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射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊的制作方法

文檔序號(hào):6486651閱讀:108來(lái)源:國(guó)知局
射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊,包括第一N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管、第二N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻及第一電容,第一電阻的兩端分別與第一N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和第二電阻連接,第二電阻與第二N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接。第三電阻和第四電阻串聯(lián)后與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻的一端與第一電阻和第二電阻之間的線路連接。第一N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管兩者的柵極均與第三電阻和第四電阻之間的線路連接。本發(fā)明通過(guò)調(diào)整第一N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)天線的電壓限幅,不會(huì)對(duì)功率產(chǎn)生影響。
【專利說(shuō)明】射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻【技術(shù)領(lǐng)域】,具體是射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻識(shí)別是當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的非接觸式自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別技術(shù)之一,其具有非接觸、讀寫(xiě)靈活、速度快、安全性高等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。射頻識(shí)別系統(tǒng)主要包括閱讀器和電子標(biāo)簽,電子標(biāo)簽接收閱讀器的能量會(huì)受作用距離、與閱讀器天線之間的角度影響,電子標(biāo)簽感應(yīng)到的電壓可能會(huì)比較大,所以必須有單獨(dú)的模塊電路實(shí)現(xiàn)限幅,將電壓限制在一定范圍之內(nèi),以防止接收MOS管柵極被擊穿。限幅的最簡(jiǎn)單直接的措施是降低耦合系數(shù),現(xiàn)今人們常常通過(guò)調(diào)整閱讀器和電子標(biāo)簽的作用距離或者調(diào)整電子標(biāo)簽的輸入電容來(lái)降低耦合系數(shù),其中,采用調(diào)整閱讀器和電子標(biāo)簽的作用距離對(duì)于操作人員來(lái)說(shuō)是很難把握的,該方法不切合實(shí)際;改電子標(biāo)簽的輸入電容,即是改變諧振頻率,降低耦合系數(shù),電子標(biāo)簽中傳送的功率也會(huì)降低,在大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中電容的實(shí)現(xiàn)會(huì)占用較大的芯片面積,而且電容的參數(shù)浮動(dòng)相對(duì)較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種便于操作控制,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,且在對(duì)電子標(biāo)簽中天線電壓限幅時(shí)不會(huì)影響傳送功率的射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊。
[0004]本發(fā)明的目的主要通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊,包括第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管、第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻及第一電容,所述第一電阻的兩端分別與第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和第二電阻連接,第二電阻相對(duì)連接第一電阻端的另一端與第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接,第一N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管源極和第二N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管源極均接地,所述第三電阻和第四電阻串聯(lián)后與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻的一端與第一電阻和第二電阻之間的線路連接,其另一端接地,所述第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管兩者的柵極均與第三電阻和第四電阻之間的線路連接。
[0005]所述第一電阻和第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管漏極之間的線路上連接有第一天線信號(hào)輸入端,第二電阻和第二N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管漏極之間的線路上連接有第二天線信號(hào)輸入端。本發(fā)明通過(guò)設(shè)置第一天線信號(hào)輸入端和第二天線信號(hào)輸入端,便于與外接天線。
[0006]所述第一電阻、第二電阻及第三電阻均為可調(diào)電阻。本發(fā)明可通過(guò)對(duì)第一電阻、第二電阻及第三阻的阻值進(jìn)行調(diào)控來(lái)改變本發(fā)明的限幅電壓,從而使本發(fā)明改變限幅電壓時(shí)操作方便。
[0007]本發(fā)明在應(yīng)用時(shí),第一電阻、第二電阻及第一電容用于采樣射頻信號(hào),第三電阻和第四電阻上形成參考控制電壓,第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管為泄流管,第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)在天線兩端進(jìn)行限幅分流。當(dāng)采樣的信號(hào)高于參考電平時(shí),流經(jīng)第四電阻的電流增加,因此控制第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管兩者柵極的電位提高,增加第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通能力,流經(jīng)第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的電流增加,降低標(biāo)簽天線的有效負(fù)載,從而限制天線信號(hào)的電壓幅度。本發(fā)明中第三電阻、第四電阻及第一電容構(gòu)成的串并聯(lián)線路為濾波回路,該濾波回路反饋調(diào)整第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通程度,從而保證本發(fā)明應(yīng)用時(shí)電壓的穩(wěn)定。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明包括第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管、第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻及第一電容,本發(fā)明使用電子元件的數(shù)量少,整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,集成在模塊上時(shí)體積小,便于實(shí)現(xiàn)、成本低,且本發(fā)明在應(yīng)用時(shí)通過(guò)提高第一N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和第二增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓,不會(huì)對(duì)功率產(chǎn)生影響,在輸入電壓高于一定電壓值時(shí)使并聯(lián)分流電路導(dǎo)通,使電路的電流變大,從而使電壓穩(wěn)壓在一定的范圍內(nèi)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]附圖中附圖標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的名稱為:N1—第一N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,N2—第二N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,Cl一第一電容,Rl—第一電阻,R2—第二電阻,R3—第三電阻,R4—第四電阻,Antl—第一天線信號(hào)輸入端,Ant2—第二天線信號(hào)輸入端。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0012]實(shí)施例:
如圖1所示,射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊,包括外殼及設(shè)置在外殼內(nèi)的內(nèi)部電路,內(nèi)部電路包括第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管N1、第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管N2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容Cl,其中,為了便于對(duì)電壓進(jìn)行調(diào)控,第一電阻R1、第二電阻R2及第三電阻R3均為可調(diào)電阻。第一電阻Rl的兩端分別與第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NI的漏極和第二電阻R2連接,第二電阻R2相對(duì)連接第一電阻Rl端的另一端與第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管N2的漏極連接,第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NI源極和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管N2源極均接地。第三電阻R3和第四電阻R4串聯(lián)后與第一電容Cl并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻R3的一端與第一電阻Rl和第二電阻R2之間的線路連接,其另一端接地。第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NI和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管N2兩者的柵極均與第三電阻R3和第四電阻R4之間的線路連接。
[0013]第一電阻Rl和第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NI漏極之間的線路上連接有第一天線信號(hào)輸入端Antl,第二電阻R2和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管N2漏極之間的線路上連接有第二天線信號(hào)輸入端Ant2,第一天線信號(hào)輸入端Antl和第二天線信號(hào)輸入端Ant2在應(yīng)用時(shí)都連接在天線上。 [0014] 如上所述,則能很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊,其特征在于:包括第一N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(NI)、第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)及第一電容(Cl),所述第一電阻(Rl)的兩端分別與第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(NI)的漏極和第二電阻(R2)連接,第二電阻(R2)相對(duì)連接第一電阻(Rl)端的另一端與第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N2)的漏極連接,第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(NI)源極和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N2)源極均接地,所述第三電阻(R3)和第四電阻(R4)串聯(lián)后與第一電容(Cl)并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻(R3)的一端與第一電阻(Rl)和第二電阻(R2)之間的線路連接,其另一端接地,所述第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(NI)和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N2)兩者的柵極均與第三電阻(R3)和第四電阻(R4)之間的線路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊,其特征在于:所述第一電阻(Rl)和第一 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(NI)漏極之間的線路上連接有第一天線信號(hào)輸入端(Antl),第二電阻(R2)和第二 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N2)漏極之間的線路上連接有第二天線信號(hào)輸入端(Ant2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的射頻識(shí)別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊,其特征在于:所述第一電阻(Rl )、第二電阻(R2)及第三電阻(R3)均為可調(diào)電阻。
【文檔編號(hào)】G06K19/077GK103532578SQ201210225616
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月3日
【發(fā)明者】曾維亮 申請(qǐng)人:成都市宏山科技有限公司
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