薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，包括：微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K、耦合放大天線和兩層式復(fù)合膜，超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K設(shè)置在超高頻天線的一個(gè)表面，通過兩層式復(fù)合膜將超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K和耦合放大天線夾于中間，可實(shí)現(xiàn)薄型天線分離式超高頻電子標(biāo)簽的防水功能，同時(shí)，也符合標(biāo)簽彎折要求，本發(fā)明的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，特別適合在服裝商標(biāo)及吊牌用智能標(biāo)簽領(lǐng)域。
【專利說明】 薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及智能標(biāo)簽領(lǐng)域，尤其是一種薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽。
【背景技術(shù)】
[0002]智能標(biāo)簽的應(yīng)用，正逐步影響著人民的生活習(xí)慣和消費(fèi)方式。智能標(biāo)簽是實(shí)現(xiàn)射頻識(shí)別即RFID (Radio Frequency IDentification)技術(shù)的終端數(shù)據(jù)載體,可通過無線電訊號(hào)識(shí)別特定目標(biāo)并讀寫相關(guān)數(shù)據(jù)，而無需識(shí)別系統(tǒng)與特定目標(biāo)之間建立機(jī)械或光學(xué)接觸。常用的通信頻率有低頻(125k?134.2K)、高頻(13.56Mhz)、超高頻(433MHz、900MHz和
2.4GHz)等，采用無源和有源不同的方式實(shí)現(xiàn)不同的通信距離。RFID讀寫器也分移動(dòng)式的和固定式的，目前RFID技術(shù)應(yīng)用很廣，如:圖書館，門禁系統(tǒng)，食品安全溯源等。
[0003]智能標(biāo)簽具有非接觸通信功能，通過閱讀器可以方便地傳遞數(shù)據(jù)信息，因此被大量應(yīng)用于服裝吊牌標(biāo)簽和服裝洗衣標(biāo)簽中，進(jìn)行服裝的生產(chǎn)、洗滌、運(yùn)輸、倉儲(chǔ)等工序的智能化管理，以提高工作效率和降低出錯(cuò)的風(fēng)險(xiǎn)。
[0004]現(xiàn)行的服裝智能標(biāo)簽有高頻和超高頻兩種形式，根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同選用不同頻率的產(chǎn)品。超高頻智能標(biāo)簽的天線采用漆包線繞線形式生產(chǎn)，并和芯片通過微電弧焊接進(jìn)行連接，并采用硅膠型外殼包封，獲得既防水又可彎折的超高頻智能標(biāo)簽。這種智能標(biāo)簽的生產(chǎn)效率非常低，產(chǎn)品的厚度比較厚，產(chǎn)品成本較高，產(chǎn)品的可靠性也較差，因此在行業(yè)內(nèi)的大量推廣時(shí)受到了限制。
[0005]還有一種是常規(guī)的紙質(zhì)吊牌智能標(biāo)簽，或者單層復(fù)合的PET智能標(biāo)簽，由于標(biāo)簽無法對(duì)外界的水分影響產(chǎn)生足夠的承受力，特別是在高溫熨燙、蒸汽處理，洗滌等工序時(shí)，容易造成智能標(biāo)簽的失效，而影響生產(chǎn)。
[0006]常規(guī)智能標(biāo)簽的芯片和天線之間必然存在物理連接，這種連接物在使用中容易出現(xiàn)異?；蛘邠p壞，使智能標(biāo)簽不能適應(yīng)嚴(yán)苛的使用環(huán)境，降低產(chǎn)品壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的方法是根據(jù)目前的應(yīng)用需求，解決超高頻智能標(biāo)簽防水、薄型、耐高溫等要求，讓用戶方便地使用，并提高產(chǎn)品的可靠性，同時(shí)以低廉的生產(chǎn)成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的超高頻智能標(biāo)簽，使產(chǎn)品更美觀、使用方面、效果更好，更符合實(shí)用性的需求。
[0008]一種薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，所述的智能標(biāo)簽包括:微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K、耦合放大天線和兩層式復(fù)合膜，其特征在于，超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K設(shè)置在超高頻天線的一個(gè)表面，通過兩層式復(fù)合膜將超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K和耦合放大天線夾于中間。
[0009]進(jìn)一步的,所述的微型超聞?lì)l智能標(biāo)簽|旲塊包含了超聞?lì)l智能標(biāo)簽芯片、超聞?lì)l天線和封裝體的組件，具有獨(dú)立的超高頻智能標(biāo)簽的功能，超高頻智能標(biāo)簽芯片設(shè)置在超高頻天線所在的環(huán)氧樹脂型基板的一個(gè)表面，芯片的兩個(gè)功能焊盤和超高頻天線的兩個(gè)端點(diǎn)通過引線焊接工藝或者倒封裝工藝進(jìn)行連接，再通過模塑封裝工藝將芯片、引線有效包封起來，獲得微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K；微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K符合860-960MHZ頻段的頻率工作；微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的厚度為200um-2000um。
[0010]再進(jìn)一步，所述的耦合放大天線為設(shè)置在薄膜型絕緣材料上的偶極子射頻天線，符合860-960 MHz頻段的頻率工作；耦合放大天線的厚度為25_150um，材料柔性可彎折；耦合放大天線上的天線部分由采用蝕刻工藝獲得的設(shè)置在薄膜型絕緣材料一個(gè)表面上的導(dǎo)電圖形組成，導(dǎo)電圖形包含了一個(gè)設(shè)置在圖形中部的耦合單元圖形和兩個(gè)對(duì)稱設(shè)置在兩邊的輻射單元圖形，耦合單元圖形和輻射單元圖形導(dǎo)通連接。
[0011]再進(jìn)一步，所述的兩層式復(fù)合膜為薄型聚酰亞胺材料，其厚度為25-200um。
[0012]再進(jìn)一步，所述的兩層式復(fù)合膜為薄型聚對(duì)苯二甲酸類材料，其厚度為25_200um。
[0013]再進(jìn)一步，所述的兩層式復(fù)合膜為薄型聚氯乙烯材料，其厚度為25-200um。
[0014]再進(jìn)一步，所述的兩層式復(fù)合膜為薄型丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物材料，其厚度為25-200um。
[0015]再進(jìn)一步，所述的標(biāo)簽設(shè)置了吊牌孔和文字圖案區(qū)域。
[0016]根據(jù)上述方法形成的本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
采用本發(fā)明的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽?zāi)軌驅(qū)崿F(xiàn)智能標(biāo)簽的功能，不需要更換閱讀設(shè)備，可以有效地適應(yīng)各種應(yīng)用環(huán)境，標(biāo)簽?zāi)軌蛟诟鞣N惡劣的環(huán)境下使用，如高溫、高壓、高濕等環(huán)境，標(biāo)簽表面和進(jìn)行打印和印刷各種圖案和文字，甚至是條形碼，可以實(shí)現(xiàn)雙重?cái)?shù)據(jù)采集的功能，使產(chǎn)品應(yīng)用更靈活，更可靠。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖2為薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽耦合放大天線的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖3為薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽的成品外觀示意圖。
[0020]圖4為整體復(fù)合型薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0021]圖5為邊緣復(fù)合型薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0022]圖6為微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0024]實(shí)施例一
耐高溫防水型的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，由微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K、耦合放大天線和兩層式復(fù)合膜構(gòu)成。如圖2所示，耦合放大天線的天線圖形設(shè)置在薄膜型絕緣材料I的一個(gè)表面，天線為采用電鍍工藝獲得的設(shè)置在薄膜型絕緣材料上的銅導(dǎo)電圖形，形成具有優(yōu)良導(dǎo)電性能的天線，耦合放大天線為偶極子超高頻射頻天線，符合860-960 MHz頻段的頻率工作；耦合放大天線的厚度為25-150um，材料柔性可彎折；耦合放大天線上的導(dǎo)電圖形包含了一個(gè)設(shè)置在圖形中部的耦合單元圖形2和兩個(gè)對(duì)稱設(shè)置在兩邊的輻射單元圖形3，兩個(gè)耦合單元圖形分別和輻射單元圖形導(dǎo)通連接。
[0025]如圖1所示，微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K4設(shè)置在耦合放大天線中部的耦合單元圖形的中間的表面，通過設(shè)置在微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K底部的黏結(jié)劑貼附在耦合放大天線的表面，沒有電性連接。將安裝了微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的耦合放大天線1，置于其中一片復(fù)合膜2的中間位置，復(fù)合膜的材料選用50um厚度的聚酰亞胺，再在微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K上面覆蓋一片尺寸和前復(fù)合膜相當(dāng)?shù)木埘啺窂?fù)合膜，通過兩層式復(fù)合膜將安裝了微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的耦合放大天線夾于中間，如圖5所示，下復(fù)合膜22位于最底部，耦合放大天線I緊貼下復(fù)合膜，微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K4安裝在耦合放大天線的上表面，上復(fù)合膜21設(shè)置在最上部。通過熱壓工藝，將上復(fù)合膜和下復(fù)合膜的邊緣23壓實(shí)并融合在一起，上下復(fù)合膜除了微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K芯片區(qū)域外，緊密地壓合在一起。
[0026]如圖6所不，微型超聞?lì)l智能標(biāo)簽I旲塊由表面設(shè)置了超聞?lì)l天線的基板41、超聞?lì)l智能標(biāo)簽芯片42和封裝體43組成的長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)的模塊，該模塊的厚度在20-100um之間，堅(jiān)固耐用，對(duì)外界的惡劣環(huán)境具有很好的抵抗作用，并且可以實(shí)現(xiàn)智能標(biāo)簽的左右功能，只是通信距離較近。
[0027]如圖3所示，完成的超高頻智能標(biāo)簽2的表面避開微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K區(qū)域4進(jìn)行熱壓，并且在避開天線和微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的區(qū)域設(shè)計(jì)一個(gè)吊牌孔7，以方便將標(biāo)簽通過吊繩掛起來。在標(biāo)簽的空閑位置可以打印或印刷條形碼8和文字9，或者其它圖案等，以適用不同用戶的需求。
[0028]聚酰亞胺復(fù)合膜能承受長(zhǎng)期150攝氏度的溫度，甚至能夠承受I分鐘以內(nèi)短時(shí)間的200攝氏度以上的溫度，而且分離式耦合放大天線的結(jié)構(gòu)，能夠承受各種惡劣的環(huán)境，在某些極端應(yīng)用環(huán)境中具有優(yōu)良的性能表現(xiàn)。
[0029]實(shí)施例二
常溫防水型的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，由微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K、耦合放大天線和兩層式復(fù)合膜構(gòu)成。如圖2所示，耦合放大天線的天線圖形設(shè)置在薄膜型絕緣材料I的一個(gè)表面，天線為采用鋁蝕刻工藝獲得的設(shè)置在薄膜型絕緣材料上的鋁導(dǎo)電圖形，形成具有優(yōu)良導(dǎo)電性能的天線，耦合放大天線為偶極子超高頻射頻天線，符合860-960 MHz頻段的頻率工作；耦合放大天線的厚度為25-150um，材料柔性可彎折；耦合放大天線上的導(dǎo)電圖形包含了一個(gè)設(shè)置在圖形中部的耦合單元圖形2和兩個(gè)對(duì)稱設(shè)置在兩邊的輻射單元圖形3，兩個(gè)耦合單元圖形分別和輻射單元圖形導(dǎo)通連接。
[0030]如圖1所示，微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K4設(shè)置在耦合放大天線中部的耦合單元圖形的中間的表面，通過設(shè)置在微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K底部的黏結(jié)劑貼附在耦合放大天線的表面，沒有電性連接。將安裝了微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的耦合放大天線1，置于其中一片復(fù)合膜2的中間位置，復(fù)合膜的材料選用50um厚度的聚對(duì)苯二甲酸類材料，再在微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K上面覆蓋一片尺寸和前復(fù)合膜相當(dāng)?shù)木蹖?duì)苯二甲酸類材料復(fù)合膜，通過兩層式復(fù)合膜將安裝了微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的耦合放大天線夾于中間，如圖4所示，下復(fù)合膜22位于最底部，耦合放大天線I緊貼下復(fù)合膜，微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K4安裝在耦合放大天線的上表面，上復(fù)合膜21設(shè)置在最上部。通過熱壓工藝，將上復(fù)合膜和下復(fù)合膜除了微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K區(qū)域4外，緊密地壓合在一起。
[0031]如圖6所不，微型超聞?lì)l智能標(biāo)簽I旲塊由表面設(shè)置了超聞?lì)l天線的基板41、超聞?lì)l智能標(biāo)簽芯片42和封裝體43組成的長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)的模塊，該模塊的厚度在20-100um之間，堅(jiān)固耐用，對(duì)外界的惡劣環(huán)境具有很好的抵抗作用，并且可以實(shí)現(xiàn)智能標(biāo)簽的左右功能，只是通信距離較近。
[0032]如圖3所示，完成的超高頻智能標(biāo)簽2的表面避開微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K區(qū)域4進(jìn)行熱壓，并且在避開天線和微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的區(qū)域設(shè)計(jì)一個(gè)吊牌孔7，以方便將標(biāo)簽通過吊繩掛起來。在標(biāo)簽的空閑位置可以打印或印刷條形碼8和文字9，或者其它圖案等，以適用不同用戶的需求。
[0033]聚對(duì)苯二甲酸復(fù)合膜能承受長(zhǎng)期120攝氏度的溫度，甚至能夠承受I分鐘以內(nèi)短時(shí)間的150攝氏度的溫度，在某些應(yīng)用環(huán)境中可以替代高溫的智能標(biāo)簽應(yīng)用，且產(chǎn)品成本較低。
[0034]以上描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述說明書的限制，上述說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，所述的智能標(biāo)簽包括:微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K、耦合放大天線和兩層式復(fù)合膜，其特征在于，超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K設(shè)置在超高頻天線的一個(gè)表面，通過兩層式復(fù)合膜將超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K和耦合放大天線夾于中間。
2.權(quán)利要求1所述的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，其特征在于，所述的微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K包含了超高頻智能標(biāo)簽芯片、超高頻天線和封裝體的組件，具有獨(dú)立的超高頻智能標(biāo)簽的功能，超高頻智能標(biāo)簽芯片設(shè)置在超高頻天線所在的環(huán)氧樹脂型基板的一個(gè)表面，芯片的兩個(gè)功能焊盤和超高頻天線的兩個(gè)端點(diǎn)通過引線焊接工藝或者倒封裝工藝進(jìn)行連接，再通過模塑封裝工藝將芯片、引線有效包封起來，獲得微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K；微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K符合860-960MHZ頻段的頻率工作；微型超高頻智能標(biāo)簽?zāi)K的厚度為 200um-2000um。
3.權(quán)利要求1所述的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，其特征在于，所述的耦合放大天線為設(shè)置在薄膜型絕緣材料上的偶極子射頻天線，符合860-960 MHz頻段的頻率工作；耦合放大天線的厚度為25-150um，材料柔性可彎折；耦合放大天線上的天線部分由采用蝕刻工藝獲得的設(shè)置在薄膜型絕緣材料一個(gè)表面上的導(dǎo)電圖形組成，導(dǎo)電圖形包含了一個(gè)設(shè)置在圖形中部的耦合單元圖形和兩個(gè)對(duì)稱設(shè)置在兩邊的輻射單元圖形，耦合單元圖形和輻射單元圖形導(dǎo)通連接。
4.權(quán)利要求1所述的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，其特征在于，所述的兩層式復(fù)合膜為薄型聚酰亞胺材料，其厚度為25-200um。
5.權(quán)利要求1所述的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，其特征在于，所述的兩層式復(fù)合膜為薄型聚對(duì)苯二甲酸類材料，其厚度為25-200um。
6.權(quán)利要求1所述的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，其特征在于，所述的兩層式復(fù)合膜為薄型聚氯乙烯材料，其厚度為25-200um。
7.權(quán)利要求1所述的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，其特征在于，所述的兩層式復(fù)合膜為薄型丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物材料，其厚度為25-200um。
8.權(quán)利要求1所述的薄型天線分離式超高頻智能標(biāo)簽，其特征在于，所述的標(biāo)簽設(shè)置了吊牌孔和文字圖案區(qū)域。
【文檔編號(hào)】G06K19/077GK103514474SQ201210207621
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2012年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月24日
【發(fā)明者】陸紅梅 申請(qǐng)人:上海禎顯電子科技有限公司