每個條狀電極S3的寬度由一端向另一端逐漸減少。當(dāng)然，觸控元件210也可以由多個圖11所示出的矩形電極S4所構(gòu)成。值得一提的是，上述各種觸控元件210的設(shè)計僅是舉例說明，并非限定本發(fā)明所記載的觸控元件210的實施方式。
[0073]綜上所述，本發(fā)明對切削加工后的硬質(zhì)基板的壁(亦即切割壁)以蝕刻液進(jìn)行局部的蝕刻。所以，硬質(zhì)基板具有蝕刻壁，其中蝕刻壁相對于切割壁具有更佳的均勻性。所以，經(jīng)離子強化過的蝕刻壁不容易發(fā)生應(yīng)力集中的現(xiàn)象而有助于提升硬質(zhì)基板的機械強度，例如抗彎曲(bending)強度。值得一提的是，因為前段機械加工或材料移除處理加工的品質(zhì)不一，這樣的前段加工所造成的裂隙深度將會不一致，這會影響離子強化之后所能夠達(dá)成的效果。不過，本發(fā)明實施例通過將前段加工之后的硬質(zhì)基板先進(jìn)行蝕刻后再全面施行化學(xué)強化，這可以更確保裂隙可以實質(zhì)上被離子強化表面層所涵蓋。此時，離子強化表面層可以衍生出一對應(yīng)的壓應(yīng)力分布層，而壓應(yīng)力層可約束玻璃表層的裂隙成長而提高玻璃受破壞的強度，因此可使得成品強度更穩(wěn)固。
[0074]如此一來，以這樣的硬質(zhì)基板制作觸控面板可以讓觸控面板具有理想的機械強度及良好的品質(zhì)。
[0075]最后應(yīng)說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種硬質(zhì)基板，其特征在于，包括一離子強化表面層，完整地包覆于該硬質(zhì)基板的全表面，且該硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，其中該離子強化表面層在該蝕刻壁的平均深度與其在該蝕刻壁以外的表面的平均深度實質(zhì)上相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)基板，其特征在于，該蝕刻壁的平均表面粗糙度由0.03um 至 0.8um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)基板，其特征在于，該蝕刻壁包括多個裂隙，且這些裂隙的孔徑大小由3微米至15微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)基板，其特征在于，該蝕刻壁包括多個裂隙，該離子強化表面層的平均深度實質(zhì)上大于這些裂隙的平均深度。
5.一種觸控面板，其特征在于，包括: 一硬質(zhì)基板，該硬質(zhì)基板包括一離子強化表面層，完整地包覆于全表面，且該硬質(zhì)基板具有一蝕刻壁，且該離子強化表面層在該蝕刻壁的平均深度與其在該蝕刻壁以外的表面的平均深度實質(zhì)上相同；以及 一觸控元件，配置于該硬質(zhì)基板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控面板，其特征在于，該蝕刻壁的平均表面粗糙度由0.03um 至 0.8um。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控面板，其特征在于，該蝕刻壁包括多個裂隙，且這些裂隙的孔徑大小由3微米至15微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控面板，其特征在于，該蝕刻壁包括多個裂隙，該離子強化表面層的平均深度實質(zhì)上大于這些裂隙的平均深度。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控面板，其特征在于，該觸控面板還包括一裝飾圖案層，配置于該硬質(zhì)基板上，且該裝飾圖案層實質(zhì)上位于該觸控元件周邊。
10.一種硬質(zhì)基板的處理方法，其特征在于，包括: 對一硬質(zhì)母板進(jìn)行一機械加工或材料移除處理以形成至少一硬質(zhì)基板初坯，使該硬質(zhì)基板初還具有一切割壁； 對該切割壁進(jìn)行一蝕刻處理而使該切割壁成為一蝕刻壁；以及 對該硬質(zhì)基板進(jìn)行一次性的離子強化處理使該硬質(zhì)基板初坯的全表面完整地包括一離子強化表面層以形成一硬質(zhì)基板，其中該離子強化表面層在該蝕刻壁的平均深度實質(zhì)上相同于在該蝕刻壁以外的表面的平均深度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬質(zhì)基板的處理方法，其特征在于，對該切割壁進(jìn)行該蝕刻處理的步驟包括貼附一抗蝕層于該硬質(zhì)基板初坯上并使該抗蝕層暴露出該切割壁；以及將暴露出來的該蝕刻壁接觸一蝕刻液。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬質(zhì)基板的處理方法，其特征在于，該硬質(zhì)基板初坯的材質(zhì)為玻璃而該蝕刻液為氫氟酸。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬質(zhì)基板的處理方法，其特征在于，進(jìn)行該離子強化處理之前還包括將該抗蝕層移除。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬質(zhì)基板的處理方法，其特征在于，該切割壁的平均表面粗糙度由1.0um至3um,而該蝕刻壁的的平均表面粗糙度由0.03um至0.8um。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬質(zhì)基板的處理方法，其特征在于，進(jìn)行該離子強化處理的步驟包括將該硬質(zhì)基板整體地接觸于一離子強化液。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬質(zhì)基板的處理方法，其特征在于，該機械加工或材料移除處理包括切割、磨邊、鑿孔、導(dǎo)角、圖案化蝕刻以及拋光工序的至少其中之一。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬質(zhì)基板的處理方法，其特征在于，該蝕刻處理過程是使用一干蝕刻媒介或一濕蝕刻媒介而進(jìn)行，且該干蝕刻媒介包括含氟氣體或等離子體，而該濕蝕刻媒介包括至少含氫氟酸`含氟的溶劑。
【文檔編號】G06F3/041GK103513799SQ201210199950
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月15日
【發(fā)明者】李佳鴻, 吳明坤, 郭恒嘉 申請人:聯(lián)勝（中國）科技有限公司, 勝華科技股份有限公司