專利名稱：觸摸感應元件、觸摸面板及觸摸面板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及觸摸屏技術領域，特別涉及一種觸摸感應元件、觸摸面板及觸摸面板的制造方法。
背景技術：
目前，在觸摸面板制造過程中，生產、測試、搬運都不可避免的會產生靜電，雖然也采用了一些防護靜電產生的措施 ，但還是有靜電產生或產生的靜電不能及時釋放，導致靜電電荷會不斷的積累，直到靜電被泄放或者達到足夠的強度可以擊穿周圍物質為止，這種現(xiàn)象稱為ESD (Electro-Static discharge,靜電釋放)現(xiàn)象。而觸摸感應元件是觸摸面板的關鍵部件，它的質量直接影響觸控面板的性能。如圖Ia所示,現(xiàn)有觸摸感應元件包括呈陣列狀排列的多個ITCKIndium TinOxide,氧化銦錫)電極塊，其中，在陣列的行方向上，也就是圖Ia中的A方向，相鄰的ITO電極塊100與ITO電極塊101之間通過一個ITO導電薄膜130連接；在陣列的列方向上，也就是圖Ia中的B方向，相鄰的ITO電極塊110與ITO電極塊111之間通過一條ITO導電橋120連接；位置相對的導電薄膜130和導電橋120之間通過一個絕緣層140隔開。在制作觸摸感應元件過程中，生產、測試、搬運都不可避免的產生的靜電，而且觸摸感應元件的載體一般采用非導體的玻璃基板，不利于靜電釋放，產生的靜電電荷會不斷的增加，當積累的靜電電荷量達到可以擊穿周圍物質時，在觸摸感應元件上就會出現(xiàn)靜電釋放現(xiàn)象，而靜電釋放的位置一般在尖角或接觸點處。如圖Ib所示，圖中畫差的部分表示靜電釋放的位置，釋放的靜電會把在ITO橋120的一端擊穿，使相鄰的ITO電極塊110和ITO電極塊111不能導通，從而影響觸摸感應元件的品質。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供了一種觸摸感應元件，用于提高觸摸感應元件的品質。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下技術方案一種觸摸感應元件包括呈陣列狀排列的多個電極塊，在陣列的行方向和列方向中，其中一方向上，相鄰的兩個電極塊通過一個導電薄膜連接，另一個方向上，相鄰的兩個電極塊通過至少兩條導電橋連接，且所述導電薄膜和所述導電橋之間通過一個絕緣層隔開。優(yōu)選地，所述至少兩條導電橋的設置方式為平行設置，和/或，交叉設置。優(yōu)選地，所述連接相鄰兩個電極塊的至少兩條導電橋中，各個導電橋的中部電性連接。優(yōu)選地，所述連接相鄰兩個電極塊的至少兩條導電橋為兩條中間交叉且電性連接的導電橋。優(yōu)選地，所述電極塊的形狀為方形或者菱形，較佳地，所述電極塊的形狀為正方形；且位于同一行或者同一列的各個電極塊的對角線在一條直線上，連接相鄰的兩個電極塊的至少兩條導電橋以及導電薄膜，跨接在兩個相鄰電極塊相對的兩個角上。本發(fā)明同時還提供了一種觸摸面板，包括保護層基板，邊框、第一絕緣層、第三絕緣層，以及具有上述技術特征的觸摸感應元件；其中，所述邊框、所述第一絕緣層依次設置在所述保護層基板上；所述觸摸感應元件設置在第一絕緣層上；所述第三絕緣層設置在所述觸摸感應元件上。此外，本發(fā)明同時還提供了一種觸摸面板制造方法，包括步驟I，在保護層基板周邊涂覆一層黑色材料形成黑色邊框；步驟2，在保護層基板和黑色邊框上涂覆一層透明樹脂材料形成第一絕緣層； 步驟3，在第一絕緣層上依次沉積金屬層和氧化銦錫ITO層；步驟4，對金屬層和氧化銦錫ITO層進行曝光、蝕刻后形成陣列狀排列的多個ITO導電橋模塊；步驟5，在第一絕緣層和多個ITO導電橋模塊涂覆一層透明樹脂材料形成第二絕
緣層；步驟6，對第二絕緣層進行曝光、挖孔后，形成多個分別與ITO導電橋對應的過孔；步驟7，在第二絕緣層上沉積ITO層，經過曝光、蝕刻后形成ITO電極塊陣列；步驟8，在第二絕緣層和ITO電極塊陣列上涂覆一層透明樹脂層，形成第三絕緣層。從上述技術方案可知，在本發(fā)明觸摸感應元件中，在陣列的行方向或列方向上，采用兩條或兩條以上的導電橋連接相鄰的兩個電極塊，與現(xiàn)有采用一條導電橋連接相鄰的兩個電極塊相比，可顯著減少因靜電釋放造成相鄰的兩個電極塊不能導通的機率，從而提高觸摸感應元件的品質。


圖Ia為現(xiàn)有技術中觸摸感應元件的結構示意圖；圖Ib為現(xiàn)有技術中觸摸感應兀件的局部放大圖；圖2a為本發(fā)明實施例一中觸摸感應元件的結構示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例一中觸摸感應元件的局部放大圖；圖3a為本發(fā)明實施例二中觸摸感應元件的結構示意圖；圖3b為本發(fā)明實施例二中觸摸感應元件的局部放大圖；圖4為本發(fā)明實施例中觸摸面板的結構示意圖；圖5為本發(fā)明實施例中觸摸面板的制作流程圖。
具體實施例方式現(xiàn)有觸摸感應元件包括呈陣列狀排列的多個ITO電極塊，其中，在陣列的行方向上，相鄰的兩個ITO電極塊通過一個ITO導電薄膜連接；在陣列的列方向上，相鄰的兩個ITO電極塊通過一條ITO導電橋連接；位置相對的每一個導電薄膜和每一個導電橋之間通過一個絕緣塊隔開。在制作觸摸感應元件過程中，生產、測試、搬運都不可避免的產生的靜電，而且觸摸感應元件的載體一般采用非導體的玻璃基板，不利于靜電釋放，產生的靜電電荷會不斷的增加，當積累的靜電電荷量達到可以擊穿周圍物質時，釋放的靜電會擊穿ITO橋的一端，造成相鄰的兩個電極塊不能導通，從而影響觸摸感應元件的品質。有鑒于此，本發(fā)明提供了一種觸摸感應元件，包括呈陣列狀排列的多個電極塊，在陣列的行方向和列方向中，其中一方向上，相鄰的兩個電極塊通過一個導電薄膜連接，另一個方向上，相鄰的兩個電極塊通過至少兩條導電橋連接，并且位置相對的導電薄膜和至少兩條導電橋之間通過一個絕緣塊絕緣。通過至少兩條導電橋連接相鄰的兩個電極塊。這樣可以減少因靜電釋放造成相鄰的兩個電極塊不能導通的機率，從而提高觸摸感應元件的品質。為了使本領域技術人員更好的理解本發(fā)明的技術方案，下面結合說明書附圖對本發(fā)明實施例進行詳細的描述。實施例一，如圖2a所示，該觸摸感應元件包括呈陣列狀排列的多個電極塊，在陣列的行方向上，相鄰的兩個電極塊通過一個導電薄膜連接，在陣列的列方向上，相鄰的兩個電極塊通過至少兩條導電橋連接，且所述導電薄膜和所述導電橋之間通過一個絕緣層隔開。或者說，觸摸感應元件包括電極塊陣列；其中，在陣列的行方向上，也就是圖2a所示的·A方向上，相鄰的兩個電極塊通過一個導電薄膜連接；在陣列的列方向上，也就是圖2a所示的B方向上，相鄰的兩個電極塊通過兩條平行的導電橋連接；絕緣層位于導電薄膜和導電橋之間。上述導電橋為ITO橋或金屬橋，具體地，以行方向上相鄰的兩個電極塊和列方向上相鄰的兩個電極塊為例，如圖2a所示，在陣列的行方向上，電極塊200和電極塊201為正方形的電極塊，且兩個電極塊的對角線在一條直線上；位置相鄰的電極塊200和電極塊201之間通過一個導電薄膜230連接，也就是說，連接電極塊200和電極塊201的一個導電薄膜230，跨接在這兩個電極塊相對的兩個角上。在陣列的列方向上，電極塊210和電極塊211為正方形的電極塊，且兩個電極塊的對角線在一條直線上；位置相鄰的電極塊210和電極塊211之間通過兩條平行設置的導電橋220和導電橋221連接，也就是說，連接電極塊210和電極塊211的兩條導電橋220和導電橋221，跨接在這兩個電極塊相對的兩個角上；優(yōu)選地，導電橋220和導電橋221的中部電性連接。導電薄膜230與導電橋220和導電橋221通過一個絕緣層240絕緣隔開；優(yōu)選地，絕緣層240為由多個絕緣塊組成的電極塊陣列，在每一組位置相對的電極塊和導電橋之間有一個絕緣塊。當觸摸感應元件上有靜電釋放現(xiàn)象產生時，因靜電釋放現(xiàn)象一般出現(xiàn)在一個導體的尖角位置或兩個導體的接觸位置，所以在觸摸感應元件上一般出現(xiàn)在導電橋與電極塊的接觸位置，即在導電橋220或導電橋221的一端出現(xiàn)靜電釋放現(xiàn)象。如圖2b所示，當靜電釋放現(xiàn)象出現(xiàn)在導電橋220的一端時，釋放的靜電擊穿導電橋220與電極塊210連接的一端，或導電橋220的另外一端，即導電橋220與電極塊211連接的一端。也就是說，位置相鄰的電極塊210和電極塊211之間不能通過導電橋220導通，但可通過導電橋221導通。
從實施例一中可知，在陣列的列方向上，采用兩條平行的導電橋連接相鄰的兩個電極塊，與現(xiàn)有技術中采用一條導電橋連接相鄰的兩個電極塊相比，因靜電釋放造成相鄰的兩個電極塊不能導通的機率會明顯減少，也就是說，既使其中一條導電橋因靜電釋放而與電極塊斷開時，還會有一條導電橋導通相鄰的兩個電極塊，從而提高了觸摸感應元件的品質。此外，在觸摸感應元件上沒有靜電或靜電電荷量不足以擊穿導電橋與電極塊的連接點時，這種情況下，因采用兩條導電橋連接相鄰的兩個電極塊，與現(xiàn)有的只有一條導電橋連接相鄰的兩個電極塊相比，可以降低導電橋處的電阻，從而提高觸摸感應元件的性能。實施例二，上述實施例一中，在陣列的列方向上，采用兩條平行的導電橋連接相鄰的兩個電極塊，但當每條導電橋的一端都因靜電釋放與所連接的電極塊斷開時，將導致相鄰的兩個電極塊不能導通，從而影響觸摸感應元件的品質。因此，在實施例二中采用兩條交叉的導電橋連接相鄰的兩個電極塊。具體地，如圖3a所示，該觸摸感應元件包括呈陣列狀排列的多個電極塊，在陣列的行方向上，相鄰的兩個電極塊通過一個導電薄膜連接，在陣列的列方向上，相鄰的兩個電極塊通過至少兩條導電橋連接，且所述導電薄膜和所述導電橋之間通過一個絕緣層隔開?；蛘哒f，觸摸感應元件包括電極塊陣列；其中，在陣列的行方向上，也就是圖3a所示的A方向上，相鄰的兩個電極塊通過一個導電薄膜連接；在陣列的列方向上，也就是圖3a所示的B方向上，相鄰的兩個電極塊通過兩條平行的導電橋連接；絕緣層位于導電薄膜和導電橋之 間。值得一提的是，所述導電橋為ITO橋或金屬橋。下面以行方向上相鄰的兩個電極塊和列方向上相鄰的兩個電極塊為例，如圖3a所示，在陣列的行向上，位置相鄰的電極塊300和電極塊301之間通過導電薄膜330連接；在陣列的列方向上，位置相鄰的電極塊310和電極塊311之間通過兩條交叉設置的導電橋320和導電橋321連接，換句話說，導電橋320和導電橋321 “X”形設置；導電薄膜330與導電橋320和導電橋321之間通過一個絕緣層340絕緣隔開，也就是說，絕緣層340位于導電薄膜330與導電橋320和導電橋321之間。當觸摸感應元件上有靜電釋放現(xiàn)象產生時，如圖3b所示，當導電橋320的一端因靜電釋放現(xiàn)象造成與所連接的電極塊310或電極塊311斷開時，電極塊310和電極塊311可通過導電橋321導通，不會應影響觸摸感應元件的使用；同理，當導電橋321的一端因靜電釋放現(xiàn)象造成與所連接的電極塊310或電極塊311斷開時，電極塊310和電極塊311可通過導電橋320導通，不會應影響觸摸感應元件的使用；而且當導電橋320、導電橋321不在同一側的一端因靜電釋放現(xiàn)象造成與所連接的電極塊310或電極塊311同時斷開時，電極塊310和電極塊311還可通過導電橋320的沒有斷開側部分和導電橋321沒有斷開側部分以及導電橋320和導電橋321交叉的部分導通。因此，本實施例采用兩條交叉的導電橋連接相鄰的兩個電極塊，與現(xiàn)有技術中采用一條導電橋連接相鄰的兩個電極塊相比，因靜電釋放造成相鄰的兩個電極塊不能導通的機率會明顯減少，從而提高了觸摸感應元件的品質。此外，在觸摸感應元件上沒有靜電或靜電電荷量不足以擊穿橋與電極塊的連接點時，這種情況下，因采用兩條橋連接相鄰的電極塊，與現(xiàn)有的只有一條橋連通相鄰的電極塊相比，可以降低橋處的電阻，從而提高觸摸感應元件的性能。在上述兩個實施例中，是以兩條導電橋連接相鄰的兩個電極塊為例，但不限于與此，也可以采用兩條以上的導電橋連接相鄰的兩個電極塊，所述至少兩條導電橋的設置方式為平行設置，和/或，交叉設置；優(yōu)選地，所述連接相鄰兩個電極塊的至少兩條導電橋中，各個導電橋的中部電性連接；進一步地，所述連接相鄰兩個電極塊的至少兩條導電橋為兩條中間交叉且電性連接的導電橋。例如，采用三條導電橋連接相鄰的兩個電極塊，三條導電橋的設置方式包括三條平行設置，三條導電橋交叉設置，其中兩條導電橋平行設置、余下的一條導電橋與所述兩條平行設置的導電橋相交，或其中兩條導電橋交叉設置、余下的一條導電橋既不與兩條交叉設置的導電橋相交或平行；進一步地，各個導電橋的中部電性連接，換句話說，相鄰的兩個電極塊通過至少兩條導電橋連接，其中，至少兩條導電橋的設置方式為平行設置，和/或，交叉設置。這樣可進一步減少因靜電釋放現(xiàn)象造成相鄰的兩個電極塊不能導通的機率，提高觸摸感應元件的品質；同時因采用多條導電橋，還可以降低導電橋處的電阻，從而提高觸摸感應元件的性能。綜上所述，本發(fā)明觸摸感應元件采用兩條或兩條以上的導電橋連接相鄰的兩個電極塊，與現(xiàn)有技術中采用一條導電橋連接相鄰的兩個電極塊相比，可以明顯減少因靜電釋放造成相鄰的兩個電極塊不能導通的機率，從而提高了觸摸感應元件的品質。此外，還會因采用至少兩條導電橋連接相鄰的兩個電極塊，可以降低導電橋處的電阻，從而提高觸摸感應元件的性能。本發(fā)明同時還提供了一種觸摸面板，如圖4所示，該觸摸面板包括保護層基板 10，邊框20、第一絕緣層30、第三絕緣層50，以及具有上述技術特征的觸摸感應元件40。其中，邊框20、第一絕緣層30依次設置在保護層基板10上；觸摸感應元件40設置在第一絕緣層20上；第三絕緣層50設置在觸摸感應元件40上。優(yōu)選地，第一絕緣層30和第三絕緣層50的材料為OC (OverCoating,保護涂層)樹脂材料。值得一提的是，該觸摸面板與現(xiàn)有的觸摸面板相比，減少了一層位于第三絕緣層50上的透明基板，因此減薄了該觸摸面板的厚度。當該觸摸面板與TFT-IXD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,)安裝在一起時，第三絕緣層 50 與 TFT-IXD 貼合在一起，保護層基板10處在最外層。如圖5所示，本發(fā)明同時還提供了一種觸摸面板的制造方法，包括步驟1，在保護層基板周邊涂覆一層黑色材料形成黑色邊框；用來遮擋周邊光線和金屬線的排布。步驟2，在保護層基板和黑色邊框上涂覆一層透明樹脂材料形成第一絕緣層；用于保護黑色邊框，并且起到表面平坦化的作用。步驟3，在第一絕緣層上依次沉積金屬層和氧化銦錫ITO層；步驟4，對金屬層和氧化銦錫ITO層進行曝光、蝕刻后形成陣列狀排列的多個ITO導電橋模塊；步驟5，在第一絕緣層和多個ITO導電橋模塊涂覆一層透明樹脂材料形成第二絕
緣層；步驟6，對第二絕緣層進行曝光、挖孔后，形成多個分別與ITO導電橋對應的過孔；步驟7，在第二絕緣層上沉積ITO層，經過曝光、蝕刻后形成ITO電極塊陣列；步驟8，在第二絕緣層和ITO電極塊陣列上涂覆一層透明樹脂層，形成第三絕緣層50。上述步驟:T步驟7的過程為制作觸摸感應元件40的過程，觸摸感應元件40包括呈陣列狀排列的多個ITO電極塊，其中，在行方向上，相鄰的兩個ITO電極塊通過ITO薄膜連接，并與觸控面板中對應的掃描線(Sensor line)連接；在列方向上，相鄰的兩個ITO電極塊通過兩條ITO導電橋連接，并與觸控面板中對應的掃描線(Sensor line)連接。在兩個方向上的ITO電極塊交叉的地方，在行方向上的ITO電極塊與相鄰的在列方向上的ITO電極塊之間產生互電容，當觸摸該觸摸面板時，互電容會減少，就可以判斷觸摸點的坐標。從上述描述中可知，該觸摸面板中的觸摸感應元件，因采用兩條或兩條以上的導電橋連接相鄰的兩個電極塊，可以明顯減少因靜電釋放造成相鄰的兩個電極塊不能導通的機率，同時也減小了導電橋處的電阻，從而提高了觸摸面板的性能。此外，該觸摸面板還減少了一層玻璃基板，可以降低觸摸面板的厚度。
顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種觸摸感應元件，包括呈陣列狀排列的多個電極塊，其特征在于，在陣列的行方向和列方向中，其中一方向上，相鄰的兩個電極塊通過一個導電薄膜連接，另一個方向上，相鄰的兩個電極塊通過至少兩條導電橋連接，且所述導電薄膜和所述導電橋之間通過一個絕緣層隔開。
2.如權利要求I所述的觸摸感應元件，其特征在于，所述連接相鄰兩個電極塊的至少兩條導電橋的設置方式為平行設置，和/或，交叉設置。
3.如權利要求2所述的觸摸感應元件，其特征在于，所述連接相鄰兩個電極塊的至少兩條導電橋中，各個導電橋的中部電性連接。
4.如權利要求3所述的觸摸感應元件，其特征在于，所述連接相鄰兩個電極塊的至少兩條導電橋為兩條中間交叉且電性連接的導電橋。
5.如權利要求1-4任一所述的觸摸感應元件，其特征在于，所述電極塊的形狀為方形或者菱形，且位于同一行或者同一列的各個電極塊的對角線在一條直線上，連接相鄰的兩個電極塊的至少兩條導電橋以及導電薄膜，跨接在兩個相鄰電極塊相對的兩個角上。
6.如權利要求5所述的觸摸感應元件，其特征在于，所述導電橋為氧化銦錫ITO橋。
7.一種觸摸面板，其特征在于，包括保護層基板，邊框、第一絕緣層、第三絕緣層，以及如權利要求1-6任一所述的觸摸感應元件；其中， 所述邊框、所述第一絕緣層依次設置在所述保護層基板上； 所述觸摸感應元件設置在第一絕緣層上； 所述第三絕緣層設置在所述觸摸感應元件上。
8.一種觸摸面板制造方法，其特征在于，包括 步驟I，在保護層基板周邊涂覆一層黑色材料形成黑色邊框； 步驟2，在保護層基板和黑色邊框上涂覆一層透明樹脂材料形成第一絕緣層； 步驟3，在第一絕緣層上依次沉積金屬層和氧化銦錫ITO層； 步驟4，對金屬層和氧化銦錫ITO層進行曝光、蝕刻后形成陣列狀排列的多個ITO導電橋模塊； 步驟5，在第一絕緣層和多個ITO導電橋模塊涂覆一層透明樹脂材料形成第二絕緣層； 步驟6，對第二絕緣層進行曝光、挖孔后，形成多個分別與ITO導電橋對應的過孔； 步驟7，在第二絕緣層上沉積ITO層，經過曝光、蝕刻后形成ITO電極塊陣列； 步驟8，在第二絕緣層和ITO電極塊陣列上涂覆一層透明樹脂層，形成第三絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明涉及觸摸屏技術領域，特別涉及一種觸摸感應元件、觸摸面板及觸摸面板的制造方法，用于提高觸摸感應元件的品質。本發(fā)明公開了一種觸摸感應元件，包括呈陣列狀排列的多個電極塊；其中，在陣列的行方向和列方向中，其中一方向上，相鄰的兩個電極塊通過一個導電薄膜連接，另一個方向上，相鄰的兩個電極塊通過至少兩條導電橋連接，且所述導電薄膜和所述導電橋之間通過一個絕緣層隔開。因采用至少兩條導電橋連接相鄰的兩個電極塊，可減少因靜電釋放造成相鄰的兩個電極塊不能導通的機率，從而提高觸摸感應元件的品質。此外，本發(fā)明還公開了一種具有上述觸摸感應元件的觸摸面板及觸摸面板的制造方法。
文檔編號G06F3/041GK102915147SQ201210345888
公開日2013年2月6日 申請日期2012年9月17日 優(yōu)先權日2012年9月17日
發(fā)明者王海生, 劉英明, 尚飛, 尹大根, 楊盛際 申請人:北京京東方光電科技有限公司