專利名稱：一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝和結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電容屏制造技術領域，更具體地說，涉及一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝和結構。
背景技術：
電容屏是既電阻屏應用后迅速崛起的移動終端屏幕類型，并廣泛應用于移動終端。電容屏有多種類型，其中單層互容觸摸屏的結構由單層納米銦錫金屬氧化物ITOI實現(xiàn)，結合圖Ia-圖Ib所示可視區(qū)域2供用戶實現(xiàn)人機交互，在可視區(qū)域2的邊沿設置有不透光區(qū)域3，用于遮擋驅動可視區(qū)域2的元器件，參見圖lb，所述單層互容觸摸屏上還設置有覆蓋層4，該種結構使用互容觸摸屏原理實現(xiàn)觸摸定位，即在所述觸摸屏上通過計算驅動電極與所有接收電極間的耦合電容值變化量，確定觸摸點坐標。以現(xiàn)有的單層互容觸摸屏為例，所述不透光區(qū)域3的相對介電常數(shù)與所述覆蓋層4的相對介電常數(shù)不同，因而所述可視區(qū)域2與所述不透光區(qū)域3在檢測觸摸點時的耦合電容值變化量將不同，從而在不透光區(qū)域3檢測到觸摸點，同樣的報點條件，將出現(xiàn)報點數(shù)據不準確的技術問題。因而，如何提高所述不透光區(qū)域的報點準確性，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝和結構，以實現(xiàn)提高單層電容屏中不透光區(qū)域的報點準確性的技術目的。一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝，包括在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層，所設置的補償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配?？蛇x地，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下通過真空濺鍍或涂布形成所述補償層?？蛇x地，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配包括所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常
數(shù)一致?？蛇x地，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括在所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間設置補償層，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分平鋪于所述不透光區(qū)域上。可選地，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括
在所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間設置補償層，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域與所述ITO層之間?？蛇x地，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括所述補償層覆蓋所述ITO層內表面?？蛇x地，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括在所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層之間設置補償層，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿相接。可選地，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括 所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的ITO層內表面，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿在同一豎直線上。一種面向單層電容觸摸屏的改良結構，包括所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層，所述補償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配?？蛇x地，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分平鋪于所述不透光區(qū)域上?？蛇x地，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域與所述ITO層之間?？蛇x地，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層覆蓋所述ITO層內表面?？蛇x地，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層之間，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿相接。可選地，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的ITO層內表面，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿在同一豎直線上。從上述的技術方案可以看出，本發(fā)明實施例中的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，通過在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置與不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配的補償層，優(yōu)選為設置與不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)相同的補償層，使單層觸摸屏中的可視區(qū)域與所述不透光區(qū)域在檢測觸摸點時的耦合電容值和耦合電容值變化量一致，從而提高所述不透光區(qū)域的報點準確性。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖Ia為本發(fā)明公開的現(xiàn)有面向單層電容觸摸屏的正視結構示意圖；圖Ib為本發(fā)明公開的現(xiàn)有面向單層電容觸摸屏的縱剖面結構示意圖；圖2為本發(fā)明實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝流程圖；圖3為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝流程圖；圖4為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝流程圖；圖5為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝流程圖；圖6為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝流程圖；圖7為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝流程圖；圖8為本發(fā)明實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良結構示意圖；圖9為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良結構示意圖；圖10為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良結構不意圖；圖11為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良結構示意圖；圖12為本發(fā)明又一實施例公開的一種面向單層電容觸摸屏的改良結構示意圖。
具體實施例方式為了引用和清楚起見，下文中使用的技術名詞、簡寫或縮寫總結如下下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍?，F(xiàn)有的單層互容觸摸屏中，如圖Ia-圖lb，在同樣的報點條件下，單層互容觸摸屏在所述不透光區(qū)域3 (Black matrix)內的報點存在不準確的情況,原因在于,所述不透光區(qū)域3的相對介電常數(shù)與所述覆蓋層4的相對介電常數(shù)不同，從而造成所述不透光區(qū)域3與可視區(qū)域(View area)2出現(xiàn)報點條件不一致的情況，也就是在同樣的報點條件下所述不透光區(qū)域3報點不準確?，F(xiàn)有解決上述不透光區(qū)域3報點不準確的問題所采取的方式是通過軟件算法進行修正，而由于覆蓋層4的材料與所述不透光區(qū)域3的材料的相對介電常數(shù)時常變化，因而軟件算法不僅復雜度高且修正準確度得不到保證。本發(fā)明實施例公開了一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝和結構，以實現(xiàn)提高單層電容屏中不透光區(qū)域的報點準確性的技術目的。圖2示出了一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝，包括S21 :原材料準備；S22 :在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層，所設置的補償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域；所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配。
6
作為優(yōu)選，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致。并且，所述補償層可通過真空濺鍍或涂布設置形成。 當所述單層電容觸摸屏中具備了該補償層后，所述驅動電極與接收電機之間的耦合電容值變化量，可表不為ACdibm: Δ Ciiibm — Ciii1bm-Ciii0bm — f ( ε CD ε B Cf) _f ( ε cl> ε βμ)，其中Cdi0bm= f( ε CL, ε ΒΜ)是在不透光區(qū)域未檢測到觸摸點時，驅動電極與接收電極之間耦合電容，CmlBM =f(eCL, ε BM, Cf)是不透光區(qū)域在檢測到觸摸點時，驅動電極與接收電極之間耦合電容，所述為覆蓋層的相對介電常數(shù)，所述εΒΜ為不透光區(qū)域材料的相對介電常數(shù)，Cf人體與驅動電極之間的耦合電容。優(yōu)選地，當所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致時，所述耦合電容值變化量，可表示為Δ Ciiibm- Δ CmVA-CmlvA-Cm0VA-f ( ε CL, Cf) _f ( ε CL)上述實施例從單層互容觸摸屏的工作原理角度驗證，采用本發(fā)明中的改良工藝，將改觀現(xiàn)有單層觸摸屏中的可視區(qū)域2與所述不透光區(qū)域3在檢測觸摸點時的耦合電容值及耦合電容值變化量不一致的情況。需要說明的是所述補償層可采用透明樹脂類作為相對介電常數(shù)的補償材料，所述透明樹脂類具有良好的耐化學性、耐熱性能，可選用丙烯樹脂、環(huán)氧樹脂好、聚酰亞胺樹脂、硅樹脂等，并不局限。上述實施例中所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配但不一致的情況下，可借助軟件算法輔助實現(xiàn)不透光區(qū)域3報點準確性提聞的技術目的。所述補償層的厚度可由實際應用和相對介電常數(shù)的設置不同而調整，此處不做過多局限。所述覆蓋層通常為玻璃基板，一般地，其厚度約為O. 7mm在本說明書的實施例中，補償層、ITO層及不透光區(qū)域均以該玻璃基板為基礎進行濺鍍或涂布。圖3示出了一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝，包括S31 :原材料準備；S32 :在覆蓋層內表面平鋪補償層；所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配。作為優(yōu)選，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致。并且，所述補償層可通過真空濺鍍或涂布設置形成。S33 :設置不透光區(qū)域；S34:設置 ITO 層。該實施例中，所述補償層位于所述覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間設置補償層，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分平鋪于所述不透光區(qū)域上。
圖4示出了一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝，包括S41 :原材料準備；S42 :設置覆蓋層和不透光區(qū)域；
S43:設置補償層，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域與所述ITO層之間；作為優(yōu)選，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致。并且，所述補償層可通過真空濺鍍或涂布設置形成。344:設置11'0層。該實施例中，在所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間設置補償層。圖5示出了一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝，包括S51 :原材料準備；S52 :設置覆蓋層和不透光區(qū)域；S53 :在所述覆蓋層和不透光區(qū)域內表面設置ITO層；S54 :在所述ITO內表面設置所述補償層。作為優(yōu)選，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致。并且，所述補償層可通過真空濺鍍或涂布設置形成。該實施例中，所述補償層覆蓋所述ITO層內表面，所述ITO層的邊沿設置不透光區(qū)域，所述ITO層上設置覆蓋層。圖6示出了一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝，包括S61 :原材料準備；S62 :設置覆蓋層和不透光區(qū)域；S63:在所述覆蓋層內表面設置補償層，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿相接；作為優(yōu)選，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致。并且，所述補償層可通過真空濺鍍或涂布設置形成。S64 :在所述補償層和所述不透光區(qū)域內表面設置ITO層。本實施例中在所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層之間設置補償層，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿相接。圖7示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝，包括S71 :原材料準備；S72 :在所述覆蓋層和不透光區(qū)域內表面設置ITO層；S73 :在所述ITO的內表面設置補償層，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿
在同一豎直線上。作為優(yōu)選，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致。
并且，所述補償層可通過真空濺鍍或涂布設置形成。本實施例中所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的ITO層內表面，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿在同一豎直線上。
圖8示出了一種面向單層電容觸摸屏的改良結構，包括補償層81，所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層82內表面以下，所述補償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域83的相對介電常數(shù)匹配。在實施例中，所述補償層81設置于覆蓋層82內表面，圖中ITO層84設置于所述不透光區(qū)域83與所述補償層81內表面。作為優(yōu)選，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致。并且，所述補償層可通過真空濺鍍或涂布設置形成。所述補償層的工作原理參見圖I圖示及其說明，此處不再贅述。圖9示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良結構，包括在本實施例中，補償層91設置于所述覆蓋層92內表面與所述ITO層94之間,所述補償層91對應所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域93與所述ITO層94之間，圖中所述補償層91與所述不透光區(qū)域93的平面在所述覆蓋層92內表面。圖10示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良結構，包括在本實施例中，補償層101覆蓋所述ITO層104內表面，所述ITO層104的邊沿設置不透光區(qū)域103，覆蓋層102平鋪在所述ITO層104與所述不透光區(qū)域103表面。圖11示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良結構，包括在本實施例中，補償層111設置于所述覆蓋層112內表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層之間，所述補償層111的邊沿與所述不透光區(qū)域113邊沿相接，圖中所述補償層111與所述不透光區(qū)域113的平面在所述覆蓋層112內表面。圖12示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良結構，包括在本實施例中，補償層121設置于所述ITO層內表面，且所述補償層121的邊沿與所述不透光區(qū)域123邊沿在同一豎直線上，所述ITO層124與所述不透光區(qū)域123表面在覆蓋層122的內表面。上述實施例中的改良結構，從硬件上改進了現(xiàn)有的單層電容觸摸屏層疊結構，使單層觸摸屏中的可視區(qū)域與所述不透光區(qū)域在檢測觸摸點時的耦合電容值和耦合電容值變化量匹配，從而提高所述不透光區(qū)域的報點準確性。綜上所述本發(fā)明實施例中的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，通過在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置與不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配的補償層，優(yōu)選為設置與不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)相同的補償層，使單層觸摸屏中的可視區(qū)域與所述不透光區(qū)域在檢測觸摸點時的耦合電容值和耦合電容值變化量一致，從而提高所述不透光區(qū)域的報點準確性。本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業(yè)技術人員能夠實現(xiàn)或使用本發(fā)明。
9對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明實施例的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明實施例將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權利要求
1.一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝，其特征在于，包括 在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配。
2.如權利要求I所述的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，其特征在于，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下通過真空濺鍍或涂布形成所述補償層。
3.如權利要求I所述的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，其特征在于，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配包括所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一致。
4.如權利要求1-3任一項權利要求所述的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，其特征在于，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括在所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間設置補償層，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分平鋪于所述不透光區(qū)域上。
5.如權利要求1-3任一項權利要求所述的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，其特征在于，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括在所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間設置補償層，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域與所述ITO層之間。
6.如權利要求1-3任一項權利要求所述的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，其特征在于，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括所述補償層覆蓋所述ITO層內表面。
7.如權利要求1-3任一項權利要求所述的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，其特征在于，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括在所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層之間設置補償層，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿相接。
8.如權利要求1-3任一項權利要求所述的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，其特征在于，所述在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的ITO層內表面，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿在同一豎直線上。
9.一種面向單層電容觸摸屏的改良結構，其特征在于，包括所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層，所述補償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配。
10.如權利要求9所述的面向單層電容觸摸屏的改良結構，其特征在于，在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下通過真空濺鍍或涂布形成所述補償層；所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)一
11.如權利要求9或10任一項權利要求所述的面向單層電容觸摸屏的改良結構，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分平鋪于所述不透光區(qū)域上。
12.如權利要求9或10任一項權利要所述的面向單層電容觸摸屏的改良結構，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間，所述補償層對應所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域與所述ITO層之間。
13.如權利要求9或10任一項權利要所述的面向單層電容觸摸屏的改良結構，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層覆蓋所述ITO層內表面。
14.如權利要求9或10任一項權利要所述的面向單層電容觸摸屏的改良結構，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層之間，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿相接。
15.如權利要求9或10任一項權利要所述的面向單層電容觸摸屏的改良結構，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置有補償層包括所述補償層設置于所述單層電容觸摸屏的ITO層內表面，所述補償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿在同一豎直線上。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種面向單層電容觸摸屏的改良工藝和結構，其中工藝包括在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置補償層，所設置的補償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域，所述補償層的相對介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配。本發(fā)明實施例中的面向單層電容觸摸屏的改良工藝，通過在單層電容觸摸屏的覆蓋層內表面以下設置與不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)匹配的補償層，優(yōu)選為設置與不透光區(qū)域的相對介電常數(shù)相同的補償層，使單層觸摸屏中的可視區(qū)域與所述不透光區(qū)域在檢測觸摸點時的耦合電容值和耦合電容值變化量一致，從而提高所述不透光區(qū)域的報點準確性。
文檔編號G06F3/044GK102929468SQ20121046658
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月16日 優(yōu)先權日2012年11月16日
發(fā)明者王朋, 侯衛(wèi)京, 郭明, 李華, 劉伯政, 劉輝 申請人:敦泰科技有限公司