專利名稱：雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及智能卡領(lǐng)域，尤其涉及一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法和裝置。
背景技術(shù)：
在雙界面智能卡芯片中，接觸式接口工作時(shí)要求SRAM高速運(yùn)行，數(shù)據(jù)讀寫速度快，這樣的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)不管是平均電流和峰值電流都非常大；而在非接觸式接口單獨(dú)工作時(shí)，由于整個(gè)芯片的能量都是通過天線耦合過來的，獲得的能量有限，要求SRAM運(yùn)行時(shí)不管是平均電流和峰值電流都不能大，滿足低功耗要求，而對(duì)速度的要求偏中。高速 度和低功耗兩者之間是一對(duì)矛盾，這樣雙界面卡芯片中SRAM高速和低電流不能同時(shí)滿足，已有的技術(shù)方案就是在兩者之間取折中，讓接觸式接口工作時(shí)SRAM運(yùn)行速度別太快，而非接觸式接口工作時(shí)SRAM的電流不能降低到很低的水平。現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)是若要降低SRAM的平均電流和峰值電流，就要降低SRAM的工作速度；若要提高SRAM的工作速度，則其平均電流和峰值電流也會(huì)相應(yīng)地增大，增加了 SRAM上的功耗。兩者相互制約，使得SRAM的工作速度不能夠達(dá)到高速，其平均電流和峰值電流也不能夠降低到比較低的水平，從而制約著雙界面智能卡芯片的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法和裝置，解決了雙界面智能卡芯片性能受SRAM工作狀態(tài)限制的問題。一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法，包括接收指示信號(hào)，所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式。優(yōu)選的，上述雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法還包括設(shè)置所述SRAM的工作模式和啟動(dòng)條件。優(yōu)選的，所述設(shè)置所述SRAM的工作模式和啟動(dòng)條件包括設(shè)置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帶有指示啟動(dòng)所述第一工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)；設(shè)置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帶有指示啟動(dòng)所述第二工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)。優(yōu)選的，所述設(shè)置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式具體為將所述SRAM設(shè)置為高讀寫速度模式，具體為50MHz及以上的讀寫速度模式，在該模式下的平均電流在3mA-4mA內(nèi)。優(yōu)選，所述設(shè)置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式具體為將所述SRAM設(shè)置為中低讀寫速度模式，具體為25MHz的讀寫速度模式，在該模式下的平均電流為0. 8mA。
本發(fā)明還提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置，包括信號(hào)接收模塊，用于接收指示信號(hào)，所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；工作模式啟動(dòng)模塊，用于所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式。優(yōu)選的，上述雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置還包括設(shè)置模塊，用于設(shè)置所述SRAM的工作模式和啟動(dòng)條件。優(yōu)選的，所述設(shè)置模塊包括第一設(shè)置單元，用于設(shè)置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帶有指示啟動(dòng)所述第一工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)； 第二設(shè)置單元，用于設(shè)置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帶有指示啟動(dòng)所述第二工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)。優(yōu)選的，所述第一設(shè)置單元具體用于將所述SRAM設(shè)置為高讀寫速度模式。優(yōu)選的，所述第二設(shè)置單元具體用于將所述SRAM設(shè)置為中低讀寫速度模式。本發(fā)明提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法和裝置，接收指示信號(hào)，所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式，所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式，為雙界面智能卡的SRAM設(shè)置了多種適應(yīng)不同接口的工作模式，實(shí)現(xiàn)了對(duì)SRAM工作模式的切換控制，解決了雙界面智能卡芯片受SRAM工作狀態(tài)限制的問題。


圖I為本發(fā)明的實(shí)施例一提供的一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法的流程圖；圖2為本發(fā)明的實(shí)施例二提供的一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的實(shí)施例二提供的又一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3中設(shè)置模塊203的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)是若要降低SRAM的平均電流和峰值電流，就要降低SRAM的工作速度；若要提高SRAM的工作速度，則其平均電流和峰值電流也會(huì)相應(yīng)地增大，增加了 SRAM上的功耗。兩者相互制約，使得SRAM的工作速度不能夠達(dá)到高速，其峰值電流也不能夠降低到比較低的水平，從而制約著雙界面智能卡芯片的性能。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法。下文中將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。首先結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法，使用該方法完成對(duì)SRAM控制的流程如圖I所示，包括步驟101、設(shè)置SRAM的工作模式和啟動(dòng)條件；在本發(fā)明實(shí)施例中，針對(duì)雙界面智能卡芯片在有接觸式接口工作和非接觸式接口各自工作的特點(diǎn)的不同，提出了對(duì)SRAM的工作方式進(jìn)行劃分并用一組指示信號(hào)控制的方法。在SRAM的端口添加標(biāo)記信號(hào)作為指示信號(hào)，可以指示多種工作狀態(tài)。本發(fā)明實(shí)施例中，以兩種工作模式為例進(jìn)行說明。本步驟中，設(shè)置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帶有指示啟動(dòng)所述第一工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)，具體的，將所述SRAM設(shè)置為高讀寫速度模式。當(dāng)指示信號(hào)指示第一工作模式時(shí)，代表雙界面智能卡芯片在有接觸式接口工作的情況下，需要SRAM工作于與有接觸式接口相匹配的工作模式。接觸式接口可以從外部讀卡器通過接觸的方式獲得能量，這種方式獲得的能量可以適當(dāng)?shù)拇笠恍麄€(gè)芯片可以工作
在速度較高的狀態(tài)，包括SRAM也需要工作在高速數(shù)據(jù)讀寫方式。例如平均電流在3mA 4mA的范圍，峰值電流高達(dá)160mA(2Kx8bit的SRAM)。通過指示信號(hào)的控制，可以讓SRAM的數(shù)據(jù)讀寫速度達(dá)到50MHz以上，而功耗相對(duì)適中就可以。需要說明的是，以上只是SRAM工作在高速數(shù)據(jù)讀寫方式的一種參數(shù)設(shè)定，并不是實(shí)現(xiàn)SRAM高速數(shù)據(jù)讀寫方式的唯一條件，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。同時(shí)，設(shè)置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帶有指示啟動(dòng)所述第二工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)，具體的，將所述SRAM設(shè)置為中低讀寫速度模式。當(dāng)指示信號(hào)指示第二工作模式時(shí)，代表雙界面智能卡芯片只有非接觸式接口單獨(dú)工作。由于雙界面智能卡芯片在非接觸式接口單獨(dú)工作時(shí)能量是通過天線耦合過來的，獲得的能量不可能大，芯片上的各個(gè)模塊都必須工作在低功耗的方式，SRAM也一樣必須工作在低速數(shù)據(jù)讀寫的方式。例如，將平均電流控制在0. 8mA左右，峰值電流為4mA左右(2Kx8bit的SRAM)。通過指示信號(hào)的控制，讓SRAM的數(shù)據(jù)讀寫速度控制在中等速度水平，達(dá)到25MHz，而功耗得到很大的降低。需要說明的是，以上只是SRAM工作在低速數(shù)據(jù)讀寫方式的一種參數(shù)設(shè)定，并不是實(shí)現(xiàn)SRAM低速數(shù)據(jù)讀寫方式的唯一條件，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。步驟102、接收指示信號(hào),所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；本步驟中，SRAM接收指示信號(hào)，并提取該指示信號(hào)中的內(nèi)容，以判定應(yīng)工作在何種狀態(tài)之下。步驟103、所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式；本步驟中，SRAM根據(jù)指示信號(hào)的指示，啟動(dòng)相應(yīng)的工作模式，以與接口相匹配。需要說明的是，SRAM可能有多種工作方式高速方式和低電流方式是其中的一種劃分方法，本發(fā)明實(shí)施例僅以此為例進(jìn)行說明，對(duì)其他工作模式的定義方式不作限制。下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例二進(jìn)行說明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括信號(hào)接收模塊201，用于接收指示信號(hào)，所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；工作模式啟動(dòng)模塊202，用于所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式。優(yōu)選的，上述雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置如圖3所示，還包括設(shè)置模塊203，用于設(shè)置所述SRAM的工作模式和啟動(dòng)條件。優(yōu)選的，所述設(shè)置模塊203的結(jié)構(gòu)如圖4所示，包括第一設(shè)置單元2031，用于設(shè)置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帶有指示啟動(dòng)所述第一工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)；第二設(shè)置單元2032，用于設(shè)置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式，所述第二 工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帶有指示啟動(dòng)所述第二工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)。優(yōu)選的，所述第一設(shè)置單元2031具體用于將所述SRAM設(shè)置為高讀寫速度模式。優(yōu)選的，所述第二設(shè)置單元2032具體用于將所述SRAM設(shè)置為中低讀寫速度模式。本發(fā)明的實(shí)施例提供的雙界面智能卡芯片狀態(tài)管理裝置，能夠與本發(fā)明的實(shí)施例所提供的一種雙界面智能卡芯片狀態(tài)管理方法相結(jié)合，接收指示信號(hào)，所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式，所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式，為雙界面智能卡的SRAM設(shè)置了多種適應(yīng)不同接口的工作模式，實(shí)現(xiàn)了對(duì)SRAM工作模式的切換控制，解決了雙界面智能卡芯片在有接觸式接口工作時(shí)對(duì)SRAM高速數(shù)據(jù)讀寫的要求和在非接觸接口單獨(dú)工作時(shí)對(duì)SRAM讀寫數(shù)據(jù)低電流的要求的矛盾造成的雙界面智能卡芯片性能受限的問題。這樣，雙界面智能卡芯片由于對(duì)其兩個(gè)接口工作時(shí)的特點(diǎn)不同，對(duì)SRAM工作方式進(jìn)行劃分并用一個(gè)指示信號(hào)控制的方法后，就不必在高速和低電流之間進(jìn)行折中，完全可以讓雙界面智能卡芯片在有接觸式接口工作時(shí)SRAM進(jìn)行高速數(shù)據(jù)讀寫，在非接觸式接口單獨(dú)工作時(shí)SRAM做到低功耗低電流，根據(jù)情況選擇SRAM的工作方式，既滿足接觸式工作時(shí)的高速要求，又滿足非接觸式單獨(dú)工作時(shí)的低電流要求，無需在高速與低電流之間進(jìn)行折中，從而能夠很好的保證雙界面智能卡芯片的性能。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以使用計(jì)算機(jī)程序流程來實(shí)現(xiàn)，所述計(jì)算機(jī)程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，所述計(jì)算機(jī)程序在相應(yīng)的硬件平臺(tái)上(如系統(tǒng)、設(shè)備、裝置、器件等)執(zhí)行，在執(zhí)行時(shí)，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合?？蛇x地，上述實(shí)施例的全部或部分步驟也可以使用集成電路來實(shí)現(xiàn)，這些步驟可以被分別制作成一個(gè)個(gè)集成電路模塊，或者將它們中的多個(gè)模塊或步驟制作成單個(gè)集成電路模塊來實(shí)現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。上述實(shí)施例中的各裝置/功能模塊/功能單元可以采用通用的計(jì)算裝置來實(shí)現(xiàn)，它們可以集中在單個(gè)的計(jì)算裝置上，也可以分布在多個(gè)計(jì)算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上。上述實(shí)施例中的各裝置/功能模塊/功能單元以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。上述提到的計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求所述的保護(hù)范圍為準(zhǔn) 。
權(quán)利要求
1.ー種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法，其特征在于，包括 接收指示信號(hào)，所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的工作模式； 所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法，其特征在于，該方法還包括 設(shè)置所述SRAM的工作模式和啟動(dòng)條件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法，其特征在干，所述設(shè)置所述SRAM的工作模式和啟動(dòng)條件包括 設(shè)置與有接觸式接ロ相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帯有指示啟動(dòng)所述第一工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)； 設(shè)置與非接觸式接ロ相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帯有指示啟動(dòng)所述第二工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法，其特征在干，所述設(shè)置與有接觸式接ロ相匹配的第一工作模式具體為 將所述SRAM設(shè)置為高讀寫速度模式，具體為50MHz及以上的讀寫速度模式，在該模式下的平均電流在3mA-4mA內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法，其特征在干，所述設(shè)置與非接觸式接ロ相匹配的第二工作模式具體為 將所述SRAM設(shè)置為中低讀寫速度模式，具體為25MHz的讀寫速度模式，在該模式下的平均電流為0. 8mA。
6.ー種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置，其特征在于，包括 信號(hào)接收模塊，用于接收指示信號(hào)，所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式； 工作模式啟動(dòng)模塊，用于所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置，其特征在干，該裝置還包括 設(shè)置模塊，用于設(shè)置所述SRAM的工作模式和啟動(dòng)條件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理裝置，其特征在于，所述設(shè)置模塊包括 第一設(shè)置單元，用于設(shè)置與有接觸式接ロ相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帯有指示啟動(dòng)所述第一工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)； 第二設(shè)置單元，用于設(shè)置與非接觸式接ロ相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動(dòng)條件為所述指示信號(hào)內(nèi)攜帯有指示啟動(dòng)所述第二工作模式的標(biāo)識(shí)信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙界面智能卡芯片狀態(tài)管理裝置，其特征在干，所述第一設(shè)置単元具體用于將所述SRAM設(shè)置為高讀寫速度模式。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙界面智能卡芯片狀態(tài)管理裝置，其特征在于，所述第二設(shè)置単元具體用于將所述SRAM設(shè)置為中低讀寫速度模式。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態(tài)管理方法和裝置。涉及智能卡領(lǐng)域；解決了雙界面智能卡芯片性能受SRAM工作狀態(tài)限制的問題。該方法包括接收指示信號(hào)，所述指示信號(hào)指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；所述雙界面智能卡芯片啟動(dòng)所述指示信號(hào)指示的工作模式。本發(fā)明提供的技術(shù)方案適用于有接觸式接口和非接觸式接口的雙界面智能卡，實(shí)現(xiàn)了對(duì)SRAM工作模式的切換控制。
文檔編號(hào)G06F3/06GK102799393SQ20121021693
公開日2012年11月28日 申請日期2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月27日
發(fā)明者張祥杉, 李紫金 申請人:大唐微電子技術(shù)有限公司