專利名稱：基于超高級(jí)超維場(chǎng)模式的光學(xué)傳感式觸摸屏及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于超高級(jí)超維場(chǎng)模式的光學(xué)傳感式觸摸屏及其制備方法。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸屏按照工作原理可以分為電阻式、電容式、紅外線式、表面聲波式、電磁式、振波感應(yīng)式以及受抑全內(nèi)反射光學(xué)感應(yīng)式等。觸摸屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為觸摸傳感外掛式(雙層)、觸摸傳感在覆蓋面(單層)、觸摸傳感在面板上面、觸摸傳感在面板內(nèi)部。其中，觸摸傳感在面板內(nèi)部的結(jié)構(gòu)既可以減薄觸摸屏整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。目前，主要通過電阻式、電容式或光學(xué)式的傳感方式，實(shí)現(xiàn)觸摸傳感在面板內(nèi)部的設(shè)計(jì)。其中，電阻傳感式屬于低端傳感技術(shù)，制作出的產(chǎn)品一般壽命較短；電容傳感式主要適合于中小尺寸，即10寸以下的觸摸屏；而光學(xué)傳感式在屏幕的尺寸上不受限制，制作出的產(chǎn)品壽命較長(zhǎng)，且相對(duì)穩(wěn)定，因此，在對(duì)顯示面板的品質(zhì)要求越來越高的需求下，光學(xué)傳感式作為下一代主要傳感備受關(guān)注。目前，液晶面板按照顯示模式可以分為扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型、平面轉(zhuǎn)換(IPS, In Plane Switching)型和高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(ADS, Advanced Super DimensionSwitch)型等。其中，ADS顯示模式的液晶面板是通過同一平面內(nèi)電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使在電極之間和電極正上方的所有液晶分子發(fā)生旋轉(zhuǎn)，相對(duì)于IPS顯示模式的液晶面板，能夠提高液晶的工作效率且增加了透光效率。ADS顯示模式的液晶面板具有高畫面品質(zhì)、高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。超高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(HADS,HighAdvancedSuper Dimension Switch)是ADS顯示模式的升級(jí)版,使用于中小尺寸的液晶顯示,而現(xiàn)有技術(shù)中還沒有采用HADS模式的光學(xué)傳感式觸摸屏的設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于超高級(jí)超維場(chǎng)模式的光學(xué)傳感式觸摸屏及其制備方法，用以實(shí)現(xiàn)在超高級(jí)超維場(chǎng)模式下的光學(xué)傳感式觸摸屏。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于超高級(jí)超維場(chǎng)模式的光學(xué)傳感式觸摸屏，包括具有柵極信號(hào)線、公共電極線和數(shù)據(jù)信號(hào)線的TFT陣列基板，所述柵極信號(hào)線和公共電極線布線方向相同，所述數(shù)據(jù)信號(hào)線與所述柵極信號(hào)線和公共電極線交疊設(shè)置，還包括傳感信號(hào)線、傳感控制線、以及設(shè)置在所述傳感信號(hào)線與所述傳感控制線交疊處的光學(xué)傳感單元；其中，所述傳感信號(hào)線設(shè)置在至少一條所述數(shù)據(jù)信號(hào)線的一側(cè)且與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線的布線方向相同；
將至少一條所述公共電極線設(shè)置為所述傳感控制線；每個(gè)所述光學(xué)傳感單元與相鄰的柵極信號(hào)線、傳感信號(hào)線和傳感控制線相連，用于在傳感控制線和柵極信號(hào)線同時(shí)傳遞電信號(hào)時(shí)，將照射到所述光學(xué)傳感單元的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)通過所述傳感信號(hào)線輸出?；谕话l(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了基于超高級(jí)超維場(chǎng)模式的光學(xué)傳感式觸摸屏的制備方法，包括利用一次構(gòu)圖工藝，在TFT陣列基板的襯底上形成像素柵極和柵極信號(hào)線的圖形、作為傳感控制線的公共電極的圖形、與所述傳感控制線相連的第一薄膜晶體管器件柵極的圖形、以及與所述柵極信號(hào)線相連的第二薄膜晶體管器件柵極的圖形；形成覆蓋襯底的柵絕緣層，以及，利用一次構(gòu)圖工藝，形成位于柵絕緣層之上的像素有源層的圖形、第一薄膜晶體管器件有源層的圖形和第二薄膜晶體管器件有源層的圖
形；利用一次構(gòu)圖工藝，形成相對(duì)而置形成溝道的像素源極和漏極的圖形、與像素源極相連的數(shù)據(jù)信號(hào)線的圖形、第一薄膜晶體管器件源極和漏極的圖形、第二薄膜晶體管器件源極和漏極的圖形，以及與第二薄膜晶體管器件源極相連的傳感信號(hào)線的圖形；其中，所述第一薄膜晶體管器件和第二薄膜晶體管器件組成光學(xué)感應(yīng)單元；用于在傳感控制線和柵極信號(hào)線同時(shí)傳遞電信號(hào)時(shí)，將照射到所述光學(xué)傳感單元的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)通過所述傳感信號(hào)線輸出。本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于HADS模式的光學(xué)傳感式觸摸屏及其制備方法,在TFT陣列基板的至少一條數(shù)據(jù)信號(hào)線一側(cè)添加傳感信號(hào)線，將至少一條公共電極線設(shè)置為傳感控制線，并在傳感信號(hào)線和傳感控制線交疊處設(shè)置光學(xué)傳感單元，每個(gè)光學(xué)傳感單元與相鄰的柵極信號(hào)線、傳感信號(hào)線和傳感控制線相連，在傳感控制線和柵極信號(hào)線同時(shí)傳遞電信號(hào)時(shí)，將照射到光學(xué)傳感單元的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)通過傳感信號(hào)線輸出，實(shí)現(xiàn)在HADS模式下的光學(xué)傳感式觸控。由于傳感信號(hào)線設(shè)置在數(shù)據(jù)信號(hào)線的一側(cè)，且光學(xué)傳感單元設(shè)置在傳感控制線和傳感信號(hào)線的交疊處，兩者都位于像素單元的非顯示區(qū)域，因此能夠盡量保證開口率開口率；另外，本發(fā)明是在現(xiàn)有的HADS模式的液晶顯示面板上進(jìn)行重新設(shè)計(jì)優(yōu)化，增加了用于觸控感應(yīng)的光學(xué)傳感單元，可以在制備液晶面板各像素單元的同時(shí)制備出光學(xué)傳感單元，不用增加新的工藝步驟，因此也降低了觸摸屏的制作成本。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖之一；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖之二；圖3a_圖3f為本發(fā)明實(shí)施例提供的制備光學(xué)傳感式觸摸屏的各步驟完成后的示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式觸摸屏的俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的基于HADS模式的光學(xué)傳感式觸摸屏及其制備方法的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)地說明。附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反映陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于HADS模式的光學(xué)傳感式觸摸屏,是在現(xiàn)有的HADS模式的液晶顯示面板上進(jìn)行重新設(shè)計(jì)優(yōu)化，增加了用于觸控感應(yīng)的光學(xué)傳感單元和傳感信號(hào)線，此設(shè)計(jì)適用于中小尺寸的顯示面板。下面對(duì)其具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說明。本發(fā)明實(shí)施例提供的基于HADS模式的光學(xué)傳感式觸摸屏，如圖I所示，具體包括具有柵極信號(hào)線01、公共電極線02和數(shù)據(jù)信號(hào)線03的TFT陣列基板1，其中，柵極信號(hào)線01和公共電極線02布線方向相同，數(shù)據(jù)信號(hào)線03與柵極信號(hào)線01和公共電極線02交疊設(shè)置，柵極信號(hào)線01和數(shù)據(jù)信號(hào)線03限定了像素單元，并且每個(gè)像素單元都對(duì)應(yīng)設(shè)置了像素的TFT開關(guān)04，還包括傳感信號(hào)線05、傳感控制線06、以及設(shè)置在傳感信號(hào)線05與傳感控制線06交疊處的光學(xué)傳感單元07 ;其中，傳感信號(hào)線05設(shè)置在至少一條數(shù)據(jù)信號(hào)線03的一側(cè)且與數(shù)據(jù)信號(hào)線03的布線方向相同；將至少一條公共電極線02設(shè)置為傳感控制線06 ；每個(gè)光學(xué)傳感單兀07與相鄰的柵極信號(hào)線01、傳感信號(hào)線05和傳感控制線06相連，用于在傳感控制線06和柵極信號(hào)線01同時(shí)傳遞電信號(hào)時(shí)，將照射到光學(xué)傳感單元07的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)通過傳感信號(hào)線05輸出。本發(fā)明實(shí)施例提供的上述光學(xué)傳感式觸摸屏，在現(xiàn)有的HADS模式液晶面板的部分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)線一側(cè)增加傳感信號(hào)線，將部分公共電極線設(shè)置為傳感控制線，并且在傳感控制線和傳感信號(hào)線的交疊處設(shè)置光學(xué)傳感單元，由于增加的光學(xué)傳感單元和傳感信號(hào)線都是設(shè)置在像素單元的非顯示區(qū)域，因此，能夠盡量保證開口率像素單元的開口率。并且，一般地，觸摸屏的觸控精度通常在毫米級(jí)，而TFT陣列基板的顯示精度通常 在微米級(jí)，可以看出，觸摸屏所需的感應(yīng)信號(hào)線和感應(yīng)控制線比TFT陣列基板顯示所需的數(shù)據(jù)信號(hào)線和柵極信號(hào)線要少的多，因此，在具體實(shí)施時(shí)，可以間隔M條數(shù)據(jù)信號(hào)線添加一條傳感信號(hào)線，相應(yīng)地，可以將間隔N條的公共電極設(shè)置為傳感控制線。較佳地，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏中，在設(shè)置傳感控制線和傳感信號(hào)線時(shí)，一般將各傳感信號(hào)線之間的間距設(shè)置為相同，將各傳感控制線之間的間距設(shè)置為相同。最佳地，將各傳感信號(hào)之間的間距與各傳感控制線之間的間距設(shè)置為相同，以統(tǒng)一觸摸屏的觸控精度。進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例提供上述觸摸屏中的光學(xué)感應(yīng)單元07，如圖2所示，可以具體包括光學(xué)感應(yīng)器件071和感應(yīng)開關(guān)器件072 ;其中，光學(xué)感應(yīng)器件071與傳感控制線06和感應(yīng)開關(guān)器件072相連，用于在傳感控制線06傳遞電信號(hào)時(shí)，將照射到光學(xué)感應(yīng)器件071的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)輸出到感應(yīng)開關(guān)器件072，即光學(xué)感應(yīng)器件071起到了光學(xué)感應(yīng)的作用；感應(yīng)開關(guān)器件與柵極信號(hào)線和傳感信號(hào)線相連，傳感信號(hào)線的電壓基本變化很小，在3V左右，感應(yīng)開關(guān)器件處于半開啟狀態(tài)，當(dāng)用戶的手指執(zhí)行觸摸操作時(shí)，會(huì)使得照射到感應(yīng)開關(guān)器件上面的光強(qiáng)發(fā)生變化，產(chǎn)生不同的電壓信號(hào)。在柵極信號(hào)線傳遞電信號(hào)時(shí)，會(huì)將光學(xué)感應(yīng)器件輸出的電壓信號(hào)傳遞給傳感信號(hào)線，起到了感應(yīng)開關(guān)的作用。
在具體實(shí)施時(shí)，光學(xué)感應(yīng)單元07具體由兩個(gè)薄膜晶體管器件構(gòu)成，具體地，光學(xué)感應(yīng)器件071為第一薄膜晶體管器件，感應(yīng)開關(guān)器件072為第二薄膜晶體管器件；其中，第一薄膜晶體管器件的柵極和漏極與傳感控制線06相連，源極與第二薄膜晶體管器件的漏極相連；第二薄膜晶體管器件的柵極與柵極信號(hào)線01，源極與傳感信號(hào)線05相連。進(jìn)一步地，在具體制備時(shí)，在HADS模式的TFT陣列基板上，設(shè)置在像素電極和公共電極之間的絕緣層中，與第一薄膜晶體管器件的漏極對(duì)應(yīng)的區(qū)域無圖案。進(jìn)一步地，上述光學(xué)傳感式觸摸屏還包括與TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，該彩膜基板具有的黑矩陣與第一薄膜晶體管陣器件的漏極對(duì)應(yīng)的區(qū)域也無圖案，保證外界光能通過彩膜基板照射到第一薄膜晶體管器件，當(dāng)有物體遮擋時(shí)，照射到第一薄膜晶體管器件的漏極的光強(qiáng)就會(huì)發(fā)生變化，第一薄膜晶體管器件通過第二薄膜晶體管器件的漏極將 光強(qiáng)變化引起的電壓信號(hào)的變化輸出到傳感信號(hào)線，并通過第二薄膜晶體管器件接收的柵極信號(hào)線的電信號(hào)定位具體位置坐標(biāo)。具體地，上述由兩個(gè)薄膜晶體管器件構(gòu)成的光學(xué)感應(yīng)單元的工作原理如下當(dāng)作為感應(yīng)控制線06的公共電極線02向與其連接的公共電極提供電信號(hào)時(shí)，與其連接的第一薄膜晶體管器件柵極也開啟，透過彩膜基板照射到第一薄膜晶體管器件漏極的光轉(zhuǎn)化為感應(yīng)電信號(hào)從第一薄膜晶體管器件漏極經(jīng)過溝道和第一薄膜晶體管器件的源極，流向與其連接的第二薄膜晶體管漏極；這時(shí)，若與第二薄膜晶體管器件柵極連接的柵極信號(hào)線01提供開啟電信號(hào)，則輸入第二晶體管器件漏極的感應(yīng)電信號(hào)通過溝道和第二晶體管器件源極輸出到傳感信號(hào)線05，實(shí)現(xiàn)光學(xué)感應(yīng)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了上述基于HADS模式的光學(xué)傳感式觸摸屏的制備方法,對(duì)現(xiàn)有的HADS模式液晶顯示面板的制備工藝中各構(gòu)圖進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)優(yōu)化，沒有增加新的構(gòu)圖工藝，不會(huì)增加制備成本，其具體包括以下工藝步驟I :利用一次構(gòu)圖工藝，在TFT陣列基板的襯底08上形成像素柵極041和柵極信號(hào)線01的圖形、作為傳感控制線06的公共電極02的圖形、與傳感控制線06相連的第一薄膜晶體管器件柵極0711的圖形、以及與柵極信號(hào)線01相連的第二薄膜晶體管器件柵極0721的圖形，如圖3a所示；步驟2 :形成覆蓋襯底08的柵絕緣層，以及，利用一次構(gòu)圖工藝，形成位于柵絕緣層之上的像素有源層042的圖形、第一薄膜晶體管器件有源層0712的圖形和第二薄膜晶體管器件有源層0722的圖形，如圖3b所示，其中，在步驟I中制備的圖形使用虛線表示，步驟2中制備的圖形使用實(shí)線表示；較佳地，在步驟2之后，還可以利用一次構(gòu)圖工藝，形成位于柵絕緣層之上的像素電極09的圖形，如3c所示，其中，在步驟I和步驟2中制備的圖形使用虛線表示，本次制備的像素電極09的圖形使用實(shí)線表示；步驟3 :利用一次構(gòu)圖工藝，形成相對(duì)而置形成溝道的像素源極043和漏極044的圖形、與像素源極043相連的數(shù)據(jù)信號(hào)線03的圖形、第一薄膜晶體管器件源極0713和漏極0714的圖形、第二薄膜晶體管器件源極0723和漏極0724的圖形，以及與第二薄膜晶體管器件源極0723相連的傳感信號(hào)線05的圖形，如圖3d所示，其中，在步驟3之前制備的圖形使用虛線表示，本步驟3中制備的圖形使用實(shí)線表示；
較佳地，在步驟3之后，還可以利用一次構(gòu)圖工藝，形成位于像素源極043和漏極044、第一薄膜晶體管器件源極0713和漏極0714、以及第二薄膜晶體管器件源極0723和漏極0724之上的絕緣層10的圖形，如圖3e所示，其中，在此之前制備的圖形使用虛線表示，本次制備的絕緣層10圖形使用實(shí)線表示；具體地，該絕緣層10的圖形與第一薄膜晶體管器件的漏極0713對(duì)應(yīng)的區(qū)域無圖案，如圖3e中陰影部分所示。利用一次構(gòu)圖工藝，形成位于絕緣層之上、像素電極09上方的公共電極11的圖形，如圖3f所示，其中，公共電極11為狹縫狀，使用細(xì)線表示。在上述制備工藝完成后，最終的TFT陣列基板如圖4所示，第一薄膜晶體管器件和第二薄膜晶體管器件組成光學(xué)感應(yīng)單元；用于在傳感控制線06和柵極信號(hào)線01同時(shí)傳遞電信號(hào)時(shí)，將照射到光學(xué)傳感單元的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)通過所述傳感信號(hào)線05輸出。 從上述制備過程可以看出，與現(xiàn)有的制備HADS模式液晶顯示面板相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備工藝并沒有增加新的步驟，只是對(duì)構(gòu)圖工藝進(jìn)行重新設(shè)計(jì)優(yōu)化，在不增加制備成本的情況下實(shí)現(xiàn)的光學(xué)傳感式觸摸屏的設(shè)計(jì)。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于HADS模式的光學(xué)傳感式觸摸屏及其制備方法,在TFT陣列基板的至少一條數(shù)據(jù)信號(hào)線一側(cè)添加傳感信號(hào)線，將至少一條公共電極線設(shè)置為傳感控制線，并在傳感信號(hào)線和傳感控制線交疊處設(shè)置光學(xué)傳感單元，每個(gè)光學(xué)傳感單元與相鄰的柵極信號(hào)線、傳感信號(hào)線和傳感控制線相連，在傳感控制線和柵極信號(hào)線同時(shí)傳遞電信號(hào)時(shí)，將照射到光學(xué)傳感單元的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)通過傳感信號(hào)線輸出，實(shí)現(xiàn)在HADS模式下的光學(xué)傳感式觸控。由于傳感信號(hào)線設(shè)置在數(shù)據(jù)信號(hào)線的一側(cè)，且光學(xué)傳感單元設(shè)置在傳感控制線和傳感信號(hào)線的交疊處，兩者都位于像素單元的非顯示區(qū)域，因此能夠盡量保證開口率開口率；另外，本發(fā)明是在現(xiàn)有的HADS模式的液晶顯示面板上進(jìn)行重新設(shè)計(jì)優(yōu)化，增加了用于觸控感應(yīng)的光學(xué)傳感單元，可以在制備液晶面板各像素單元的同時(shí)制備出光學(xué)傳感單元，不用增加新的工藝步驟，因此也降低了觸摸屏的制作成本。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基于超高級(jí)超維場(chǎng)模式的光學(xué)傳感式觸摸屏，包括具有柵極信號(hào)線、公共電極線和數(shù)據(jù)信號(hào)線的TFT陣列基板，所述柵極信號(hào)線和公共電極線布線方向相同，所述數(shù)據(jù)信號(hào)線與所述柵極信號(hào)線和公共電極線交疊設(shè)置，其特征在于，還包括傳感信號(hào)線、傳感控制線、以及設(shè)置在所述傳感信號(hào)線與所述傳感控制線交疊處的光學(xué)傳感單元；其中， 所述傳感信號(hào)線設(shè)置在至少一條所述數(shù)據(jù)信號(hào)線的ー側(cè)且與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線的布線方向相同； 將至少一條所述公共電極線設(shè)置為所述傳感控制線； 每個(gè)所述光學(xué)傳感單元與相鄰的柵極信號(hào)線、傳感信號(hào)線和傳感控制線相連，用于在傳感控制線和柵極信號(hào)線同時(shí)傳遞電信號(hào)吋，將照射到所述光學(xué)傳感單元的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)通過所述傳感信號(hào)線輸出。
2.如權(quán)利要求I所述的光學(xué)傳感式觸摸屏，其特征在于，所述光學(xué)感應(yīng)單元包括光學(xué)感應(yīng)器件和感應(yīng)開關(guān)器件；其中， 所述光學(xué)感應(yīng)器件與所述傳感控制線和感應(yīng)開關(guān)器件相連，用于在傳感控制線傳遞電信號(hào)吋，將照射到所述光學(xué)感應(yīng)器件的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)輸出到感應(yīng)開關(guān)器件； 所述感應(yīng)開關(guān)器件與所述柵極信號(hào)線和傳感信號(hào)線相連，用于在柵極信號(hào)線傳遞電信號(hào)時(shí)，將光學(xué)感應(yīng)器件輸出的電壓信號(hào)傳遞給所述傳感信號(hào)線。
3.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)傳感式觸摸屏，其特征在于，所述光學(xué)感應(yīng)器件為第一薄膜晶體管器件，所述感應(yīng)開關(guān)器件為第二薄膜晶體管器件；其中， 所述第一薄膜晶體管器件的柵極和漏極與所述傳感控制線相連，源極與所述第二薄膜晶體管器件的漏極相連； 所述第二薄膜晶體管器件的柵極與所述柵極信號(hào)線，源極與所述傳感信號(hào)線相連。
4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)傳感式觸摸屏，其特征在于，所述TFT陣列基板具有設(shè)置于像素電極和公共電極之間的絕緣層，所述絕緣層與所述第一薄膜晶體管器件的溝道區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域無圖案。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)傳感式觸摸屏，其特征在于，還包括與所述TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，所述彩膜基板具有的黑矩陣與所述第一薄膜晶體管陣器件的溝道區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域無圖案。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的光學(xué)傳感式觸摸屏，其特征在于，各所述傳感信號(hào)線之間的間距相同，各所述傳感控制線之間的間距相同。
7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)傳感式觸摸屏，其特征在于，各所述傳感信號(hào)線之間的間距與各所述傳感控制線之間的間距相同。
8.—種如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的基于超高級(jí)超維場(chǎng)模式的光學(xué)傳感式觸摸屏的制備方法，其特征在于，包括 利用一次構(gòu)圖エ藝，在TFT陣列基板的襯底上形成像素柵極和柵極信號(hào)線的圖形、作為傳感控制線的公共電極的圖形、與所述傳感控制線相連的第一薄膜晶體管器件柵極的圖形、以及與所述柵極信號(hào)線相連的第二薄膜晶體管器件柵極的圖形； 形成覆蓋襯底的柵絕緣層，以及，利用一次構(gòu)圖エ藝，形成位于柵絕緣層之上的像素有源層的圖形、第一薄膜晶體管器件有源層的圖形和第二薄膜晶體管器件有源層的圖形； 利用一次構(gòu)圖エ藝，形成相對(duì)而置形成溝道的像素源極和漏極的圖形、與像素源極相連的數(shù)據(jù)信號(hào)線的圖形、第一薄膜晶體管器件源極和漏極的圖形、第二薄膜晶體管器件源極和漏極的圖形，以及與第二薄膜晶體管器件源極相連的傳感信號(hào)線的圖形； 其中，所述第一薄膜晶體管器件和第二薄膜晶體管器件組成光學(xué)感應(yīng)單元。
9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在形成位于柵絕緣層之上的像素有源層的圖形、第一薄膜晶體管器件有源層的圖形和第二薄膜晶體管器件有源層的圖形之后，還包括利用一次構(gòu)圖エ藝，形成位于柵絕緣層之上的像素電極的圖形； 在形成像素源極和漏極的圖形、第一薄膜晶體管器件源極和漏極的圖形、以及第二薄膜晶體管器件源極和漏極的圖形之后，還包括 利用一次構(gòu)圖エ藝，形成位于像素源極和漏極、第一薄膜晶體管器件源極和漏極、以及第二薄膜晶體管器件源極和漏極之上的絕緣層的圖形； 利用一次構(gòu)圖エ藝，形成位于絕緣層之上、像素電極上方的公共電極的圖形。
10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的圖形與所述第一薄膜晶體管器件的漏極對(duì)應(yīng)的區(qū)域無圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了基于超高級(jí)超維場(chǎng)模式的光學(xué)傳感式觸摸屏及其制備方法，在TFT陣列基板的至少一條數(shù)據(jù)信號(hào)線一側(cè)添加傳感信號(hào)線，將至少一條公共電極線設(shè)置為傳感控制線，并在傳感信號(hào)線和傳感控制線交疊處設(shè)置光學(xué)傳感單元，每個(gè)光學(xué)傳感單元在傳感控制線和柵極信號(hào)線同時(shí)傳遞電信號(hào)時(shí)，將照射到光學(xué)傳感單元的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)通過傳感信號(hào)線輸出。由于傳感信號(hào)線設(shè)置在數(shù)據(jù)信號(hào)線的一側(cè)，且光學(xué)傳感單元設(shè)置在傳感控制線和傳感信號(hào)線的交疊處，兩者都位于像素單元的非顯示區(qū)域，因此能夠盡量保證開口率開口率；并且，在制備液晶面板各像素單元的同時(shí)制備出光學(xué)傳感單元，不用增加新的工藝步驟，因此也降低了觸摸屏的制作成本。
文檔編號(hào)G06F3/042GK102955621SQ20121040141
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月19日
發(fā)明者胡明, 徐宇博, 林炳仟 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司