專利名稱：一種電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及ー種電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法。
背景技術(shù)：
電容式觸摸屏是現(xiàn)有技術(shù)中廣泛使用的ー種觸摸屏。電容式觸摸屏的電路結(jié)構(gòu)為架橋結(jié)構(gòu)。以投影式電容式觸摸屏為例，其架橋結(jié)構(gòu)為在交叉點(diǎn)處互不導(dǎo)通的X、Y方向的電路?，F(xiàn)有技術(shù)中，電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)的制作方法大致包括步驟a、在納米銦錫金屬氧化物(Indium Tin Oxides, I TO)上，制作出X方向的電路；b、在X、Y方向的電路的交
叉點(diǎn)處制作絕緣層；c、制作Y方向的電路；d、對電路制作保護(hù)層。對于步驟C，現(xiàn)有技術(shù)中，采用正性膠(光刻膠的ー種)對電路進(jìn)行圖案制作?，F(xiàn)有技術(shù)中，用正性膠進(jìn)行電路(金屬)圖案的制作的大致流程為在待刻蝕金屬層表面涂正性膠；用具有鏤空圖案的鉻板遮蓋住正性膠涂層，并曝光；曝光時，由于具有鏤空圖案的鉻板的遮擋，正性膠涂層的部分區(qū)域不會受到光的照射；這樣，曝光的區(qū)域的正性膠見光溶解，未曝光的區(qū)域，正性膠保留下來；然后再對覆蓋有正性膠的金屬層進(jìn)行刻蝕，只有正性膠溶解了的區(qū)域的金屬層才會被刻蝕。但是現(xiàn)有技術(shù)存在如下缺點(diǎn)因?yàn)橹谱鱕方向的電路時，需要刻蝕掉的金屬部分比例很大，所以采用正性膠時，曝光時用到的鉻板，就會有很大一部分是鏤空的。大面積的鏤空的區(qū)域會不可避免的存在ー些灰塵。而鏤空的區(qū)域又是需要曝光的區(qū)域。這樣，在曝光時，灰塵等臟污會在曝光區(qū)域形成污點(diǎn)。這些污點(diǎn)處的金屬無法被刻蝕掉，進(jìn)而嚴(yán)重影響觸摸屏的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法，能夠避免灰塵等臟污對曝光過程的影響，同時簡化工藝流程。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案一種電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法，包括在納米銦錫金屬氧化物ITO上，制作出在第一方向相互連通的基準(zhǔn)圖形陣列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，制作出相互隔斷的基準(zhǔn)圖形陣列；在第二方向上的基準(zhǔn)圖形陣列的相互隔斷的區(qū)域設(shè)置絕緣層；在所述絕緣層上鍍金屬膜；采用負(fù)性光刻膠對所述金屬膜進(jìn)行光刻；對光刻后的所述金屬膜進(jìn)行蝕刻，以便在第二方向?qū)⑺龌鶞?zhǔn)圖形陣列連通。優(yōu)選的，所述采用負(fù)性光刻膠對所述金屬膜進(jìn)行光刻，包括在待蝕刻金屬層上涂負(fù)性光刻膠；在掩模板的遮擋下，對負(fù)性光刻膠涂層進(jìn)行曝光；
將負(fù)性光刻膠涂層上的未曝光的可溶解區(qū)域用化學(xué)顯影劑溶解；對曝光后的未溶解的負(fù)性光刻膠涂層進(jìn)行主固化。優(yōu)選的，在所述在待蝕刻金屬層上涂負(fù)性膠之前，還包括清洗上ーエ序殘留的光刻膠。優(yōu)選的，所述基準(zhǔn)圖形陣列為菱形陣列。優(yōu)選的，所述負(fù)性光刻膠具體為OC膠。優(yōu)選的，在所述基準(zhǔn)圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區(qū)域設(shè)置絕緣層，包括通過在所述基準(zhǔn)圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區(qū)域涂抹負(fù)性光刻膠，將曝光后固化的所述負(fù)性光刻膠，作為絕緣層。優(yōu)選的，在所述基準(zhǔn)圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區(qū)域涂抹的負(fù)性光刻膠為OC膠。優(yōu)選的，在所述絕緣層上鍍金屬膜具體為在所述絕緣層上鍍包含鑰鋁鑰成分的
金屬膜。根據(jù)本發(fā)明提供的具體實(shí)施例，本發(fā)明公開了以下技術(shù)效果本實(shí)施例所公開的電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法，由于采用負(fù)性光刻膠對金屬膜進(jìn)行第二方向上的光刻，使得掩模板的鏤空區(qū)域很小，灰塵等臟污很難進(jìn)入，能夠有效避免灰塵等臟污對曝光過程的影響。此外，由于本發(fā)明中，光刻后殘留的負(fù)性光刻膠，還可以作為對金屬條形區(qū)域起保護(hù)作用的保護(hù)層。因此，本發(fā)明所公開的方法還省去了現(xiàn)有技術(shù)中，對電路制作保護(hù)層這一ェ序。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例所述電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法流程圖；圖2為本實(shí)施例所公開的水平方向相互連通、豎直方向相互隔斷的菱形陣列示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例所公開的豎直方向連通后的菱形陣列示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)ー步詳細(xì)的說明。
參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例所述電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法流程圖。如圖I所示，該方法包括步驟SlOl :在納米銦錫金屬氧化物ITO上，制作出在水平方向相互連通的菱形陣列，在豎直方向相互隔斷的菱形陣列；因?yàn)榧{米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子、紫外線及遠(yuǎn)紅外線等的輻射。因此，本發(fā)明中，將ITO噴涂在觸摸屏上，用作透明導(dǎo)電薄膜。對于ITO層的圖案制作，可以采用半導(dǎo)體技術(shù)中常用的光刻方法。為便于理解本實(shí)施例中，在ITO層上制作的菱形陣列的圖案，請參見圖2，為本實(shí)
施例所公開的水平方向相互連通、豎直方向相互隔斷的菱形陣列示意圖。圖2中，在水平方向上，有三行菱形，每行又有四個菱形。每行的相鄰的兩個菱形之間都是連通的。也就是在水平方向上，形成電流通路。在豎直方向上，有三列菱形，每列也具有四個菱形。每列的相鄰的兩個菱形之間都是相互隔斷的。需要說明的是，本實(shí)施例中所提到的水平方向和豎直方向，其本質(zhì)是為了說明這兩個方向是相互垂直的關(guān)系。實(shí)際應(yīng)用中，水平方向可以是任意的一個直線上的方向(不妨稱為第一方向)，另ー個方向只要是與第一方向相垂直的方向即可(可以稱為第二方向)。此外，本實(shí)施例中，在ITO層上制作的是菱形陣列的圖案，實(shí)際應(yīng)用中，本發(fā)明不排除采用其他圖形陣列的圖案的可能性。S102 :在所述菱形陣列的豎直方向上的相互隔斷的區(qū)域設(shè)置絕緣層；設(shè)置絕緣層的目的是，防止后續(xù)步驟中形成的豎直方向上的電流通路與水平方向的電流通路之間形成短路?？梢圆捎秘?fù)性光刻膠，作為絕緣層。即通過在所述基準(zhǔn)圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區(qū)域涂抹負(fù)性光刻膠(例如OC膠)，將其曝光后固化，作為絕緣層。S103 :在所述絕緣層上鍍金屬膜；實(shí)際應(yīng)用中，通?？梢藻儼€鋁鑰成分的金屬膜。S104 :采用負(fù)性光刻膠對所述金屬膜進(jìn)行光刻；本步驟是對上ー步驟鍍的鑰鋁鑰的金屬膜進(jìn)行光刻?？梢栽诖g刻的鑰鋁鑰的金屬膜表面涂負(fù)性光刻膠，例如OC膠。在掩模板的遮擋下，對負(fù)性光刻膠涂層進(jìn)行曝光。將負(fù)性光刻膠涂層上的未曝光的可溶解區(qū)域用化學(xué)顯影劑溶解；對曝光后的未溶解的負(fù)性光刻膠涂層進(jìn)行主固化。實(shí)際應(yīng)用中，為了保證待蝕刻的鑰鋁鑰的金屬膜表面的清潔，在涂光刻膠之前，還可以將上ーエ序殘留的光刻膠清洗棹。S105 :對光刻后的所述金屬膜進(jìn)行蝕刻，以便在豎直方向?qū)⑺隽庑侮嚵羞B通?？梢圆捎脻窨谭ɑ蚋煽谭▽饘倌D形進(jìn)行蝕刻。蝕刻后，在豎直方向上的金屬膜得以保留，能夠?qū)⒇Q直方向的菱形陣列連通，形成電流通路。參見圖3，為本發(fā)明實(shí)施例所公開的豎直方向連通后的菱形陣列示意圖。圖3中，菱形在豎直方向的連線橫跨水平方向的連線的地方，兩者是不相交的，兩條通路之間具有絕緣層。下面對本發(fā)明實(shí)施例所公開的電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)說明。因?yàn)椴襟ES104中，需要蝕刻掉的金屬膜區(qū)域比較大，需要保留下來的只是豎直方向上將兩個菱形之間連接起來的金屬條形區(qū)域。而負(fù)性光刻膠的特點(diǎn)是，曝光的部分會保留下來。保留下來的這部分負(fù)性光刻膠與前述金屬條形區(qū)域是相對應(yīng)的，即，保留下來的這部分負(fù)性光刻膠會防止前述金屬條形區(qū)域被蝕刻棹。因此，采用負(fù)性光刻膠進(jìn)行曝光時，需要曝光的區(qū)域很小。這樣，在對負(fù)性光刻膠涂層進(jìn)行曝光時，作為遮擋用的掩模板(例如鉻板)的鏤空區(qū)域也就很小。在曝光過程中，負(fù)性光刻膠涂層的其他區(qū)域一直在掩模板的遮擋下，不會有灰塵進(jìn)入。曝光區(qū)域又很小(微米甚至納米級別)，灰塵等臟污也很難進(jìn)入。因此，本發(fā)明所公開的方法，能夠有效避免灰塵等臟污對曝光過程的影響。進(jìn)ー步的，由于避免了灰塵等臟污對曝光過程的影響，因此，也不必對豎直方向的 電路重復(fù)進(jìn)行第二次刻蝕，極大地簡化了エ藝流程。此外，由于負(fù)性光刻膠自身的化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定，本發(fā)明中，豎直方向的菱形陣列之間的起連通作用的金屬條形區(qū)域，上面的光刻后殘留的負(fù)性光刻膠，還可以作為對該金屬條形區(qū)域起保護(hù)作用的保護(hù)層。因此，本發(fā)明所公開的方法還省去了現(xiàn)有技術(shù)中，對電路制作保護(hù)層這ーエ序。綜上所述，本實(shí)施例所公開的電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法，由于采用負(fù)性光刻膠對金屬膜進(jìn)行第二方向上的光刻，使得掩模板的鏤空區(qū)域很小，灰塵等臟污很難進(jìn)入，能夠有效避免灰塵等臟污對曝光過程的影響。此外，由于本發(fā)明中，光刻后殘留的負(fù)性光刻膠，還可以作為對金屬條形區(qū)域起保護(hù)作用的保護(hù)層。因此，本發(fā)明所公開的方法還省去了現(xiàn)有技術(shù)中，對電路制作保護(hù)層這一ェ序。本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處。綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，包括 在納米銦錫金屬氧化物ITO上，制作出在第一方向相互連通的基準(zhǔn)圖形陣列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，制作出相互隔斷的基準(zhǔn)圖形陣列； 在第二方向上的基準(zhǔn)圖形陣列的相互隔斷的區(qū)域設(shè)置絕緣層； 在所述絕緣層上鍍金屬膜； 采用負(fù)性光刻膠對所述金屬膜進(jìn)行光刻； 對光刻后的所述金屬膜進(jìn)行蝕刻，以便在第二方向?qū)⑺龌鶞?zhǔn)圖形陣列連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述采用負(fù)性光刻膠對所述金屬膜進(jìn)行光刻，包括 在待蝕刻金屬層上涂負(fù)性光刻膠； 在掩模板的遮擋下，對負(fù)性光刻膠涂層進(jìn)行曝光； 將負(fù)性光刻膠涂層上的未曝光的可溶解區(qū)域用化學(xué)顯影劑溶解； 對曝光后的未溶解的負(fù)性光刻膠涂層進(jìn)行主固化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述在待蝕刻金屬層上涂負(fù)性光刻膠之前，還包括 清洗上一工序殘留的光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述基準(zhǔn)圖形陣列為菱形陣列。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述采用負(fù)性光刻膠對所述金屬膜進(jìn)行光刻，包括采用OC膠對所述金屬膜進(jìn)行光刻。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述在第二方向上的基準(zhǔn)圖形陣列的相互隔斷的區(qū)域設(shè)置絕緣層，包括 在所述基準(zhǔn)圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區(qū)域涂抹負(fù)性光刻膠，將曝光后固化的所述負(fù)性光刻膠，作為絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述基準(zhǔn)圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區(qū)域涂抹的負(fù)性光刻膠為OC膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述絕緣層上鍍金屬膜，包括在所述絕緣層上鍍包含鑰鋁鑰成分的金屬膜。
全文摘要
本發(fā)明公開一種電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法，包括在納米銦錫金屬氧化物ITO上，制作出在第一方向相互連通的基準(zhǔn)圖形陣列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，制作出相互隔斷的基準(zhǔn)圖形陣列；在第二方向上的基準(zhǔn)圖形陣列的相互隔斷的區(qū)域設(shè)置絕緣層；在所述絕緣層上鍍金屬膜；采用負(fù)性光刻膠對所述金屬膜進(jìn)行光刻；對光刻后的所述金屬膜進(jìn)行蝕刻，以便在第二方向?qū)⑺龌鶞?zhǔn)圖形陣列連通。采用本發(fā)明所公開的電容式觸摸屏架橋結(jié)構(gòu)制作方法，能夠有效避免灰塵等臟污對曝光過程的影響，還能夠省去對電路制作保護(hù)層的工序。
文檔編號G06F3/044GK102855039SQ201210299478
公開日2013年1月2日 申請日期2012年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月21日
發(fā)明者汪敏潔, 蔡漢業(yè), 朱景河, 何基強(qiáng) 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司