專利名稱：一種電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線。
背景技術(shù)：
電容式觸摸屏是在玻璃表面鍍上一層透明的特殊導(dǎo)電物質(zhì)。當(dāng)手指觸摸在玻璃上時(shí)，觸點(diǎn)的電容就會(huì)發(fā)生變化，使得與之相連的振蕩器頻率發(fā)生變化，通過測(cè)量頻率變化可以獲得確定的觸摸位置信息。電容屏的工作原理是電容式觸摸屏在觸摸屏四邊均鍍上狹長(zhǎng)的電極，在導(dǎo)電體內(nèi)形成一個(gè)低電壓交流電場(chǎng)。在觸摸屏幕時(shí)，由于人體電場(chǎng)，手指與導(dǎo)體層間會(huì)形成一個(gè)耦合電容，四邊電極發(fā)出的電流會(huì)流向觸點(diǎn)，而電流強(qiáng)弱與手指到電極的距離成正比，位于觸摸屏幕后的控制器便會(huì)計(jì)算電流的比例及強(qiáng)弱，準(zhǔn)確算出觸摸點(diǎn)的位置。電容觸摸屏的雙玻璃不但能保護(hù)導(dǎo)體及感應(yīng)器，更有效地防止外在環(huán)境因素對(duì)觸摸屏造成影響，就算屏幕沾有污穢、塵?；蛴蜐?，電容式觸摸屏依然能準(zhǔn)確算出觸摸位置。 近年來，由于電容式觸摸屏具有抗損傷、耐劃傷、易清潔、靈敏度高、可以實(shí)現(xiàn)多觸點(diǎn)工作和可開發(fā)性強(qiáng)的特點(diǎn)；美國(guó)蘋果公司(Apple)、韓國(guó)三星公司(Samsung)、芬蘭諾基亞(Nokia)、中國(guó)聯(lián)想(Lenovo)和中國(guó)中興(ZTE)等手機(jī)廠商大量采用觸摸屏技術(shù)。觸摸屏的需求量巨大，而現(xiàn)有的生產(chǎn)觸摸屏鍍膜玻璃的生產(chǎn)線大都不能批量化連續(xù)的生產(chǎn)，生產(chǎn)效率低下，難以滿足市場(chǎng)需求。觸摸屏結(jié)構(gòu)內(nèi)具有以下幾種薄膜和相應(yīng)的鍍膜方式
1、氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電層，采用直流磁控濺射鍍膜方式；
2、鑰鋁鑰(MoAlMo)復(fù)合金屬電極層，采用直流磁控濺射鍍膜方式；
3、氧化鈮(Nb205)光學(xué)介質(zhì)層，采用中頻磁控濺射鍍膜方式；
4、氧化硅(Si02)光學(xué)介質(zhì)層，采用中頻磁控濺射鍍膜方式?，F(xiàn)有的生產(chǎn)觸摸屏鍍膜玻璃的生產(chǎn)線大都只能滿足一種薄膜材料的鍍膜，而不能同時(shí)滿足多種薄膜材料鍍膜的不同工藝的要求，因此生產(chǎn)不同的鍍膜觸摸屏，需要不同的生產(chǎn)線,成本高。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)了電容式觸摸屏批量連續(xù)生產(chǎn)，且一條生產(chǎn)線可滿足不同種類的薄膜材料的觸摸屏的生產(chǎn)。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是包括真空鍍膜腔體和多個(gè)腔體支架，所述的真空鍍膜腔體安裝在多個(gè)腔體支架上，內(nèi)部設(shè)有內(nèi)傳送系統(tǒng)，真空鍍膜腔體依次分為進(jìn)口真空段、進(jìn)口緩沖真空段、進(jìn)口過渡真空段、工藝鍍膜真空段、出口過渡真空段、出口緩沖真空段和出口真空段七段；
所述的進(jìn)口真空段，進(jìn)口處設(shè)有翻板閥，一側(cè)設(shè)有腔體維修門，附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)，前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與進(jìn)口真空段的底部連接；所述的進(jìn)口緩沖真空段與進(jìn)口真空段連接處設(shè)有插板閥，進(jìn)口緩沖真空段一側(cè)設(shè)有六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)，進(jìn)口緩沖真空段的底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與前級(jí)抽氣連接管道和六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)連接；進(jìn)口緩沖真空段附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)，前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與前級(jí)抽氣連接管道連接;
所述的進(jìn)口過渡真空段與進(jìn)口緩沖真空段連接處設(shè)有插板閥，進(jìn)口過渡真空段的一側(cè)安裝有六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)，進(jìn)口過渡真空段的底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)和抽氣連接管道連接；
所述的工藝鍍膜真空段包括多個(gè)工藝真空模塊及至少一個(gè)工藝隔離真空模塊，每個(gè)工藝真空模塊的一側(cè)均安裝有三位二裝分子泵門和雙陰極門，底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與三位二裝分子泵門和抽氣連接管道連接；工藝鍍膜真空段附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)；前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與抽氣連接管道連通；所述的分子泵抽氣連接耦合器上設(shè)有三位三裝分子泵門；所述真空隔離模塊的一側(cè)安裝有六位五裝分子泵門；
所述的出口過渡真空段與工藝鍍膜真空段連接處設(shè)有插板閥，出口過渡真空段一側(cè)設(shè)有六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)，出口過渡真空段的底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)和抽氣連接管道連接；
所述的出口緩沖真空段與出口過渡真空段連接處設(shè)有插板閥，出口緩沖真空段的一側(cè)設(shè)有六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)，出口緩沖真空段的底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)和前級(jí)抽氣連接管道連接；出口緩沖真空段附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)，前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與前級(jí)抽氣連接管道連通；
所述的出口真空段與出口緩沖真空段連接處設(shè)有插板閥，出口真空段出口處設(shè)有翻板閥，一側(cè)設(shè)有腔體維修門，附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)，前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與出口真空段的底部連接。上述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線中，還包括進(jìn)片架、出片架和回片架，進(jìn)片架設(shè)在進(jìn)口真空段的進(jìn)口附近，進(jìn)片架附近設(shè)有進(jìn)片平移臺(tái)；出片架設(shè)在出口真空段的出口附近，出片架附近設(shè)有出片平移臺(tái)；所述回片架與真空鍍膜腔體平行，設(shè)置在真空鍍膜腔體附近；所述進(jìn)片架、出片架和回片架上設(shè)有外傳送系統(tǒng)；
上述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線中，所述前級(jí)抽氣系統(tǒng)連接的抽氣管道上設(shè)有蝶閥。上述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線中，所述真空鍍膜腔體采用SUS304不銹鋼焊接而成。上述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線中，所述內(nèi)傳送系統(tǒng)由內(nèi)摩擦R輪和磁導(dǎo)向組成。上述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線中，所述外傳送系統(tǒng)由外摩擦R輪、磁導(dǎo)向和安裝支架組成。上述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線中，還包括純水冷卻供給系統(tǒng)、壓縮空氣供給系統(tǒng)，設(shè)置在真空鍍膜腔體的下方。
上述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線中，真空鍍膜腔體的上端還設(shè)有安裝線槽。本發(fā)明的技術(shù)效果在于本發(fā)明的真空腔體之間采用插板閥隔開，可以實(shí)現(xiàn)有效隔斷，穩(wěn)定工藝氣體，密封性更好，更耐用；本發(fā)明傳動(dòng)裝置采用磁導(dǎo)向，傳送平穩(wěn)性好；本發(fā)明適用于電容式觸摸屏用的鑰鋁鑰(MoAlMo)復(fù)合膜層、透明氧化銦錫薄膜(ΙΤ0)、氧化鈮(Nb205)膜和氧化硅(Si02)膜的連續(xù)批量生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高，且生產(chǎn)不同鍍膜材料的觸摸屏，不需要另行建設(shè)新的生產(chǎn)線，節(jié)約了成本。


圖I是本發(fā)明的進(jìn)口真空段的主視圖。圖2是本發(fā)明的進(jìn)口真空段的俯視圖。
圖3是本發(fā)明的進(jìn)口緩沖真空段的主視圖。圖4是本發(fā)明的進(jìn)口緩沖真空段的俯視圖。圖5是本發(fā)明的進(jìn)口過渡真空段的主視圖。圖6是本發(fā)明的進(jìn)口過渡真空段的俯視圖。圖7是本發(fā)明的工藝鍍膜真空段的主視圖。圖8是本發(fā)明的工藝鍍膜真空段的俯視圖。圖9是本發(fā)明的出口過渡真空段的主視圖。圖10是本發(fā)明的出口過渡真空段的俯視圖。圖11是本發(fā)明的出口緩沖真空段的主視圖。圖12是本發(fā)明的出口緩沖真空段的俯視圖。圖13是本發(fā)明的出口真空段的主視圖。圖14是本發(fā)明的出口真空段的俯視圖。圖15是本發(fā)明的出口真空段和進(jìn)口真空段的左視圖。圖16是進(jìn)口緩沖真空段、工藝鍍膜真空段和出口緩沖真空段的左視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。由圖f 16所示，本發(fā)明包括真空鍍膜腔體I、多個(gè)腔體支架2和回片架3，所述的真空鍍膜腔體I安裝在多個(gè)腔體支架2上，內(nèi)部設(shè)有內(nèi)傳送系統(tǒng)，真空鍍膜腔體I依次分為進(jìn)口真空段11、進(jìn)口緩沖真空段12、進(jìn)口過渡真空段13、工藝鍍膜真空段14、出口過渡真空段15、出口緩沖真空段16和出口真空段17七段，進(jìn)口真空段11的進(jìn)口附近設(shè)有進(jìn)片架4，進(jìn)片架4附近設(shè)有進(jìn)片平移臺(tái)5 ;出口真空段17的出口附近設(shè)有出片架6，出片架6附近設(shè)有出片平移臺(tái)7 ;所述回片架3與真空鍍膜腔體I平行，設(shè)置在真空鍍膜腔體I附近；所述進(jìn)片架4、出片架6和回片架3上設(shè)有外傳送系統(tǒng)；所述的真空鍍膜腔體I采用SUS304不銹鋼焊接而成。如圖1、2所示，所述的進(jìn)口真空段11，進(jìn)口處設(shè)有翻板閥1-1，一側(cè)設(shè)有腔體維修門1-2，如圖15所示，附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6，前級(jí)抽氣系統(tǒng)
1-6通過抽氣管道1-3與進(jìn)口真空段11的底部連接，抽氣管道1-3上設(shè)有蝶閥1-5。
如圖3、4所示，所述的進(jìn)口緩沖真空段12與進(jìn)口真空段11連接處設(shè)有插板閥2-1，進(jìn)口緩沖真空段12—側(cè)設(shè)有六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)2-4，進(jìn)口緩沖真空段12的底部通過分子泵抽氣連接耦合器2-3分別與前級(jí)抽氣連接管道2-2和六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)2-4連接；如圖16所示，進(jìn)口緩沖真空段12附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6，前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6通過抽氣管道1-3與前級(jí)抽氣連接管道2-2連接。如圖5、6所示，所述的進(jìn)口過渡真空段13與進(jìn)口緩沖真空段12連接處設(shè)有插板閥2-1，進(jìn)口過渡真空段13的一側(cè)安裝有六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)3-1，進(jìn)口過渡真空段13的底部通過分子泵抽氣連接耦合器2-3分別與六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)3-1和抽氣連接管道3-2連接。如圖7、8所示，所述的工藝鍍膜真空段14包括五個(gè)工藝真空模塊14-1及一個(gè)工 藝隔離真空模塊14-2，每個(gè)工藝真空模塊14-1的一側(cè)均安裝有三位二裝分子泵門4-2和雙陰極門4-1，底部通過分子泵抽氣連接耦合器2-3分別與三位二裝分子泵門4-2和抽氣連接管道3-2連接；如圖16所示，工藝鍍膜真空段14附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6 ;前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6通過抽氣管道1-3與抽氣連接管道3-2連通，抽氣管道1-3上設(shè)有蝶閥1-5 ;所述的分子泵抽氣連接耦合器2-3上設(shè)有三位三裝分子泵門4-3，所述工藝隔離真空模塊14-2的一側(cè)安裝有六位五裝分子泵門。如圖9、10所示，所述的出口過渡真空段15與工藝鍍膜真空段14連接處設(shè)有插板閥2-1，出口過渡真空段15 —側(cè)設(shè)有六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)3-1，出口過渡真空段15底部通過分子泵抽氣連接耦合器2-3分別與六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)3-1和抽氣連接管道3-2連接。如圖11、12所示，所述的出口緩沖真空段16與出口過渡真空段15連接處設(shè)有插板閥2-1，出口緩沖真空段16的一側(cè)設(shè)有六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)2-4，出口緩沖真空段16的底部通過分子泵抽氣連接耦合器2-3分別與六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)2-4和前級(jí)抽氣連接管道2-2連接；如圖16所示，出口緩沖真空段16附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6，前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6通過抽氣管道1-3與前級(jí)抽氣連接管道2-2連通；抽氣管道1-3上設(shè)有蝶閥1-5。如圖13、14所示，所述的出口真空段17與出口緩沖真空段16連接處設(shè)有插板閥
2-1，出口真空段17的出口處設(shè)有翻板閥1-1，一側(cè)設(shè)有腔體維修門1-2，附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6，如圖15所示，前級(jí)抽氣系統(tǒng)1-6通過抽氣管道1-3與出口真空段17的底部連接，抽氣管道1-3上設(shè)有蝶閥1-5。如圖15、16所示，上述的所述內(nèi)傳送系統(tǒng)由內(nèi)摩擦R輪10和磁導(dǎo)向21組成，外傳送系統(tǒng)由外摩擦R輪22、磁導(dǎo)向21和安裝支架23組成。所述真空鍍膜腔體I的上端還設(shè)有安裝線槽20，本發(fā)明還包括純水冷卻供給系統(tǒng)8、壓縮空氣供給系統(tǒng)9，設(shè)置在真空鍍膜腔體I的下方。本發(fā)明玻璃的裝在方式為立式裝載，尤其適合生產(chǎn)厚度在O. 33mm到I. Imm之間的觸摸屏玻璃鍍膜。
權(quán)利要求
1.一種電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征是包括真空鍍膜腔體和多個(gè)腔體支架，所述的真空鍍膜腔體安裝在多個(gè)腔體支架上，內(nèi)部設(shè)有內(nèi)傳送系統(tǒng)，真空鍍膜腔體依次分為進(jìn)口真空段、進(jìn)口緩沖真空段、進(jìn)口過渡真空段、工藝鍍膜真空段、出口過渡真空段、出口緩沖真空段和出口真空段七段； 所述的進(jìn)口真空段，進(jìn)口處設(shè)有翻板閥，一側(cè)設(shè)有腔體維修門，附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)，前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與進(jìn)口真空段的底部連接； 所述的進(jìn)口緩沖真空段與進(jìn)口真空段連接處設(shè)有插板閥，進(jìn)口緩沖真空段一側(cè)設(shè)有六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)，進(jìn)口緩沖真空段的底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與前級(jí)抽氣連接管道和六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)連接；進(jìn)口緩沖真空段附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)，前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與前級(jí)抽氣連接管道連接; 所述的進(jìn)口過渡真空段與進(jìn)口緩沖真空段連接處設(shè)有插板閥，進(jìn)口過渡真空段的一側(cè)安裝有六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)，進(jìn)口過渡真空段的底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)和抽氣連接管道連接； 所述的工藝鍍膜真空段包括多個(gè)工藝真空模塊及至少一個(gè)工藝隔離真空模塊，每個(gè)工藝真空模塊的一側(cè)均安裝有三位二裝分子泵門和雙陰極門，底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與三位二裝分子泵門和抽氣連接管道連接；工藝鍍膜真空段附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)；前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與抽氣連接管道連通；所述的分子泵抽氣連接耦合器上設(shè)有三位三裝分子泵門；所述真空隔離模塊的一側(cè)安裝有六位五裝分子泵門； 所述的出口過渡真空段與工藝鍍膜真空段連接處設(shè)有插板閥，出口過渡真空段一側(cè)設(shè)有六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)，出口過渡真空段的底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與六位二裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)和抽氣連接管道連接； 所述的出口緩沖真空段與出口過渡真空段連接處設(shè)有插板閥，出口緩沖真空段的一側(cè)設(shè)有六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)，出口緩沖真空段的底部通過分子泵抽氣連接耦合器分別與六位三裝分子泵高真空抽氣系統(tǒng)和前級(jí)抽氣連接管道連接；出口緩沖真空段附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)，前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與前級(jí)抽氣連接管道連通； 所述的出口真空段與出口緩沖真空段連接處設(shè)有插板閥，出口真空段出口處設(shè)有翻板閥，一側(cè)設(shè)有腔體維修門，附近設(shè)有由機(jī)械泵與羅茲泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)，前級(jí)抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與出口真空段的底部連接。
2.如權(quán)利要求I所述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征是還包括進(jìn)片架、出片架和回片架，進(jìn)片架設(shè)在進(jìn)口真空段的進(jìn)口附近，進(jìn)片架附近設(shè)有進(jìn)片平移臺(tái)；出片架設(shè)在出口真空段的出口附近，出片架附近設(shè)有出片平移臺(tái)；所述回片架與真空鍍膜腔體平行，設(shè)置在真空鍍膜腔體附近；所述進(jìn)片架、出片架和回片架上設(shè)有外傳送系統(tǒng)。
3.如權(quán)利要求I所述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征是所述前級(jí)抽氣系統(tǒng)連接的抽氣管道上設(shè)有蝶閥。
4.如權(quán)利要求I所述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征是所述真空鍍膜腔體采用SUS304不銹鋼焊接而成。
5.如權(quán)利要求I所述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征是所述內(nèi)傳送系統(tǒng)由內(nèi)摩擦R輪和磁導(dǎo)向組成。
6.如權(quán)利要求I所述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征是真空鍍膜腔體的上端還設(shè)有安裝線槽。
7.如權(quán)利要求I所述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征是所述外傳送系統(tǒng)由外摩擦R輪、磁導(dǎo)向和安裝支架組成。
8.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6或7所述的電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征是還包括純水冷卻供給系統(tǒng)、壓縮空氣供給系統(tǒng)，設(shè)置在真空鍍膜腔體的下方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電容式觸摸屏磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，包括真空鍍膜腔體和多個(gè)腔體支架，所述的真空鍍膜腔體安裝在多個(gè)腔體支架上，內(nèi)部設(shè)有內(nèi)傳送系統(tǒng)，真空鍍膜腔體依次分為進(jìn)口真空段、進(jìn)口緩沖真空段、進(jìn)口過渡真空段、工藝鍍膜真空段、出口過渡真空段、出口緩沖真空段和出口真空段七段；每段均設(shè)有抽氣系統(tǒng)。本發(fā)明真空腔體之間采用插板閥隔開，可以實(shí)現(xiàn)有效隔斷，穩(wěn)定工藝氣體；傳送系統(tǒng)采用磁導(dǎo)向，平穩(wěn)性好；本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了電容式觸摸屏連續(xù)批量生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102943243SQ201210488658
公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月27日
發(fā)明者郭愛云, 黃國(guó)興, 孫桂紅, 祝海生, 梁紅, 黃樂 申請(qǐng)人:湘潭宏大真空技術(shù)股份有限公司