專(zhuān)利名稱(chēng)：基于sram的puf的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)及其實(shí)現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)及其實(shí)現(xiàn)方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)芯片的防偽依賴(lài)于各種加密算法，在系統(tǒng)中(例如在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中)儲(chǔ)存關(guān)鍵秘密/密鑰，能夠被復(fù)制或較容易泄密。另外，由于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器在90nm以下工藝很難生產(chǎn)，因此，芯片防偽系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要一個(gè)革命。當(dāng)前芯片設(shè)計(jì)者和生產(chǎn)技術(shù)人員正在努力地消除工藝差別(Process Variation)以保證每一個(gè)生產(chǎn)出的芯片與下一個(gè)完全一致。但是工藝差別是不可能被完全消除的，我們可以利用這個(gè)工藝差別來(lái)區(qū)分每個(gè)芯片。這種工藝差別可以當(dāng)做是芯片的指紋，也就是說(shuō)每個(gè)芯片有獨(dú)特的指紋，通過(guò)該對(duì)特的指紋可以識(shí)別芯片。由于，每個(gè)芯片都有一些獨(dú)一無(wú)二的物理特性，并且沒(méi)辦法從合法的正版芯片中提取這些物理特性并復(fù)制到另一芯片上，因此，它們泛指“物理不可克隆功能”(Physical Unclonable Function,簡(jiǎn)稱(chēng)為PUF)。物理不可克隆功能(PUF)不可能是一種完全隨機(jī)現(xiàn)象，盡管芯片與芯片之間不應(yīng)有PUF相關(guān)性，但是同一芯片內(nèi)PUF必定可以可靠地重復(fù)。換句話說(shuō)，兩個(gè)設(shè)備PUF應(yīng)完全不同；同一芯片PUF不論在什么情況下必須完全一致。而PUF的可靠性恰恰是PUF難以廣泛使用的關(guān)鍵。現(xiàn)有的芯片PUF主要基于兩種物理特性一是芯片的路徑延遲，二是靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)的上電初始態(tài)。無(wú)論哪種PUF，可靠性都是首要問(wèn)題，因此，各種糾錯(cuò)和統(tǒng)計(jì)技術(shù)被應(yīng)用到基于PUF的驗(yàn)證系統(tǒng)中。上述方法存在的問(wèn)題是(I)糾錯(cuò)技術(shù)不是萬(wàn)能的，這是由于所選PUF的物理特性對(duì)環(huán)境變化如溫度和電壓的敏感性導(dǎo)致PUF的不可靠性，糾錯(cuò)技術(shù)的成功與否將取決于選擇穩(wěn)定可靠的PUF單元；(2)統(tǒng)計(jì)技術(shù)使得芯片注冊(cè)非常麻煩，這是由于芯片注冊(cè)過(guò)程就是通過(guò)不同環(huán)境下的重復(fù)實(shí)驗(yàn)得到穩(wěn)定的物理特性，并將之記錄在案的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程阻礙PUF驗(yàn)證的實(shí)際應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種設(shè)計(jì)合理、可靠性高且使用方便的基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)及其實(shí)現(xiàn)方法。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題是采取以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)，包括BISE控制器、電壓調(diào)節(jié)器、溫度調(diào)節(jié)器、累加器、SRAMl和SRAM2，BISE控制器輸出端連接到電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器的輸出端連接到SRAM2上，BISE控制器分別與SRAMl、SRAM2和累加器相連接，SRAMU SRAM2分別與累加器的兩個(gè)輸入端相連接，該累加器的輸出端連接到SRAMl上，該SRAMl輸出PUF單元。而且，所述的SRAMl和SRAM2具有同樣的大小和地址空間。
而且，所述的電壓調(diào)節(jié)器包括選擇電壓輸出單元和多個(gè)分壓電阻，工作電壓VDD通過(guò)分壓電阻連接到選擇電壓輸出單元上，該選擇電壓輸出單元在BISE控制器的控制下向SRAM2輸出不同的電壓。而且，所述的溫度調(diào)節(jié)器包括計(jì)數(shù)器，該計(jì)數(shù)器在BISE控制器的控制下，向SRAM2循環(huán)交替寫(xiě)入“O”和“1”，從而調(diào)節(jié)SRAM2的溫度。一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方法，包括以下步驟步驟1:BISE控制器由初始態(tài)自動(dòng)進(jìn)入檢測(cè)模式0，進(jìn)行檢測(cè)并輸出檢測(cè)模式O下的PUF單元。步驟2 =BISE控制器自動(dòng)進(jìn)入檢測(cè)模式1，進(jìn)行檢測(cè)并輸出檢測(cè)模式I下的PUF單
J Li ο而且，所述檢測(cè)模式O的檢測(cè)過(guò)程為首先，SRAMl所有單元被初始化成“O”;然后，在各種環(huán)境參數(shù)組合下，SRAM2上電并讀取SRAM2的每個(gè)單元的初始邏輯值，將該邏輯值和SRAMl相應(yīng)單元的邏輯值進(jìn)行邏輯“或”運(yùn)算并把結(jié)果存入SRAMl相應(yīng)單元，重復(fù)以上操作直到所有環(huán)境參數(shù)全部遍歷完畢；最后，將穩(wěn)定可靠的SRAM2 “O”的單元地址輸出作為PUF特征地址，“O”作為這些特征地址的特征值。而且，所述檢測(cè)模式I的檢測(cè)過(guò)程為首先，SRAMl所有單元被初始化成“ I”;然后，在各種環(huán)境參數(shù)組合下，SRAM2上電并讀取SRAM2的每個(gè)單元的初始邏輯值，將該邏輯值和SRAMl相應(yīng)單元的邏輯值進(jìn)行邏輯“與”運(yùn)算并把結(jié)果存入SRAMl相應(yīng)單元，重復(fù)以上操作直到所有環(huán)境參數(shù)全部遍歷完畢；最后，將穩(wěn)定可靠的SRAM2的“I”的單元地址輸出作為PUF特征地址，“ I ”作為這些特征地址的特征值。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是本發(fā)明通過(guò)BISE控制器、電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器能夠輸出穩(wěn)定的PUF單元，可廣泛集成在需要保護(hù)的芯片內(nèi)，具有設(shè)計(jì)合理、可靠性高、使用方便等特點(diǎn)。


圖1為SRAM的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的系統(tǒng)連接示意圖；圖3為電壓調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為溫度調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明的BISE控制器的處理流程圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳述。一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)，如圖1所示，是基于SRAM的PUF并集成在需要保護(hù)的芯片內(nèi)，同樣本自我注冊(cè)系統(tǒng)(BuiId-1n-Self-EnrolIment)也可以應(yīng)用到基于路徑延遲的PUF驗(yàn)證系統(tǒng)。下面結(jié)合圖1所示，對(duì)基于SRAM的PUF進(jìn)行介紹。芯片PUF利用同一芯片設(shè)計(jì)在生產(chǎn)中由于工藝差別造成的獨(dú)立物理特性來(lái)特征化每一芯片。由于SRAM幾乎被每一計(jì)算機(jī)設(shè)備廣泛應(yīng)用，因此，其上電初始態(tài)可被用作PUF。一個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的單元是由六個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管(FET)形成的交叉耦合反相器，如圖1所示，一個(gè)反相器驅(qū)動(dòng)A，另一個(gè)反相器驅(qū)動(dòng)B。當(dāng)斷電時(shí)，AB=OO,這是一個(gè)非穩(wěn)態(tài)；一旦來(lái)電，這個(gè)非穩(wěn)態(tài)就會(huì)變成一個(gè)穩(wěn)態(tài)“O”(AB=Ol)或者“I”(AB=10)。究竟會(huì)變成“O”還是“ I”取決于以下兩個(gè)條件(I)兩邊FET閾值電壓差(Vth);(2)熱噪聲(由Lrff，Vnoise和Tsub決定)。如果兩邊FET閾值電壓差較大，那么這個(gè)SRAM單元的初始態(tài)就會(huì)穩(wěn)定地偏向“O”或者偏向“I”而不受熱噪聲影響。如果兩邊FET閾值電壓差較小，那么這個(gè)SRAM單元的初始態(tài)就會(huì)由熱噪聲決定隨機(jī)地偏向“O”或者偏向“I”。不同SRAM單元會(huì)表現(xiàn)隨機(jī)并彼此獨(dú)立。因此，本自我注冊(cè)系統(tǒng)就是要找到一些初始態(tài)為穩(wěn)定的“O”或“I”的單元，從而形成這個(gè)芯片的特征地址/特征值序列；同時(shí),不同芯片由于Process Variation會(huì)形成不同的特征地址/特征值序列。下面結(jié)合圖2給出的自我注冊(cè)系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)，包括BISE控制器、電壓調(diào)節(jié)器、溫度調(diào)節(jié)器、累加器、SRAMl和SRAM2，BISE控制器輸出端連接到電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器相連接控制電壓調(diào)節(jié)和溫度調(diào)節(jié)，BISE控制器分別與SRAM1、SRAM2和累加器相連接，電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器的輸出端連接到SRAM2上，SRAMU SRAM2分別與累加器的兩個(gè)輸入端相連接，該累加器的輸出端連接到SRAMl上，該SRAMl輸出可靠的PUF單元。所述的SRAMl和SRAM2有同樣的大小和地址空間。下面對(duì)系統(tǒng)中的各個(gè)部分分別進(jìn)行說(shuō)明BISE控制器作為系統(tǒng)的核心，內(nèi)置有自我注冊(cè)系統(tǒng)處理軟件和包括預(yù)設(shè)定的一系列的電壓和溫度的組合的環(huán)境參數(shù)，通過(guò)該處理軟件控制電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器遍歷所有環(huán)境參數(shù)，從而自動(dòng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的PUF單元的功能。電壓調(diào)節(jié)器，如圖3所示，包括選擇電壓輸出單元和多個(gè)分壓電阻，工作電壓VDD通過(guò)分壓電阻連接到選擇電壓輸出單元上，該選擇電壓輸出單元在BISE控制器的控制下，向SRAM2輸出不同的電壓。當(dāng)BISE控制器輸出“0000”到電壓調(diào)節(jié)器，它將輸出O電壓到SRAM2。其他4-bit組合在正常電壓的A%-B% (例如80%_120%)之間線性選擇一個(gè)電壓作為SRAM2的VDD。電壓調(diào)節(jié)器可以模擬各種電壓在有效范圍內(nèi)波動(dòng)的情況，并在此環(huán)境參數(shù)基礎(chǔ)上選擇穩(wěn)定可靠的PUF單元。溫度調(diào)節(jié)器，如圖4所示，包括計(jì)數(shù)器，該計(jì)數(shù)器在BISE控制器的控制下，向SRAM2循環(huán)交替寫(xiě)入“O”和“1”，從而調(diào)節(jié)SRAM2的溫度。半導(dǎo)體器件的功率是由晶體管的翻轉(zhuǎn)頻率直接決定的。我們用重復(fù)交替寫(xiě)入“O”和“I”來(lái)增加SRAM2的功率，從而間接調(diào)控SRAM2的溫度。以前的做法是調(diào)控環(huán)境溫度，繼而調(diào)控基片噪聲。由于同一 SRAM單元的兩個(gè)反相器有相同的基片噪聲，它們將互相抵消。因此用重復(fù)交替寫(xiě)入SRAM來(lái)模擬溫度波動(dòng)比已往的方法更加有效。當(dāng)BISE控制器輸出“1111”到溫度調(diào)節(jié)器，它將產(chǎn)生16次交替的“0”，“ I”寫(xiě)入直到記數(shù)器遞減為“0000”。溫度調(diào)節(jié)器可以輸入更多位元來(lái)模擬更大范圍內(nèi)的溫度波動(dòng)的情況，并在此環(huán)境參數(shù)基礎(chǔ)上選擇穩(wěn)定可靠的PUF單元。一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)方法，包括以下步驟步驟1:BISE控制器由初始態(tài)自動(dòng)進(jìn)入檢測(cè)模式0，檢測(cè)后輸出檢測(cè)模式O下的可靠的PUF單元。具體檢測(cè)過(guò)程如下首先，SRAMl所有單元被初始化成“O”。然后，在各種環(huán)境參數(shù)(電壓/溫度)組合下，SRAM2上電，并讀取SRAM2的每個(gè)單元的初始邏輯值。我們把這個(gè)邏輯值和SRAMl相應(yīng)單元的邏輯值進(jìn)行邏輯“或”運(yùn)算，并把結(jié)果存入SRAMl相應(yīng)單元。我們重復(fù)以上操作直到所有環(huán)境參數(shù)全部遍歷完畢。這時(shí)只有在不同環(huán)境參數(shù)下一直得到穩(wěn)定初始“O”的SRAM2的單元，它對(duì)應(yīng)的SRAMl單元才能得到“O”。如果在某一環(huán)境參數(shù)下，SRAM2的某單元得到初始“1”，由于邏輯“或”運(yùn)算，它對(duì)應(yīng)的SRAMl單元將一直得到“I”。最后，當(dāng)遍歷完所有環(huán)境參數(shù)，我們將穩(wěn)定可靠的SRAM2 “O”的單元地址輸出作為PUF特征地址，“O”作為這些特征地址的特征值。步驟2 :BISE控制器自動(dòng)進(jìn)入檢測(cè)模式1，檢測(cè)后輸出檢測(cè)模式I下的可靠的PUF單元。具體檢測(cè)過(guò)程如下首先SRAMl所有單元被初始化成“I”。然后在各種環(huán)境參數(shù)(電壓/溫度)組合下，SRAM2上電，并讀取SRAM2的每個(gè)單元的初始邏輯值。我們把這個(gè)邏輯值和SRAMl相應(yīng)單元的邏輯值進(jìn)行邏輯“與”運(yùn)算，并把結(jié)果存入SRAMl相應(yīng)單元。我們重復(fù)以上操作直到所有環(huán)境參數(shù)全部遍歷完畢。這時(shí)只有在不同環(huán)境參數(shù)下一直得到穩(wěn)定初始“I”的SRAM2的單元，它對(duì)應(yīng)的SRAMl單元才能得到“I”。如果在某一環(huán)境參數(shù)下，SRAM2的某單元得到初始“0”，由于邏輯“與”運(yùn)算，它對(duì)應(yīng)的SRAMl單元將一直得到“O”。最后，當(dāng)遍歷完所有環(huán)境參數(shù)，我們將穩(wěn)定可靠的SRAM2 “I”的單元地址輸出作為PUF特征地址，“ I”作為這些特征地址的特征值，然后系統(tǒng)自動(dòng)退出注冊(cè)模式。下面通過(guò)激勵(lì)-響應(yīng)認(rèn)證技術(shù)對(duì)本發(fā)明的應(yīng)用進(jìn)行說(shuō)明。認(rèn)證由一對(duì)隨時(shí)間變化的激勵(lì)/響應(yīng)完成，這一激勵(lì)通常由認(rèn)證器選擇一個(gè)隨機(jī)SRAM PUF的特征地址，使用者的響應(yīng)依據(jù)激勵(lì)查詢(xún)SRAM PUF的特征值。當(dāng)一設(shè)備/芯片第一次被使用(也可能發(fā)生在生產(chǎn)后，出廠前)必須“注冊(cè)”。這個(gè)過(guò)程記錄正常使用時(shí)SRAM中穩(wěn)定可靠的單元作為PUF。一系列激勵(lì)和相應(yīng)的PUF響應(yīng)存儲(chǔ)于安全數(shù)據(jù)庫(kù)，這個(gè)過(guò)程叫注冊(cè)。以往的注冊(cè)過(guò)程相當(dāng)麻煩，所以大大影響了 PUF的實(shí)用性。如果使用本自我注冊(cè)系統(tǒng)(BISE)，從用戶角度，一切流程變得非常簡(jiǎn)單。正常使用過(guò)程中，SRAM PUF的特征地址/特征值提供一個(gè)不需儲(chǔ)存，不能被讀取，且不可能復(fù)制的密鑰。每個(gè)這樣的芯片都帶有唯一的密鑰，只有通過(guò)正常注冊(cè)過(guò)程的芯片，它的密鑰才能被使用。對(duì)這些PUF認(rèn)證過(guò)程，可以使用普通的基于激勵(lì)響應(yīng)的模式。驗(yàn)證系統(tǒng)給出一個(gè)激勵(lì)(SRAM PUF的特征地址)，你就可以從PUF中得到對(duì)于設(shè)備獨(dú)特的響應(yīng)(SRAM PUF的特征值)。如果響應(yīng)符合注冊(cè)結(jié)果，你所用的即是合法/正版芯片。假如生產(chǎn)完畢后，用此機(jī)制可防止過(guò)份生產(chǎn)，因只有合法設(shè)備將被注冊(cè)。任何沒(méi)有注冊(cè)的響應(yīng)被標(biāo)識(shí)為非法。激勵(lì)和響應(yīng)可簡(jiǎn)單看作一個(gè)握手協(xié)議，但那樣能被輕易窺探。因此更典型的做法是記錄許多對(duì)激勵(lì)和響應(yīng)。這些激勵(lì)和響應(yīng)被存儲(chǔ)于一個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)(按照終端應(yīng)用，這些可以放在讀取器中或云中)。傳統(tǒng)的做法，每對(duì)激勵(lì)/響應(yīng)僅用一次而后被扔掉。這需要根據(jù)應(yīng)用變化提前存儲(chǔ)大量激勵(lì)/響應(yīng)，并且如果用光，比較難產(chǎn)生新的激勵(lì)/響應(yīng)。如果使用本專(zhuān)利的自我注冊(cè)系統(tǒng)(BISE)，這個(gè)問(wèn)題也可以得到解決。如果IK RAM中有256個(gè)單元可以提供穩(wěn)定的PUF特征地址，我們可以隨機(jī)挑選128個(gè)單元地址，并以隨機(jī)順序發(fā)送激勵(lì)。
隨半導(dǎo)體工藝發(fā)展，Process Variation變大。SRAM PUF特征地址增多，這就意味著使用SRAM PUF加密的優(yōu)越性增加。需要強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明所述的實(shí)施例是說(shuō)明性的，而不是限定性的，因此本發(fā)明包括并不限于具體實(shí)施方式
中所述的實(shí)施例，凡是由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案得出的其他實(shí)施方式，同樣屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求
1.一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)，其特征在于包括BISE控制器、電壓調(diào)節(jié)器、溫度調(diào)節(jié)器、累加器、SRAMl和SRAM2，BISE控制器輸出端連接到電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器的輸出端連接到SRAM2上，BISE控制器分別與SRAM1、SRAM2和累加器相連接，SRAMU SRAM2分別與累加器的兩個(gè)輸入端相連接，該累加器的輸出端連接到SRAMl上，該SRAMl輸出PUF單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)，其特征在于所述的SRAMl和SRAM2具有同樣的大小和地址空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)，其特征在于所述的電壓調(diào)節(jié)器包括選擇電壓輸出單元和多個(gè)分壓電阻，工作電壓VDD通過(guò)分壓電阻連接到選擇電壓輸出單元上，該選擇電壓輸出單元在BISE控制器的控制下向SRAM2輸出不同的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)，其特征在于所述的溫度調(diào)節(jié)器包括計(jì)數(shù)器，該計(jì)數(shù)器在BISE控制器的控制下，向SRAM2循環(huán)交替寫(xiě)入“O”和“ I ”，從而調(diào)節(jié)SRAM2的溫度。
5.一種如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述片上自我注冊(cè)系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于包括以下步驟 步驟1:BISE控制器由初始態(tài)自動(dòng)進(jìn)入檢測(cè)模式O，進(jìn)行檢測(cè)并輸出檢測(cè)模式O下的PUF單元。
步驟2 :BISE控制器自動(dòng)進(jìn)入檢測(cè)模式1，進(jìn)行檢測(cè)并輸出檢測(cè)模式I下的PUF單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)方法，其特征在于所述檢測(cè)模式O的檢測(cè)過(guò)程為首先，SRAMl所有單元被初始化成“O”;然后，在各種環(huán)境參數(shù)組合下，SRAM2上電并讀取SRAM2的每個(gè)單元的初始邏輯值，將該邏輯值和SRAMl相應(yīng)單元的邏輯值進(jìn)行邏輯“或”運(yùn)算并把結(jié)果存入SRAMl相應(yīng)單元，重復(fù)以上操作直到所有環(huán)境參數(shù)全部遍歷完畢；最后，將穩(wěn)定可靠的SRAM2 “O”的單元地址輸出作為PUF特征地址，“O”作為這些特征地址的特征值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)方法，其特征在于所述檢測(cè)模式I的檢測(cè)過(guò)程為首先，SRAMl所有單元被初始化成“I”;然后，在各種環(huán)境參數(shù)組合下，SRAM2上電并讀取SRAM2的每個(gè)單元的初始邏輯值，將該邏輯值和SRAMl相應(yīng)單元的邏輯值進(jìn)行邏輯“與”運(yùn)算并把結(jié)果存入SRAMl相應(yīng)單元，重復(fù)以上操作直到所有環(huán)境參數(shù)全部遍歷完畢；最后，將穩(wěn)定可靠的SRAM2的“I”的單元地址輸出作為PUF特征地址，“I”作為這些特征地址的特征值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)方法，其特征在于所述的各種環(huán)境參數(shù)包括電壓調(diào)節(jié)參數(shù)和溫度調(diào)節(jié)參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊(cè)系統(tǒng)及其實(shí)現(xiàn)方法，其技術(shù)特點(diǎn)是該系統(tǒng)包括BISE控制器、電壓調(diào)節(jié)器、溫度調(diào)節(jié)器、累加器、SRAM1和SRAM2，BISE控制器輸出端連接到電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器和溫度調(diào)節(jié)器的輸出端連接到SRAM2上，BISE控制器分別與SRAM1、SRAM2和累加器相連接，SRAM1、SRAM2分別與累加器的兩個(gè)輸入端相連接，該累加器的輸出端連接到SRAM1上，該SRAM1輸出PUF單元；該方法包括步驟1BISE控制器由初始態(tài)自動(dòng)進(jìn)入檢測(cè)模式0，進(jìn)行檢測(cè)并輸出檢測(cè)模式0下的PUF單元；步驟2BISE控制器自動(dòng)進(jìn)入檢測(cè)模式1，進(jìn)行檢測(cè)并輸出檢測(cè)模式1下的PUF單元。本發(fā)明可廣泛集成在需要保護(hù)的芯片內(nèi)，具有設(shè)計(jì)合理、可靠性高、使用方便等特點(diǎn)。
文檔編號(hào)G06F21/79GK103020552SQ201210572609
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月20日
發(fā)明者黃宇 申請(qǐng)人:天津聯(lián)芯科技有限公司