專利名稱：一種電容觸摸屏的走線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)設(shè)計，更準(zhǔn)確地說，涉及一種電容觸摸屏的走線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電容觸摸屏金屬走線的保護(hù)工藝，包括全部的單面搭橋SITO和雙面走線DITO產(chǎn)品。SITO是Single ITO的簡稱。即菱型線路做法，XY軸都在玻璃的一面。DITO是DoubleITO的簡稱。即兩面線路做法，XY軸分別布于玻璃上下兩層。但是金屬線裸露在空氣中，隨著時間的推移，觸摸屏功能逐漸失靈，一般做法是對金屬線進(jìn)行顯影蝕刻。現(xiàn)有電容屏的生產(chǎn)廠商的設(shè)計為可視區(qū)(VA區(qū))為透明的氧化銦錫(IT0)，可視區(qū)以外的為金屬鑰鋁鑰走 線，金屬線的線距越來越小，這種設(shè)計會產(chǎn)生如下問題，就是一旦金屬線斷開或者被劃傷就會產(chǎn)生廢品。而對金屬線進(jìn)行蝕刻會加劇廢品的產(chǎn)生。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種電容觸摸屏的走線結(jié)構(gòu)，可以避免了金屬線裸露在空氣中，可以有效地保護(hù)金屬線，同時降低了廢品率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種電容觸摸屏的走線結(jié)構(gòu)，包括可視區(qū)、導(dǎo)通的金屬鑰鋁鑰走線，在所述金屬鑰鋁鑰走線的下方設(shè)置有導(dǎo)通的ITO走線。優(yōu)選的是，在金屬鑰鋁鑰走線的表面涂覆有二氧化硅涂層。優(yōu)選的是，所述二氧化硅涂層的厚度為40-1OOnm。本實(shí)用新型的有益效果在于，使得即使金屬鑰鋁鑰走線有斷線的情況發(fā)生，其下面依然有ITO走線起到導(dǎo)通的作用，提高了產(chǎn)品的合格率，降低了金屬走線顯影蝕刻的工藝要求。

圖I示出了本實(shí)用新型觸摸屏基材的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2示出了本實(shí)用新型電容屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型的具體方案做進(jìn)一步說明。本實(shí)用新型的所有原材料在市場上都可以購買到。其中乙酰丙酮，可采用不同的工藝路線丙酮與乙烯酮反應(yīng)或乙酐與丙酮縮合或丙酮與乙酸乙酯縮合。丙酮與乙烯酮的反應(yīng)的過程，實(shí)際上是以丙酮為原料，經(jīng)乙烯酮、乙酸異丙烯酯，再經(jīng)轉(zhuǎn)化而得乙酰丙酮；工藝過程如下將含有1/1000 二硫化碳的丙酮?dú)饣笠?80-800°C的裂化爐，使之生成乙烯酮(或冰醋酸經(jīng)氣化磷酸三乙酯催化劑存在下，以氨為穩(wěn)定劑，經(jīng)700°C裂化爐裂解為乙烯酮)，乙烯酮用丙酮吸收，在硫酸或乙?；酋４嬖谙拢?1-71°C使之與乙酸反應(yīng)生成乙酸異丙烯酯，經(jīng)分餾提純后，乙酸異丙稀酯純度可達(dá)93-95%以上。再將乙酸異丙烯酯氣化，引入預(yù)熱至560-570°C轉(zhuǎn)化爐，經(jīng)分子重排生成乙酰丙酮，經(jīng)冷凝，分餾提純得成品。每噸產(chǎn)品消耗丙酮約2700kg。丙酮與乙酸乙酯縮合的過程是在金屬鈉存在下進(jìn)行的。操作示例I在冷卻的燒杯中加入120ml精制的乙酸乙酯和32ml氨氣。在氨基鈉加完后，在冰水中不停振搖24h后，在室溫下放置過夜。次日加入IOOg冰，繼而加入同量的冰水，取其水層，力口入稀硫酸使呈酸性。在此溶液中加入飽和乙酸銅溶液(將40g粉末狀乙酸銅加一定量的熱水溶解而成)，使乙酰丙酮形成銅鹽析出。如反應(yīng)液為堿性，可加入少量乙酸。過2-3h后，將青灰色乙酰丙酮抽濾，用水洗滌兩次，直接移入分液漏斗中，加乙醚不斷振搖，同時加入50ml4N硫酸使其分解。取乙 醚溶液，再用乙醚萃取酸層中的乙酰丙酮，合并兩次乙醚溶液，用氯化鈣干燥。將乙醚蒸去殘留物繼續(xù)蒸餾，收集125-140°C餾分。再于135-140°C精留，收量約15-20g。沸點(diǎn)139°C。操作示例2在1500ml圓底燒瓶中，加入金屬鈉25g及20ml乙醚，再加入225ml用冷卻劑冷卻過的乙酸乙酯。在冷卻和不斷攪拌下加73ml丙酮。在室溫放置4h，加入400ml水，將水上層的乙酸乙酯分離，水層用乙酸中和，然后加入乙酸銅溶液(125g乙酸銅溶于1500ml水)即生成綠色的乙酰丙酮螯合物。放置2-3h后，沉淀完全，過濾。將沉淀懸浮于乙醚中，用50ml 40%稀硫酸振蕩，乙醚層用氯化鈣干燥。蒸去乙醚，把殘留的油狀分餾，收集124-140°C餾分，再分餾，收集139-140°C餾分。乙酐和丙酮的縮合反應(yīng)是在三氟化硼催化下進(jìn)行的此法收率較高。乙酰丙酮的精制方法將約20ml乙酰丙酮粗品溶于80ml苯中，然后與等體積的蒸餾水振蕩3h。易溶于水的乙酸分配到水相中，而乙酰丙酮則易溶于苯中。苯相中的乙酰丙酮可直接應(yīng)用，也可將苯蒸餾除。原料消耗定額丙酮(工業(yè)品，含水< 0. 5%)2553kg/t、發(fā)煙硫酸(以112504計)121^八、乙酐(95%)191^/t、二硫化碳(化學(xué)純)6kg/1。本實(shí)用新型的液體二氧化硅混合物的制備方法可以采用IXD領(lǐng)域應(yīng)用的液體二氧化硅的制備方法，其屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不再具體說明。實(shí)施例I按照上述方法配置液體二氧化硅混合物，其配方為50g 二氧化硅、20g 二氧化鈦、770g2-甲基-2，4-戍二醇、40g異丙醇、80g乙醇、40g水、IOg乙酰丙酮。實(shí)施例2按照上述方法配置液體二氧化硅混合物，其配方為40g 二氧化硅、20g 二氧化鈦、800g2-甲基-2，4-戍二醇、30g異丙醇、60g乙醇、40g水、IOg乙酰丙酮。實(shí)施例3按照上述方法配置液體二氧化硅混合物，其配方為50g 二氧化硅、IOg 二氧化鈦、850g2-甲基-2，4-戍二醇、20g異丙醇、40g乙醇、30g水、IOg乙酰丙酮。實(shí)施例4按照上述方法配置液體二氧化硅混合物，其配方為30g 二氧化硅、IOg 二氧化鈦、850g2-甲基-2，4-戍二醇、20g異丙醇、50g乙醇、30g水、IOg乙酰丙酮。上述液體二氧化硅混合物的低溫固化溫度是230度，這個溫度很容易測量，將上述實(shí)施例得到的液體二氧化硅混合物進(jìn)行透射率(高透)測試。高透是用各種測透過率的設(shè)備，波長選擇550nm都可以測出的，比如全光譜透過率儀，分光光度計，測試IXD透過率的IXD-5100等設(shè)備都可以測出來。[0023]選擇上述一種液體二氧化硅混合物進(jìn)行涂覆，本實(shí)用新型液體二氧化硅混合物由于其低溫固化、高透等特性使得其可以通過柯式印刷法(俗稱凸版印刷)，將液體二氧化硅SiO2有選擇性地轉(zhuǎn)印到玻璃基材上，再經(jīng)過230°C的高溫固化，得到固體二氧化硅SiO2層，具有高透、硬度高等特性。一般步驟是清潔基底-轉(zhuǎn)印-干燥-高壓汞燈下UV光照射-彎曲。其中，干燥步驟的溫度是90°C，保持5分鐘。本實(shí)用新型的柯式印刷法同樣可以做到涂覆整版區(qū)域和僅金屬走線區(qū)域兩種做法。本實(shí)用新型的這種SiO2涂覆固化后是近似于透明無色的。低溫固化溫度是230度，SiO2的印刷厚度選擇為400 1000埃，也就是40-100nm，更加優(yōu)選的是40_700nm，表面硬度是7H以上，產(chǎn)品的透過率是85. 8%，(理論值SiO2是97. 3%)。本實(shí)用新型的觸摸屏基材的結(jié)構(gòu)如圖I所示，依次為上層ITO膜I、玻璃2、下層ITO膜3、金屬線4、SiO2涂覆層5。增加的SiO2涂覆層可以很好地保護(hù)金屬線，同時，二氧 涂覆二氧化硅涂層。如圖2所示電容屏，包括可視區(qū)(VA區(qū))10，可視區(qū)10的四周為金屬鑰鋁鑰的走線11，所述金屬鑰鋁鑰的走線的下面設(shè)有連接導(dǎo)通的ITO走線12，這樣的設(shè)置，使得即使金屬鑰鋁鑰走線有斷線的情況發(fā)生，其下面依然有ITO走線12起到導(dǎo)通的作用，提高了產(chǎn)品的合格率，降低了金屬走線顯影蝕刻的工藝要求。在金屬鑰鋁鑰的走線11的表面可以涂覆一層上文所述的SiO2涂覆層5。當(dāng)然也可以涂覆現(xiàn)有技術(shù)中其他的二氧化硅混合物?，F(xiàn)有的做法是在走線上涂覆一層絕緣油來保護(hù)，絕緣油也是絲網(wǎng)印刷上去的。以上所述僅為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式，并非用來限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍，但凡在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)所做的等效變化及修飾，皆應(yīng)認(rèn)為落入了本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電容觸摸屏的走線結(jié)構(gòu)，包括可視區(qū)、導(dǎo)通的金屬鑰鋁鑰走線，其特征是在所述金屬鑰鋁鑰走線的下方設(shè)置有導(dǎo)通的ITO走線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容觸摸屏的走線結(jié)構(gòu)，其特征在于在金屬鑰鋁鑰走線的表面涂覆有二氧化娃涂層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容觸摸屏的走線結(jié)構(gòu)，其特征是所述二氧化硅涂層的厚度為 40_100nm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種電容觸摸屏的走線結(jié)構(gòu)，包括可視區(qū)、導(dǎo)通的金屬鉬鋁鉬走線，在所述金屬鉬鋁鉬走線的下方設(shè)置有導(dǎo)通的ITO走線。這樣的設(shè)計使得即使金屬鉬鋁鉬走線有斷線的情況發(fā)生，其下面依然有ITO走線起到導(dǎo)通的作用，提高了產(chǎn)品的合格率，降低了金屬走線顯影蝕刻的工藝要求。
文檔編號G06F3/044GK202512553SQ20122002520
公開日2012年10月31日 申請日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者張海龍, 王亞彬 申請人:深圳秋田微電子有限公司